效應(yīng)時(shí)會(huì)捕獲的電荷。因此，GaN器件提供了R?DSon（動(dòng)態(tài)導(dǎo)通狀態(tài)電阻），這使得GaN半導(dǎo)體中的傳導(dǎo)損耗無法預(yù)測。捕獲的電荷通過偏置電壓V?off，偏置時(shí)間T?off以及開關(guān)狀態(tài)下電壓和電流之間的重疊來測量[4]。當(dāng)設(shè)備打開時(shí)，處于關(guān)閉狀態(tài)的俘獲電荷被釋放，
2021-03-22 12:42:23
8435 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）在我們談?wù)摰谌雽?dǎo)體的時(shí)候，常說的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET（金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管），而氮化鎵功率器件最普遍的則是GaN HEMT（高電子
2023-12-27 09:11:361220 FYC8101 微型電荷放大器 單端或差動(dòng)輸入;增益固定（1,10,100）可選;可根據(jù)傳感器靈敏度進(jìn)行歸一化（1.00～10.0）；雙電源±12~±15VDC或單電源+24~+30VDC供電；尺寸
2013-04-10 21:08:27
工藝將金屬柵或重?fù)诫s多晶硅柵置于絕緣二氧化硅的頂部。為了將一個(gè)柱的電荷包與其他柱的電荷包隔離開來，將熱生長的氧化物“通道止點(diǎn)”平行放置在通道上。MOS 電容的圖像但是，如果一個(gè) CCD 單元傳遞電荷，它
2022-03-25 11:11:48
絕緣柵雙極型晶體管檢測方法
2009-12-10 17:18:39
絕緣柵雙極晶體管IGBT又叫絕緣柵雙極型晶體管。一．絕緣柵雙極晶體管IGBT的工作原理： 半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)分析略。本講義附加了相關(guān)資料，供感興趣
2009-05-12 20:44:23
是驅(qū)動(dòng)電路的輸出陰抗和施加的柵極電壓的一個(gè)函數(shù)。通過改變柵電阻Rg (圖4)值來控制器件的速度是可行的，通過這種方式，輸出寄生電容Cge和 Cgc可實(shí)現(xiàn)不同的電荷速率。換句話說，通過改變 Rg值，可以
2009-05-24 16:43:05
絕緣柵雙極晶體管晶體管的發(fā)展1947年的圣誕前某一天，貝爾實(shí)驗(yàn)室中，布拉頓平穩(wěn)地用刀片在三角形金箔上劃了一道細(xì)痕，恰到好處地將頂角一分為二，分別接上導(dǎo)線，隨即準(zhǔn)確地壓進(jìn)鍺晶體表面的選定部位。電流表
2012-08-02 23:55:11
絕緣柵雙級晶體管IGBT
2012-08-20 09:46:02
絕緣柵場效應(yīng)管的導(dǎo)電機(jī)理是，利用UGS 控制"感應(yīng)電荷"的多少來改變導(dǎo)電溝道的寬窄，從而控制漏極電流ID。若UGS＝0時(shí)，源、漏之間不存在導(dǎo)電溝道的為增強(qiáng)型MOS管，UGS＝0 時(shí)，漏、源之間存在導(dǎo)電溝道的為耗盡型MOS管。
2019-09-30 09:02:16
絕緣柵型場效應(yīng)管有哪些類型：增強(qiáng)型MOS管耗盡型MOS管
2021-04-01 08:05:28
或 MOSFET 相比，絕緣柵雙極性晶體管器件的優(yōu)勢在于，它比標(biāo)準(zhǔn)雙極型晶體管提供了更大的功率增益，并且具有更高的電壓工作和更低的 MOSFET 輸入損耗。實(shí)際上，它是一種集成了雙極性晶體管的達(dá)靈頓
2022-04-29 10:55:25
AD放置元器件的界面的大小如何更改
2017-12-29 16:26:50
AHX04A固定5V±2.5%輸出的低功耗電荷泵升壓轉(zhuǎn)換電路IC，AHX04A是一種低噪聲、固定頻率的電荷泵型轉(zhuǎn)換器，在輸入電壓范圍在 3.0V 到 4.5V該器件可以產(chǎn)生 5V 的輸出電壓，最大
2021-11-05 11:07:30
如果基于GaN的HEMT可靠性的標(biāo)準(zhǔn)化測試方法迫在眉睫，那么制造商在幫助同時(shí)提供高質(zhì)量GaN器件方面正在做什么？ GaN高電子遷移率晶體管（HEMT）由于其極高的耐高溫性和高功率密度而在半導(dǎo)體行業(yè)中
2020-09-23 10:46:20
電機(jī)設(shè)計(jì)中對于GaN HEMT的使用GaN HEMT的電氣特性使得工程師們選擇它來設(shè)計(jì)更加緊湊、承受高壓和高頻的電動(dòng)機(jī)，綜上所述這類器件有如下優(yōu)點(diǎn)：較高的擊穿電壓，允許使用更高（大于1000V
2019-07-16 00:27:49
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)...
2022-02-16 06:48:11
什么是IGBT(絕緣柵雙極晶體管)？IGBT是 "Insulated Gate Bipolar Transistor"的首字母縮寫，也被稱作絕緣柵雙極晶體管。IGBT被歸類為功率
2019-05-06 05:00:17
什么是IGBT(絕緣柵雙極晶體管)？IGBT是 "Insulated Gate Bipolar Transistor"的首字母縮寫，也被稱作絕緣柵雙極晶體管。IGBT被歸類為功率
2019-03-27 06:20:04
本帖最后由 KUW 于 2020-3-14 17:51 編輯
初次使用LTspice軟件，很多不太懂，如圖，搭的buck電路，開關(guān)器件用的Transphorm官網(wǎng)找的共源共柵GaN HEMT器件的LTspice模型，出現(xiàn)這個(gè)提示怎么辦？急需解答，十分感謝！
2020-03-14 17:06:14
所無法做到的。(4)隔離式安全柵可輸出兩路相互隔離的信號,以提供給使用同一信號源的兩臺(tái)設(shè)備使用,并保證兩臺(tái)設(shè)備的信號不互相干擾,同時(shí)提高所連接設(shè)備相互之間的電氣安全絕緣性能。
2018-06-28 14:21:17
的。N溝道增強(qiáng)型絕緣柵場效應(yīng)管就是增強(qiáng)型NMOS。先從NMOS的工作原理講起：對于增強(qiáng)型NMOS，絕緣層中沒有電荷，所以柵不通電時(shí)，絕緣層下的溝道仍為P型半導(dǎo)體，而而NMOS的漏極和源極是N型的，則源極
2012-07-05 11:30:45
的。N溝道增強(qiáng)型絕緣柵場效應(yīng)管就是增強(qiáng)型NMOS。先從NMOS的工作原理講起：對于增強(qiáng)型NMOS，絕緣層中沒有電荷，所以柵不通電時(shí)，絕緣層下的溝道仍為P型半導(dǎo)體，而而NMOS的漏極和源極是N型的，則源極
2012-07-06 16:39:10
在做一個(gè)產(chǎn)品，工作在高頻振動(dòng)環(huán)境下，主控器件被震虛焊了。。。，BGA封裝，大家有什么辦法可以固定器件嗎？點(diǎn)膠的話一般用什么膠水最可靠穩(wěn)定？
2017-01-12 11:28:52
本帖最后由 gk320830 于 2015-3-8 00:32 編輯
新手請教個(gè)問題為何增強(qiáng)絕緣柵ＭＯＳ管加夾斷后還會(huì)有漏源電流，而且此時(shí)柵極是如何控制它的？
2013-07-04 19:05:41
。 器件的柵電極是具有一定電阻率的多晶硅材料，這也是硅柵MOS器件的命名根據(jù)。在多晶硅柵與襯底之間是一層很薄的優(yōu)質(zhì)二氧化硅，它是絕緣介質(zhì)，用于絕緣兩個(gè)導(dǎo)電層：多晶硅柵和硅襯底，從結(jié)構(gòu)上看，多晶硅
2012-01-06 22:55:02
。 器件的柵電極是具有一定電阻率的多晶硅材料，這也是硅柵MOS器件的命名根據(jù)。在多晶硅柵與襯底之間是一層很薄的優(yōu)質(zhì)二氧化硅，它是絕緣介質(zhì)，用于絕緣兩個(gè)導(dǎo)電層：多晶硅柵和硅襯底，從結(jié)構(gòu)上看，多晶硅
2012-12-10 21:37:15
導(dǎo)致了變頻電機(jī)的使用壽命比普通電機(jī)短得多，甚至幾個(gè)星期就出現(xiàn)故障。因此，就需要對變頻電機(jī)絕緣損壞的機(jī)理進(jìn)行分析并探尋控制措施?！ ∽冾l電機(jī)的絕緣損壞機(jī)理 變頻電機(jī)過電壓 變頻電機(jī)在使用的過程中不但
2020-08-25 11:55:29
，同時(shí)擊穿電壓升高，ＳＩＴＨ 設(shè)計(jì)了獨(dú)立的臺(tái)面槽，并研究了臺(tái)面刻蝕深度與柵陰擊穿電壓和柵陰擊穿特性間的關(guān)系，指出臺(tái)面刻蝕深度的增加可以有效減弱表面電荷和表面缺陷對器件的影響，改善柵陰擊穿曲線，提高柵陰
2009-10-06 09:30:24
UGS來控制“感應(yīng)電荷”的多少，以改變由這些“感應(yīng)電荷”形成的導(dǎo)電溝道的狀況，然后達(dá)到控制漏極電流的目的。在制造管子時(shí)，通過工藝使絕緣層中出現(xiàn)大量正離子，故在交界面的另一側(cè)能感應(yīng)出較多的負(fù)電荷，這些負(fù)電荷
2019-05-08 09:26:37
場效應(yīng)管(FET)是一種具有pn結(jié)的正向受控作用的有源器件，它是利用電場效應(yīng)來控制輸出電流的大小，其輸入端pn一般工作于反偏狀態(tài)或絕緣狀態(tài)，輸入電阻很高，柵極處于絕緣狀態(tài)的場效應(yīng)管，輸入阻抗很大
2019-07-29 06:01:16
大家好！我是ADS的新手。我需要CREE GaN HEMT，這在我的版本（ADS 2013）中沒有。請?zhí)崆皫椭?，謝謝。 以上來自于谷歌翻譯 以下為原文Hello everyone! i am
2018-11-13 10:21:37
諸多應(yīng)用難點(diǎn)，極高的開關(guān)速度容易引發(fā)振蕩，過電流和過電壓導(dǎo)致器件在高電壓場合下容易失效[2]。 GaN HEMT 的開通門限電壓和極限柵源電壓均明顯低于 MOS鄄FET，在橋式拓?fù)涞膽?yīng)用中容易發(fā)生誤
2023-09-18 07:27:50
IGBT是由哪些部分組成的？絕緣柵雙極型晶體管IGBT有哪些特點(diǎn)？如何去使用絕緣柵雙極型晶體管IGBT呢？
2021-11-02 06:01:06
絕緣柵雙極晶體管（IGBT）有哪些應(yīng)用呢？如何去實(shí)現(xiàn)絕緣柵雙極晶體管（IGBT）的電磁兼容設(shè)計(jì)呢？
2022-01-14 07:02:41
球柵尺安裝 球柵尺的安裝是十分簡單的，一般是將球柵尺兩端用專用支架固定在機(jī)床上。讀數(shù)頭固定在機(jī)床的走刀架上，與球柵尺做相對運(yùn)動(dòng)。有時(shí)小機(jī)床也可把讀數(shù)頭固定、球柵尺做運(yùn)動(dòng)。 3米以上的球柵尺（含
2021-11-22 15:34:32
球柵尺安裝 球柵尺的安裝是十分簡單的，一般是將球柵尺兩端用專用支架固定在機(jī)床上。讀數(shù)頭固定在機(jī)床的走刀架上，與球柵尺做相對運(yùn)動(dòng)。有時(shí)小機(jī)床也可把讀數(shù)頭固定、球柵尺做運(yùn)動(dòng)。 3米以上的球柵尺（含
2021-11-26 16:52:59
球柵尺安裝 球柵尺的安裝是十分簡單的，一般是將球柵尺兩端用專用支架固定在機(jī)床上。讀數(shù)頭固定在機(jī)床的走刀架上，與球柵尺做相對運(yùn)動(dòng)。有時(shí)小機(jī)床也可把讀數(shù)頭固定、球柵尺做運(yùn)動(dòng)。 3米以上的球柵尺（含
2021-12-21 15:44:48
(IEC-2-27)30g(IEC-2-27)球柵尺熱膨脹系數(shù)12×10-6/°K12×10-6/°K球柵尺的安裝： 球柵尺的安裝是十分簡單的，一般是將球柵尺兩端用專用支架固定在機(jī)床上。球柵尺讀數(shù)頭固定
2021-11-25 15:21:24
球柵尺安裝 球柵尺的安裝是十分簡單的，一般是將球柵尺兩端用專用支架固定在機(jī)床上。讀數(shù)頭固定在機(jī)床的走刀架上，與球柵尺做相對運(yùn)動(dòng)。有時(shí)小機(jī)床也可把讀數(shù)頭固定、球柵尺做運(yùn)動(dòng)。 3米以上的球柵尺（含
2021-11-24 15:08:26
總電荷模型法和物理模型法等.對上述幾種建模方法分別進(jìn)行了仿真研究后,對比分析各模型開關(guān)動(dòng)作過程和器件內(nèi)部物理現(xiàn)象,比較它們之間的優(yōu)缺點(diǎn),分析出各種模型的適用范圍【關(guān)鍵詞】：集成門極換向晶閘管;;電力
2010-04-24 09:07:39
或容性隔離技術(shù)的元件。IEC目前正在努力統(tǒng)一這些標(biāo)準(zhǔn)。各類安全標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定了多種物理和電氣隔離器特性。其中規(guī)定了元件的絕緣特性以及封裝和絕緣柵的物理尺寸，以承受特定電壓應(yīng)力。不同的應(yīng)力是基于幅度
2018-10-24 10:20:27
為VMOSFET，大大提高了MOSFET器件的耐壓和耐電流能力。 Mos管的結(jié)構(gòu)特點(diǎn) 其主要特點(diǎn)是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層，因此具有很高的輸入電阻，該管導(dǎo)通時(shí)在兩個(gè)高濃度n擴(kuò)散區(qū)間形成n型導(dǎo)電
2020-03-05 11:01:29
冷卻及絕緣的多樣性能，解析這些性能，依循設(shè)定好的標(biāo)準(zhǔn)流程予以完善。調(diào)配各階段內(nèi)消耗的絕緣油都應(yīng)依照規(guī)程，不應(yīng)忽視細(xì)微的分析事項(xiàng)。]一、絕緣油的價(jià)值 電力體系含有內(nèi)在多類設(shè)備，可綜合調(diào)度某一區(qū)段的電能
2018-10-08 11:56:19
受益于集成器件保護(hù)，直接驅(qū)動(dòng)GaN器件可實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān)電源效率和更佳的系統(tǒng)級可靠性。高電壓（600V）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的開關(guān)特性可實(shí)現(xiàn)提高開關(guān)模式電源效率和密度的新型
2020-10-27 06:43:42
of 8mm基本/補(bǔ)充爬電距離：8mm 在SOIC16W封裝中使用iCoupler數(shù)字隔離器，可以達(dá)到基本/補(bǔ)充絕緣爬電距離、電氣間隙和脈沖電壓要求。以下框圖顯示如何級聯(lián)isoPower器件和標(biāo)準(zhǔn)高
2018-10-18 09:25:56
of 8mm基本/補(bǔ)充爬電距離：8mm在SOIC16W封裝中使用iCoupler數(shù)字隔離器，可以達(dá)到基本/補(bǔ)充絕緣爬電距離、電氣間隙和脈沖電壓要求。以下框圖顯示如何級聯(lián)isoPower器件和標(biāo)準(zhǔn)高
2018-10-12 10:27:48
。軟件功能絕緣電阻測試系統(tǒng)由用戶管理、系統(tǒng)登錄、儀器連接、功能選擇及測試、歷史數(shù)據(jù)查詢、數(shù)據(jù)導(dǎo)出和包絡(luò)分析組成。用戶管理： 用戶管理只對具有管理員權(quán)限的用戶開放，提高了系統(tǒng)的安全性和可控性，便于管理
2021-05-12 15:24:30
使用RHEED density優(yōu)化的MBE growth conditions, 生長高遷移率的GaAs/AlGaAs inverted-HEMT
2014-07-28 17:28:33
設(shè)計(jì)中：
固定功能
器件方案；MCU觸摸軟件庫(Touch library)方案?！ ￠_發(fā)人員按不同產(chǎn)品設(shè)計(jì)的具體要求來選擇所需的觸摸功能和解決方案。 觸摸按鍵、滑塊和滑輪的典型使用環(huán)境見表1?！ 〉湫?/div>
2018-10-17 16:52:55
記憶。浮置柵被設(shè)計(jì)成可以存儲(chǔ)電荷的構(gòu)造，柵極及主板利用氧化膜進(jìn)行了絕緣處理，一次積累的電荷可以長時(shí)間（10 年以上）保持。當(dāng)然，如果氧化膜存在缺陷，或者由于某種原因使絕緣膜遭到破壞，那么閃速存儲(chǔ)器將失去
2018-04-10 10:52:59
即是為了解決AC對Y電容的影響。
■ IR絕緣阻抗測試測試絕緣材料的絕緣性，一般以一直流電壓測試所流過的漏電流。
軟件操作界面
軟件主界面儀器設(shè)置界面
測試項(xiàng)目選擇界面
豐富的報(bào)表功能
2023-09-20 15:24:23
從叉指表面基本電荷分布函數(shù)出發(fā)，分析了共線聲光器件中叉指換能器的頻率響應(yīng)，得到了其特性曲線，并與用δ函數(shù)模型分析得到的曲線進(jìn)行了比較，為叉指換能器的分析提供了
2009-02-28 16:29:24
17 線纜產(chǎn)品絕緣結(jié)構(gòu)的類型分析
-- 線纜產(chǎn)品絕緣結(jié)構(gòu)的類型分析線纜產(chǎn)品的絕緣結(jié)構(gòu)、型式類型很多，但通常以工藝方式分類，例如繞包式、擠包式、涂包式等等。事
2009-05-19 11:50:4022 N溝絕緣柵雙極晶體管JT075N065WED75A 650V用途●逆變器●UPS電源●T0-247產(chǎn)品特性●低柵極電荷●Trench FS技術(shù),●通態(tài)壓降, Vce(sat), typ =1.75V @ Ic= 75A andTc= 25°C●RoHS產(chǎn)品
2023-01-09 10:53:35
JT050N065WED 50A 650V N溝道絕緣柵雙極晶體管用途●逆變器●UPS電源產(chǎn)品特性●低柵極電荷●TrenchFS技術(shù),●通態(tài)壓降, Ve(sat), typ= .1.6V@Ic=50AandTc= 25°C●RoHS產(chǎn)品
2023-01-09 10:59:37
大功率LED封裝界面材料的熱分析
基于簡單的大功率LED器件的封裝結(jié)構(gòu)，利用ANSYS有限元分析軟件進(jìn)行了熱分析，比較了四種不同界面材料LED封裝結(jié)構(gòu)的溫度場分布。同時(shí)對
2010-04-19 15:43:2244 固定偏置電路的分析 實(shí)驗(yàn)1
一、演示內(nèi)容
1. 固定偏置電路的組成、靜態(tài)分析。
2. 演示非線形失真現(xiàn)象，及克服失真的方法。
3.
2010-05-10 17:03:4312 固定偏置電路的分析演示實(shí)驗(yàn)
一、演示內(nèi)容1. 固定偏置電路的組成、靜態(tài)分析。 2. 演示非線形失真現(xiàn)象，及克服失真的方法。 3. 固定
2008-08-01 17:36:561442 
什么是電荷藕合器件圖像傳感器CCD
2009-04-25 17:18:131597
電荷泵式電子鎮(zhèn)流器基本電路的分析
摘要：電荷泵式電子鎮(zhèn)流器，采用充電電容和高頻交流源，以實(shí)現(xiàn)功率因
2009-07-16 08:43:56924 
絕緣柵型場效應(yīng)管之圖解
絕緣柵型場效應(yīng)管是一種利用半導(dǎo)體表面的電場效應(yīng)，由感應(yīng)電荷的多少改變導(dǎo)電溝道來控制漏極電流的器件，它的柵極與半導(dǎo)體之
2009-11-09 15:54:0124236 摘要:闡述了電機(jī)絕緣系統(tǒng)的絕緣診斷試驗(yàn)，以此評估電機(jī)的絕緣狀態(tài);并分析了電機(jī)絕緣的常見故 障匝間短路，說明了匝間短路的內(nèi)在機(jī)理。 關(guān)鍵詞:電機(jī);絕緣;匝間短路
2011-02-23 15:54:5744 利用鈷６０源，在不同工作與輻照條件下，開展 電荷耦合器件 電離輻射損傷模擬試驗(yàn)，分析高低劑量率、器件偏置對器件暗電流信號增大和啞元電壓漂移的影響，比較電荷耦合器件
2011-06-20 15:30:0328 敘述GaAs MESFET、GaAs HEMT和GaAs耿氏器件等新一代GaAs毫米波器件的發(fā)展現(xiàn)狀。
2012-03-19 15:32:4343 目前絕緣柵器件(IGBT)驅(qū)動(dòng)技術(shù)現(xiàn)狀
2012-06-16 09:48:49865 
基于模擬電荷法的變電站工頻電場仿真分析_徐祿文
2017-01-04 16:32:501 針對典型的GaAs高電子遷移率晶體管（HEMT），研究了不同頻率高功率微波從柵極注入HEMT后的影響。利用半導(dǎo)體仿真軟件Sentaurus-TCAD建立了HEMT器件二維電熱模型，考慮了高電場
2017-11-06 15:17:327 本文討論了紅外顯微鏡用于測量高性能微波GaN HEMT器件和MMIC的局限性。它還將描述Qorvo的熱分析集成方法，它利用建模、經(jīng)驗(yàn)測量（包括顯微拉曼熱成像）和有限元分析（FEA）。該方法是非常有效的，并已被經(jīng)驗(yàn)驗(yàn)證。通過承認(rèn)紅外顯微鏡的局限性，預(yù)測和測量可以比用低功率密度技術(shù)開發(fā)的傳統(tǒng)方法更精確。
2018-08-02 11:29:0011 源漏電極，可以為HEMT器件提供一個(gè)良好的歐姆接觸特性。本文通過MOCVD再生長，實(shí)現(xiàn)了界面電阻僅0.004Ω·mm的選區(qū)再生長歐姆電極，并實(shí)現(xiàn)了154GHz最大振蕩頻率與64GHz截止頻率。
2018-11-06 14:59:465836 本文報(bào)道了algan/gan高電子遷移率晶體管（hemt）在反向柵偏壓作用下閾值電壓的負(fù)漂移。該器件在強(qiáng)pinch-off和低漏源電壓條件下偏置一定時(shí)間（反向柵極偏置應(yīng)力），然后測量傳輸特性。施加
2019-10-09 08:00:0010 基于溫度步進(jìn)應(yīng)力實(shí)驗(yàn)，研究了 AlGaN /GaN HEMT 器件在不同溫度應(yīng)力下的退化規(guī)律及退化機(jī)理。實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)： 在結(jié)溫為 139 ～ 200 ℃ 時(shí)，AlGaN /GaN HEMT 器件
2020-06-23 08:00:002 的AlGaN/GaN HEMT器件，沿Ga面方向外延生長的結(jié)構(gòu)存在較強(qiáng)的極化效應(yīng)，導(dǎo)致在AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)界面處產(chǎn)生大量的二維電子氣（2DEG），且在零偏壓下肖特基柵極無法耗盡溝道中高濃度的二維電子氣。 當(dāng)柵極電壓VGS=0時(shí)，HEMT溝道中仍有電流通過，需要在柵極施加負(fù)偏置耗盡柵極下二維電
2020-09-21 09:53:013557 
在實(shí)際應(yīng)用中，為實(shí)現(xiàn)失效安全的增強(qiáng)模式（E-mode）操作，科研人員廣泛研究了基于凹槽柵結(jié)構(gòu)的MIS柵、p-GaN regrowth柵增強(qiáng)型GaN HEMT器件。在實(shí)際的器件制備過程中，精確控制柵極凹槽刻蝕深度、減小凹槽界面態(tài)密度直接影響器件閾值電壓均勻性
2020-10-09 14:18:508850 研制出高效的HEMT器件對于我國電子信息技術(shù)的發(fā)展具有極其重要的意義；借助于TCAD設(shè)計(jì)軟件，研究人員能夠直觀地對器件內(nèi)部工作機(jī)理進(jìn)行分析并設(shè)計(jì)出各類新型架構(gòu)，省時(shí)、省力、省財(cái)?shù)刂苽涓咝阅艿?b class="flag-6" style="color: red">HEMT器件。 近期，基于Crosslight公司先進(jìn)的半導(dǎo)體仿真設(shè)計(jì)平臺(tái)，我司技術(shù)團(tuán)隊(duì)為國
2021-01-25 14:05:10399 
電容器存儲(chǔ)電荷的原理（一） 1．電子運(yùn)動(dòng)特點(diǎn)AD7457BRTZ-REEL7最簡單的電容器是由兩片平行靠近又相互絕緣的鋁片構(gòu)成。兩片鋁片是電容器的兩個(gè)極板，鋁片上連接的導(dǎo)線是電極，兩鋁片之間的空氣
2021-05-04 09:31:001533 ADA4859-3：單電源固定G=2高速視頻放大器，帶電荷泵數(shù)據(jù)表
2021-04-20 11:48:5713 LN9361 是一種低噪聲、固定頻率的電荷泵型 DC/DC轉(zhuǎn)換器，在輸入電壓范圍在 2.7V 到 5.0V 的情況下，該器件可以產(chǎn)生 5V 的輸出電壓，最大輸出電流達(dá)到 300mA。LN9361
2022-06-07 09:45:52349 
針對熱效應(yīng)機(jī)理和熱電模型,我們將著重考慮熱導(dǎo)率和飽和速率隨晶格溫度的變化。由于熱電效應(yīng)最直接的外部反映是就是直流I-V特性,因此這里主要模擬GaN HEMT器件的直流特性曲線。通過編寫 Silvaco程序來模擬 GaN HEMT器件的特性曲線,再與實(shí)驗(yàn)曲線作對比,獲得準(zhǔn)確的模型參數(shù)。
2022-09-08 10:44:051571 ，達(dá) 2,000 cm2/V·s 的 1.3 倍電子遷移率，這意味著與 RDS(ON) 和擊穿電壓相同的硅基器件相比，GaN RF 高電子遷移率晶體管（HEMT）的尺寸要小得多。因此，GaN RF HEMT 的應(yīng)用超出了蜂窩基站和國防雷達(dá)范疇，在所有 RF 細(xì)分市場中獲得應(yīng)用。
2022-09-19 09:33:211670 絕緣材料的介電性能 電介質(zhì)(絕緣體)是其中的正負(fù)電荷在電場作用下主要為極化的一大類物質(zhì)。電介質(zhì)禁帶寬度E較大(大于4eV)，價(jià)帶中的電子難以躍遷到導(dǎo)帶，電荷處于束縛狀態(tài)，因而在電場中只能極化，難以
2022-11-19 01:33:361464 針對此問題，微電子所劉明院士團(tuán)隊(duì)制備了基于p型和n型有機(jī)分子構(gòu)成的單晶電荷轉(zhuǎn)移界面的晶體管器件，探究了電荷轉(zhuǎn)移界面以及柵氧界面電場的相互作用對晶體管工作時(shí)載流子及電導(dǎo)分布特性的影響。
2023-01-13 15:19:38370 第三代半導(dǎo)體器件CaN高電子遷移率晶體管（HEMT）具備較高的功率密度，同時(shí)具有較強(qiáng)的自熱效應(yīng)，在大功率工作條件下會(huì)產(chǎn)生較高的結(jié)溫。根據(jù)半導(dǎo)體器件可靠性理論，器件的工作溫度、性能及可靠性有著極為密切的聯(lián)系，因此準(zhǔn)確檢測GaN HEMT的溫度就顯得極為重要。
2023-02-13 09:27:521084 
通過AlN柵介質(zhì)層MIS-HEMT和Al2O3柵介質(zhì)層MOS-HEMT器件對比研究發(fā)現(xiàn)，PEALD沉積AlN柵絕緣層可以大幅改善絕緣柵器件的界面和溝道輸運(yùn)特性；但是由于材料屬性和生長工藝的局限性
2023-02-14 09:16:411278 
C-V測試是研究絕緣柵HEMT器件性能的重要方法，采用Keithley 4200半導(dǎo)體表征系統(tǒng)的CVU模塊測量了肖特基柵和絕緣柵異質(zhì)結(jié)構(gòu)的C-V特性。
2023-02-14 09:17:15943 
關(guān)態(tài)漏電是制約HEMT器件性能提升的重要因素之一，采用絕緣柵HEMT器件結(jié)構(gòu)可以有效減小器件關(guān)態(tài)漏電。圖1給出了S-HEMT、MIS-HEMT、MOS-HEMT三種器件結(jié)構(gòu)的關(guān)態(tài)柵漏電曲線，漏極電壓Vd設(shè)定在0V，反向柵極電壓從0V掃描至-10V，正向柵電壓掃描至5V。
2023-02-14 09:18:541887 
絕緣柵和肖特基柵HEMT器件結(jié)構(gòu)如圖1所示， AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)采用MOCVD技術(shù)在2英寸c面藍(lán)寶石襯底上外延得到，由下往上依次為180nm高溫AlN成核層、13μm非摻雜GaN緩沖層、1nm AlN界面插入層、22nm AlGaN勢壘層、及2nm GaN帽層，勢壘層鋁組分設(shè)定為30%。
2023-02-14 09:31:161496 
GaN基功率開關(guān)器件能實(shí)現(xiàn)優(yōu)異的電能轉(zhuǎn)換效率和工作頻率，得益于平面型AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)中高濃度、高遷移率的二維電子氣（2DEG）。圖1示出絕緣柵GaN基平面功率開關(guān)的核心器件增強(qiáng)型AlGaN/GaN MIS/MOS-HEMT的基本結(jié)構(gòu)。
2023-04-29 16:50:00793 
由于GaN和AlGaN材料中擁有較強(qiáng)的極化效應(yīng)，AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)無需進(jìn)行調(diào)制摻雜就能在界面處形成高濃度的二維電子氣(2DEG)，在此基礎(chǔ)上發(fā)展而來的高電子遷移率晶體管(HEMT)是GaN材料
2023-06-14 14:00:551654 
點(diǎn)擊上方 “泰克科技” 關(guān)注我們！ （本文轉(zhuǎn)載自公眾號： 功率器件顯微鏡 ，分享給大家交流學(xué)習(xí)） GaN HEMT功率器件實(shí)測及其測試注意事項(xiàng)。氮化鎵器件是第三代半導(dǎo)體中的典型代表，具有極快的開關(guān)
2023-07-17 18:45:02711 
GaN HEMT為什么不能做成低壓器件? GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率晶體管）是一種迅速嶄露頭角的高頻功率器件，具有很高的電子遷移率、大的電子飽和漂移速度、高的飽和電子流動(dòng)速度以及較低的電阻
2023-12-07 17:27:20337 報(bào)告內(nèi)容包含：
微帶WBG MMIC工藝
GaN HEMT 結(jié)構(gòu)的生長
GaN HEMT 技術(shù)面臨的挑戰(zhàn)
2023-12-14 11:06:58178 
電荷耦合器件 (Charge Coupled Device,CCD）是一種半導(dǎo)體器件，它的基本單元是 MOS 電容器，器件中的所有基本單元電容器依次排列。
2024-02-20 17:30:20208 已全部加載完成
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