)晶體管已成為能夠取代硅基MOSFET的高性能開關，從而可提高能源轉換效率和密度。為了發(fā)揮GaN晶體管的優(yōu)勢，需要一種具有新規(guī)格要求的新隔離方案。 GaN晶體管的開關速度比硅MOSFET要快得多，并可降低開關損耗，原因在于： 柵極電容和輸出電容更低。
2023-06-12 10:53:28
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基于GaN的功率晶體管和集成電路的早期成功最初源于GaN與硅相比的速度優(yōu)勢。GaN-on-Si晶體管的開關速度比MOSFET快10倍，比IGBT快100倍。
2021-04-23 11:27:113112 
描述dcreg12v3a mj2955 lm78122955 MJ晶體管的作用是作為電流放大器，使輸出電流達到安培單位，通常如果沒有晶體管這個電路只能達到毫安單位。出于電源的目的，晶體管必須不斷地
2022-09-05 06:18:39
規(guī)范的產品通常由硅制成，并作為推挽式應用系統(tǒng)的一部分運行。這些晶體管和其他晶體管如何在電化學水平上工作的機制可能有些復雜，但總的來說，它們用一系列極化離子引導和引導電荷。它們通常與放大器電路配合使用;在
2023-02-16 18:22:30
50V以下。需要說明的一點是，捕捉波形時使用的是1GHz示波器和探頭。結論GaN晶體管與其驅動器的封裝集成消除了共源電感，從而實現(xiàn)了高電流壓擺率。它還減少了柵極環(huán)路電感，以盡可能地降低關閉過程中的柵極應力，并且提升器件的關斷保持能力。集成也使得設計人員能夠為GaN FET搭建高效的過熱和電流保護電路。
2018-08-30 15:28:30
，幾代MOSFET晶體管使電源設計人員實現(xiàn)了雙極性早期產品不可能實現(xiàn)的性能和密度級別。然而，近年來，這些已取得的進步開始逐漸弱化，為下一個突破性技術創(chuàng)造了空間和需求。這就是氮化鎵（GaN）引人注目
2022-11-14 07:01:09
1.MOSFET的速度比晶體管或IGBT快。2.MOSFET的過電流適中；晶體管是一個流控流型的，要使集電極上的電流增大，基極上的電流就要增大，但是基極上的電流是無用的。IGBT一般使用在大電流的場景。...
2021-10-29 08:28:40
，可控制電子電路中電子元件的器件。MOSFET是一種以極其低的特性電阻通過控制門電壓，來調節(jié)傳輸通道在正反兩端的電壓，從而傳輸電子電路的基本晶體管，是由于采用了金屬-氧化物-半導體工藝而開發(fā)出來的晶體管
2023-03-08 14:13:33
在本文中，我們將探討 MOSFET 和鰭式場效應晶體管的不同器件配置及其演變。我們還看到 3D 配置如何允許每個集成電路使用更多晶體管?！ ∑矫媾c三維 （3D） 平面MOSFET（圖1）在Lg
2023-02-24 15:20:59
晶體管之間的差異性：就三極管，mos管和可控硅之間的差別和相同點的相關概念有點模糊，請各位大俠指點！??！
2016-06-07 23:27:44
, 193) !important]⑤ 單脈沖？1. 測定實際的電流、電壓波形確認電流、電壓用示波器確認晶體管上的電壓、電流。需要全部滿足規(guī)格書上記載的額定值，特別應該確認下列項目。特別應該確認的項目晶體管
2019-04-15 06:20:06
晶體管分類 按半導體材料和極性分類 按晶體管使用的半導體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體管的極性可分為鍺NPN型晶體管、鍺PNP晶體管、硅NPN型晶體管和硅PNP型晶體管?！ “唇Y構
2010-08-12 13:59:33
計算機開關機的，那么就會把計算機關閉。這就是機器語言的原理。實際用于計算機和移動設備上的晶體管大多是MOSFET（金屬-氧化物半導體場效應晶體管），它也分為N型和P型，NMOS就是指N型MOSFET
2021-01-13 16:23:43
1．反向擊穿電流的檢測 普通晶體管的反向擊穿電流（也稱反向漏電流或穿透電流），可通過測量晶體管發(fā)射極E與集電極C之間的電阻值來估測。測量時，將萬用表置于R×1k檔， NPN型管的集電極C接黑表筆
2012-04-26 17:06:32
在PROTUES中如何改變晶體管的放大倍數(shù)？有的器件有放大倍數(shù)改變的參數(shù)。另外，不同的仿真模型參數(shù)不同如何改變？
2014-02-28 08:42:03
我有臺晶體管測試儀：WQ4832，但是剛買的二手機，不會用，不知道有沒有高手能指導指導？
2011-10-21 08:57:17
晶體管測量模塊的基本特性有哪些？晶體管測量模塊的基本功能有哪些？
2021-09-24 07:37:23
`非常不錯的晶體管電路設計書籍！`
2016-11-08 14:12:33
晶體管的主要參數(shù)有哪些？晶體管的開關電路是怎樣的？
2021-06-07 06:25:09
本文為大家介紹“Si晶體管”（之所以前面加個Si,是因為還有其他的晶體管，例如SiC）。 雖然統(tǒng)稱為“Si晶體管”，但根據(jù)制造工藝和結構，還可分為“雙極”、“MOSFET”等種類。另外，還可根據(jù)處理
2020-06-09 07:34:33
本篇開始將為大家介紹“Si晶體管”。雖然統(tǒng)稱為“Si晶體管”，不過根據(jù)制造工藝和結構，還可分為“雙極”、“MOSFET”等種類。另外，還可根據(jù)處理的電流、電壓和應用進行分類。下面以“功率元器件”為主
2018-11-28 14:29:28
是自來水的閥門，發(fā)射極是配管，集電極是水龍頭。用自來水的構造來舉例說明晶體管的作用。把晶體管的3個引腳-基極、集電極和發(fā)射極分別視作自來水的閥門、水龍頭和配管。通過微小之力（即基極的輸入信號）來控制
2019-07-23 00:07:18
是自來水的閥門，發(fā)射極是配管，集電極是水龍頭。用自來水的構造來舉例說明晶體管的作用。把晶體管的3個引腳-基極、集電極和發(fā)射極分別視作自來水的閥門、水龍頭和配管。通過微小之力（即基極的輸入信號）來控制
2019-05-05 00:52:40
）用業(yè)收集電子。晶體管的發(fā)射極電流IE與基極電流IB、集電極電流IC之間的關系如下：IE=IB+IC3．晶體管的工作條件晶體管屬于電流控制型半導體器件，其放大特性主要是指電流放大能力。所謂放大，是指當
2013-08-17 14:24:32
關于晶體管ON時的逆向電流在NPN晶體管中，基極 (B) 被偏置為正，集電極 (C) 被偏置為負，由發(fā)射極 (E) 流向C的是逆電流。1. 不用擔心劣化和損壞，在使用上是沒有問題的2. NPN-Tr
2019-05-09 23:12:18
晶體管 &
2010-08-12 13:57:39
【不懂就問】圖中的晶體管驅動電路，在變壓器Tr的副邊輸出電阻R3上并聯(lián)的二極管D2，說D2的作用是在輸入端有正脈沖輸入時使得變壓器次級產生的的正脈沖通過D2，直接驅動MOSFET管Q2，達到提高導
2018-07-09 10:27:34
用555制作的晶體管特性曲線描繪儀本儀器除能測試晶體管外，還能測試二極管，測試方法如圖所示。晶體管特性曲線描繪儀是測試晶體管特性的專用儀器，使用該儀器可以將晶體管在各種工作電壓下的工作特性用曲線
2008-07-25 13:34:04
。由于成本下降，可再生能源系統(tǒng)的使用正在世界范圍內擴大。這些系統(tǒng)需要將直流電源轉換為電網(wǎng)同步的交流電源。目前，實現(xiàn)這項任務的逆變器是用分立晶體管設計制造的。TowerJazz半導體公司
2021-11-11 09:29:38
Cree的CGH40010是無與倫比的氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。 CGH40010，正在運行從28伏電壓軌供電，提供通用寬帶解決方案應用于各種射頻和微波應用。 GaN HEMT
2020-12-15 15:06:50
`Cree的CGH40010是無與倫比的氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。 CGH40010，正在運行從28伏電壓軌供電，提供通用寬帶解決方案應用于各種射頻和微波應用。 GaN
2020-12-03 11:51:58
是碳化硅（SiC）襯底上的氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。這種GaN內匹配（IM）場效應晶體管與其他技術相比，提供了優(yōu)異的功率附加效率。GaN與硅或砷化鎵相比具有更高的性能，包括更高
2018-08-13 10:58:03
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 該GaN內部匹配（IM）FET與其他技術相比，具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
差分放大器具有什么性能？CMOS差動放大器晶體管不匹配的原因？差分放大器中的不匹配效應應該怎么消除？
2021-04-12 06:46:18
Cree的CMPA801B025是氮化鎵（GaN）高電子遷移率基于晶體管（HEMT）的單片微波集成電路（MMIC）。 氮化鎵與硅或砷化鎵相比具有更好的性能，包括更高的擊穿電壓，更高的飽和電子漂移速度
2020-12-03 11:46:10
于1997年，是一家通過ISO 9001：2008認證的射頻功率晶體管，托盤和高功率放大器（HPA）認證的制造商。 這些產品基于GaN HEMT和Si LDMOS，VDMOS和雙極技術。產品型號
2019-05-14 11:00:13
的高功率晶體管產品組合。我們目前的產品提供超過80％的效率，并利用GaN-on-SiC，Si-LDMOS和Si-VDMOS半導體技術。我們還致力于制造一些首批Si-bipolar器件，從而支持傳統(tǒng)方案
2019-04-15 15:12:37
電壓（與功率MOSFET的低導通電阻相當）和較快的開關特性的晶體管。盡管其具有較快的開關特性，但仍比不上功率MOSFET，這是IGBT的弱點?！竟β试骷幕窘Y構與特點
2019-05-06 05:00:17
電壓（與功率MOSFET的低導通電阻相當）和較快的開關特性的晶體管。盡管其具有較快的開關特性，但仍比不上功率MOSFET，這是IGBT的弱點?！竟β试骷幕窘Y構與特點
2019-03-27 06:20:04
`IGN0450M250是一款高功率GaN-on-SiC RF功率晶體管，旨在滿足P波段雷達系統(tǒng)的獨特需求。它在整個420-450 MHz頻率范圍內運行。 在100毫秒以下，10％占空比脈沖條件
2021-04-01 10:35:32
Technologies公司成立于1997年，是一家通過ISO 9001：2008認證的射頻功率晶體管，托盤和高功率放大器（HPA）認證的制造商。 這些產品基于GaN HEMT和Si LDMOS，VDMOS
2019-05-20 09:16:24
Technologies公司成立于1997年，是一家通過ISO 9001：2008認證的射頻功率晶體管，托盤和高功率放大器（HPA）認證的制造商。 這些產品基于GaN HEMT和Si LDMOS，VDMOS
2018-11-12 11:14:03
，裝在基于金屬的封裝中，并用陶瓷環(huán)氧樹脂蓋密封。GaN on SiC HEMT技術40W輸出功率AB類操作預先匹配的內部阻抗經(jīng)過100％大功率射頻測試負柵極電壓/偏置排序IGN2731M5功率晶體管
2021-04-01 09:57:55
）認證的制造商。 這些產品基于GaN HEMT和Si LDMOS，VDMOS和雙極技術。產品型號：IGT2731L120產品名稱： S波段晶體管 產品特性GaN HEMT技術對SiCP out-pk
2018-11-12 10:26:20
求大神相助，Multisim里面雪崩晶體管的過壓擊穿怎么放著那，當我設的電壓已經(jīng)大于了Vcbo滯后還是不見晶體管導通。
2014-08-08 10:42:58
其“打開”，從而允許大的發(fā)射極-集電極電流流動。當Ve比Vc大得多時，PNP晶體管導通。換句話說，雙極PNP晶體管僅在基極和集電極端子均針對發(fā)射極極化時才導通。十一、PNP 與 NPN 晶體管下表總結了PNP晶體管和NPN晶體管之間的主要區(qū)別：
2023-02-03 09:44:48
）1.1脈沖條件脈沖寬度：120μsec，占空比10％筆記Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:14:59
）1.1脈沖條件脈沖寬度：120μsec，占空比10％筆記Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:24:16
SiC-DMOS的特性現(xiàn)狀是用橢圓圍起來的范圍。通過未來的發(fā)展，性能有望進一步提升。從下一篇開始，將單獨介紹與SiC-MOSFET的比較。關鍵要點:?功率晶體管的特征因材料和結構而異。?在特性方面各有優(yōu)缺點，但SiC-MOSFET在整體上具有優(yōu)異的特性。＜ 相關產品信息 ＞MOSFETSiC-DMOS
2018-11-30 11:35:30
multisim仿真中高頻晶體管BFG35能用哪個晶體管來代替，MFR151管子能用哪個來代替？或是誰有這兩個高頻管子的原件庫？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
邏輯高電壓驅動，則集電極電流會簡單地停止流動，從而使用單個晶體管執(zhí)行 NAND 邏輯處理。多發(fā)射極晶體管取代了 DTL 的二極管，并同意減少開關時間和功耗。
雙柵極MOSFET
在多種射頻應用中特別
2023-08-02 12:26:53
互補晶體管的匹配
2019-10-30 09:02:03
的性能遠遠低于更常見的可視晶體管，如硅基MOSFET。這歸因于透明晶體管材料的固有物理性質差，包括多晶結構、低熱導率、低電子遷移率——在In2O3、ZnO2和SnO2中，遷移率通常僅為100 cm2
2020-11-27 16:30:52
的大多數(shù)載流子傳輸。與雙極晶體管相比，場效應管具有輸入阻抗高、噪聲低、限頻高、功耗低、制造工藝簡單、溫度特性好等特點，廣泛應用于各種放大器、數(shù)字電路和微波電路等?；诠璧慕饘?b class="flag-6" style="color: red">MOSFET和基于GaAs
2023-02-03 09:36:05
功率設計通常與集成電路 （IC） 邏輯一起使用，以驅動螺線管、發(fā)光二極管 （LED） 顯示器和其他小負載。 與使用標準單晶體管相比，達林頓晶體管設計具有多個優(yōu)勢。該對中每個晶體管的增益相乘，從而產生
2023-02-16 18:19:11
FinFET成為它們的替代品。鰭式場效應晶體管比平面 MOSFET 更好地阻斷短通道效應，從而實現(xiàn)晶體管縮放?！ ∑矫嬖O計不會超出 30 nm 的柵極長度。柵極氧化物停止密封源頭上的柵極控制，漏極較弱
2023-02-24 15:25:29
可以將PNP晶體管定義為通常為“OFF”，但是適度的輸出電流和相對于其發(fā)射極（E）的基極（B）的負電壓將使其“打開”，從而允許大的發(fā)射極-集電極電流流動。我可以用NPN代替PNP嗎？如果您還記得一個簡單
2023-02-03 09:45:56
`功率場效應晶體管(MOSFET)原理`
2012-08-20 09:10:49
請教：單結晶體管在什么位置，有人說是UJT，但好象用不了呀？
2013-09-26 16:55:49
各位高手，小弟正在學習單結晶體管，按照網(wǎng)上的電路圖做的關于單結晶體管的仿真，大多數(shù)都不成功，請問誰有成功的單結晶體管的仿真仿真啊，可以分享下嗎。
2016-03-04 09:15:06
，這反過來又使耗盡層盡可能小，從而通過我們的晶體管的最大電流流動。這使得晶體管開關導通。 圖2顯示了飽和區(qū)域特性?！ D2.飽和區(qū)域特征 輸入基極電流和輸出集電極電流為零，集電極電壓處于最大值
2023-02-20 16:35:09
像蠟燭一樣，功率MOSFET（功率場效應晶體管）是切換負載最常見的方式，其四周圍繞著眾多分立電阻器與電容器（以及用于控制功率MOSFET的雙極結型晶體管（BJT）/第二個場效應晶體管）圍繞的功率
2022-11-17 08:05:25
如何去判別晶體管材料與極性？如何去檢測晶體管的性能？怎樣去檢測特殊晶體管？
2021-05-13 07:23:57
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
為了改善晶體管的開關特性，減小晶體管的損耗，在晶體管基極驅動電路的設計上會采取一些加速措施。如下： 加速電路一 在加速電路一中，并聯(lián)在RB兩端的電容CB稱為加速電容，數(shù)值一般在1nf
2020-11-26 17:28:49
您已了解GaN晶體管出色的性能，您很興奮。樣品總算來到，您將它們放入板中。您打開電源，施加負載，結果……性能并沒有比以前更好。更糟糕的是，遇到了以前不存在的開關問題。這些晶體管不好。真遺憾。為何出現(xiàn)這種情況？有沒有可能遺漏了什么？如何正確理解GaN？十分重要！
2019-07-30 06:21:32
來至網(wǎng)友的提問：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
晶體管依照用途大致分為高頻與低頻，它們在型號上的大致區(qū)別是什么？例如《晶體管電路設計》中列舉的：高頻（2SA****，2SC*****）、低頻（2SB****，2SD****）?，F(xiàn)在產品設計中最常用的型號是哪些？
2017-10-11 23:53:40
bandgap中晶體管的熱噪聲比較大，通過什么手段能解決？
2021-06-24 07:29:25
晶體管使用的電流的最大值解說DTA/C系列為例，構成數(shù)字晶體管的個別晶體管能流過100mA電流。用IC=100mA定義。個別晶體管連接電阻R1、R2，則成為數(shù)字晶體管。此數(shù)字晶體管流過IC=100mA
2019-04-09 21:49:36
DTA/C系列為例，構成數(shù)字晶體管的個別晶體管能流過100mA電流。用IC=100mA定義。個別晶體管連接電阻R1、R2，則成為數(shù)字晶體管。此數(shù)字晶體管流過IC=100mA時，基極電流IB需要相對
2019-04-22 05:39:52
一個級聯(lián)，功率器件是JFET，級聯(lián)中的下部晶體管是MOSFET。級聯(lián)碼的內部節(jié)點不可訪問，與IGBT相同。因此，只能影響打開，而不能影響關閉！可以快速關閉柵極處的MOSFET，但器件的關斷方式不會
2023-02-20 16:40:52
晶體管的代表形狀晶體管分類圖：按照該分類，掌握其種類1. 按結構分類根據(jù)工作原理不同分類，分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi（2個）、極是指Polar（極性）。雙極晶體管，即流經(jīng)構成
2019-05-05 01:31:57
和功率密度，這超出了硅MOSFET技術的能力。開發(fā)工程師需要能夠滿足這些要求的新型開關設備。因此，開始了氮化鎵晶體管（GaN）的概念?！ D-GIT的概述和優(yōu)勢 松下混合漏極柵極注入晶體管（HD-GIT
2023-02-27 15:53:50
，開辟了新的可能性。GaN晶體管可以實現(xiàn)高得多的dV/dt壓擺率，因此可以比硅MOSFET更快地切換，從而顯著降低開關損耗。GaN晶體管的另一個優(yōu)勢是沒有反向恢復電荷，傳統(tǒng)硅MOSFET設計的反向恢復
2017-08-21 14:36:14
：LGA （a） 和 BGA （b） 格式的 GaN 晶體管顯示了器件電流流的方向，從而最大限度地減少了共源電感 雖然最小化構成環(huán)路的各個元件（即電容ESL、器件引線電感和PCB互連電感）的電感很重
2023-02-24 15:15:04
，避免故障。表1總結了三種晶體管類型參數(shù)以及GaN、Si和SiC的物理材料。對于Si SJ MOS，選擇了最新的具有本征快速體二極管的Si基MOSFET。GaN和SiC是最新一代的寬帶隙晶體管，更適合
2023-02-27 09:37:29
的尺寸和更輕的重量。 傳統(tǒng)硅晶體管有兩種類型的損耗：傳導損耗和開關損耗。 功率晶體管是開關電源中功率損耗的主要原因。 為了遏制這些損失，GaN 晶體管（取代舊的硅技術）的開發(fā)已引起電力電子行業(yè)的關注
2023-08-21 17:06:18
針對可靠的高功率和高頻率電子設備，制造商正在研究氮化鎵(GaN)來制造具有高開關頻率的場效應晶體管(FET)由于硅正在接近其理論極限，制造商現(xiàn)在正在研究使用寬帶隙(WBG)材料來制造高效率的大功率
2022-06-15 11:43:25
如果說起來，電子管也算得上是晶體管的“前輩”了。但是，如今電子管在電子電路設計領域中的地位已經(jīng)漸漸地被晶體管所取代，只有在少數(shù)對于音頻質量有著極高要求的產品中，才會出現(xiàn)電子管的身影。那么晶體管
2016-01-26 16:52:08
的電荷差使柵極電壓VG變?yōu)樨撝担?b class="flag-6" style="color: red">從而在硬開關應用中關斷晶體管?！ D1：E模式GaN HEMT等效電路（左）和建議的驅動方案（右）?！ ‘敳⒙?lián)配置CoolGaN?晶體管時，可使用相同參數(shù)的RC驅動網(wǎng)絡
2021-01-19 16:48:15
受益于集成器件保護，直接驅動GaN器件可實現(xiàn)更高的開關電源效率和更佳的系統(tǒng)級可靠性。高電壓（600V）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的開關特性可實現(xiàn)提高開關模式電源效率和密度的新型
2020-10-27 06:43:42
IGBT 是一種功率開關晶體管，它結合了 mosfet 和 bjt 的優(yōu)點，用于電源和電機控制電路絕緣柵極雙極性晶體管也簡稱為 IGBT，是傳統(tǒng)雙極性晶體管晶體管和場效應晶體管的交叉，使其成為理想
2022-04-29 10:55:25
的GAA晶體管結構，三星通過使用納米片設備制造出MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多橋-通道場效應管），該技術可以顯著增強晶體管性能，取代FinFET晶體管技術?！ 〈送猓琈BCFET技術還能兼容現(xiàn)有的FinFET制造工藝的技術及設備，從而加速工藝開發(fā)及生產。
2020-07-07 11:36:10
雙極性晶體管與MOSFET對比分析哪個好？
2021-04-20 06:36:55
來至網(wǎng)友的提問：如何選擇分立晶體管？
2018-12-12 09:07:55
控制電路。有了前面的這些基礎，下面再加入一個新的電路需求，用晶體管實現(xiàn)過流保護電路。感興趣的同學可以先不要往下看，自己在腦海中想一想，看看有沒有火花迸出來。圖2一個PNP、NPN控制負載圖3《電子學
2016-06-03 18:29:59
這個達林頓晶體管廠家是哪家
2022-05-30 16:36:56
）晶體管已成為能夠取代硅基MOSFET的高性能開關，從而可提高能源轉換效率和密度。為了發(fā)揮GaN晶體管的優(yōu)勢，需要一種具有新規(guī)格要求的新隔離方案。
2020-09-28 14:16:52582 
）晶體管已成為能夠取代硅基MOSFET的高性能開關，從而可提高能源轉換效率和密度。為了發(fā)揮GaN晶體管的優(yōu)勢，需要一種具有新規(guī)格要求的新隔離方案。
2020-09-30 14:30:213346 
GaN（氮化鎵）功率晶體管的全球領導者GaN Systems今天宣布，其低電流，大批量氮化鎵晶體管的價格已跌至1美元以下。
2021-03-13 11:38:46682 ) 晶體管的開關速度比硅MOSFET快很多，從而有可能實現(xiàn)更低的開關損耗。然而，當壓擺率很高時，特定的封裝類型會限制GaN FET的開關性能。將GaN FET與驅動器集成在一個封裝內可以減少寄生電感
2022-01-26 15:11:021649 
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