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電子發(fā)燒友網(wǎng)>模擬技術(shù)>寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體器件主要應(yīng)用于哪?

寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體器件主要應(yīng)用于哪?

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2021-11-02 07:13:30

新型寬帶材料的優(yōu)勢

高于硅半導(dǎo)體的新型材料可縮減芯片尺寸,同時保持相同的隔離電壓。 較小的芯片產(chǎn)生較低的寄生電容,并降低了晶體管柵極電荷 (Qg) 及輸出電容 (Coss)。相比于標準的硅 MOSFET,在給定的頻率
2018-08-30 14:43:17

權(quán)衡功率密度與效率的方法

能量轉(zhuǎn)換效率是一個重要的指標,各制造商摩拳擦掌希望在95%的基礎(chǔ)上再有所提升。為了實現(xiàn)這一提升,開始逐漸采用越來越復(fù)雜的轉(zhuǎn)換拓撲,如移相全橋(PSFB)和LLC變換器。而且二極管將逐漸被功耗更低的MOSFET所取代,寬帶WBG器件更是以其驚人的開關(guān)速度被譽為未來的半導(dǎo)體業(yè)明珠。
2020-10-29 07:12:23

氮化鎵充電器

是什么氮化鎵(GaN)是氮和鎵化合物,具體半導(dǎo)體特性,早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中,它與常用的硅屬于同一元素周期族,硬度高熔點高穩(wěn)定性強。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導(dǎo)體材料,具有寬帶、高熱導(dǎo)率等特點,應(yīng)用在充電器方面,主要是集成氮化鎵MOS管,可適配小型變壓器和高功率器件,充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58

電力半導(dǎo)體器件有哪些分類?

電力半導(dǎo)體器件的分類
2019-09-19 09:01:01

碳化硅半導(dǎo)體器件有哪些?

  由于碳化硅具有不可比擬的優(yōu)良性能,碳化硅是寬禁帶半導(dǎo)體材料的一種,主要特點是高熱導(dǎo)率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強等,因此被應(yīng)用于各種半導(dǎo)體材料當中,碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關(guān)管
2020-06-28 17:30:27

第三代半導(dǎo)體材料盛行,GaN與SiC如何撬動新型功率器件

(SiC)、氮鎵(GaN)為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN材料,由于具有寬帶、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優(yōu)點,與剛石等半導(dǎo)體材料一起,被譽為是繼第一代Ge、Si半導(dǎo)體材料、第二代GaAs
2017-06-16 10:37:22

適合用于射頻、微波等高頻電路的半導(dǎo)體材料及工藝情況介紹

半導(dǎo)體材料是一類具有半導(dǎo)體性能(導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間,電阻率約在1mΩ·cm~1GΩ·cm范圍內(nèi))、可用來制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料。按種類可以分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類
2019-06-27 06:18:41

針對電機控制應(yīng)用如何選擇寬帶器件

在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中,使用碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)材料的寬帶WBG半導(dǎo)體器件作為開關(guān),能讓開關(guān)性能更接近理想狀態(tài)。相比硅MOSFET或IGBT,寬帶器件的靜態(tài)和動態(tài)損耗都更低。此外還有
2023-02-05 15:16:14

半導(dǎo)體器件,半導(dǎo)體器件的種類

半導(dǎo)體器件,半導(dǎo)體器件的種類 半導(dǎo)體器件從肯有2個管腳的二極管到最新的系統(tǒng)LSI、超大功率器件均有廣泛的研究,且被廣泛地運用于手機、數(shù)碼家電產(chǎn)品
2010-03-01 17:25:025985

什么是寬帶半導(dǎo)體材料

什么是寬帶半導(dǎo)體材料 氮化鎵、碳化硅和氧化鋅等都是寬帶半導(dǎo)體材料,因為它的禁帶寬度都在3個電子伏以上,在室溫下不可
2010-03-04 10:32:487106

盤點半導(dǎo)體分立器件國內(nèi)主要廠商

半導(dǎo)體分立器件器件國內(nèi)主要公司有韋爾股份、揚杰科技、捷捷微電、蘇州固锝、華微電子、臺基股份、士蘭微等。
2018-11-15 17:06:5425412

半導(dǎo)體光電器件有哪些

半導(dǎo)體光電器件是指把光和電這兩種物理量聯(lián)系起來,使光和電互相轉(zhuǎn)化的新型半導(dǎo)體器件。即利用半導(dǎo)體的光電效應(yīng)(或熱電效應(yīng))制成的器件。光電器件主要有,利用半導(dǎo)體光敏特性工作的光電導(dǎo)器件,利用半導(dǎo)體光伏打效應(yīng)工作的光電池和半導(dǎo)體發(fā)光器件等。
2019-01-09 15:06:1624699

半導(dǎo)體教程之半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)的資料說明

本文檔的主要內(nèi)容詳細介紹的是半導(dǎo)體教程之半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)的資料說明主要內(nèi)容包括了:1 半導(dǎo)體的基本知識,2 半導(dǎo)體二極管,3 半導(dǎo)體三極管,4 BJT模型,5 場效應(yīng)管
2019-01-22 08:00:0052

關(guān)于寬帶半導(dǎo)體與硅的對比分析

正是由于帶隙,使得半導(dǎo)體具備開關(guān)電流的能力,以實現(xiàn)給定的電子功能;畢竟,晶體管僅僅是嵌入在硅基襯底上的微型開關(guān)。更高的能量帶隙賦予了WBG材料優(yōu)于硅的半導(dǎo)體特性。 相較于硅器件,WBG器件可以在較小
2019-08-28 12:31:068446

IEEE發(fā)布半導(dǎo)體技術(shù)路線圖,助力碳化硅和氮化鎵材料發(fā)展

近日,為了促進寬帶隙(WBG半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展,IEEE電力電子學會(PELS)發(fā)布了寬帶隙功率半導(dǎo)體(ITRW)的國際技術(shù)路線圖。
2020-04-13 16:01:314681

寬帶器件的應(yīng)用有哪些

寬帶隙 (WBG半導(dǎo)體器件的集成在多種技術(shù)應(yīng)用中作為硅技術(shù)的替代品是一個不斷增長的市場,它可以提供效率和功率密度的改進,這對能源和成本節(jié)約有很大的影響 。WBG 具有顯著優(yōu)勢,例如更高的開關(guān)頻率、更低的功率損耗和更高的功率密度。
2022-04-22 17:01:511719

寬帶半導(dǎo)體終結(jié)了硅的主導(dǎo)地位

寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體,例如氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC),已經(jīng)終結(jié)了硅在電力電子領(lǐng)域的主導(dǎo)地位。自硅問世以來,WBG 半導(dǎo)體被證明是電力電子行業(yè)最有前途的材料。與傳統(tǒng)的硅基技術(shù)相比
2022-07-27 15:11:441258

分析用于電力電子的寬帶半導(dǎo)體

使用寬帶半導(dǎo)體的技術(shù)可以滿足當今行業(yè)所需的所有需求。顧名思義,它們具有更大的帶隙,因此各種電子設(shè)備可以在高電壓、高溫和高頻率下工作。碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 是最近推出的寬帶
2022-07-29 08:06:461389

碳化硅寬帶半導(dǎo)體有什么好處

寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體極大地影響了使用它們的設(shè)備的可能性。材料的帶隙是指電子從半導(dǎo)體價帶的最高占據(jù)態(tài)移動到導(dǎo)帶的最低未占據(jù)態(tài)所需的能量。
2022-07-29 15:10:451618

使用 WBG 半導(dǎo)體進行設(shè)計需要更多的奉獻精神

工程師熟悉電磁干擾、并聯(lián)和布局,但在從硅基芯片過渡到碳化硅或寬帶器件時,需要多加注意。 據(jù)chip稱,硅(Si)基半導(dǎo)體寬帶隙(WBG半導(dǎo)體領(lǐng)先十年,主要是碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN
2022-08-05 14:30:09731

寬禁帶半導(dǎo)體的潛力

追求更高效的電子產(chǎn)品以功率器件為中心,而半導(dǎo)體材料則處于研發(fā)活動的前沿。硅的低成本和廣泛的可用性使其在幾年前超越鍺成為主要的功率半導(dǎo)體材料。然而,今天,硅正在將其在功率器件中的主導(dǎo)地位讓給兩種更高
2022-08-08 10:16:49935

意法半導(dǎo)體生產(chǎn)200毫米碳化硅大晶圓,將用于功率器件原型設(shè)計

碳化硅(SiC)晶圓經(jīng)常出現(xiàn)在新聞中,這一事實預(yù)示著這種寬帶隙(WBG)材料作為顛覆性半導(dǎo)體技術(shù)的證書,適用于更小、更輕、更高效的電力電子設(shè)備。
2022-12-15 11:08:18691

寬帶隙和超寬帶半導(dǎo)體技術(shù)介紹

用于光電子和電子的寬帶隙和超寬帶半導(dǎo)體
2022-12-22 09:32:25640

RS瑞森半導(dǎo)體碳化硅二極管在光伏逆變器的應(yīng)用

碳化硅 (SiC) 是一種由硅 (Si) 和碳 (C) 組成的半導(dǎo)體化合物,屬于寬帶隙 (WBG) 材料系列。它的物理結(jié)合力非常強,使半導(dǎo)體具有很高的機械、化學和熱穩(wěn)定性。寬帶隙和高熱穩(wěn)定性允許
2022-12-30 13:57:49632

SiC和GaN功率電子器件的優(yōu)勢和應(yīng)用

  隨著硅接近其物理極限,電子制造商正在轉(zhuǎn)向非常規(guī)半導(dǎo)體材料,特別是寬帶隙(WBG半導(dǎo)體,如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)。由于寬帶隙材料具有相對較寬的帶隙(與常用的硅相比),寬帶器件可以在高壓、高溫和高頻下工作。寬帶器件可以提高能效并延長電池壽命,這有助于推動寬帶半導(dǎo)體的市場。
2023-02-05 14:25:15677

寬帶半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用和發(fā)展

  寬帶半導(dǎo)體是一種具有寬帶隙的半導(dǎo)體材料,其特性是具有較寬的能帶隙,可以吸收和發(fā)射更多的光子,從而提高半導(dǎo)體器件的效率。它廣泛應(yīng)用于太陽能電池、激光器件、光電子器件等領(lǐng)域。
2023-02-16 15:07:08700

功率半導(dǎo)體器件有哪些_功率半導(dǎo)體器件工藝流程

功率半導(dǎo)體器件是一種用于控制和轉(zhuǎn)換大功率電能的半導(dǎo)體器件主要包括以下幾種類型:   二極管:功率二極管是一種只允許電流單向流動的半導(dǎo)體器件,常用于整流、反向保護等應(yīng)用中。
2023-02-28 11:41:342705

用于高密度和高效率電源設(shè)計的意法半導(dǎo)體WBG解決方案

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《用于高密度和高效率電源設(shè)計的意法半導(dǎo)體WBG解決方案.pdf》資料免費下載
2023-08-01 16:54:170

功率半導(dǎo)體器件 氧化鎵市場正在穩(wěn)步擴大

調(diào)查結(jié)果顯示,SiC、GaN(氮化鎵)等寬帶半導(dǎo)體單晶主要用于功率半導(dǎo)體器件,市場正在穩(wěn)步擴大。
2023-09-04 15:13:24365

功率逆變器應(yīng)用采用寬帶半導(dǎo)體器件時柵極電阻選型注意事項

功率逆變器應(yīng)用采用寬帶半導(dǎo)體器件時柵極電阻選型注意事項
2023-11-23 16:56:32254

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