功率MOSFET結(jié)構(gòu)以及工作原理

　　mosfet結(jié)構(gòu)和工作原理

　　MOSFET的原意是: MOS (Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體)，F(xiàn)ET (Field Effect Transistor場(chǎng)效應(yīng)晶體管)，即以金屬層(M)的柵極隔著氧化層(O)利用電場(chǎng)的效應(yīng)來控制半導(dǎo)體 (S)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。

　　功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管也分為結(jié)型和絕緣柵型但通常主要指絕緣柵型中的MOS型 (Metal Oxide Semiconductor FET) ,簡(jiǎn)稱功率MOSFET ( PowerMOSFET)。結(jié)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管一般稱作靜電感應(yīng)晶體管 (Staticnduction Transistor--SIT) 。其特點(diǎn)是用柵極電壓來控制漏極電流驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單，需要的驅(qū)動(dòng)功率小，開關(guān)速度快，工作頻率高，熱穩(wěn)定性優(yōu)于GTR，但其電流容量小，耐壓低，一般只適用于功率不超過10kW的電力電子裝置。

　　MOS管結(jié)構(gòu)原理圖解

　　1、結(jié)構(gòu)和符號(hào)（以N溝道增強(qiáng)型為例）

　　在一塊濃度較低的P型硅上擴(kuò)散兩個(gè)濃度較高的N型區(qū)作為漏極和源極，半導(dǎo)體表面覆蓋二氧化硅絕緣層并引出一個(gè)電極作為柵極。

其他MOS管符號(hào)：

2、工作原理（以N溝道增強(qiáng)型為例）

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　?。?）VGS=0時(shí)，不管VDS極性如何，其中總有一個(gè)PN結(jié)反偏，所以不存在導(dǎo)電溝道。

　　VGS=0，ID=0

　　VGS必須大于0，管子才能工作。

　　（2）VGS＞0時(shí)，在Sio2介質(zhì)中產(chǎn)生一個(gè)垂直于半導(dǎo)體表面的電場(chǎng)，排斥P區(qū)多子空穴而吸引少子電子。當(dāng)VGS達(dá)到一定值時(shí)P區(qū)表面將形成反型層把兩側(cè)的N區(qū)溝通，形成導(dǎo)電溝道。

　　VGS＞0→g吸引電子→反型層→導(dǎo)電溝道

　　VGS↑→反型層變厚→VDS↑→ID↑

　　（3）VGS≥VT時(shí)而VDS較小時(shí)：

　　VDS↑→ID↑

VT：開啟電壓，在VDS作

　　用下開始導(dǎo)電時(shí)的VGS°

　　VT=VGS—VDS

　?。?）VGS》0且VDS增大到一定值后，靠近漏極的溝道被夾斷，形成夾斷區(qū)。

　　VDS↑→ID不變

　　mos管三個(gè)極分別是什么及判定方法

　　mos管的三個(gè)極分別是：G（柵極），D（漏極）s（源及），要求柵極和源及之間電壓大于某一特定值，漏極和源及才能導(dǎo)通。