上一篇文章的內(nèi)容來閱讀本文。 通過雙脈沖測試評估MOSFET反向恢復(fù)特性 為了評估MOSFET的反向恢復(fù)特性，我們使用4種MOSFET實施了雙脈沖測試。4種MOSFET均為超級結(jié)MOSFET（以下簡稱“SJ MOSFET”），我們使用快速恢復(fù)型和普通型分別進行了比較。 先來看具有快速恢復(fù)
2020-12-21 14:25:45
7583 
反向恢復(fù)過程： ? ? 通常把二極管從正向?qū)ㄞD(zhuǎn)為反向截止所經(jīng)過的轉(zhuǎn)換過程稱為反向恢復(fù)過程 。由于反向恢復(fù)時間的存在，使二極管的開關(guān)速度受到限制。 ??? 試想一下，如果二極管的反向恢復(fù)時間長，那就
2022-12-10 17:06:3814762 
碳化硅二極管是單極器件，因此與傳統(tǒng)的硅快速恢復(fù)二極管(硅FRD)相比，碳化硅二極管具有理想的反向恢復(fù)特性。當(dāng)器件從正向切換到反向阻斷方向時，幾乎沒有反向恢復(fù)功率，反向恢復(fù)時間小于20ns，甚至600V10A碳化硅二極管的反向恢復(fù)時間也小于10ns。
2023-02-08 17:23:231749 
特性，能夠提高高溫環(huán)境下功率系統(tǒng)的效率。SiC SBD在常溫下顯示出優(yōu)于Si基快速恢復(fù)二極管的動態(tài)特性:反向恢復(fù)時間短，反向恢復(fù)電流峰值小。
2019-10-24 14:25:15
面對SiC-SBD和Si-PND的特征進行了比較。接下來比較SiC-SBD和Si-PND的反向恢復(fù)特性。反向恢復(fù)特性是二極管、特別是高速型二極管的基本且重要的參數(shù)，所以不僅要比較trr的數(shù)值，還要
2018-11-29 14:34:32
前面對SiC-SBD和Si-PND的反向恢復(fù)特性進行了比較。下面對二極管最基本的特性–正向電壓VF特性的區(qū)別進行說明。SiC-SBD和Si-PND正向電壓特性的區(qū)別二極管的正向電壓VF無限接近零
2018-11-30 11:52:08
/dt，在Si-FRD中存在當(dāng)dI/dt較大時，恢復(fù)電流Irr變大，電流集中導(dǎo)致破壞的模式?？赡苡腥藫?dān)心同樣的模式會不會在SiC-SBD中發(fā)生。在SiC-SBD中，恢復(fù)電流非常小，可以認為很難發(fā)生該模式
2018-11-30 11:50:49
時間trr快（可高速開關(guān)）?trr特性沒有溫度依賴性?低VF（第二代SBD）下面介紹這些特征在使用方面發(fā)揮的優(yōu)勢。大幅降低開關(guān)損耗SiC-SBD與Si二極管相比，大幅改善了反向恢復(fù)時間trr。右側(cè)的圖表為
2019-03-27 06:20:11
○SCS230KE2120030360TO-247○SCS240AE265040270TO-247 SCS240AE2HR65040270TO-247○SCS240KE2120040420TO-247 需要詳細搜索或比較時，請點擊這里。＜ 相關(guān)產(chǎn)品信息 ＞SiC-SBD
2018-12-04 10:09:17
為了使大家了解SiC-SBD，前面以Si二極管為比較對象，對特性進行了說明。其中，也談到SiC-SBD本身也發(fā)展到第2代，性能得到了提升。由于也有宣布推出第3代產(chǎn)品的，所以在此匯總一下SiC-SBD
2018-11-30 11:51:17
，從而同時實現(xiàn)高耐壓和低阻值，但關(guān)斷的速度會變慢。盡管FRD（快速恢復(fù)二極管）利用PN結(jié)二極管提高了速度，但盡管如此，trr（反向恢復(fù)時間）特性等劣于SBD。因此，trr損耗是高耐壓Si PN結(jié)二極管
2018-11-29 14:35:50
SiC SBD 晶圓級測試 求助：需要測試的參數(shù)和測試方法謝謝
2020-08-24 13:03:34
的溫度依存性與Si-FRD不同，溫度越高，它的導(dǎo)通阻抗就會增加，從而VF值也增加。不易發(fā)生熱失控，所以可以放心地并聯(lián)使用。3. SiC-SBD的恢復(fù)特性Si的快速PN結(jié)二極管（FRD:快速恢復(fù)二極管）在從
2019-03-14 06:20:14
的溫度依存性與Si-FRD不同，溫度越高，它的導(dǎo)通阻抗就會增加，從而VF值也增加。不易發(fā)生熱失控，所以可以放心地并聯(lián)使用。3. SiC-SBD的恢復(fù)特性Si的快速PN結(jié)二極管（FRD:快速恢復(fù)二極管）在從
2019-04-22 06:20:22
二極管的比較所謂SiC-SBD－與Si-PND的反向恢復(fù)特性比較所謂SiC-SBD－與Si-PND的正向電壓比較所謂SiC-SBD－SiC-SBD的發(fā)展歷程所謂SiC-SBD－使用SiC-SBD的優(yōu)勢所謂
2018-11-27 16:40:24
功率元器件的開發(fā)背景和優(yōu)點SiC肖特基勢壘二極管所謂SiC-SBD－特征以及與Si二極管的比較所謂SiC-SBD－與Si-PND的反向恢復(fù)特性比較所謂SiC-SBD－與Si-PND的正向電壓比較所謂
2018-11-27 16:38:39
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-05-06 09:15:52
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-25 06:20:09
的高耐壓和低阻值，但其開關(guān)性能劣于多數(shù)載流子。Si-PND中提高了開關(guān)速度的產(chǎn)品是FRD，然而開關(guān)時的恢復(fù)特性依然劣于SBD。右圖表示Si-SBD、Si-PND/FRD和SiC-SBD的耐壓覆蓋范圍
2018-12-03 15:12:02
反向恢復(fù)時間就是存儲電荷耗盡所需要的時間。二極管和一般開關(guān)的不同在于,"開"與"關(guān)"由所加電壓的極性決定, 而且"開"態(tài)有微小的壓降Vf
2019-12-03 10:16:05
摻雜的電壓阻擋層SiC肖特基二極管通常具有比硅PIN二極管更高的結(jié)電容相同的額定電壓。因此，在SiC肖特基二極管中有一個小而有限的反向恢復(fù)電流由于電容位移電流。然而，不像反向恢復(fù)的特點在SiC肖特基
2023-06-16 11:42:39
的器件工藝改進，很難出現(xiàn)器件超出SOA的情況了吧?！ ∮绊懚O管反向恢復(fù)特性的內(nèi)部機理是比較復(fù)雜的，有時候你可能會發(fā)現(xiàn)在低溫、小電流的時候反向恢復(fù)特性會變差，振蕩也會更加嚴重，當(dāng)電流增大后，反向恢復(fù)
2020-12-08 15:44:26
器件的溫升
綜上，SiC SBD無反向恢復(fù)、能并聯(lián)使用等特性使其在替換Si FRD時具有明顯的優(yōu)勢。沒有反向恢復(fù)，減小反向恢復(fù)帶來的開關(guān)損耗從而提高系統(tǒng)效率，同時避免反向恢復(fù)引起的振蕩，改善系統(tǒng)
2023-10-07 10:12:26
二極管是單向?qū)?，那?b class="flag-6" style="color: red">反向恢復(fù)時間是什么，需要怎么測試
2023-09-27 07:51:57
什么是反向恢復(fù)過程？二極管在開關(guān)轉(zhuǎn)換過程中出現(xiàn)的反向恢復(fù)過程是由于什么原因引起的？
2021-06-29 07:28:24
)：1.5V芯片尺寸：120MIL浪涌電流Ifsm：300A漏電流(Ir)：10uA工作溫度：-50~+150℃恢復(fù)時間(Trr)：35nS引線數(shù)量：3 二極管SFF3006反向恢復(fù)過程，現(xiàn)代脈沖電路中大
2021-11-30 16:28:50
以AC/DC Boost開關(guān)電源為例，如圖1所示，主電路中輸人整流橋二極管產(chǎn)生的反向恢復(fù)電流的di/dt遠比輸出二極管D反向恢復(fù)電流的|di/dt|要小得多。圖2是圖1開關(guān)電源中輸人整流橋二極管
2021-06-30 16:37:09
上一篇文章我們詳細討論了二極管的結(jié)電容：勢壘電容和擴散電容。我們也知道了數(shù)據(jù)手冊中所給出的結(jié)電容參數(shù)，它的大小和反向恢復(fù)時間沒有關(guān)系。如下表所示：序號種類型號結(jié)電容反向恢復(fù)時間封裝品牌1普通
2021-10-18 10:28:06
存在反向恢復(fù)電流?？梢钥紤]降低電源二極管的最大額定電流，使用尺寸更小的二極管。電源更緊湊，功率密度更高，可以提高開關(guān)頻率，功耗更低。SiC技術(shù)之所以能夠提供這些優(yōu)點是因為在正常導(dǎo)通器件，不會累積反向恢復(fù)電荷。缺點是價格比較高。原作者：蝸牛 硬件筆記本
2023-02-15 14:24:47
轉(zhuǎn)換器內(nèi)所使用的MOSFET體二極管的反向恢復(fù)。氮化鎵—GaN器件不會表現(xiàn)出反向恢復(fù)特性，并因此避免了損耗和其它相關(guān)問題。借助于我的LMG5200和一個差不多的基于硅FET的TPS40170EVM-597
2018-09-03 15:17:44
轉(zhuǎn)換器內(nèi)所使用的MOSFET體二極管的反向恢復(fù)。氮化鎵—GaN器件不會表現(xiàn)出反向恢復(fù)特性，并因此避免了損耗和其它相關(guān)問題。借助于我的LMG5200和一個差不多的基于硅FET的TPS40170EVM-597
2022-11-17 06:32:52
關(guān)于SiC-SBD，前面介紹了其特性、與Si二極管的比較、及當(dāng)前可供應(yīng)的產(chǎn)品。本篇將匯總之前的內(nèi)容，并探討SiC-SBD的優(yōu)勢。SiC-SBD、Si?SBD、Si-PND的特征SiC-SBD為形成
2018-11-29 14:33:47
SiC功率模塊”量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低損耗。關(guān)于這一點，根據(jù)這之前介紹過的SiC-SBD和SiC-MOSFET的特點與性能，可以很容易理解
2018-11-27 16:38:04
3賽季）與文圖瑞車隊簽署官方技術(shù)合作協(xié)議，并在上個賽季為其提供了SiC肖特基勢壘二極管（SiC-SBD）。通過將FRD更換為SiC-SBD，第2賽季由IGBT和快速恢復(fù)二極管（FRD）組成的逆變器成功
2018-12-04 10:24:29
或者說過程，我們稱之為反向恢復(fù)過程。只要是雙極型器件，就會有非平衡載流子的注入，那么就存在所謂的反向恢復(fù)過程。這種特性嚴重限制了器件在高頻需求下的性能，我們要做的就是研究并減小反向恢復(fù)這個過程的時間。(a
2023-02-14 15:46:54
與Si的比較開發(fā)背景SiC的優(yōu)點SiC-SBD（肖特基勢壘二極管）與Si二極管比較采用示例SiC-MOSFET與各種功率MOSFET比較運用事例全SiC模塊模塊的構(gòu)成開關(guān)損耗運用要點SiC是在熱、化學(xué)
2018-11-29 14:39:47
的優(yōu)勢。大幅降低開關(guān)損耗SiC-SBD與Si二極管相比，大幅改善了反向恢復(fù)時間trr。右側(cè)的圖表為SiC-SBD與Si-FRD（快速恢復(fù)二極管）的trr比較。恢復(fù)的時間trr很短，二極管關(guān)斷時的反向電流
2018-12-04 10:26:52
的開關(guān)電源電路相同。另外，SiC-SBD不產(chǎn)生短脈沖反向恢復(fù)現(xiàn)象，因此PWM控制無需擔(dān)心短脈沖時的異常浪涌電壓。不僅有助于提高逆變器和電源的效率，還可實現(xiàn)小型化，這是全SiC功率模塊的巨大優(yōu)勢。由
2018-12-04 10:14:32
?快恢復(fù)二極管反向恢復(fù)時間（tr）的定義：電流通過零點由正向轉(zhuǎn)換到規(guī)定低值的時間間隔。它是衡量高頻續(xù)流及整流器件性能的重要技術(shù)指標。在快恢復(fù)二極管里，IF為正向電流，IRM為最大反向恢復(fù)電流。Irr
2021-05-14 14:12:50
已經(jīng)上傳了驅(qū)動部分的原理圖，我剛進一個做MOS的公司，有個客戶是這樣的，他說我們的管子溫度比他的高了20度，MOS的Trr和Qrr都比較大，反向恢復(fù)損耗比較高，有什么辦法可以降低嗎，讓MOS的溫度的降下來
2019-09-11 04:23:31
和恢復(fù)特性，還成功將VF降低至約0.15V，達到當(dāng)時業(yè)界最小的VF 1.35。VF降低有助于降低設(shè)備的傳導(dǎo)損耗。第三代SiC-SBD為提高抗浪涌電流性能并改善漏電流IR，采用了JBS（Junction
2018-12-03 15:11:25
`<div> 揭秘肖特基二極管的反向恢復(fù)時間 肖特基二極管和一般二極管的差異在于反向恢復(fù)時間，也就是肖特基二極管由流過正向電流的導(dǎo)通狀態(tài)，切換到不導(dǎo)通狀態(tài)所需的時間
2018-11-02 11:54:12
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
整流二極管的反向恢復(fù)過程
2021-01-08 06:22:44
損傷，采用了低溫制造法，這樣SiC-SBD就實現(xiàn)了低噪聲化。并且，和傳統(tǒng)的Si-SBD相比，可實現(xiàn)高速開關(guān)工作?！局饕阅堋康烷_關(guān)損耗高頻工作受溫度影響較少的穩(wěn)定特性封裝 TO-247【應(yīng)用】高檔
2013-11-14 12:16:01
的溫度依存性與Si-FRD不同，溫度越高，它的導(dǎo)通阻抗就會增加，從而VF值也增加。不易發(fā)生熱失控，所以可以放心地并聯(lián)使用。3. SiC-SBD的恢復(fù)特性Si的快速PN結(jié)二極管（FRD:快速恢復(fù)二極管）在從
2019-05-07 06:21:51
載流子注入的單極器件這一事實是實現(xiàn)這種改進的原因。與實際第七代芯片的硅續(xù)流二極管相比，反向恢復(fù)損耗ERR降低了92％。除了反向恢復(fù)方面的改進外，SiC-SBD的增強特性還導(dǎo)致對置臂中IGBT導(dǎo)通時的增強
2020-09-02 15:49:13
在我的上一篇博文中，我介紹了體二極管反向恢復(fù)。今天，我們來看一看在一個真實電路中測量反向恢復(fù)的方法。測量一個同步降壓轉(zhuǎn)換器中的反向恢復(fù)不太容易。電流探頭太大，并且會大幅增加功率級環(huán)路中的電感。而且
2018-09-03 15:17:37
看出SiC-SBD基本覆蓋了Si-PND/FRD的耐壓范圍，因此可改善這個范圍的Si-PND/FRD的trr。SiC-SBD的trr通過與Si-FRD的比較介紹過Si-SBD具有優(yōu)異的trr特性，而且
2019-07-10 04:20:13
低，可靠性高，在各種應(yīng)用中非常有助于設(shè)備實現(xiàn)更低功耗和小型化。本產(chǎn)品于世界首次※成功實現(xiàn)SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝。內(nèi)部二極管的正向電壓（VF）降低70％以上，實現(xiàn)更低損耗的同時
2019-03-18 23:16:12
一、二極管從正向?qū)ǖ浇刂褂幸粋€反向恢復(fù)過程在上圖所示的硅二極管電路中加入一個如下圖所示的輸入電壓。在0―t1時間內(nèi)，輸入為+VF，二極管導(dǎo)通，電路中有電流流通?！ ≡O(shè)VD為二極管正向壓降（硅管為
2020-02-25 07:00:00
我們都知道肖特基二極管(SBD)的特性就是快，因為他的PN結(jié)只有一邊是Si，另一邊是金屬，所以它是單邊耗盡區(qū)，所以快。最近汽車電子火熱了，炒作了IGBT，隨之而來的是他的“伴侶”芯片-FRD（快恢復(fù)
2023-02-08 16:40:30
ROHM在全球率先實現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低
2018-12-04 10:11:50
二極管反向恢復(fù)時間及簡易測試在開關(guān)電路中應(yīng)用的二極管，反向恢復(fù)時間是一個主要參數(shù)。用圖示儀器直接觀察特性曲錢是理想的測試方法，但需要專用測試設(shè)備。本文闡述了二
2008-11-19 18:09:16
115 :本文簡要地介紹了超快速二極的性能管對電力電子電路的影響和現(xiàn)代功率變換對超快速二極管反向恢復(fù)特性的要求，超快速二極管的反向恢復(fù)參數(shù)與使用條件的關(guān)系和一些最新超快
2009-10-19 10:24:0939 超快速二極管的反向恢復(fù)特性摘要:本文簡要地介紹了超快速二極的性能管對電力電子電路的影響和現(xiàn)代功率變換對超快速二極管反向恢復(fù)特性的要求，超快速
2009-11-11 11:22:4819 已全部加載完成
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評論