電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/程文智）這幾年GaN和SiC等第三代半導(dǎo)體器件的商用化進(jìn)展還不錯(cuò)，GaN器件在快充上開始大規(guī)模應(yīng)用，SiC器件也在汽車上嶄露頭角。現(xiàn)在大家對(duì)第三代半導(dǎo)體器件的前景非?？春?，很多
2021-12-27 09:01:00
4168 寬禁帶半導(dǎo)體（WBS）是自第一代元素半導(dǎo)體材料（Si）和第二代化合物半導(dǎo)體材料（GaAs、GaP、InP等）之后發(fā)展起來(lái)的第三代半導(dǎo)體材料，禁帶寬度大于2eV，這類材料主要包括SiC（碳化硅）、C-BN（立方氮化硼）、GaN（氮化鎵、）AlN（氮化鋁）、ZnSe（硒化鋅）以及金剛石等。
2016-12-05 09:18:344405 
，也點(diǎn)燃半導(dǎo)體業(yè)新戰(zhàn)火。 ? 第三代半導(dǎo)體主要和氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）兩種材料有關(guān)，不少大廠都已先期投資數(shù)十年，近年隨著蘋果、小米及現(xiàn)代汽車等大廠陸續(xù)宣布產(chǎn)品采用新材料的計(jì)劃，讓第三代半導(dǎo)體成為各界焦點(diǎn)。 ? 目前各大廠都運(yùn)用不同
2021-05-10 16:00:572569 。本屆展會(huì)順應(yīng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢(shì)，服務(wù)于十幾個(gè)新興行業(yè)應(yīng)用。展出面積5.5萬(wàn)平方米，將匯聚800多家展商集中展示集成電路、電子元器件、第三代半導(dǎo)體及產(chǎn)業(yè)鏈材料和設(shè)備為一體的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈。同期舉辦多場(chǎng)高峰論壇
2021-12-07 11:04:24
GaN具有體積小功率大的特性，是目前最適合5G時(shí)代的PA材料。SiC和GaN等第三代半導(dǎo)體將更能適應(yīng)未來(lái)的應(yīng)用需求。模擬IC關(guān)注電壓電流控制、失真率、功耗、可靠性和穩(wěn)定性，設(shè)計(jì)者需要考慮各種元器件對(duì)模擬
2019-05-06 10:04:10
5G最通俗易懂的解釋，縮略語(yǔ)中英文全稱3GPP3rd Generation Partnership Project第三代合作伙伴計(jì)劃5GC5G Core Network5G核心網(wǎng)AAUActive Anten...
2021-07-27 07:09:03
化合物半導(dǎo)體在通訊射頻領(lǐng)域主要用于功率放大器、射頻開關(guān)、濾波器等器件中。砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）半導(dǎo)體分別作為第二代和第三代半導(dǎo)體的代表，相比第一代半導(dǎo)體高頻性能、高溫性能優(yōu)異很多，制造成本更為高昂，可謂是半導(dǎo)體中的新貴。
2019-09-11 11:51:19
寬禁帶半導(dǎo)體材料氮化鎵（GaN）以其良好的物理化學(xué)和電學(xué)性能成為繼第一代元素半導(dǎo)體硅（Si）和第二代化合物半導(dǎo)體砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）、磷化銦（InP）等之后迅速發(fā)展起來(lái)的第三代半導(dǎo)體
2019-06-25 07:41:00
天線：MassiveMIMO和新材料將應(yīng)用5G封測(cè)：各大封測(cè)廠積極備戰(zhàn)5G芯片化合物半導(dǎo)體迎來(lái)新機(jī)遇電磁屏蔽、導(dǎo)熱材料獲得新市場(chǎng)空間
2020-12-30 06:01:41
GaN將在高功率、高頻率射頻市場(chǎng)及5G 基站PA的有力候選技術(shù)。未來(lái)預(yù)估5-10年內(nèi)GaN 新型材料將快速崛起并占有多半得半導(dǎo)體市場(chǎng)需求。。。以下內(nèi)容均摘自網(wǎng)絡(luò)媒體，如果不妥，請(qǐng)聯(lián)系站內(nèi)信進(jìn)行刪除
2019-04-13 22:28:48
、InP化合物半導(dǎo)體材料之后的第三代半導(dǎo)體材料。 在光電子、高溫大功率器件和高頻微波器件應(yīng)用方面有著廣闊的前景。SiC功率器件在C波段以上受頻率的限制，也使其使用受到一定的限制;GaN功率管因其
2017-06-16 10:37:22
？到了上個(gè)世紀(jì)六七十年代，III-V族半導(dǎo)體的發(fā)展開辟了光電和微波應(yīng)用，與第一代半導(dǎo)體一起，將人類推進(jìn)了信息時(shí)代。八十年代開始，以碳化硅SiC、氮化鎵GaN為代表的第三代半導(dǎo)體材料的出現(xiàn)，開辟了人類
2017-05-15 17:09:48
３Ｇ定義 ３Ｇ是英文３rd Generation的縮寫，至第三代移動(dòng)通信技術(shù)。相對(duì)于第一代模擬制式手機(jī)（１Ｇ）和第二代GSM、TDMA等數(shù)字手機(jī)（２Ｇ）來(lái)說(shuō)，第三代手機(jī)是指將無(wú)線通信與國(guó)際互聯(lián)網(wǎng)等
2019-07-01 07:19:52
IMT-2000的優(yōu)勢(shì)主要在于能夠使用寬帶服務(wù)，大大改進(jìn)目前在GSM和TDMA/136上提供的標(biāo)準(zhǔn)化服務(wù)。第三代移動(dòng)通信系統(tǒng)將提供 384kbps的廣域數(shù)據(jù)通信服務(wù)和大約2Mbps的局域數(shù)據(jù)通信服務(wù)。新的用于
2009-11-13 21:32:08
）第三代紅外攝像機(jī)技術(shù)散熱性能好、發(fā)光點(diǎn)大、亮度高等特點(diǎn)大大提高了紅外燈的使用效率，并且采用獨(dú)特的COB封裝技術(shù)能有效地將紅外燈5年內(nèi)的光衰減控制在10%以內(nèi)，比陣列式的使用壽命延長(zhǎng)5年。在使用壽命上
2011-02-19 09:35:33
是激光紅外與傳統(tǒng)紅外的4-5倍，散熱性能良好，質(zhì)量等級(jí)高，將廣泛應(yīng)用安放民用市場(chǎng)與工程項(xiàng)目市場(chǎng)。IR-III與激光紅外差別距離：帕特羅（PATRO）第三代紅外攝像機(jī)產(chǎn)品照射距離30～100米，適合中短
2011-02-19 09:38:46
LED:節(jié)能環(huán)保的第三代照明技術(shù)1、半導(dǎo)體照明 LED：變革照明的第三代革命1.1LED 代替白熾燈—任重而道遠(yuǎn)自 20 世紀(jì) 60 年代世界第一個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光二極管誕生以來(lái)，LED 照明因具 有
2011-09-28 00:12:44
多個(gè)方面都無(wú)法滿足要求。在基站端，由于對(duì)高功率的需求，氮化鎵（GaN）因其在耐高溫、優(yōu)異的高頻性能以及低導(dǎo)通損耗、高電流密度的物理特性，是目前最有希望的下一代通信基站功率放大器（PA）芯片材料。5G采用
2017-07-18 16:38:20
`第一代沒(méi)有留下痕跡。第二代之前在論壇展示過(guò)：https://bbs.elecfans.com/jishu_282495_1_1.html現(xiàn)在第三代誕生：`
2013-08-10 15:35:19
近日，華碩正式發(fā)布EeePCShell貝殼機(jī)，標(biāo)志上網(wǎng)本市場(chǎng)正式進(jìn)入第三代。華碩EeePC全球產(chǎn)品經(jīng)理吳南磬表示，今后的每款EeePC在設(shè)計(jì)之初都將預(yù)留3G模塊的位置，并透露EeePC與傳統(tǒng)筆記本將
2009-07-01 22:40:05
據(jù)業(yè)內(nèi)權(quán)威人士透露，我國(guó)計(jì)劃把大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，寫入“十四五”規(guī)劃，計(jì)劃在2021-2025年期間，在教育、科研、開發(fā)、融資、應(yīng)用等等各個(gè)方面，大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，...
2021-07-27 07:58:41
方形，通過(guò)兩個(gè)晶格常數(shù)（圖中標(biāo)記為a 和c）來(lái)表征。GaN 晶體結(jié)構(gòu)在半導(dǎo)體領(lǐng)域，GaN 通常是高溫下（約為1,100°C）在異質(zhì)基板（射頻應(yīng)用中為碳化硅[SiC]，電源電子應(yīng)用中為硅[Si]）上通過(guò)
2019-08-01 07:24:28
什么是第三代移動(dòng)通信答復(fù)：第三代移動(dòng)通信系統(tǒng)IMT2000，是國(guó)際電信聯(lián)盟（ITU）在1985年提出的，當(dāng)時(shí)稱為陸地移動(dòng)系統(tǒng)（FPLMTS）。1996年正式更名為IMT2000。與現(xiàn)有的第二代移動(dòng)
2009-06-13 22:49:39
隨著第三代移動(dòng)通信技術(shù)的興起，UMTS網(wǎng)絡(luò)的建立將帶來(lái)一場(chǎng)深刻的革命，這對(duì)網(wǎng)絡(luò)規(guī)劃也提出了更高的要求。在德國(guó)轟動(dòng)一時(shí)的UMTS執(zhí)照拍賣，引起了公眾對(duì)這一新技術(shù)的極大興趣。第三代移動(dòng)通信網(wǎng)絡(luò)的建設(shè)正方
2019-08-15 07:08:29
IR-III技術(shù)定義(IR-III Technology Definition)IR-III技術(shù)即紅外夜視第三代技術(shù)，根植于上世紀(jì)60年代美國(guó)貝爾實(shí)驗(yàn)室發(fā)明的紅外夜視技術(shù)，屬于一種主動(dòng)式紅外
2011-02-19 09:34:33
已經(jīng)將產(chǎn)業(yè)未來(lái)聚焦到了第三代化合物半導(dǎo)體身上。可以說(shuō)第三代半導(dǎo)體就是未來(lái)功率器件的發(fā)展方向。全國(guó)兩會(huì)近日剛落下帷幕，第三代半導(dǎo)體（GaN和SiC）再度成為兩會(huì)的關(guān)鍵詞之一。伴隨著第三代半導(dǎo)體行業(yè)的觸角向
2021-03-26 15:26:13
基于第三代移動(dòng)通信系統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)的ALC控制方案的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
2021-01-13 06:07:38
導(dǎo) 讀 追求更低損耗、更高可靠性、更高性價(jià)比是碳化硅功率器件行業(yè)的共同目標(biāo)。為不斷提升產(chǎn)品核心競(jìng)爭(zhēng)力，基本半導(dǎo)體成功研發(fā)第三代碳化硅肖特基二極管，這是基本半導(dǎo)體系列標(biāo)準(zhǔn)封裝碳化硅肖特基二極管
2023-02-28 17:13:35
淺析第三代移動(dòng)通信功率控制技術(shù)
2021-06-07 07:07:17
一、化合物半導(dǎo)體應(yīng)用前景廣闊，市場(chǎng)規(guī)模持續(xù)擴(kuò)大 化合物半導(dǎo)體是由兩種及以上元素構(gòu)成的半導(dǎo)體材料，目前最常用的材料有GaAs、GaN以及SiC等，作為第二代和第三代半導(dǎo)體的主要代表，因其在高功率
2019-06-13 04:20:24
5G將于2020年將邁入商用，加上汽車走向智慧化、聯(lián)網(wǎng)化與電動(dòng)化的趨勢(shì)，將帶動(dòng)第三代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)的發(fā)展。根據(jù)拓墣產(chǎn)業(yè)研究院估計(jì)，2018年全球SiC基板產(chǎn)值將達(dá)1.8
2019-05-09 06:21:14
超過(guò)40%，其中以碳化硅材料（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體大功率電力電子器件是目前在電力電子領(lǐng)域發(fā)展最快的功率半導(dǎo)體器件之一。根據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì)，2019年中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)規(guī)模達(dá)7562億元
2021-01-12 11:48:45
本文討論了移動(dòng)通信向
第三代(3
G)標(biāo)準(zhǔn)的演化與發(fā)展，給出了范圍廣泛的3
G發(fā)射機(jī)關(guān)鍵技術(shù)與規(guī)范要求的概述。文章提供了頻分復(fù)用(FDD)寬帶碼分多址(WCDMA)系統(tǒng)發(fā)射機(jī)的設(shè)計(jì)和測(cè)得的性能數(shù)據(jù)，以Maxim現(xiàn)有的發(fā)射機(jī)IC進(jìn)行展示和說(shuō)明?！ ?/div>
2019-06-14 07:23:38
分享小弟用第三代太陽(yáng)能的心得。
最近看了很多資料對(duì)第三代太陽(yáng)能的介紹，諸多的評(píng)論都說(shuō)到他的優(yōu)勢(shì)，小弟于是購(gòu)買了這種叫第三代的太陽(yáng)能－砷化鎵太陽(yáng)能模塊。想說(shuō)，現(xiàn)在硅晶的一堆
2010-11-27 09:53:27
本文介紹了適用于5G毫米波頻段等應(yīng)用的新興SiC基GaN半導(dǎo)體技術(shù)。通過(guò)兩個(gè)例子展示了采用這種GaN工藝設(shè)計(jì)的MMIC的性能：Ka頻段（29.5至36GHz）10W的PA和面向5G應(yīng)用的24至
2020-12-21 07:09:34
如何看待高通剛剛發(fā)布的5nm第三代5G基帶芯片？華為巴龍5000距離x60的差距有多大？
2021-06-18 07:02:55
Intel Xeon?可擴(kuò)展處理器（第三代）Intel?Xeon?可擴(kuò)展處理器（第三代）針對(duì)云、企業(yè)、HPC、網(wǎng)絡(luò)、安全和IoT工作負(fù)載進(jìn)行了優(yōu)化，具有8到40個(gè)強(qiáng)大的內(nèi)核和頻率范圍、功能和功率級(jí)別
2024-02-27 11:58:54
，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場(chǎng)等突出優(yōu)點(diǎn)，與剛石等半導(dǎo)體材料一起，被譽(yù)為是繼第一代Ge、Si半導(dǎo)體材料、第二代GaAs、InP化合物半導(dǎo)體材料之后的第三代半導(dǎo)體材料。 在光電子、高溫大功率器件和高頻微波器件應(yīng)用方面有著廣闊的前景。SiC功率
2017-11-09 11:54:52
9 第三代半導(dǎo)體材料主要包括氮化鎵（Gallium Nitride，GaN）、碳化硅（Silicon Carbide， SiC）、氧化鋅（Zinc Oxide， ZnO）、氮化鋁（Aluminum
2017-11-10 11:35:571 5G將于2020年將邁入商用，加上汽車走向智慧化、聯(lián)網(wǎng)化與電動(dòng)化的趨勢(shì)，將帶動(dòng)第三代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)的發(fā)展。根據(jù)拓墣產(chǎn)業(yè)研究院估計(jì)，2018年全球SiC基板產(chǎn)值將達(dá)1.8億美元，而GaN基板產(chǎn)值僅約3百萬(wàn)美元。
2018-03-29 14:56:1235825 
5G將于2020年將邁入商用，加上汽車走向智慧化、聯(lián)網(wǎng)化與電動(dòng)化的趨勢(shì)，將帶動(dòng)第三代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)的發(fā)展。根據(jù)拓墣產(chǎn)業(yè)研究院估計(jì)，2018年全球SiC基板產(chǎn)值將達(dá)1.8億美元，而GaN基板產(chǎn)值僅約3百萬(wàn)美元。
2018-03-29 14:52:507478 
本文首先介紹了第三代半導(dǎo)體的材料特性，其次介紹了第三代半導(dǎo)體材料性能應(yīng)用及優(yōu)勢(shì)，最后分析了了我國(guó)第三代半導(dǎo)體材料發(fā)展面臨著的機(jī)遇挑戰(zhàn)。
2018-05-30 12:37:3334365 
本文首先分別對(duì)第一代半導(dǎo)體材料、第二代半導(dǎo)體材料和第三代半導(dǎo)體材料進(jìn)行了概述，其次介紹了第三代半導(dǎo)體材料應(yīng)用領(lǐng)域及我國(guó)第三代半導(dǎo)體材料的前景展望。
2018-05-30 14:27:17143245 繼5G、新基建后，第三代半導(dǎo)體概念近日在市場(chǎng)上的熱度高居不下。除了與5G密切相關(guān)外，更重要是有證券研報(bào)指出，第三代半導(dǎo)體有望納入重要規(guī)劃，消息傳出后多只概念股受到炒作。證券業(yè)人士提醒，有個(gè)人投資者
2020-09-21 11:57:553812 耐威科技發(fā)力第三代半導(dǎo)體材料，其氮化鎵材料項(xiàng)目宣布簽約青島。
2018-07-10 11:13:4611881 日前，在紀(jì)念集成電路發(fā)明60周年學(xué)術(shù)會(huì)議上，中科院院士、國(guó)家自然科學(xué)基金委員會(huì)信息科學(xué)部主任、西安電子科技大學(xué)教授郝躍院士做了題為《寬禁帶與超寬禁帶半導(dǎo)體器件新進(jìn)展》的報(bào)告。郝躍院士詳細(xì)講解了第三代半導(dǎo)體材料的優(yōu)勢(shì)。
2018-10-23 14:36:1313190 第三代半導(dǎo)體，又稱寬禁帶半導(dǎo)體，是以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表的半導(dǎo)體材料，具備高壓、高溫、高頻大功率等特性。
2019-06-21 10:29:317739 下，技術(shù)也在更新?lián)Q代。隨著Si和化合物半導(dǎo)體材料GaAs在器件性能的提升到了瓶頸，不足以全面支撐下一代信息技術(shù)的可持續(xù)發(fā)展時(shí)，尋找新一代半導(dǎo)體材料成為了發(fā)展的重要方向。至此，第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料氮化鎵（GaN）闖入了人們的視線！
2019-08-02 14:02:1110111 5G將于2020年將邁入商用，加上汽車走向智慧化、聯(lián)網(wǎng)化與電動(dòng)化的趨勢(shì)，將帶動(dòng)第三代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)的發(fā)展。2018年全球SiC基板產(chǎn)值將達(dá)1.8億美元，而GaN基板產(chǎn)值
2020-03-15 09:56:574129 第一代材料是硅（Si），大家通俗理解的硅谷，就是第一代半導(dǎo)體的產(chǎn)業(yè)園。
第二代材料是砷化鎵（GaAs），為4G時(shí)代而生，目前的大部分通信設(shè)備的材料。
第三代材料主要以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表的寬禁帶的半導(dǎo)體材料，是未來(lái)5G時(shí)代的標(biāo)配
2020-09-04 19:07:147242 
解密第三代半導(dǎo)體材料：華為小米緊追，突破歐美鎖喉的新武器 傳感器技術(shù) A股半導(dǎo)體材料板塊徹底爆了，這還是在前夜美股出現(xiàn)午夜驚魂大跌一場(chǎng)之后！ 探究A股半導(dǎo)體概念股硬氣扛住外盤影響的原因，是前一晚一則
2020-09-10 11:26:202443 7月20日，長(zhǎng)沙三安第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目開工活動(dòng)在長(zhǎng)沙高新區(qū)舉行。 當(dāng)前，第三代半導(dǎo)體材料及器件已成為全球半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)的前沿和制高點(diǎn)之一。以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體成熟商用材料，在新能源汽車
2020-09-12 09:28:092819 周二盤中，第三代半導(dǎo)體板塊沖高，截至發(fā)稿，聚燦光電拉升封板，派瑞股份大漲近15%，乾照光電、易事特、臺(tái)基股份等個(gè)股紛紛走高。 粵開證券研報(bào)指出，第三代半導(dǎo)體是十四五重要發(fā)展方向，據(jù)國(guó)家新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展
2020-11-03 15:58:30743 9月4日，第二屆第三代半導(dǎo)體材料及裝備發(fā)展研討會(huì)在北京召開，作為第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟會(huì)員單位，湖南天玥科技有限公司（長(zhǎng)沙新一代半導(dǎo)體研究院）參加會(huì)議。 公司副總裁袁堅(jiān)出席會(huì)議。 本次會(huì)議
2020-09-26 10:55:022340 、基金，但多數(shù)人連半導(dǎo)體是什么都沒(méi)搞清楚，而第三代半導(dǎo)體又是何方神圣？ 在我國(guó)發(fā)力新基建的背景下，第三代半導(dǎo)體材料成了非常重要的技術(shù)支撐。今年4月，國(guó)家發(fā)改委首次官宣新基建的范圍，正式定調(diào)了5G基建、人工智能、工
2020-09-26 11:04:023798 什么是第三代半導(dǎo)體？ 第三代半導(dǎo)體是以碳化硅SiC、氮化鎵GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高擊穿電場(chǎng)、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點(diǎn)。 一、二、三代半導(dǎo)體
2020-09-28 09:52:203299 
、新能源汽車、5G應(yīng)用等第三代半導(dǎo)體關(guān)鍵市場(chǎng)的增速位居全球前列，為第三代半導(dǎo)體帶來(lái)巨大的發(fā)展空間和良好的市場(chǎng)前景，將催生上萬(wàn)億元潛在市場(chǎng)。 第三代半導(dǎo)體為何如此被看好，有哪些重點(diǎn)應(yīng)用方向？我國(guó)第三代半導(dǎo)體企業(yè)該如
2020-10-09 16:44:513357 2020年，新基建產(chǎn)業(yè)站在了風(fēng)口上。在以5G、物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)等為代表的新基建主要領(lǐng)域中，第三代半導(dǎo)體承擔(dān)著重要角色。 有消息稱，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將寫入十四五規(guī)劃之中，計(jì)劃2021年至2025
2020-10-27 10:36:302890 呢？為什么說(shuō)第三代半導(dǎo)體有望成為國(guó)產(chǎn)替代希望？ 第三代半導(dǎo)體也被稱為寬帶隙半導(dǎo)體，主要是以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表的寬帶隙半導(dǎo)體材料，其帶隙寬度大于2.2eV，是5G、人工智能、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)等多個(gè)新基建產(chǎn)業(yè)的重要材料，同時(shí)也是
2020-10-29 18:26:404897 
。 什么是第三代半導(dǎo)體？ 第三代半導(dǎo)體是以碳化硅SiC、氮化鎵GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高擊穿電場(chǎng)、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點(diǎn)。 一、二、三代半導(dǎo)體什么區(qū)別？ 一、材料 第一代半導(dǎo)體材料，發(fā)
2020-11-04 15:12:374305 實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)獨(dú)立自主。 什么是第三代半導(dǎo)體？ 第三代半導(dǎo)體是以碳化硅SiC、氮化鎵GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高擊穿電場(chǎng)、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點(diǎn)。 一、二、三代半導(dǎo)體什么區(qū)別？ 一、材料 第一代半
2020-11-05 09:25:4933332 近年來(lái)，隨著半導(dǎo)體市場(chǎng)的飛速發(fā)展，第三代半導(dǎo)體材料也成為人們關(guān)注的重點(diǎn)。第三代半導(dǎo)體材料指的是碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氧化鋅（ZnO）、金剛石（C）、氮化鋁（AlN）等新興材料。而這
2020-11-09 17:22:052755 在5G和新能源汽車等新市場(chǎng)需求的驅(qū)動(dòng)下，第三代半導(dǎo)體材料有望迎來(lái)加速發(fā)展。硅基半導(dǎo)體的性能已無(wú)法完全滿足5G和新能源汽車的需求，碳化硅和氮化鎵等第三代半導(dǎo)體的優(yōu)勢(shì)被放大。
2020-11-29 10:48:1287783 招商引資名單中。 問(wèn)題來(lái)了：第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是真的進(jìn)入春天還是虛火上升？又有哪些行業(yè)真的需要GaN或SiC功率器件呢？相對(duì)于IGBT、MOSFET和超級(jí)結(jié)MOSFET，GaN和SiC到底能為電子行業(yè)帶來(lái)哪些技術(shù)變革？ 為了回答這些問(wèn)題，小編認(rèn)真閱讀了多
2020-12-08 17:28:0312548 最近，“我國(guó)將把發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)寫入‘十四五’規(guī)劃”引爆全網(wǎng)。什么是第三代半導(dǎo)體？發(fā)展第三代半導(dǎo)體的意義在哪兒？它憑什么一夜爆火
2020-12-14 11:02:443297 ，什么材料會(huì)再領(lǐng)風(fēng)騷？記者采訪了專家。? 禁帶寬度，是用來(lái)區(qū)分不同代際半導(dǎo)體的關(guān)鍵參數(shù)。? 作為第三代半導(dǎo)體，氮化鎵和碳化硅的禁帶寬度分別為3.39電子伏特和3.26電子伏特，較高的禁帶寬度非常適合高壓器件應(yīng)用。氮化鎵電子飽和速度
2021-01-07 14:19:483427 半導(dǎo)體的觸角已延伸至數(shù)據(jù)中心、新能源汽車等多個(gè)關(guān)鍵領(lǐng)域，整個(gè)行業(yè)漸入佳境，未來(lái)可期。 第三代半導(dǎo)體可提升能源轉(zhuǎn)換效率 以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體具備耐高溫、耐高壓、高頻率、大功率等優(yōu)勢(shì)，相比硅器件
2021-03-25 15:19:163618 
在政策導(dǎo)向方面，多項(xiàng)新政策的出臺(tái)，大大助力了第三代半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。近年來(lái)，國(guó)務(wù)院及工信部、科技部等多部門出臺(tái)了一系列扶持第三代半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展的利好政策。
2021-06-09 09:20:514374 
據(jù)統(tǒng)計(jì)，目前國(guó)內(nèi)以SiC、GaN為代表的第三代半導(dǎo)體主要制造商已達(dá)147家。
2022-07-20 15:16:351477 如何化解第三代半導(dǎo)體的應(yīng)用痛點(diǎn) 在集成電路和分立器件領(lǐng)域，硅始終是應(yīng)用最廣泛、技術(shù)最成熟的半導(dǎo)體材料，但硅材料技術(shù)的成熟恰恰意味著難以突破瓶頸。為了打破固有屏障，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)一步深入對(duì)新材料、新工藝
2022-08-02 15:12:291446 
與第一代硅（Si）半導(dǎo)體材料和第二代砷化鎵（GaAs）半導(dǎo)體材料相比，碳化硅（SiC）或氮化鎵（GaN）的第三代半導(dǎo)體材料（也稱為寬帶隙半導(dǎo)體材料）具有更好的物理和化學(xué)特性，同時(shí)具有開關(guān)速度快、體積小、效率高、散熱快等
2022-12-08 09:56:03887 第三代半導(dǎo)體材料有哪些 第三代半導(dǎo)體材料: 氨化家、碳化硅、氧化鋅、氧化鋁和金剛石。 從半導(dǎo)體材料的三項(xiàng)重要參數(shù)看，第三代半導(dǎo)體材料在電子遷移率、飽和漂移速率、禁帶寬度三項(xiàng)指標(biāo)上均有著優(yōu)異的表現(xiàn)
2023-02-07 14:06:164201 、射頻應(yīng)用中的顯著
性能優(yōu)勢(shì)，第三代半導(dǎo)體逐漸顯露出廣闊的應(yīng)用前景和市場(chǎng)發(fā)展?jié)摿Α?
所謂第三代半導(dǎo)體，即禁帶寬度大于或等于2.3eV的半導(dǎo)體材料，又稱寬禁帶半導(dǎo)體。常見(jiàn)的第三代半導(dǎo)體材料主要包括碳化
硅（SiC）、氮化鎵
2023-02-27 15:23:542 領(lǐng)域的性能方面表現(xiàn)不佳，但還有性價(jià)
比助其占據(jù)市場(chǎng)。第二代半導(dǎo)體以砷化鎵（GaAs）、銻化銦（InSb）、磷化銦（InP）為代表，主要應(yīng)用領(lǐng)域?yàn)楣怆娮?、微?
子、微波功率器件等。第三代半導(dǎo)體以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氧化鋅（ZnO）、金
2023-02-27 15:20:113 、射頻應(yīng)用中的顯著
性能優(yōu)勢(shì)，第三代半導(dǎo)體逐漸顯露出廣闊的應(yīng)用前景和市場(chǎng)發(fā)展?jié)摿Α?
所謂第三代半導(dǎo)體，即禁帶寬度大于或等于2.3eV的半導(dǎo)體材料，又稱寬禁帶半導(dǎo)體。常見(jiàn)的第三代半導(dǎo)體材料主要包括碳化
硅（SiC）、氮化鎵
2023-02-27 14:37:561 所謂第三代半導(dǎo)體，即禁帶寬度大于或等于2.3eV的半導(dǎo)體材料，又稱寬禁帶半導(dǎo)體。常見(jiàn)的第三代半導(dǎo)體材料主要包括碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氮化鋁（AIN）、氧化鋅（ZnO）和金剛石等，其中
2023-05-18 10:57:361018 第三代半導(dǎo)體功率器件的理想材料，可以在溶劑中生長(zhǎng)。
2022-01-13 17:39:231522 
第三代半導(dǎo)體以及芯片的核心材料
2023-05-06 09:48:442620 
能與成本?未來(lái)有何發(fā)展目標(biāo)?...... 前言： 憑借功率密度高、開關(guān)速度快、抗輻照性強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代半導(dǎo)體材料被廣泛應(yīng)用于電力電子、光電子學(xué)和無(wú)線通信等領(lǐng)域，以提高設(shè)備性能和效率，并成為當(dāng)前半導(dǎo)
2023-09-18 16:48:02365 第三代寬禁帶半導(dǎo)體SiC和GaN在新能源和射頻領(lǐng)域已經(jīng)開始大規(guī)模商用。與第一代和第二代半導(dǎo)體相比，第三代半導(dǎo)體具有許多優(yōu)勢(shì)，這些優(yōu)勢(shì)源于新材料和器件結(jié)構(gòu)的創(chuàng)新。
2023-10-10 16:34:28295 
近年來(lái)，碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等第三代半導(dǎo)體材料成為全球半導(dǎo)體市場(chǎng)熱點(diǎn)之一。
2023-10-16 14:45:06694 5G、快充、UVC，第三代半導(dǎo)體潮起
2023-01-13 09:06:003 第三代半導(dǎo)體之GaN研究框架
2023-01-13 09:07:4117 
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