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      美浦森N溝道超級結MOSFET SLH60R028E7

      力源信息 ? 2023-08-18 08:32 ? 次閱讀

      SLH60R028E7是一款600V N溝道多層外延工藝的超結MOS，由于MOSFET的導通電阻隨著擊穿電壓的上升而迅速增大，故在高壓領域，普通MOSFET導通阻抗大，難以滿足實際應用需要。超結MOSFET兼具高耐壓特性和低電阻特性，對于相同的擊穿電壓和管芯尺寸，其導通電阻遠小于普通高壓VDMOS，因此常用于高能效和高功率密度的快速開關應用中。

      封裝

      c63d7c1c-3d5e-11ee-ad04-dac502259ad0.jpg

      特性

      美浦森SJ-MOSFET采用了國際先進的多層外延工藝，RSP水平與國際主流品牌相當。

      該工藝的超結MOS產品應用可靠性更高，EAS及EMI通過性更好。

      具有內阻低，抗沖擊能力強，結電容低，可靠性高，品質穩(wěn)定等特點。入偏置電流：1nA（最大值）

      應用范圍

      ● LED電源● PD電源
      ● PC和服務器電源
      		● 光伏逆變
      ● UPS
      		● 充電樁
      ● 智能家居● BLDC
      ● BMS
      		● 小家電

      主要器件

      產品型號封裝外形

      導通電阻-RDS

      （On） [R](Max)

      SLH60R043E7D
      		TO-2470.043
      SLH60R041GTDITO-2470.041
      SLH60R040E7
      		TO-2470.040
      SLH60R030E7D
      		TO-2470.030
      SLH60R028E7
      		TO-2470.028
      SLH65R039GTDITO-2470.039

      相關應用

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