瑞薩電子宣布開發(fā)出了導(dǎo)通電阻僅為150mΩ（柵源間電壓為10V時的標稱值）的600V耐壓超結(jié)（SJ：Super Junction）型功率MOSFET“RJL60S5系列”，將從2012年9月開始樣品供貨。超結(jié)是可在不犧牲耐壓
2012-06-26 11:01:02
1252 日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆(總部位于日本京都)開發(fā)出耐壓40V的功率MOSFET ，最適合用于以工業(yè)設(shè)備和車載領(lǐng)域為中心的、輸入電壓24V的DC/DC轉(zhuǎn)換器。
2012-08-08 09:18:231141 基于超級結(jié)技術(shù)的功率MOSFET已成為高壓開關(guān)轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域的業(yè)界規(guī)范。它們提供更低的RDS（on），同時具有更少的柵極和和輸出電荷，這有助于在任意給定頻率下保持更高的效率。在超級結(jié)MOSFET出現(xiàn)之前
2017-08-25 14:36:2031083 
采用超級接面結(jié)構(gòu)設(shè)計不僅可克服現(xiàn)有功率MOSFET結(jié)構(gòu)的缺點，亦能達到低RDS(on)、低QG和低QGD等特性
2011-12-08 10:28:101661 
為主的高新技術(shù)企業(yè)，主要有高壓產(chǎn)品線超級結(jié)MOSFET、IGBT及功率模塊、SiC功率器件，以及中低壓產(chǎn)品線SGT MOSFET，產(chǎn)品廣泛覆蓋車規(guī)級、工業(yè)級和消費級等應(yīng)用領(lǐng)域。 ? 在超級結(jié)MOSFET細分領(lǐng)域，2022年其超級結(jié)MOSFET產(chǎn)品銷售收入突破5億元，根據(jù)芯謀
2023-06-07 00:10:002138 
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 08:19:34
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
SJ MOSFET是一種先進的高電壓功率MOSFET，根據(jù)P&S的超結(jié)原理。報價設(shè)備提供了快速切換的所有好處并且導(dǎo)通電阻低，使其特別適用于需要更多高效，更緊湊，LED照明，高
性能適配器等。
2023-09-15 08:16:02
MOSFET耐壓為650V?？赡苡腥苏J為“那么，BD9G341AEFJ的80V耐壓是不是并不很高？”其實關(guān)鍵之處在于BD9G341AEFJ是作為“非隔離型DC/DC轉(zhuǎn)換器IC”實現(xiàn)80V高耐壓的。在DC
2018-12-05 10:07:06
柵極電壓來控制漏極電流，驅(qū)動電路簡單，需要的驅(qū)動功率小，開關(guān)速度快，工作頻率高，熱穩(wěn)定性優(yōu)于GTR，但其電流容量小，耐壓低，一般只適用于功率不超過10kW的電力電子裝置?！ ?.功率MOSFET的結(jié)構(gòu)
2019-06-14 00:37:57
系列為例，介紹trr的高速化帶來的優(yōu)勢。高速trr SJ-MOSFET： PrestoMOS FN系列PrestoMOS是具備SJ-MOSFET的高耐壓、低導(dǎo)通電阻及低柵極總電荷量特征、且進一步實現(xiàn)了
2018-11-28 14:27:08
MOSFET管的耐壓在150左右，電流在80A左右，MOSFET管怎么選擇？什么型號的MOSFET管子合適。主要用在逆變器上面的。謝謝？？
2016-12-24 14:26:59
mosfet里的jte結(jié)終端拓展是什么意思？
2017-12-05 10:03:10
從本篇開始，介紹近年來MOSFET中的高耐壓MOSFET的代表超級結(jié)MOSFET。功率晶體管的特征與定位首先來看近年來的主要功率晶體管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的功率與頻率
2018-11-28 14:28:53
結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)的功率MOSFET，可以發(fā)現(xiàn)，超結(jié)型結(jié)構(gòu)實際是綜合了平面型和溝槽型結(jié)構(gòu)兩者的特點，是在平面型結(jié)構(gòu)中開一個低阻抗電流通路的溝槽，因此具有平面型結(jié)構(gòu)的高耐壓和溝槽型結(jié)構(gòu)低電阻的特性。內(nèi)建橫向
2018-10-17 16:43:26
為backup電源用的超級電容。它具有工作時間長，比電池的ESR低，小型化的特征，實現(xiàn)了在有限空間內(nèi)安裝，高功率高輸出電力的功能。 應(yīng)用于SSD、PLC等存儲備份以及通信設(shè)備的last gasp。(3
2022-05-24 10:21:08
高耐壓降壓型電源芯片ZCC2451完全替代MP2451 產(chǎn)品特點：230uA工作靜態(tài)電流3.3 V至36 V寬工作電壓范圍500mΩ的內(nèi)部功率MOSFET2 MHz固定開關(guān)頻率無采樣電阻的精密電流限制> 90%的效率輸出從+ 0.8 V到0.8 x Vin可調(diào)低關(guān)機模式電流:
2019-12-11 13:53:20
4.2/4.3/4.35/4.4 5~200 1 NO 6.8 雙燈 DFN2*2-8 高耐壓，超薄，超小電流充電，電流精度高 1mA～200mA的超小容量鋰電充電XC3071 4.5~6 30
2021-12-24 22:12:23
上一篇介紹了近年來的主要功率晶體管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的產(chǎn)品定位，以及近年來的高耐壓Si-MOSFET的代表超級結(jié)MOSFET（以下簡稱“SJ-MOSFET”）的概要
2018-12-03 14:27:05
本帖最后由 tmm0717 于 2021-5-21 17:51 編輯
1、產(chǎn)品型號：ETA4054-SOT23-52、應(yīng)用產(chǎn)品：電子玩具、藍牙耳機、鋰電保護3、產(chǎn)品特點：高耐壓16V4、聯(lián)系：***
2021-05-21 17:47:35
高耐壓降壓型電源芯片ZCC2459完全替代MP2459產(chǎn)品特點：0.5A輸出峰值電流4.5V至60V寬工作電壓1Ω的內(nèi)部功率MOSFET480KHz固定開關(guān)頻率 陶瓷輸出電容穩(wěn)壓逐周期過流保護 熱關(guān)斷保護 > 90%的效率輸出從+ 0.81V到0.95Vin可調(diào)低關(guān)機模式電流:
2019-11-20 09:30:14
高耐壓降壓型電源芯片ZCC2459完全替代MP2459 產(chǎn)品特點：·0.5A輸出峰值電流·4.5V至60V寬工作電壓·1Ω的內(nèi)部功率MOSFET·480KHz固定開關(guān)頻率 ·陶瓷輸出電容穩(wěn)壓·逐周期
2019-11-14 16:39:17
高耐壓降壓型電源芯片fs2459完全替代MP2459產(chǎn)品特點：·0.5A輸出峰值電流·4.5V至60V寬工作電壓·1Ω的內(nèi)部功率MOSFET·480KHz固定開關(guān)頻率·陶瓷輸出電容穩(wěn)壓·逐周期過流
2022-01-03 06:38:42
高耐壓降壓型電源芯片ZCC2451完全替代MP2451 產(chǎn)品特點：230uA工作靜態(tài)電流3.3 V至36 V寬工作電壓范圍500mΩ的內(nèi)部功率MOSFET2 MHz固定開關(guān)頻率無采樣電阻的精密電流限制> 90%的效率輸出從+ 0.8 V到0.8 x Vin可調(diào)低關(guān)機模式電流:
2019-11-12 13:35:56
高耐壓降壓型電源芯片ZCC2459完全替代MP2459 產(chǎn)品特點：0.5A輸出峰值電流4.5V至60V寬工作電壓1Ω的內(nèi)部功率MOSFET480KHz固定開關(guān)頻率 陶瓷輸出電容穩(wěn)壓逐周期過流保護 熱關(guān)斷保護> 90%的效率輸出從+ 0.81V到0.95Vin可調(diào)低關(guān)機模式電流:
2019-11-13 13:48:37
深圳市尊信電子技術(shù)有限公司，鈺泰、智融、賽芯等核心代理李先生：***號可免費拿樣品測試高耐壓BUCK芯片ETA2808，支持4.6-42V寬電壓輸入，足3A的輸出能力，可應(yīng)用在車充、車載、無線充以及
2022-02-21 10:51:14
FP6291特征：1.高達12V的輸出電壓可調(diào)。2.PWM頻率可調(diào)：1.0MHz.3.反饋電壓及精度：0.6V（±2%）。4.內(nèi)置0.22A功率MOSFET
2019-10-10 09:11:07
Q2的P-N結(jié)增加儲存電荷。在t4~t5時段，MOSFET Q1通道導(dǎo)通，流過非常大的直通電流，該電流由MOSFET Q2體二極管的反向恢復(fù)電流引起。這不是偶然的直通，因為高、低端MOSFET正常施加
2019-09-17 09:05:04
功率MOSFET有二種類型：N溝通和P溝道，在系統(tǒng)設(shè)計的過程中，選擇N管還是P管，要針對實際的應(yīng)用具體來選擇。下面先討論這二種溝道的功率MOSFET的特征，然后再論述選擇的原則。
2021-03-02 08:40:51
（規(guī)定自由電子的流動方向與電壓方向相反）。阻止的過程N的空穴流向P，P的自由電子流向N，這樣內(nèi)電場減小，之前的擴散運動又加強了，反反復(fù)復(fù)最終達到平衡?！ ?PN結(jié)的特征是什么？ 1、 概述 PN結(jié)
2021-01-15 16:24:54
流向P，P的自由電子流向N，這樣內(nèi)電場減小，之前的擴散運動又加強了，反反復(fù)復(fù)最終達到平衡。PN結(jié)的特征是什么？1、 概述PN結(jié)穩(wěn)定之后，要想實現(xiàn)電流的流動必須外部施加電壓，打破內(nèi)部的平衡，從而達到目的
2021-03-16 13:50:45
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD（肖特基勢壘二極管）結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結(jié)
2019-03-14 06:20:14
MOSFET－開關(guān)特性及其溫度特性所謂MOSFET－閾值、ID-VGS特性及溫度特性所謂MOSFET－超級結(jié)MOSFET所謂MOSFET－高耐壓超級結(jié)MOSFET的種類與特征所謂MOSFET－高速
2018-11-27 16:40:24
說明一下，DMOS是平面型的MOSFET，是常見的結(jié)構(gòu)。Si的功率MOSFET，因其高耐壓且可降低導(dǎo)通電阻，近年來超級結(jié)（Super Junction）結(jié)構(gòu)的MOSFET（以下簡稱“SJ-MOSFET
2018-11-30 11:35:30
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征 Si材料中越是高耐壓器件，單位面積的導(dǎo)通電阻也越大（以耐壓值的約2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的電壓中主要采用IGBT（絕緣柵極雙極型晶體管）?！ GBT
2023-02-07 16:40:49
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征Si材料中越是高耐壓器件，單位面積的導(dǎo)通電阻也越大（以耐壓值的約2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的電壓中主要采用IGBT（絕緣柵極雙極型晶體管）。IGBT通過
2019-04-09 04:58:00
MOSFET所謂MOSFET－高耐壓超級結(jié)MOSFET的種類與特征所謂MOSFET－高速trr SJ-MOSFET : PrestoMOS ?同時具備MOSFET和IGBT優(yōu)勢的Hybrid MOS發(fā)揮其特征
2018-11-27 16:38:39
介紹。如下圖所示，為了形成肖特基勢壘，將半導(dǎo)體SiC與金屬相接合（肖特基結(jié)）。結(jié)構(gòu)與Si肖特基勢壘二極管基本相同，其重要特征也是具備高速特性。而SiC-SBD的特征是其不僅擁有優(yōu)異的高速性還同時實現(xiàn)了高
2018-11-29 14:35:50
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征Si材料中越是高耐壓器件，單位面積的導(dǎo)通電阻也越大（以耐壓值的約2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的電壓中主要采用IGBT（絕緣柵極雙極型晶體管）。IGBT通過
2019-05-07 06:21:55
分類和特性肖特基勢壘二極管快速恢復(fù)二極管Si晶體管分類和特性高耐壓MOSFET晶體管的選擇方法選擇流程SOA、額定、溫度發(fā)揮其特征的應(yīng)用事例Si二極管和MOSFET的種類非常多，耐壓和電流變動幅度也很大
2018-11-28 14:34:33
高耐壓降壓型電源芯片ZCC2451完全替代MP2451 產(chǎn)品特點：·230uA工作靜態(tài)電流·3.3 V至36 V寬工作電壓范圍·500mΩ的內(nèi)部功率MOSFET·2 MHz固定開關(guān)頻率·無采樣電阻的精密電流限制·> 90%的效率·輸出從+ 0.8 V到0.8 x Vin可調(diào)·低關(guān)機模式電流:
2019-11-18 13:55:51
所決定，因此基本上都是一樣的?？梢韵胍姡还茉趎區(qū)和p區(qū)之間的半導(dǎo)體狀況怎樣（是否有本征半導(dǎo)體或者有高阻半導(dǎo)體），只要是電荷耗盡的勢壘區(qū)，就構(gòu)成pn結(jié)，它的勢壘高度就都基本上由兩邊的n型和p型半導(dǎo)體
2013-05-20 10:00:38
：125A內(nèi)阻小多個管子并聯(lián)耐壓很難做高高壓：310V電流：9.7A 耐壓高多個管子串聯(lián)內(nèi)阻必然大所以根據(jù)上面分析，得出一個結(jié)論：高壓MOSFET，Rdson大；低壓MOSFET，Rdson小。MOSFET
2021-05-07 10:11:03
一個超級的A D庫，，包含各種各樣的封裝庫，種類豐富，資料齊全?。?！
2017-08-01 20:14:00
范圍對應(yīng)著三種不同驅(qū)動電壓類型的功率MOSFET，下面就來認識這三種類型的功率MOSFET。1、功率MOSFET驅(qū)動電壓類型1.1 通用驅(qū)動的功率MOSFET功率MOSFET的柵極氧化層厚度和溝道摻雜
2019-08-08 21:40:31
基于超級結(jié)技術(shù)的功率MOSFET已成為高壓開關(guān)轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域的業(yè)界規(guī)范。它們提供更低的RDS(on)，同時具有更少的柵極和和輸出電荷，這有助于在任意給定頻率下保持更高的效率。在超級結(jié)MOSFET出現(xiàn)之前
2017-08-09 17:45:55
x 6.0 x 1.0mm）－我曾認為既然稱作高耐壓產(chǎn)品是不是因為有什么特別之處，但其實它的構(gòu)成非常簡單啊。一般高耐壓的DC/DC轉(zhuǎn)換器多采用外置高耐壓MOSFET的電路結(jié)構(gòu)來實現(xiàn)高耐壓，但
2018-12-05 10:00:48
達50~60mΩ。實際上對于高壓的管子來說，之所以能抗這么高的耐壓，內(nèi)部是很多個小MOSFET串聯(lián)在一起的，所以電阻會有點大的。我們看一個管子，第一看耐壓，其次看Id電流，第三看內(nèi)阻Rdson，如果電流
2021-08-11 16:34:04
48V高耐壓BUCK芯片ETA2808，支持4.6-42V寬電壓輸入，足3A的輸出能力，可應(yīng)用在車充、車載、無線充以及多串電池降壓等多種場合深圳市尊信電子技術(shù)有限公司：周志***歡迎行業(yè)客戶聯(lián)系
2022-01-17 15:39:51
/DC轉(zhuǎn)換器用IC等，500V以上的高耐壓品有很多。例如，ROHM內(nèi)置MOSFET的AC/DC轉(zhuǎn)換器用IC的內(nèi)置MOSFET的耐壓是650V。此外，通過將功率MOSFET外置的DC/DC轉(zhuǎn)換器控制器
2019-04-08 08:48:17
轉(zhuǎn)換器用IC的制造商有限，而且種類也并不是很多?！ D9G341AEFJ是作為功率開關(guān)內(nèi)置額定80V/3.5A的N通道MOSFET的DC/DC轉(zhuǎn)換器用IC，僅需增加很少外置元器件，即可構(gòu)建高性能的高耐壓
2018-10-19 16:47:06
用IC的制造商有限，而且種類也并不是很多。BD9G341AEFJ是作為功率開關(guān)內(nèi)置額定80V/3.5A的N通道MOSFET的DC/DC轉(zhuǎn)換器用IC，僅需增加很少外置元器件，即可構(gòu)建高性能的高耐壓DC
2018-12-04 10:10:43
功率三極管（GTR）來做比較的：優(yōu)點—開關(guān)速度快、輸入阻抗高、驅(qū)動方便等；缺點—難以制成高電壓、大電流型器件，這是因為耐壓高的功率 MOSFET 的通態(tài)電阻較大的緣故。言歸正傳，下面來看看具體如何選型
2019-11-17 08:00:00
系列Hybrid MOS是同時具備超級結(jié)MOSFET（以下簡稱“SJ MOSFET”）的高速開關(guān)和低電流時的低導(dǎo)通電阻、IGBT的高耐壓和大電流時的低導(dǎo)通電阻這些優(yōu)異特性的新結(jié)構(gòu)MOSFET。下面為
2018-11-28 14:25:36
電機驅(qū)動市場特別是家電市場對系統(tǒng)的能效、尺寸和穩(wěn)健性的要求越來越高?！ 闈M足市場需求，意法半導(dǎo)體針對不同的工況提供多種功率開關(guān)技術(shù)，例如， IGBT和最新的超結(jié)功率MOSFET?！ ”疚脑趯嶋H
2018-11-20 10:52:44
區(qū)寬度，高代表峰值電場Ec，輕摻雜情況下耗盡區(qū)寬度很大，峰值電場變小，要達到擊穿，外加電壓要加大。也就是說在低摻雜情況下?lián)舸╇妷鹤兇罅恕纳厦娴挠嬎憧梢钥闯鰧τ诜谴┩ㄆ叫衅矫?b class="flag-6" style="color: red">結(jié)，摻雜濃度越低，結(jié)的耐壓
2019-10-30 13:22:00
高耐壓降壓型電源芯片ZCC2451完全替代MP2451 產(chǎn)品特點：·230uA工作靜態(tài)電流·3.3 V至36 V寬工作電壓范圍·500mΩ的內(nèi)部功率MOSFET·2 MHz固定開關(guān)頻率·無采樣電阻的精密電流限制·> 90%的效率·輸出從+ 0.8 V到0.8 x Vin可調(diào)·低關(guān)機模式電流:
2020-01-16 13:40:13
測量和校核開關(guān)電源、電機驅(qū)動以及一些電力電子變換器的功率器件結(jié)溫，如 MOSFET 或 IGBT 的結(jié)溫，是一個不可或缺的過程，功率器件的結(jié)溫與其安全性、可靠性直接相關(guān)。測量功率器件的結(jié)溫常用二種方法：
2021-03-11 07:53:26
功率三極管（GTR）來做比較的：優(yōu)點—開關(guān)速度快、輸入阻抗高、驅(qū)動方便等；缺點—難以制成高電壓、大電流型器件，這是因為耐壓高的功率 MOSFET 的通態(tài)電阻較大的緣故。言歸正傳，下面來看看具體如何選型
2019-11-17 08:00:00
ROHM一直專注于功率元器件的開發(fā)。最近推出并已投入量產(chǎn)的“SCT2H12NZ”，是實現(xiàn)1700V高耐壓的SiC-MOSFET。是在現(xiàn)有650V與1200V的產(chǎn)品陣容中新增的更高耐壓版本。不僅具備
2018-12-05 10:01:25
大于3MHz，因此高頻管和低頻管的界線已不那么明顯。 3 高、低頻小功率管高頻小功率三極管一般指特征頻率大于3MHz，功率小于1W的晶體三極管。主要使用于工作頻率比較高，功率不高于1W的放大電路，高頻
2018-01-31 10:14:10
。與MOSFET同樣能通過柵極電壓控制進行高速工作，還同時具備雙極晶體管的高耐壓、低導(dǎo)通電阻特征。工作上與MOSFET相同，通過給柵極施加電壓形成通道來流過電流。結(jié)構(gòu)上MOSFET（以Nch為例）是相同N型的源極
2018-11-28 14:29:28
的復(fù)合結(jié)構(gòu)。是為了利用MOSFET和雙極晶體管的優(yōu)點而開發(fā)的晶體管。與MOSFET同樣能通過柵極電壓控制進行高速工作，還同時具備雙極晶體管的高耐壓、低導(dǎo)通電阻特征。 工作上與MOSFET相同，通過
2020-06-09 07:34:33
℃的工作溫度、漏極和源極不發(fā)生雪崩擊穿時，所能施加的最大的額定電壓，測試的電路如圖1所示。功率MOSFET的耐壓由結(jié)構(gòu)中低摻雜層的外延層epi厚度N-決定。功率MOSFET的N+源極和P-體區(qū)形成的結(jié)
2023-02-20 17:21:32
、化學、機械方面穩(wěn)定熱穩(wěn)定性 ：常壓狀態(tài)下無液層，2000℃升華機械穩(wěn)定性：莫氏硬度（9.3），可以媲美鉆石（10）化學穩(wěn)定性 ：對大部分酸和堿具有惰性SiC功率元器件的特征SiC比Si的絕緣擊穿場強高約
2018-11-29 14:43:52
＜概要＞全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都）推出600V耐壓超級結(jié) MOSFET“PrestoMOS”系列產(chǎn)品，在保持極快反向恢復(fù)時間（trr※1））的同時，提高設(shè)計靈活度，非常適用于
2020-03-12 10:08:31
＜概要＞全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都）推出600V耐壓超級結(jié) MOSFET“PrestoMOS”系列產(chǎn)品，在保持極快反向恢復(fù)時間（trr※1））的同時，提高設(shè)計靈活度，非常適用于
2020-03-12 10:08:47
廣，不管是在居民區(qū)、商業(yè)區(qū)或是高速公路服務(wù)區(qū)，都能使用充電樁為新能源電動汽車便捷充電。安森德憑借在半導(dǎo)體功率器件和封裝領(lǐng)域的技術(shù)積累，研發(fā)出同類別性能優(yōu)異的超級結(jié)MOSFET，具備更高性能、能效和更低
2023-06-13 16:30:37
的PN結(jié)承受高的漏極電壓。在高壓器件中絕大部分電壓由低摻雜的epi層來承受：厚的、低摻雜的epi層可以承受更高的擊穿耐壓，但是增加了導(dǎo)通電阻。在低壓器件中，P-體區(qū)摻雜程度和N-的epi層差不多，也可以
2016-09-06 15:41:04
=oxh_wx3、【周啟全老師】開關(guān)電源全集http://t.elecfans.com/topic/130.html?elecfans_trackid=oxh_wx 超結(jié)功率MOSFET技術(shù)白皮書資料來自網(wǎng)絡(luò)
2019-06-26 20:37:17
ROHM最近推出的“BD9G341AEFJ”，是內(nèi)置80V高耐壓MOSFET的DC/DC轉(zhuǎn)換器IC。80V的耐壓是非隔離型DC/DC轉(zhuǎn)換器IC的業(yè)界頂級水平，在ROHM的目前產(chǎn)品陣容中，也是耐壓最高
2018-12-03 14:44:01
極電流，驅(qū)動電路簡單，需要的驅(qū)動功率小，開關(guān)速度快，工作頻率高，熱穩(wěn)定性優(yōu)于GTR， 但其電流容量小，耐壓低，一般只適用于功率不超過10kW的電力電子裝置?！ 」β?b class="flag-6" style="color: red">MOSFET的結(jié)構(gòu)和工作原理 功率
2023-02-27 11:52:38
的方向，充分并迅速地了解供應(yīng)商提供的仿真模型是否真實反映既定應(yīng)用空間內(nèi)的器件仍然是棘手的問題。
與競爭對手的模型不同，F(xiàn)airchild的超級結(jié)MOSFET和IGBTSPICE模型基于一個物理可擴展模型
2019-07-19 07:40:05
功率MOSFET的種類
按導(dǎo)電溝道可分為P溝道和N溝道 耗盡型——當柵極電壓為零時漏源極之間就存在導(dǎo)電溝道 增強型—
2009-04-14 22:08:473906 
試驗方法很簡單：把電容串聯(lián)一個電阻，再直接接到耐壓儀輸出端，開啟耐壓儀，慢慢升電壓，耐壓儀報警（電容擊穿）時的電壓，就是電容的耐壓值。
2017-10-31 11:09:364543 為驅(qū)動快速開關(guān)超級結(jié)MOSFET，必須了解封裝和PCB布局寄生效應(yīng)對開關(guān)性能的影響，以及為使用超級結(jié)所做的PCB布局調(diào)整。主要使用擊穿電壓為500-600V的超級結(jié)MOSFET。在這些電壓額定值
2019-05-13 15:20:231240 
電容的參數(shù)包括電容的容值、耐壓、工作溫度、公差、尺寸等等。我們選擇電容不單止考慮電容的種類，還需要關(guān)注電容的各種參數(shù)，如果僅僅是耐壓不一樣，高耐壓替代低耐壓是沒有問題的。
2020-02-12 19:26:5910724 日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都市）面向服務(wù)器、筆記本電腦以及平板電腦等所使用的低耐壓DC/DC轉(zhuǎn)換器，開發(fā)出了功率MOSFET。
2020-11-04 11:22:00678 交流耐壓是在比運行條件更加嚴格的試驗。是一種破壞性試驗，是鑒定電力絕緣強度最有效和最直接的方法。因此，在進行耐壓之前，必須先 進行絕緣電阻、泄漏電流、介損試驗、絕緣油等非破壞性試驗。合格后才可進
2021-09-26 10:05:312797 超級結(jié)又稱超結(jié)，是制造功率場效應(yīng)晶體管的一種技術(shù)，其名稱最早岀現(xiàn)于1993年。傳統(tǒng)高壓功率MOSFET的擊穿電壓主要由n型外延層和p型體區(qū)形成的pn結(jié)耗盡區(qū)的耐壓決定，又因p型體區(qū)摻雜濃度較高，耗盡區(qū)承壓主要在外延n-層。
2022-09-13 14:38:575464 NGTB20N60L2TF1G 應(yīng)用筆記 [與超級結(jié) MOSFET 的比較]
2022-11-15 19:25:27
0 放眼國內(nèi)外，現(xiàn)階段1000V及以上超高耐壓大電流MOSFET幾乎被進口品牌壟斷，且存在價格高，交付周期長等弊端。對此維安(WAYON)面向全球市場，對800V及以上超高壓MOS產(chǎn)品進行了大量
2023-01-06 12:43:45853 
近年來超級結(jié)（Super Junction）結(jié)構(gòu)的MOSFET（以下簡稱“SJ-MOSFET”）應(yīng)用越來越廣泛。關(guān)于SiC-MOSFET，ROHM已經(jīng)開始量產(chǎn)特性更優(yōu)異的溝槽式結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET。
2023-02-08 13:43:19525 
從本篇開始，介紹近年來MOSFET中的高耐壓MOSFET的代表超級結(jié)MOSFET。功率晶體管的特征與定位：首先來看近年來的主要功率晶體管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的功率與頻率范圍。
2023-02-10 09:41:00538 
ROHM推出內(nèi)置耐壓高達80V的MOSFET的DC/DC轉(zhuǎn)換器用IC“BD9G341AEFJ”。80V耐壓是內(nèi)置功率晶體管的非隔離型DC/DC轉(zhuǎn)換器IC的業(yè)界最高水平，在ROHM的DC/DC轉(zhuǎn)換器產(chǎn)品陣容中也是最高耐壓的機型。
2023-02-13 09:30:05387 
－ 您已經(jīng)介紹過BM2Pxxx系列對高效率、低功耗、低待機功耗、小型這4個課題的貢獻，多次提到“因為內(nèi)置超級結(jié)MOSFET，......”。接下來請您介紹一下超級結(jié)MOSFET（以下簡稱“SJ MOSFET”）。
2023-02-17 11:37:15878 
使用的工藝技術(shù)不同結(jié)構(gòu)也不同，因而電氣特征也不同。補充說明一下，DMOS是平面型的MOSFET，是常見的結(jié)構(gòu)。Si的功率MOSFET，因其高耐壓且可降低導(dǎo)通電阻，近年來超級結(jié)（Super
2023-02-23 11:26:58464 
功率 MOSFET 上電氣過載的故障特征-AN11243
2023-02-23 19:03:170 MOSFET的種類有哪些 1. Enhancement MOSFET（增強型MOSFET） 2. Depletion MOSFET（耗盡型MOSFET） 3. MOSFET
2023-06-02 14:15:36940 功率器件業(yè)務(wù)為主的高新技術(shù)企業(yè)，主要有高壓產(chǎn)品線超級結(jié)MOSFET、IGBT及功率模塊、SiC功率器件，以及中低壓產(chǎn)品線SGT MOSFET，產(chǎn)品廣泛覆蓋車規(guī)級、工業(yè)級和消費級等應(yīng)用領(lǐng)域。 在超級結(jié)MOSFET細分領(lǐng)域，2022年其超級結(jié)MOSFET產(chǎn)品銷售收入突破5億元，根據(jù)芯
2023-06-08 07:45:021434 
。超結(jié)MOSFET兼具高耐壓特性和低電阻特性，對于相同的擊穿電壓和管芯尺寸，其導(dǎo)通電阻遠小于普通高壓VDMOS，因此常用于高能效和高功率密度的快速開關(guān)應(yīng)用中。封裝特性美浦森S
2023-08-18 08:32:56513 
電感有耐壓值嗎？不同大小的電感的耐壓值會不會不同？ 電感器是一種能夠儲存電能的組件，根據(jù)材料的不同，電感器可以分為鐵芯電感器、空心電感器等多種類型。在電路中的使用，由于電源輸出的涉及到高壓、高電流
2023-10-24 10:04:481472 型晶體管，它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。根據(jù)導(dǎo)電溝道類型和柵極驅(qū)動電壓的不同，可以分為N溝道-增強型MOSFET、N溝道-耗盡型MOSFET、P溝道-增強型MOSFET、P溝道-耗盡型MOSFET四種類型。
2023-11-07 14:51:15644 
【科普小貼士】MOSFET性能改進：超級結(jié)MOSFET（SJ-MOS）
2023-12-13 14:16:16411 
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