下面將對于SiC MOSFET和SiC SBD兩個系列，進(jìn)行詳細(xì)介紹
2023-11-01 14:46:19
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特性，能夠提高高溫環(huán)境下功率系統(tǒng)的效率。SiC SBD在常溫下顯示出優(yōu)于Si基快速恢復(fù)二極管的動態(tài)特性:反向恢復(fù)時間短，反向恢復(fù)電流峰值小。
2019-10-24 14:25:15
SBD20C100F
2023-03-29 21:44:08
上一章針對與Si-MOSFET的區(qū)別，介紹了關(guān)于SiC-MOSFET驅(qū)動方法的兩個關(guān)鍵要點。本章將針對與IGBT的區(qū)別進(jìn)行介紹。與IGBT的區(qū)別：Vd-Id特性Vd-Id特性是晶體管最基本的特性之一
2018-12-03 14:29:26
半導(dǎo)體相比，損耗更低，高溫環(huán)境條件下工作特性優(yōu)異，有望成為新一代低損耗元件的“碳化硅（SiC）功率元器件”。提及功率元器件，人們當(dāng)然關(guān)注SiC之類的新材料，但是，目前占有極大市場份額和應(yīng)用領(lǐng)域的Si功率
2018-11-28 14:34:33
Si整流器與SiC二極管：誰會更勝一籌
2021-06-08 06:14:04
面對SiC-SBD和Si-PND的特征進(jìn)行了比較。接下來比較SiC-SBD和Si-PND的反向恢復(fù)特性。反向恢復(fù)特性是二極管、特別是高速型二極管的基本且重要的參數(shù)，所以不僅要比較trr的數(shù)值，還要
2018-11-29 14:34:32
前面對SiC-SBD和Si-PND的反向恢復(fù)特性進(jìn)行了比較。下面對二極管最基本的特性–正向電壓VF特性的區(qū)別進(jìn)行說明。SiC-SBD和Si-PND正向電壓特性的區(qū)別二極管的正向電壓VF無限接近零
2018-11-30 11:52:08
，已實施了評估的ROHM的SiC-SBD，在與我們熟知的Si晶體管和IC可靠性試驗相同的試驗中，確保了充分的可靠性。另外，關(guān)于SiC-SBD，可能有人聽說過有與dV/dt或dI/dt相關(guān)的破壞模式
2018-11-30 11:50:49
時間trr快（可高速開關(guān)）?trr特性沒有溫度依賴性?低VF（第二代SBD）下面介紹這些特征在使用方面發(fā)揮的優(yōu)勢。大幅降低開關(guān)損耗SiC-SBD與Si二極管相比，大幅改善了反向恢復(fù)時間trr。右側(cè)的圖表為
2019-03-27 06:20:11
介紹。如下圖所示，為了形成肖特基勢壘，將半導(dǎo)體SiC與金屬相接合（肖特基結(jié)）。結(jié)構(gòu)與Si肖特基勢壘二極管基本相同，其重要特征也是具備高速特性。而SiC-SBD的特征是其不僅擁有優(yōu)異的高速性還同時實現(xiàn)了高
2018-11-29 14:35:50
ROHM努力推進(jìn)最適合處理高耐壓與大電流電路使用SiC（碳化硅）材料的SBD（肖特基勢壘二極管）。2010年在日本國內(nèi)率先開始SiC SBD的量產(chǎn)，目前正在拓展第二代SiC-SBD，并推動在包括車載
2018-12-04 10:09:17
為了使大家了解SiC-SBD，前面以Si二極管為比較對象，對特性進(jìn)行了說明。其中，也談到SiC-SBD本身也發(fā)展到第2代，性能得到了提升。由于也有宣布推出第3代產(chǎn)品的，所以在此匯總一下SiC-SBD
2018-11-30 11:51:17
SiC SBD 晶圓級測試 求助：需要測試的參數(shù)和測試方法謝謝
2020-08-24 13:03:34
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD（肖特基勢壘二極管）結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結(jié)
2019-03-14 06:20:14
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD（肖特基勢壘二極管）結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結(jié)
2019-04-22 06:20:22
從本文開始，將逐一進(jìn)行SiC-MOSFET與其他功率晶體管的比較。本文將介紹與Si-MOSFET的區(qū)別。尚未使用過SiC-MOSFET的人，與其詳細(xì)研究每個參數(shù)，不如先弄清楚驅(qū)動方法等
2018-11-30 11:34:24
二極管的比較所謂SiC-SBD－與Si-PND的反向恢復(fù)特性比較所謂SiC-SBD－與Si-PND的正向電壓比較所謂SiC-SBD－SiC-SBD的發(fā)展歷程所謂SiC-SBD－使用SiC-SBD的優(yōu)勢所謂
2018-11-27 16:40:24
”）應(yīng)用越來越廣泛。關(guān)于SiC-MOSFET，這里給出了DMOS結(jié)構(gòu)，不過目前ROHM已經(jīng)開始量產(chǎn)特性更優(yōu)異的溝槽式結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET。具體情況計劃后續(xù)進(jìn)行介紹。在特征方面，Si-DMOS存在
2018-11-30 11:35:30
的小型化?！ ×硗猓?b class="flag-6" style="color: red">SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅(qū)動，從而也可以實現(xiàn)無源器件的小型化?！ ∨c600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優(yōu)勢在于芯片
2023-02-07 16:40:49
功率元器件的開發(fā)背景和優(yōu)點SiC肖特基勢壘二極管所謂SiC-SBD－特征以及與Si二極管的比較所謂SiC-SBD－與Si-PND的反向恢復(fù)特性比較所謂SiC-SBD－與Si-PND的正向電壓比較所謂
2018-11-27 16:38:39
工作等SiC的特征所帶來的優(yōu)勢。通過與Si的比較來進(jìn)行介紹?！钡妥柚怠笨梢詥渭兘忉尀闇p少損耗，但阻值相同的話就可以縮小元件（芯片）的面積。應(yīng)對大功率時，有時會使用將多個晶體管和二極管一體化的功率模塊
2018-11-29 14:35:23
，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅(qū)動，從而也可以實現(xiàn)無源器件的小型化。與600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優(yōu)勢在于芯片面積?。蓪崿F(xiàn)小型封裝），而且體
2019-05-07 06:21:55
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-05-06 09:15:52
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-25 06:20:09
。SiC-SBD覆蓋了Si-PND/FRD的大部分耐壓范圍，因此將該耐壓范圍的Si-PND/FRD替換為SiC-SBD，可改善恢復(fù)特性，并可在應(yīng)用上發(fā)揮其優(yōu)勢。－SiC-SBD覆蓋了Si-SBD無法攀登
2018-12-03 15:12:02
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SiC SBD”）已被成功應(yīng)用于大功率模擬模塊制造商ApexMicrotechnology
2023-03-29 15:06:13
器件的溫升
綜上，SiC SBD無反向恢復(fù)、能并聯(lián)使用等特性使其在替換Si FRD時具有明顯的優(yōu)勢。沒有反向恢復(fù)，減小反向恢復(fù)帶來的開關(guān)損耗從而提高系統(tǒng)效率，同時避免反向恢復(fù)引起的振蕩，改善系統(tǒng)
2023-10-07 10:12:26
關(guān)于SiC-SBD，前面介紹了其特性、與Si二極管的比較、及當(dāng)前可供應(yīng)的產(chǎn)品。本篇將匯總之前的內(nèi)容，并探討SiC-SBD的優(yōu)勢。SiC-SBD、Si?SBD、Si-PND的特征SiC-SBD為形成
2018-11-29 14:33:47
ROHM近期推出的“SCS3系列”是第三代SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SiC-SBD”）產(chǎn)品。ROHM的每一代SiC-SBD產(chǎn)品的推出都是正向電壓降低、各特性得以改善的持續(xù)改進(jìn)過程。當(dāng)前正在
2018-12-04 10:15:20
SiC功率模塊”量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低損耗。關(guān)于這一點，根據(jù)這之前介紹過的SiC-SBD和SiC-MOSFET的特點與性能，可以很容易理解
2018-11-27 16:38:04
3賽季）與文圖瑞車隊簽署官方技術(shù)合作協(xié)議，并在上個賽季為其提供了SiC肖特基勢壘二極管（SiC-SBD）。通過將FRD更換為SiC-SBD，第2賽季由IGBT和快速恢復(fù)二極管（FRD）組成的逆變器成功
2018-12-04 10:24:29
封裝產(chǎn)品正在開發(fā)中）使用SiC SBD可顯著減少開通損耗，并大大降低應(yīng)用產(chǎn)品的功耗“RGWxx65C系列”是使用ROHM的低損耗SiC SBD作為IGBT續(xù)流二極管的IGBT產(chǎn)品。 與使用Si快速恢復(fù)
2022-07-27 10:27:04
與Si的比較開發(fā)背景SiC的優(yōu)點SiC-SBD（肖特基勢壘二極管）與Si二極管比較采用示例SiC-MOSFET與各種功率MOSFET比較運用事例全SiC模塊模塊的構(gòu)成開關(guān)損耗運用要點SiC是在熱、化學(xué)
2018-11-29 14:39:47
的優(yōu)勢。大幅降低開關(guān)損耗SiC-SBD與Si二極管相比，大幅改善了反向恢復(fù)時間trr。右側(cè)的圖表為SiC-SBD與Si-FRD（快速恢復(fù)二極管）的trr比較。恢復(fù)的時間trr很短，二極管關(guān)斷時的反向電流
2018-12-04 10:26:52
ROHM在全球率先實現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低
2018-12-04 10:14:32
的優(yōu)勢與特點，需要先了解SiC-SBD的基本特性等。第一代是從2010年4月開始量產(chǎn)的SCS1系列。這在當(dāng)時是日本國內(nèi)首家實現(xiàn)SiC-SBD量產(chǎn)。第二代是2012年6月推出的SCS2系列，現(xiàn)在很多
2018-12-03 15:11:25
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
他Si二極管相比不算很高。ROHM的SBD產(chǎn)品陣容不僅具有以超低VF為特征的用于提升效率的系列，還具有保持耐壓的同時將IR抑制到微安培的超低IR系列。下圖為針對應(yīng)用要求，以IR為縱軸，以VF為橫軸
2018-12-04 10:10:19
損傷，采用了低溫制造法，這樣SiC-SBD就實現(xiàn)了低噪聲化。并且，和傳統(tǒng)的Si-SBD相比，可實現(xiàn)高速開關(guān)工作?！局饕阅堋康烷_關(guān)損耗高頻工作受溫度影響較少的穩(wěn)定特性封裝 TO-247【應(yīng)用】高檔
2013-11-14 12:16:01
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD（肖特基勢壘二極管）結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結(jié)
2019-05-07 06:21:51
-IGBT與SiC-SBD相結(jié)合以減少開關(guān)損耗，并提供半橋配置。為了保持兼容性，高速混合模塊使用與常規(guī)Si模塊相同的封裝，例如62mm標(biāo)準(zhǔn)封裝和EconoDual?3。以下各章描述了高速IGBT和SiC-SBD芯片的特性
2020-09-02 15:49:13
MOSFET溝道會降低溝道密度并增加RonA?，F(xiàn)在新的內(nèi)嵌式SBD結(jié)構(gòu)解決了這一問題，東芝證實這種方法顯著提高了性能特征。通過將SBD按格子花紋分布，降低了SBD嵌入式SiC MOSFET的導(dǎo)通損耗，并
2023-04-11 15:29:18
的比較。藍(lán)色部分是用于功率元器件時的重要參數(shù)。如數(shù)值所示，SiC的這些參數(shù)頗具優(yōu)勢。另外，與其他新材料不同，它的一大特征是元器件制造所需的p型、n型控制范圍很廣，這點與Si相同?；谶@些優(yōu)勢，SiC作為
2018-11-29 14:43:52
改善，并進(jìn)一步降低了第2代達(dá)成的低VF。SiC-SBD、Si?SBD、Si-PND的特征SiC-SBD為形成肖特基勢壘，將半導(dǎo)體SiC與金屬相接合（肖特基結(jié)）。結(jié)構(gòu)與Si肖特基勢壘二極管基本相同，僅
2019-07-10 04:20:13
低，可靠性高，在各種應(yīng)用中非常有助于設(shè)備實現(xiàn)更低功耗和小型化。本產(chǎn)品于世界首次※成功實現(xiàn)SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝。內(nèi)部二極管的正向電壓（VF）降低70％以上，實現(xiàn)更低損耗的同時
2019-03-18 23:16:12
再次談及Si二極管，將說明肖特基勢壘二極管（以下簡稱為SBD）的相關(guān)特征和應(yīng)用。Si-SBD的特征 如前文所述，Si-SBD并非PN結(jié)，而是利用硅稱之為勢壘金屬的金屬相接合（肖特基接合）所產(chǎn)生
2018-12-03 14:31:01
我們都知道肖特基二極管(SBD)的特性就是快，因為他的PN結(jié)只有一邊是Si，另一邊是金屬，所以它是單邊耗盡區(qū)，所以快。最近汽車電子火熱了，炒作了IGBT，隨之而來的是他的“伴侶”芯片-FRD（快恢復(fù)
2023-02-08 16:40:30
ROHM在全球率先實現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低
2018-12-04 10:11:50
提出了SiC-SBD 氣體傳感器器件分析模型，利用當(dāng)前流行的MATLAB 強大的計算編程功能，模擬了SiC-SBD氣體傳感器的電流-電壓特性，結(jié)果與實驗數(shù)據(jù)吻合很好，較好地解釋了Pd-SiC 肖
2009-06-30 16:08:46
19 羅姆展出了采用溝道構(gòu)造的SiC制肖特基勢壘二極管(SBD)和MOSFET。溝道型SBD的特點在于，與普通SiC制SBD相比二極管導(dǎo)通電壓(以下稱導(dǎo)通電壓)較低。溝道型SBD的導(dǎo)通電壓為0.5V，降到了以往
2011-10-12 09:35:301111 SIC是什么呢？相比于Si器件，SiC功率器件的優(yōu)勢體現(xiàn)在哪些方面？電子發(fā)燒友網(wǎng)根據(jù)SIC器件和SI器件的比較向大家講述了兩者在性能上的不同。
2012-12-04 10:23:4411979 新日本無線的這款新MUSES音頻系列產(chǎn)品 MUSES7001 是采用了粗銅線絲焊方式的音頻碳化硅肖特基二極管（SiC-SBD:Silicon Carbide-Schottky Barrier
2013-11-18 10:03:211549 相較于硅（ Si）器件，碳化硅（SiC）器件所具有的高開關(guān)速度與低通態(tài)電阻特性增加了其瞬態(tài)波形的非理想特性與對雜散參數(shù)影響的敏感性，對其瞬態(tài)建模的精度提出更高的要求。通過功率開關(guān)器件瞬態(tài)過程的時間
2018-02-01 14:01:343 前面讓我介紹基礎(chǔ)內(nèi)容，這是非常必要的。要想更好地了解第三代產(chǎn)品的優(yōu)勢與特點，需要先了解SiC-SBD的基本特性等。
2018-04-09 15:42:506274 羅姆在全球率先實現(xiàn)了搭載羅姆生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC功率模塊”量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低損耗。
2018-05-17 09:33:1313514 SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。SiC臨界擊穿場強是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，熱導(dǎo)率是Si的3倍，所以被認(rèn)為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在
2018-07-15 11:05:419257 
受惠于電動車市場需求提升，為因應(yīng)高電壓、高頻率及低耗損的技術(shù)需求，SiC(碳化硅)功率元件被視為接替高電壓IGBT的產(chǎn)品，可分為：SiC-SBD(SiC-蕭特基二極管)、SiC-MOSFET、Hybrid-SiC module(IGBT+SBD)以及Full-SiC module。
2019-05-06 15:54:492596 作為半導(dǎo)體材料“霸主“的Si，其性能似乎已經(jīng)發(fā)展到了一個極限，而此時以SiC和GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體經(jīng)過一段時間的積累也正在變得很普及。所以，出現(xiàn)了以Si基器件為主導(dǎo)，SiC和GaN為"游擊"形式存在的局面。
2020-08-27 16:26:0010157 
大家好，本周小賽給大家介紹的是《漲知識啦》系列內(nèi)容：肖特基勢壘二極管(SBD)基本的電流輸運機制。 圖1展示了SBD外加正向偏置時，器件內(nèi)部的能帶及載流子輸運機制。其中，編號1-5分別為： 1.
2020-11-19 14:55:00912 
據(jù)了解，上海芯石在半導(dǎo)體功率器件芯片尤其是肖特基二極管芯片領(lǐng)域具有十幾年的技術(shù)儲備及行業(yè)經(jīng)驗，目前業(yè)務(wù)產(chǎn)品主要覆蓋兩大類別：Si 類（SBD、 FRED、MOSFET、IGBT、ESD 等功率芯片產(chǎn)品）、SiC 類：（SiC-SBD、 SiC-MOSFET）。
2021-02-01 16:40:192464 
，配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5)，進(jìn)一步優(yōu)化了系統(tǒng)效率、性能與成本之間的微妙平衡。 IGBT混搭SiC SBD續(xù)流二極管，在硬換流的場合，至少有兩個主要優(yōu)勢： 沒有Si二極管的反向恢復(fù)
2021-03-26 16:40:202349 
一、SiC模塊的特征 電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。 由IGBT
2023-01-12 16:35:47489 本章將介紹部分SiC-MOSFET的應(yīng)用實例。其中也包括一些以前的信息和原型級別的內(nèi)容，總之希望通過這些介紹能幫助大家認(rèn)識采用SiC-MOSFET的好處以及可實現(xiàn)的新功能。另外，除了SiC-MOSFET，還可以從這里了解SiC-SBD、全SiC模塊的應(yīng)用實例。
2023-02-06 14:39:51645 
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征 SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD（肖特基勢壘二極管）結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。 因此，如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速
2023-02-07 16:46:27501 1. SiC模塊的特征 大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。 由IGBT
2023-02-07 16:48:23646 
繼SiC功率元器件的概述之后，將針對具體的元器件進(jìn)行介紹。首先從SiC肖特基勢壘二極管開始。SiC肖特基勢壘二極管和Si肖特基勢壘二極管：下面從SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SBD”）的結(jié)構(gòu)開始介紹。
2023-02-08 13:43:17612 
下面從SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SBD”）的結(jié)構(gòu)開始介紹。如下圖所示，為了形成肖特基勢壘，將半導(dǎo)體SiC與金屬相接合（肖特基結(jié)）。結(jié)構(gòu)與Si肖特基勢壘二極管基本相同，其重要特征也是具備高速特性。
2023-02-08 13:43:17404 
二極管的正向電壓VF無限接近零、對溫度穩(wěn)定是比較理想的，但事實是不是零、并會受溫度影響而變動。為了使大家了解SiC-SBD的VF特性，下面與Si-PND的FRD（快速恢復(fù)二極管）進(jìn)行比較。
2023-02-08 13:43:18378 
為了使大家了解SiC-SBD，前面以Si二極管為比較對象，對特性進(jìn)行了說明。其中，也談到SiC-SBD本身也發(fā)展到第2代，性能得到了提升。
2023-02-08 13:43:18396 
SiC作為半導(dǎo)體材料的歷史不長，與Si功率元器件相比其實際使用業(yè)績還遠(yuǎn)遠(yuǎn)無法超越，可能是其可靠性水平還未得到充分認(rèn)識。這是ROHM的SiC-SBD可靠性試驗數(shù)據(jù)。
2023-02-08 13:43:18364 
繼前篇結(jié)束的SiC-SBD之后，本篇進(jìn)入SiC-MOSFET相關(guān)的內(nèi)容介紹。功率轉(zhuǎn)換電路中的晶體管的作用非常重要，為進(jìn)一步實現(xiàn)低損耗與應(yīng)用尺寸小型化，一直在進(jìn)行各種改良。
2023-02-08 13:43:19211 
繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC功率模塊具體是什么樣的產(chǎn)品，都有哪些機型。
2023-02-08 13:43:21685 
再次談及Si二極管，將說明肖特基勢壘二極管（以下簡稱為SBD）的相關(guān)特征和應(yīng)用。 Si-SBD的特征：如前文所述，Si-SBD并非PN結(jié)，而是利用硅稱之為勢壘金屬的金屬相接合（肖特基接合）所產(chǎn)生的肖特基勢壘。
2023-02-09 10:19:23593 
ROHM近期推出的“SCS3系列”是第三代SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SiC-SBD”）產(chǎn)品。ROHM的每一代SiC-SBD產(chǎn)品的推出都是正向電壓降低、各特性得以改善的持續(xù)改進(jìn)過程。
2023-02-10 09:41:07611 
ROHM在全球率先實現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低損耗。
2023-02-10 09:41:081333 
ROHM在全球率先實現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低損耗。
2023-02-13 09:30:04331 
ROHM努力推進(jìn)最適合處理高耐壓與大電流電路使用SiC（碳化硅）材料的SBD（肖特基勢壘二極管）。2010年在日本國內(nèi)率先開始SiC SBD的量產(chǎn)，目前正在擴(kuò)充第二代SIC-SBD產(chǎn)品陣容，并推動在包括車載在內(nèi)的各種應(yīng)用中的采用。
2023-02-13 09:30:07401 
－進(jìn)入主題之前請您介紹了很多基礎(chǔ)內(nèi)容，下面請您介紹一下第三代SiC-SBD。SCS3系列被稱為“第三代”，首先請您講一講各“代”的歷史。前面讓我介紹基礎(chǔ)內(nèi)容，這是非常必要的。
2023-02-16 09:55:07759 
繼SiC功率元器件的概述之后，將針對具體的元器件進(jìn)行介紹。首先從SiC肖特基勢壘二極管開始。
2023-02-22 09:16:27492 
面對SiC-SBD和Si-PND的特征進(jìn)行了比較。接下來比較SiC-SBD和Si-PND的反向恢復(fù)特性。反向恢復(fù)特性是二極管、特別是高速型二極管的基本且重要的參數(shù)，所以不僅要比較trr的數(shù)值，還要理解其波形和溫度特性，這樣有助于有效使用二極管。
2023-02-22 09:17:07198 
二極管的正向電壓VF無限接近零、對溫度穩(wěn)定是比較理想的，但事實是不是零、并會受溫度影響而變動。為了使大家了解SiC-SBD的VF特性，下面與Si-PND的FRD（快速恢復(fù)二極管）進(jìn)行比較。
2023-02-22 09:18:59140 
為了使大家了解SiC-SBD，前面以Si二極管為比較對象，對特性進(jìn)行了說明。其中，也談到SiC-SBD本身也發(fā)展到第2代，性能得到了提升。由于也有宣布推出第3代產(chǎn)品的，所以在此匯總一下SiC-SBD的發(fā)展，整理一下當(dāng)前實際上供應(yīng)的SiC-SBD。
2023-02-22 09:19:45355 
SiC-SBD為形成肖特基勢壘，將半導(dǎo)體SiC與金屬相接合（肖特基結(jié)）。結(jié)構(gòu)與Si肖特基勢壘二極管基本相同，僅電子移動、電流流動。而Si-PND采用P型硅和N型硅的接合結(jié)構(gòu)，電流通過電子與空穴（孔）流動。
2023-02-23 11:24:11586 
本文將介紹與Si-MOSFET的區(qū)別。尚未使用過SiC-MOSFET的人，與其詳細(xì)研究每個參數(shù)，不如先弄清楚驅(qū)動方法等與Si-MOSFET有怎樣的區(qū)別。在這里介紹SiC-MOSFET的驅(qū)動與Si-MOSFET的比較中應(yīng)該注意的兩個關(guān)鍵要點。
2023-02-23 11:27:57736 
SiC SBD成功應(yīng)用于村田數(shù)據(jù)中心電源模塊
2023-03-03 16:28:00457 
來源：國星光電官微 近日，國星光電開發(fā)的1200V/10A SiC-SBD（碳化硅-肖特基二極管）器件成功通過第三方權(quán)威檢測機構(gòu)可靠性驗證，并獲得AEC-Q101車規(guī)級認(rèn)證。這標(biāo)志著國星光電第三代
2023-03-14 17:22:57393 
近日，國星光電開發(fā)的1200V/10A SiC-SBD（碳化硅-肖特基二極管）器件成功通過第三方權(quán)威檢測機構(gòu)可靠性驗證，并獲得AEC-Q101車規(guī)級認(rèn)證。這標(biāo)志著國星光電第三代半導(dǎo)體功率器件產(chǎn)品
2023-03-20 19:16:30550 國星光電SiC-SBD器件采用TO-247-2L封裝形式,在長達(dá)1000小時的高溫、高濕等惡劣環(huán)境下驗證，仍能保持正常穩(wěn)定的工作狀態(tài)，可更好地適應(yīng)復(fù)雜多變的車載應(yīng)用環(huán)境，具備高度的可靠性、安全性和穩(wěn)定性。
2023-03-22 10:56:52537 ROHM的1,200VSiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的，采用ROHM的這些產(chǎn)品將有助于應(yīng)用的小型化并提高模塊的性能和可靠性。
2023-04-10 09:34:29483 碳化硅（SiC）器件是一種新興的技術(shù)，具有傳統(tǒng)硅所缺乏的多種特性。SiC具有比Si更寬的帶隙，允許更高的電壓阻斷，并使其適用于高功率和高電壓應(yīng)用。此外，SiC還具有比Si更低的熱阻，這意味著它可以更有效地散熱，具有更高的可靠性。
2023-04-13 11:01:161469 我們從SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SBD”）的結(jié)構(gòu)開始介紹。如下圖所示，為了形成肖特基勢壘，將半導(dǎo)體SiC與金屬相接合（肖特基結(jié)）。結(jié)構(gòu)與Si肖特基勢壘二極管基本相同，其重要特征也是具備高速特性。
2023-07-18 09:47:30236 
額外的650和1200V SiC SBD型號滿足當(dāng)今交通、可再生能源和工業(yè)系統(tǒng)的功率密度要求。 Bourns宣布，它在現(xiàn)有的碳化硅(SiC)肖特基勢壘二極管(SBD)產(chǎn)品系列中增加了十種新的變體
2023-10-13 17:06:38866 繼1200V/10A SiC-SBD（碳化硅-肖特基二極管）器件獲AEC-Q101車規(guī)級認(rèn)證后
2023-10-25 18:28:10423 
Si對比SiC MOSFET 改變技術(shù)—是正確的做法
2023-11-29 16:16:06149 
SiC SBD的高耐壓（反壓）特性
2023-12-13 15:27:55197 
SiC的導(dǎo)熱性大約是Si的三倍，并且將其他特性的所有優(yōu)點結(jié)合在一起。導(dǎo)熱率是指熱量從半導(dǎo)體結(jié)傳遞到外部環(huán)境的速度。這意味著SiC器件可以在高達(dá)200°C的溫度下工作，而Si的典型工作溫度限制為150°C。
2023-11-23 15:08:11490 
肖特基勢壘二極管（SBD）是一種基于金屬-半導(dǎo)體接觸的二極管，而非傳統(tǒng)的PN結(jié)。這種特殊的結(jié)構(gòu)賦予了SBD獨特的電氣特性，使其在高頻和高效率的電子電路中具有重要的應(yīng)用。 Si-SBD
2024-02-23 11:30:38262
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