、柔性輸電等新能源領(lǐng)域中應(yīng)用的不斷擴(kuò)展，現(xiàn)代社會(huì)對(duì)電力電子變換器的效率和功率密度提出了更高的要求，需要器件在較高溫度環(huán)境時(shí)仍具有更優(yōu)越的開關(guān)性能以及更小的結(jié)溫和結(jié)溫波動(dòng)。SiC肖特基勢(shì)壘二極管(SBD
2019-10-24 14:25:15
。 SiC肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）在大功率應(yīng)用方面的最大優(yōu)勢(shì)在于近乎理想的動(dòng)態(tài)特性。在反向恢復(fù)瞬態(tài)，當(dāng)二極管從正向?qū)Ｊ睫D(zhuǎn)變?yōu)榉聪蜃钄嗄Ｊ綍r(shí)，有很低的反向恢復(fù)時(shí)間，而且在整個(gè)工作溫度范圍內(nèi)保持
2020-09-24 16:22:14
SIC碳化硅二極管
2016-11-04 15:50:11
理解其波形和溫度特性，這樣有助于有效使用二極管。SiC-SBD和Si-PND的反向恢復(fù)特性的不同首先，反向恢復(fù)或恢復(fù)是指二極管在呈反向偏置狀態(tài)時(shí)，無法立即完全關(guān)斷，有時(shí)會(huì)出現(xiàn)反向電流的現(xiàn)象。trr是其
2018-11-29 14:34:32
兩者間權(quán)衡時(shí)，要想選出最適當(dāng)?shù)?b class="flag-6" style="color: red">二極管，需要理解兩者的特性。另外，毋庸置言，在探討事項(xiàng)中“損耗降低”是最重要的課題。前篇的trr對(duì)應(yīng)開關(guān)損耗，本篇的VF對(duì)應(yīng)傳導(dǎo)損耗。關(guān)于Si-FRD和SiC-SBD
2018-11-30 11:52:08
，已實(shí)施了評(píng)估的ROHM的SiC-SBD，在與我們熟知的Si晶體管和IC可靠性試驗(yàn)相同的試驗(yàn)中，確保了充分的可靠性。另外，關(guān)于SiC-SBD，可能有人聽說過有與dV/dt或dI/dt相關(guān)的破壞模式
2018-11-30 11:50:49
，在功率二極管中可以說是損耗最小的二極管。促進(jìn)電源系統(tǒng)應(yīng)用的效率提高與小型化前面已經(jīng)介紹了SiC-SBD的特征，下面將介紹一些其典型應(yīng)用。主要是在電源系統(tǒng)應(yīng)用中，將成為代替以往的Si二極管，解決當(dāng)今
2019-03-27 06:20:11
為了使大家了解SiC-SBD，前面以Si二極管為比較對(duì)象，對(duì)特性進(jìn)行了說明。其中，也談到SiC-SBD本身也發(fā)展到第2代，性能得到了提升。由于也有宣布推出第3代產(chǎn)品的，所以在此匯總一下SiC-SBD
2018-11-30 11:51:17
10倍的絕緣擊穿場(chǎng)強(qiáng),所以不僅能保持實(shí)際應(yīng)用特性且可耐高壓。ROHM的650V和1200V的SiC-SBD已經(jīng)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，1700V產(chǎn)品正在開發(fā)中。SiC-SBD和Si-PN結(jié)二極管通過Si二極管來應(yīng)對(duì)
2018-11-29 14:35:50
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結(jié)
2019-03-14 06:20:14
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結(jié)
2019-04-22 06:20:22
的傳遞函數(shù)導(dǎo)出示例 其1升降壓轉(zhuǎn)換器的傳遞函數(shù)導(dǎo)出示例 其2開關(guān)的導(dǎo)通電阻對(duì)傳遞函數(shù)的影響總結(jié)總結(jié)關(guān)鍵詞開關(guān)損耗 傳遞函數(shù) 電源設(shè)計(jì) SiC-SBD 快速恢復(fù)二極管 SJ-MOSFET IGBT 狀態(tài)空間
2018-11-27 16:40:24
ROHM推出了SiC肖特基勢(shì)壘二極管（以下SiC SBD）的第三代產(chǎn)品“SCS3系列”。SCS3系列是進(jìn)一步改善了第二代SiC SBD實(shí)現(xiàn)的當(dāng)時(shí)業(yè)界最小正向電壓，并大幅提高了抗浪涌電流性能的產(chǎn)品
2018-12-03 15:12:02
在開關(guān)電源常用拓?fù)?b class="flag-6" style="color: red">中，除了功率MOS器件，還有不可或缺的二極管器件，但是不一樣的電路拓?fù)?b class="flag-6" style="color: red">中，二極管的選擇需要承擔(dān)不一樣的作用，對(duì)二極管的性能就有一定的要求，所以本文就列舉目前常用拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中二極管
2021-09-20 07:00:00
在開關(guān)電源常用拓?fù)?b class="flag-6" style="color: red">中，除了功率MOS器件，還有不可或缺的二極管器件，但是不一樣的電路拓?fù)?b class="flag-6" style="color: red">中，二極管的選擇需要承擔(dān)不一樣的作用，對(duì)二極管的性能就有一定的要求，所以本文就列舉目前常用拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中二極管
2022-04-12 15:53:31
與Si的比較開發(fā)背景SiC的優(yōu)點(diǎn)SiC-SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）與Si二極管比較采用示例SiC-MOSFET與各種功率MOSFET比較運(yùn)用事例全SiC模塊模塊的構(gòu)成開關(guān)損耗運(yùn)用要點(diǎn)SiC是在熱、化學(xué)
2018-11-29 14:39:47
SiC-SBD，藍(lán)色是第二代，可確認(rèn)VF的降低。SiC-SBD因高速trr而使開關(guān)損耗降低，加之VF的改善，在功率二極管中可以說是損耗最小的二極管。促進(jìn)電源系統(tǒng)應(yīng)用的效率提高與小型化前面已經(jīng)介紹了
2018-12-04 10:26:52
? 一、ESD靜電二極管，主要功能是防靜電，然而防靜電要求電容值低，一般在1--3.5PF之間最好；而TVS二極管的電容值卻比較高。二、ESD保護(hù)二極管，主要應(yīng)用于板級(jí)保護(hù)；TVS二極管用于初級(jí)
2022-05-18 11:23:17
二極管中觀察到的電容恢復(fù)特性為獨(dú)立于溫度，正向電流水平以及關(guān)斷dI/dt。在Si技術(shù)中，不切實(shí)際外延規(guī)范將肖特基二極管降級(jí)為< 600 V的應(yīng)用。GeneSiC的1200 V SiC肖特基二極管是專門設(shè)計(jì)的，以盡量減少電容電荷，從而實(shí)現(xiàn)更快的開關(guān)瞬變。
2023-06-16 11:42:39
湊的系統(tǒng)），內(nèi)部體二極管能夠像mosfet一樣處理電流嗎？可以說25A電流，還是應(yīng)該使用外部體二極管？如果我使用外部體二極管;我可以使用快速恢復(fù)二極管嗎？那將是什么缺點(diǎn)。外部SiC SBD是昂貴
2019-05-29 06:12:00
做得更薄，在相同的電場(chǎng)強(qiáng)度下可以減低導(dǎo)通損耗。這一技術(shù)不僅僅用于肖特基二極管，也用于IGBT和功率PN二極管。`
2019-01-02 13:57:40
Si整流器與SiC二極管：誰會(huì)更勝一籌
2021-06-08 06:14:04
。C：電容值，對(duì)于同功率等級(jí)的TVS管而言，電壓越低電容值就越大。在通信線路的防護(hù)中，尤其要注意TVS管的電容值。二極管封裝形式：從TVS管的封裝形式，可以看出其功率大小。TVS管的芯片面積直接決定其功率等級(jí)。TVS二極管規(guī)格書下載：
2021-11-12 17:35:11
穩(wěn)壓管是穩(wěn)壓作用的，超過它的穩(wěn)壓值，只要功率不超過它的耐受值，就會(huì)穩(wěn)定在它的穩(wěn)壓值范圍內(nèi)。TVS是瞬態(tài)抑制二極管，主要是用來抑制瞬時(shí)電壓尖峰，減少尖峰電壓對(duì)元器件的損耗。穩(wěn)壓二極管主要...
2021-11-15 07:36:54
過電壓保護(hù)器件的一種。瞬態(tài)二極管是在穩(wěn)壓二極管的基礎(chǔ)上發(fā)明的，是一種新型高效的電路保護(hù)器件，專門用于抑制暫態(tài)過電壓，具有優(yōu)越的過電壓防浪涌保護(hù)作用。電路正常工作時(shí)，瞬態(tài)二極管呈高阻態(tài)，不會(huì)影響電路的正產(chǎn)
2022-05-25 14:16:57
所無法比擬的。中、小功率肖特基整流二極管大多采用封裝形式
2010-08-17 09:31:20
，有助于滿足現(xiàn)代電子技術(shù)對(duì)高溫、高功率、高壓、高頻以及抗輻射等惡劣條件的新要求。
二、 SiC的性能優(yōu)勢(shì)
1、SiC SBD可將耐壓提高到3.3kV，極大擴(kuò)展了SBD的應(yīng)用范圍
肖特基二極管
2023-10-07 10:12:26
續(xù)流二極管作用及工作原理是什么？續(xù)流二極管為什么要反向接個(gè)二極管呢？續(xù)流二極管在正激開關(guān)電源的作用是什么？在變流技術(shù)中，續(xù)流二極管在電路里起什么作用？
2021-07-06 06:53:37
擴(kuò)展了其650伏(V) SiC二極管系列，提供更高的能效、更高的功率密度和更低的系統(tǒng)成本。工程師在設(shè)計(jì)用于太陽能光伏逆變器、電動(dòng)車/混和動(dòng)力電動(dòng)車（EV / HEV）充電器、電信電源和數(shù)據(jù)中心電源等
2018-10-29 08:51:19
相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術(shù)，提供更出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復(fù)電流，且具有不受溫度影響的開關(guān)特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導(dǎo)體。
2020-07-30 07:14:58
發(fā)光二極管與激光二極管在發(fā)光原理上有何差別？發(fā)光二極管與激光二極管在工作原理上有何差別？發(fā)光二極管與激光二極管在架構(gòu)上有何差別？發(fā)光二極管與激光二極管在效能上有何差別？
2021-07-28 07:02:48
關(guān)于SiC-SBD，前面介紹了其特性、與Si二極管的比較、及當(dāng)前可供應(yīng)的產(chǎn)品。本篇將匯總之前的內(nèi)容，并探討SiC-SBD的優(yōu)勢(shì)。SiC-SBD、Si?SBD、Si-PND的特征SiC-SBD為形成
2018-11-29 14:33:47
從本文開始進(jìn)入新的一章。繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢(shì)壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
3賽季）與文圖瑞車隊(duì)簽署官方技術(shù)合作協(xié)議，并在上個(gè)賽季為其提供了SiC肖特基勢(shì)壘二極管（SiC-SBD）。通過將FRD更換為SiC-SBD，第2賽季由IGBT和快速恢復(fù)二極管（FRD）組成的逆變器成功
2018-12-04 10:24:29
內(nèi)置SiC肖特基勢(shì)壘二極管的IGBT：RGWxx65C系列內(nèi)置SiC SBD的Hybrid IGBT在FRD＋I(xiàn)GBT的車載充電器案例中開關(guān)損耗降低67%關(guān)鍵詞* ? SiC肖特基勢(shì)壘二極管（SiC
2022-07-27 10:27:04
`快恢復(fù)二極管從名稱上很好理解，肖特基二極管是以人名命名，由于制造I藝完全不同，是肖特基博士的一個(gè)創(chuàng)新。肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士(Schottky) 命名的，SBD是肖特基二極管
2018-11-01 15:26:11
各位有壓降最小的二極管推薦嗎？
2015-08-14 16:01:03
變?nèi)?b class="flag-6" style="color: red">二極管，以及固體功率源中倍頻、移相的功率階躍變?nèi)?b class="flag-6" style="color: red">二極管，用于電視機(jī)高頻頭的頻道轉(zhuǎn)換和調(diào)諧電路，多以硅材料制作。4.快速二極管快速二極管的工作原理與普通二極管是相同的，但由于普通二極管工作在開關(guān)狀態(tài)下
2018-10-18 15:45:32
相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術(shù)，提供更出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復(fù)電流，且具有不受溫度影響的開關(guān)特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導(dǎo)體。
2019-07-25 07:51:59
耗散，因此降低了熱和電傳導(dǎo)損耗。它的高結(jié)溫能力提高了高環(huán)境溫度下或無法獲得充分冷卻的應(yīng)用中的可靠性。肖特基二極管的應(yīng)用:MBR系列肖特基勢(shì)壘整流器的典型應(yīng)用包括不間斷電源、高頻開關(guān)式電源和直流-直流
2020-08-28 17:12:29
和下方之間的工作邊界。值得注意的是，邊界曲線直接映射到功率損耗等值線中的拐點(diǎn)。這表明，無論使用何種二極管類型，高于諧振的操作都會(huì)增加轉(zhuǎn)換器的功率損耗?！ ?b class="flag-6" style="color: red">功率損耗圖中可以看出，GaAs和SiC的性能
2023-02-21 16:27:41
電路損耗，提高電路工作頻率。在PFC電路中用SiC SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）代替原來的硅FRD（快速恢復(fù)二極管）可以使電路在300kHz以上工作，效率基本保持不變，而使用100kHz以上硅FRD的電路效率急劇下降。隨著工作頻率的增加，電感器等無源元件的體積相應(yīng)減小，整個(gè)電路板的體積減小30%以上。
2023-02-07 15:59:32
省去輸入二極管橋。圖1：傳統(tǒng)的PFC仿真數(shù)據(jù)（圖2）表面，在PFC塊中，輸入二極管橋的功率損耗比其他所有元器件損耗都要大。圖2： PFC中的功率損耗分布為了提高OBC系統(tǒng)的能效，人們研究了不同的PFC
2022-04-19 08:00:00
SiC-MOSFET和SiC-SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）組成的類型，也有僅以SiC-MOSFET組成的類型。與Si-IGBT功率模塊相比，開關(guān)損耗大大降低處理大電流的功率模塊中，Si的IGBT與FRD
2018-12-04 10:14:32
振蕩電路，Q1-Q4相互導(dǎo)通，在導(dǎo)通-關(guān)斷過程中，會(huì)產(chǎn)生能量，這個(gè)二極管經(jīng)常被稱為寄生二極管或者續(xù)流二極管，IGBT作為開關(guān)用時(shí)候一般電壓達(dá)到上千伏，因此肖特基二極管不適合。3、快恢復(fù)二極管在BOOST
2023-02-16 14:56:38
振蕩電路，Q1-Q4相互導(dǎo)通，在導(dǎo)通-關(guān)斷過程中，會(huì)產(chǎn)生能量，這個(gè)二極管經(jīng)常被稱為寄生二極管或者續(xù)流二極管，IGBT作為開關(guān)用時(shí)候一般電壓達(dá)到上千伏，因此肖特基二極管不適合。3、快恢復(fù)二極管在BOOST
2023-02-20 15:22:29
的穩(wěn)壓二極管來更換?？梢杂镁哂邢嗤€(wěn)定電壓值的高耗散功率穩(wěn)壓二極管來代換耗散功率低的穩(wěn)壓二極管，但不能用耗散功率低的穩(wěn)壓二極管來代換耗散功率高的穩(wěn)壓二極管。例如，0.5W、6.2V的穩(wěn)壓二極管可以用1W
2021-07-07 14:58:27
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
新日本無線的這款新MUSES音頻系列產(chǎn)品 MUSES7001 是采用了粗銅線絲焊方式的音頻碳化硅肖特基二極管(SiC-SBD:Silicon Carbide-Schottky Barrier
2013-11-14 12:16:01
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結(jié)
2019-05-07 06:21:51
(SBD)結(jié)構(gòu)如圖1a所示，它是在肖特基二極管中增加了一個(gè)低摻雜濃度的n-漂移區(qū)，由肖特基結(jié)和n-漂移區(qū)及n+陰極區(qū)組成。結(jié)勢(shì)壘控制的肖特基二極管(JBS)結(jié)構(gòu)如圖1b所示，在形成肖特基結(jié)之前，先通過
2019-02-12 15:38:27
二極管是半導(dǎo)體器器件中結(jié)構(gòu)最為簡(jiǎn)單的器件，但它是一種十分重要的基礎(chǔ)器件。從某種意義上講，是任何其他器件替代不了的。例如，自大功率器件IGBT問世后，在很大范圍內(nèi)代替了大功率晶體管GTR。但卻無其它
2016-11-14 20:01:52
電子元器件在模塊中運(yùn)用的二極管有穩(wěn)壓二極管，整流二極管，其中整流二極管在電壓轉(zhuǎn)換進(jìn)程中扮演了重要的角色。在變壓器的輸入端，兩個(gè)整流二極管在不同時(shí)段導(dǎo)通，使交流脈動(dòng)電壓轉(zhuǎn)換為直流脈動(dòng)。在本實(shí)驗(yàn)中
2012-12-13 15:06:51
比如一個(gè)電源，全橋架構(gòu)，副邊用的是橋式整流輸出，輸出電流為10A，假設(shè)二極管的管子壓降為1.5V，那么副邊的二極管通態(tài)損耗怎么樣計(jì)算？可以這樣了解嗎：正半周期一組對(duì)角的二極管導(dǎo)通，此時(shí)功耗為1.5V*10*2=30W，同理負(fù)半周期也如此，則副邊二極管損耗為60W。
2018-12-18 14:52:44
二極管時(shí)，看的是功率和封裝形式；在實(shí)際應(yīng)用中，二者通常相輔相成，緊密相連，各自發(fā)揮優(yōu)勢(shì)，更有效地為電路安全保駕護(hù)航！?TVS二極管規(guī)格書下載：
2020-12-24 14:55:58
二極管時(shí)，看的是功率和封裝形式；在實(shí)際應(yīng)用中，二者通常相輔相成，緊密相連，各自發(fā)揮優(yōu)勢(shì)，更有效地為電路安全保駕護(hù)航！ESD二極管規(guī)格書下載：
2021-12-30 17:52:36
高壓硅二極管具有低正向傳導(dǎo)壓降，但由于其反向恢復(fù)行為，會(huì)在功率轉(zhuǎn)換器中造成顯著的動(dòng)態(tài)損耗。與硅相比，SiC二極管的反向恢復(fù)行為可以忽略不計(jì)，但確實(shí)表現(xiàn)出更高的體電容和更大的正向傳導(dǎo)降。由于砷化鎵技術(shù)
2023-02-22 17:13:39
PN結(jié)器件優(yōu)越的指標(biāo)是正向?qū)妷旱停哂械偷膶?dǎo)通損耗。 但硅肖特基二極管也有兩個(gè)缺點(diǎn)，一是反向耐壓VR較低，一般只有100V左右;二是反向漏電流IR較大?！ ?b class="flag-6" style="color: red">二、碳化硅半導(dǎo)體材料和用它制成的功率
2019-01-11 13:42:03
Toshiba研發(fā)出一種SiC金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET)，其將嵌入式肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）排列成格子花紋（check-pattern embedded SBD），以降低導(dǎo)通電
2023-04-11 15:29:18
各種耐高溫的高頻大功率器件，應(yīng)用于硅器件難以勝任的場(chǎng)合，或在一般應(yīng)用中產(chǎn)生硅器件難以產(chǎn)生的效果。 肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）作為一種單極性器件，在導(dǎo)通過程中沒有額外載流子注入和儲(chǔ)存，因而基本沒有
2019-10-24 14:21:23
常用的穩(wěn)壓二極管的外形與普通小功率整流二極管的外形基本相似。當(dāng)殼體上的型號(hào)標(biāo)記清楚時(shí)，可根據(jù)型號(hào)加以鑒別。當(dāng)其型號(hào)標(biāo)志脫落時(shí)，可使用萬用表電阻擋很準(zhǔn)確地將穩(wěn)壓二極管與普通整流二極管區(qū)別開來。具體方法
2021-08-16 17:04:51
，穩(wěn)壓二極管不討論響應(yīng)時(shí)間，而是更關(guān)注穩(wěn)壓值。但對(duì)于TVS二極管來說，其特性決定了其具有不同的功能。TVS二極管具有瞬態(tài)抑制高能的功能，所以需要在短時(shí)間內(nèi)吸收高能，所以這個(gè)時(shí)間非常短，達(dá)到納秒級(jí);4.功率大小
2021-12-21 11:16:32
的穩(wěn)定電壓為6～7.5V。 （2）耗散功率PM：反向電流通過穩(wěn)壓二極管的PN結(jié)時(shí)，要產(chǎn)生一定的功率損耗，PN結(jié)的溫度也將升高。根據(jù)允許的PN結(jié)工作溫度決定出管子的耗散功率。通常小功率管約為幾百毫瓦至幾瓦
2018-01-26 09:38:01
本文描述了ROHM推出的SiC-SBD其特性、與Si二極管的比較、及當(dāng)前可供應(yīng)的產(chǎn)品，并探討SiC-SBD的優(yōu)勢(shì)。ROHM的SiC-SBD已經(jīng)發(fā)展到第3代。第3代產(chǎn)品的抗浪涌電流特性與漏電流特性得到
2019-07-10 04:20:13
低，可靠性高，在各種應(yīng)用中非常有助于設(shè)備實(shí)現(xiàn)更低功耗和小型化。本產(chǎn)品于世界首次※成功實(shí)現(xiàn)SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝。內(nèi)部二極管的正向電壓（VF）降低70％以上，實(shí)現(xiàn)更低損耗的同時(shí)
2019-03-18 23:16:12
；trr約為10 ns數(shù)量級(jí)；適用于低電壓（小于50 V）的功率電子電路中（當(dāng)電路電壓高于100 V以上時(shí)，則要選用PIV高的SBD，其正向電阻將增大許多）。肖特基二極管屬于大電流、低功耗、超高速半導(dǎo)體
2021-01-13 16:36:44
。Si-SBD的特點(diǎn)是：正向壓降PN結(jié)二極管的UDF低，僅為后者的1/2～1/3；trr約為10ns數(shù)量級(jí)；適用于低電壓（小于50V）的功率電子電路中（當(dāng)電路電壓高于100V以上時(shí)，則要選用PIV高的SBD
2019-01-03 13:36:59
肖特基二極管正向?qū)妷汉艿?，只?.4V，反向在擊穿電壓之前不會(huì)導(dǎo)通，起到快速反應(yīng)開關(guān)的作用。而穩(wěn)壓二極管正向?qū)妷焊胀?b class="flag-6" style="color: red">二級(jí)管一樣約為0.7V，反向狀態(tài)下在臨界電壓之前截止，在達(dá)到臨界電壓
2020-09-25 15:38:08
` 在電子產(chǎn)品生產(chǎn)中，都會(huì)用到一種材料，它也因此被譽(yù)為電子行業(yè)的“生命之源”這種材料就是肖特基二極管，又稱肖特基勢(shì)壘二極管（簡(jiǎn)稱SBD），它屬一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件。最顯著的特點(diǎn)為反向恢復(fù)
2019-02-20 12:01:29
肖特基二極管一種應(yīng)用電路，這是肖特基二極管在步進(jìn)電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的應(yīng)用。利用肖特基二極管的管壓降小、恢復(fù)時(shí)間短的特點(diǎn)，這樣大部分電流就流過外部的肖特基二極管，從而集成電路內(nèi)部的功耗就小了很多，提高了熱穩(wěn)定性能，也就提高了可靠性。?肖特基二極管規(guī)格書下載：
2021-04-12 17:25:17
100A/cm2電流密度下為4.9V。這充分顯示了SiC材料制作功率二極管的巨大威力?！ ?b class="flag-6" style="color: red">在SBD方面，采用SiC材料和JBS結(jié)構(gòu)的器件具有較大的發(fā)展?jié)摿Α?b class="flag-6" style="color: red">在高壓功率二極管領(lǐng)域，SBD肯定會(huì)
2017-10-19 11:33:48
?肖特基二極管具有開關(guān)頻率高和正向壓降低等優(yōu)點(diǎn)，但其反向擊穿電壓比較低，大多不高于60V，*高僅約100V，以致于限制了其應(yīng)用范圍。像在開關(guān)電源（SMPS）和功率因數(shù)校正（PFC）電路中功率開關(guān)器件
2021-11-16 17:02:37
）電路中功率開關(guān)器件的續(xù)流二極管、變壓器次級(jí)用100V以上的高頻整流二極管、RCD緩沖器電路中用600V～1.2kV的高速二極管以及PFC升壓用600V二極管等，只有使用快速恢復(fù)外延二極管（FRED）和超
2021-09-09 15:19:01
肖特基二極管原理； 肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢(shì)壘二極管（SchottkyBarrierDiode，縮寫成SBD）的簡(jiǎn)稱。SBD不是利用P型
2021-04-17 14:10:23
（Schottky Barrier Diode 縮寫成SBD）的簡(jiǎn)稱。肖特基：Schottky整流：RectifierSR:即為肖特基整流二極管Schottky Rectifier Diode:肖特基整二極管
2021-06-30 17:04:44
在不同的電路部分。這是一個(gè)追求性能和用戶體驗(yàn)，對(duì)成本不敏感的行業(yè)，是肖特基二極管(同時(shí)也是sic功率器件)的第1個(gè)民用下游領(lǐng)域，曾經(jīng)在早期為siC功率器件廠家提供了最初的現(xiàn)金流。由于我國(guó)缺乏高端音響制造業(yè)
2018-11-14 14:54:30
整流二極管、續(xù)流二極管、保護(hù)二極管，也有用在微波通信等電路中作整流二極管、小信號(hào)檢波二極管使用。在通信電源、變頻器等中比較常見。 肖特基二極管優(yōu)點(diǎn)包括兩個(gè)方面: 1、由于肖特基勢(shì)壘高度低于PN結(jié)
2018-10-25 14:48:50
二極管的Tj超過最大額定值，嚴(yán)重時(shí)可能會(huì)導(dǎo)致某種破壞性結(jié)果。如前所述，切勿忽視因Si-SBD的IR損耗。發(fā)熱是IR和VR（反向電壓）的積，即漏電流產(chǎn)生的反向功率損耗乘以熱阻之積。與普通的熱計(jì)算公式相同
2018-12-03 14:31:01
相連）和串聯(lián)（一只二極管的正極接另一只二極管的負(fù)極）三種管腳引出方式。二、肖特基二極管在電源中的優(yōu)劣對(duì)比：肖特基二極管優(yōu)勢(shì)：1：低壓降，損耗電壓小。2：開關(guān)速度快，損耗小，適用于高頻電路。肖特基二極管
2019-04-12 11:37:43
我發(fā)現(xiàn)現(xiàn)在大家在選型這個(gè)二極管的時(shí)候，一般都是采用那種快恢復(fù)的二極管，有些場(chǎng)合明明不需要高速的快恢復(fù)二極管，但是大家也一樣的采用了，看來是不是快恢復(fù)二極管已經(jīng)可以通吃整個(gè)二極管應(yīng)用了？
2019-05-16 00:12:23
采芯網(wǎng)轉(zhuǎn)載：大功率肖特基二極管（SBD）是貴金屬A為正極，以N型半導(dǎo)體B為負(fù)極，利用二者接觸面上形成的勢(shì)壘具有整流特性而制成的金屬半導(dǎo)體器件。大功率肖特基二極管的結(jié)構(gòu)和特點(diǎn)使其適合于在低壓、大電流
2016-12-06 18:25:12
省去輸入二極管橋。圖1：傳統(tǒng)的PFC仿真數(shù)據(jù)（圖2）表面，在PFC塊中，輸入二極管橋的功率損耗比其他所有元器件損耗都要大。圖2： PFC中的功率損耗分布為了提高OBC系統(tǒng)的能效，人們研究了不同的PFC
2022-05-30 10:01:52
二極管的正向電壓VF無限接近零、對(duì)溫度穩(wěn)定是比較理想的，但事實(shí)是不是零、并會(huì)受溫度影響而變動(dòng)。為了使大家了解SiC-SBD的VF特性，下面與Si-PND的FRD（快速恢復(fù)二極管）進(jìn)行比較。
2023-02-08 13:43:18
378 
為了使大家了解SiC-SBD，前面以Si二極管為比較對(duì)象，對(duì)特性進(jìn)行了說明。其中，也談到SiC-SBD本身也發(fā)展到第2代，性能得到了提升。
2023-02-08 13:43:18396 
關(guān)于SiC-SBD，前面介紹了其特性、與Si二極管的比較、及當(dāng)前可供應(yīng)的產(chǎn)品。本篇將匯總之前的內(nèi)容，并探討SiC-SBD的優(yōu)勢(shì)。
2023-02-08 13:43:18705 
ROHM在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低損耗。
2023-02-10 09:41:081333 
面對(duì)SiC-SBD和Si-PND的特征進(jìn)行了比較。接下來比較SiC-SBD和Si-PND的反向恢復(fù)特性。反向恢復(fù)特性是二極管、特別是高速型二極管的基本且重要的參數(shù)，所以不僅要比較trr的數(shù)值，還要理解其波形和溫度特性，這樣有助于有效使用二極管。
2023-02-22 09:17:07198 
二極管的正向電壓VF無限接近零、對(duì)溫度穩(wěn)定是比較理想的，但事實(shí)是不是零、并會(huì)受溫度影響而變動(dòng)。為了使大家了解SiC-SBD的VF特性，下面與Si-PND的FRD（快速恢復(fù)二極管）進(jìn)行比較。
2023-02-22 09:18:59140 
為了使大家了解SiC-SBD，前面以Si二極管為比較對(duì)象，對(duì)特性進(jìn)行了說明。其中，也談到SiC-SBD本身也發(fā)展到第2代，性能得到了提升。由于也有宣布推出第3代產(chǎn)品的，所以在此匯總一下SiC-SBD的發(fā)展，整理一下當(dāng)前實(shí)際上供應(yīng)的SiC-SBD。
2023-02-22 09:19:45355 
SiC-SBD為形成肖特基勢(shì)壘，將半導(dǎo)體SiC與金屬相接合（肖特基結(jié)）。結(jié)構(gòu)與Si肖特基勢(shì)壘二極管基本相同，僅電子移動(dòng)、電流流動(dòng)。而Si-PND采用P型硅和N型硅的接合結(jié)構(gòu)，電流通過電子與空穴（孔）流動(dòng)。
2023-02-23 11:24:11586 
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