伏安特性是指橫軸為電壓、縱軸為電流的一組測試記錄。 那么NPN型晶體管的伏安特性增模描述呢？ 晶體管有三個引腳，因此需用通過兩個伏安特性來展示晶體管的特征，這兩個伏安特性分別為輸入伏安特性和輸出伏安特性。
2023-02-20 15:04:42
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8050晶體管是一種小型設備，用于引導便攜式無線電中的電流。數(shù)字“8050”基本上表示尺寸和特定輸出額定值。工程師和電子專家通常會給晶體管起數(shù)字名稱，以便更容易識別和區(qū)分它們。具有8050
2023-02-16 18:22:30
晶體管特性圖示儀測三極管直流參數(shù)
2012-08-20 07:47:47
晶體管特性圖示儀測三極管直流參數(shù)
2012-08-20 09:43:57
題庫來源：特種作業(yè)?？碱}庫小程序1.晶體管特性圖示儀的功耗限制電阻相當于晶體管放大電路的( )電阻。 BA.基極B.集電極C.限流D.降壓2.集成運放通常有( )部分
2021-09-02 06:19:31
TR的情況，除此之外，還有5V以下(突破此耐壓范圍，會發(fā)生hFE低下等特性的劣化，請注意。)VCE(sat)及VBE(ON)的特性沒有太大的變化關于封裝功率容許功定義：是指由于輸入晶體管的電壓、電流
2019-04-09 21:27:24
是，最大輸出電流時產(chǎn)生0.2 V壓降。功率場效應管可以無需任何外接元件而直接并聯(lián)，因為其漏極電流具有負溫度系數(shù)。
1、晶體管的Vbe擴散現(xiàn)象是什么原理，在此基礎上為什么要加電阻？
2、場效應管無需任何外接
2024-01-26 23:07:21
晶體管之間的差異性：就三極管，mos管和可控硅之間的差別和相同點的相關概念有點模糊，請各位大俠指點！！！
2016-06-07 23:27:44
晶體管分類 按半導體材料和極性分類 按晶體管使用的半導體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體管的極性可分為鍺NPN型晶體管、鍺PNP晶體管、硅NPN型晶體管和硅PNP型晶體管?！ “唇Y構
2010-08-12 13:59:33
統(tǒng)通過VCCS輸入，取平均等技術獲得較理想的測試結果。目前能夠完成三極管輸入、輸出特性曲線、放大倍數(shù)、開啟電壓等參數(shù)以及二極管一些參數(shù)的測定，并能測試比較溫度對這些參數(shù)的影響。系統(tǒng)具有通用的RS232 接口和打印機接口，可以方便的將結果打印、顯示。關鍵詞AduC812壓控流源晶體管參數(shù)
2012-08-02 23:57:09
、電壓／電流反饋放大電路、晶體管／FET開關電路、模擬開關電路、開關電源、振蕩電路等。上冊則主要介紹放大電路的工作、增強輸出的電路、功率放大器的設計與制作、拓寬頻率特性等。`
2019-03-06 17:29:48
晶體管圖示儀器是用來測量晶體管輸入、輸出特性曲線的儀器。在實驗、教學和工程中通過使用圖示儀，可以獲得晶體管的實際特性，能更好的發(fā)揮晶體管的作用。
2021-05-07 07:43:17
晶體管在高頻信號幅頻特性不擴展的理由擴展共射級放大電路的幅頻特性
2021-03-02 07:51:16
一、晶體管開關電路：是一種計數(shù)地接通-斷開晶體管的集電極-發(fā)射極間的電流作為開關使用的電路，此時的晶體管工作在截止區(qū)和飽和區(qū)。當需要輸出大的負載電流時，由于集電極電流(負載電流)是放大基極電流而來
2021-10-29 09:25:31
晶體管式電流傳感器內(nèi)部設有檢測電流用電阻。使負荷電流通過該電阻，并利用運算放大器（OP比較電路）將其電壓降值與基準電壓進行比較，當電流檢測電阻上的電壓降低于基準電壓時，比較器的輸出電流點亮報警
2018-10-31 17:13:28
1．反向擊穿電流的檢測 普通晶體管的反向擊穿電流（也稱反向漏電流或穿透電流），可通過測量晶體管發(fā)射極E與集電極C之間的電阻值來估測。測量時，將萬用表置于R×1k檔， NPN型管的集電極C接黑表筆
2012-04-26 17:06:32
在PROTUES中如何改變晶體管的放大倍數(shù)？有的器件有放大倍數(shù)改變的參數(shù)。另外，不同的仿真模型參數(shù)不同如何改變？
2014-02-28 08:42:03
? 01晶體管測量模塊在 淘寶購買到的晶體管測試顯示模塊 （￥：67.0）剛剛到貨?！?剛剛到貨的集體管測試線是模塊1.基本特性采用2015 V1.12版軟件。采用12864點陣液晶屏，顯示內(nèi)容更加
2021-07-13 08:30:42
晶體管測量模塊的基本特性有哪些？晶體管測量模塊的基本功能有哪些？
2021-09-24 07:37:23
`非常不錯的晶體管電路設計書籍！`
2016-11-08 14:12:33
的定義如圖Z0213?！ ?hie、hre、hfe、hoe 這4個參數(shù)稱為晶體管的等效h 參數(shù)，它們的物理意義為： hie稱為輸出端交流短路時的輸入電阻，簡稱輸入電阻。它反映輸出電
2021-05-13 07:56:25
或使其特性變壞。(5) 集電極--發(fā)射極反向電流ICEOICEO是指晶體管基極開路時，集電極、發(fā)射極間的反向電流，也稱穿透電流。ICEO越小越好，現(xiàn)在應用較多的硅晶體管，其ICEO都很小，在1A以下
2018-06-13 09:12:21
晶體管的主要參數(shù)有哪些？晶體管的開關電路是怎樣的？
2021-06-07 06:25:09
是基于代表性的特性進行的，因此存在個別不吻合的內(nèi)容。請理解為整體的傾向、特征。另外，這些晶體管的結構、工作原理與代表性的參數(shù)如下。雙極晶體管（圖中以NPN為例）由PN結組成，通過在基極流過電流，而在集電極
2018-11-28 14:29:28
相對于晶體管的主要評估項目的特征。 對于各項目的評估是基于代表性的特性進行的，因此存在個別不吻合的內(nèi)容。請理解為整體的傾向、特征。另外，這些晶體管的結構、工作原理與代表性的參數(shù)如下。 雙極晶體管
2020-06-09 07:34:33
間電壓 (VBE) 成比例的電流 (IB) 的hFE※1 倍的電流 (IC) 流經(jīng)集電極。這一集電極電流IC流經(jīng)電阻RL，從而IC×RL的電壓反映在電阻RL兩端。最終，輸入電壓e被轉換（增幅）成ICRL電壓反映在輸出。※1：hFE晶體管的直流電流增幅率。
2019-05-05 00:52:40
）用業(yè)收集電子。晶體管的發(fā)射極電流IE與基極電流IB、集電極電流IC之間的關系如下：IE=IB+IC3．晶體管的工作條件晶體管屬于電流控制型半導體器件，其放大特性主要是指電流放大能力。所謂放大，是指當
2013-08-17 14:24:32
功率、集電極最大電流、最大反向電壓、電流放大系數(shù)等參數(shù)及外地人形尺寸等是否符合應用電路的要求。 2．末級視放輸出管的選用彩色電視機中使用的末級視放輸出管，應選用特征頻率高于80MHZ的高頻晶體管
2012-01-28 11:27:38
，晶體管的輸入特性類似于二極管的正向伏安特性。 (2)共射極輸出特性 （以 NPN 管為例） 共射極輸出特性表達式為：。晶體管輸出特性曲線的三個區(qū)域?qū)?晶體管的三個工作狀態(tài)（飽和、放大和截止）。 a
2021-05-13 06:43:22
TR的情況，除此之外，還有5V以下(突破此耐壓范圍，會發(fā)生hFE低下等特性的劣化，請注意。)VCE(sat)及VBE(ON)的特性沒有太大的變化關于封裝功率容許功定義：是指由于輸入晶體管的電壓、電流
2019-05-09 23:12:18
; 晶體管，本名是半導體三極管，是內(nèi)部含有兩個PN結，外部通常為三個引出電極的半導體器件。它對電信號有放大和開關等作用，應用十分廣泛。輸入級和輸出
2010-08-12 13:57:39
輸出為1瓦至600瓦。產(chǎn)品型號: AM81214-030產(chǎn)品名稱：晶體管AM81214-030產(chǎn)品特性內(nèi)部輸入/輸出匹配網(wǎng)絡PG＝7.2 dB，在5 W（峰值）/ 1400 MHzOMNIORD金屬化
2018-07-17 15:08:03
電壓（與功率MOSFET的低導通電阻相當）和較快的開關特性的晶體管。盡管其具有較快的開關特性，但仍比不上功率MOSFET，這是IGBT的弱點?！竟β试骷幕窘Y構與特點
2019-05-06 05:00:17
電壓（與功率MOSFET的低導通電阻相當）和較快的開關特性的晶體管。盡管其具有較快的開關特性，但仍比不上功率MOSFET，這是IGBT的弱點?！竟β试骷幕窘Y構與特點
2019-03-27 06:20:04
向各位大神求助，我想仿真“用石墨烯代替硅制作的場效應晶體管的特性測量”。電路和普通的測量場效應晶體管特性的電路基本一樣，只是需要能夠調(diào)整晶體管的遷移率等特性，想問下LABVIEW能實現(xiàn)這種仿真嗎？我在庫里沒找到晶體管，能幫忙指出在哪可以找到嗎？謝謝！實在是太菜鳥了，請見諒。能建立下圖這種電路就行。
2014-04-11 12:06:22
求大神相助，Multisim里面雪崩晶體管的過壓擊穿怎么放著那，當我設的電壓已經(jīng)大于了Vcbo滯后還是不見晶體管導通。
2014-08-08 10:42:58
NPN晶體管排列和符號在解釋原理之前，我們先來了解一下NPN晶體管的基本結構和符號。要識別NPN晶體管引腳，它將是集電極（c），基極（b）和發(fā)射極（e）。圖1.NPN 晶體管結構和符號NPN晶體管由
2023-02-08 15:19:23
PLC晶體管輸出和繼電器輸出區(qū)別
2012-08-20 08:26:07
PLC繼電器和晶體管輸出
2012-08-20 08:24:48
，因為電流必須離開基極。通常，PNP晶體管可以替代大多數(shù)電子電路中的NPN晶體管;主要區(qū)別在于電壓和電流流向的極性。七、PNP晶體管電路PNP 晶體管的輸出特性曲線與等效的 NPN 晶體管的輸出特性曲線
2023-02-03 09:44:48
multisim仿真中高頻晶體管BFG35能用哪個晶體管來代替，MFR151管子能用哪個來代替？或是誰有這兩個高頻管子的原件庫？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
的必要性晶體管和FET的工作原理晶體管和FET的近況第二章 放大電路的工作觀察放大電路的波形放大電路的設計放大電路的性能共發(fā)射極應用電路第三章 增強輸出的電路觀察射極跟隨器的波形電路設計射極跟隨器的性能射極
2017-07-25 15:29:55
本晶體管特性曲線描繪儀電路主要由鋸齒波發(fā)生器、階梯波發(fā)生器組成（圖(a)）。因為描繪晶體管特性需要兩種電壓，一是加在b極上的階梯波，以產(chǎn)生不同的基極電流Ib；二是加在c極上的鋸齒波，其周期與階梯波相對應．
2021-04-20 07:06:19
本文資料下載內(nèi)容包括了：二極管的結構與伏安特性二極管伏安特性的數(shù)學表達式溫度對二極管伏安特性的影響
2021-03-23 07:21:56
互補晶體管的匹配
2019-10-30 09:02:03
類型。3.2 晶體管的種類及其特點》巨型晶體管GTR是一種高電壓、高電流的雙極結型晶體管（BJT），因此有時被稱為功率BJT。特點：電壓高，電流大，開關特性好，驅(qū)動功率高，但驅(qū)動電路復雜;GTR和普通雙極結型
2023-02-03 09:36:05
達林頓晶體管是一對雙極晶體管，連接在一起，從低基極電流提供非常高的電流增益。輸入晶體管的發(fā)射極始終連接到輸出晶體管的基極;他們的收藏家被綁在一起。結果，輸入晶體管放大的電流被輸出晶體管進一步放大
2023-02-16 18:19:11
?！ ∮嬎泠捠綀鲂?b class="flag-6" style="color: red">晶體管寬度 （W） 鰭式場效應晶體管的通道（鰭片）是垂直的。該設備需要牢記特定尺寸。喚起馬克斯·普朗克的“量子”，F(xiàn)inFET表現(xiàn)出一種稱為寬度量化的特性：其寬度是其高度的倍數(shù)。隨機
2023-02-24 15:25:29
實驗十 元件伏安特性的測定?一、實驗目的?⒈ 學習直讀式儀表和晶體管穩(wěn)壓電源等設備的使用方法。?⒉ 掌握阻值、電壓和電流的測量方法。?⒊ 掌握線性電阻元件、非線性電阻元件——二極管以及電壓源的伏安
2008-09-24 21:54:48
的基礎知識和基本實驗，內(nèi)容包括FET放大電路、源極跟隨器電路、功率放大器、電壓／電流反饋放大電路、晶體管／FET開關電路、模擬開關電路、開關電源、振蕩電路等。上冊則主要介紹放大電路的工作、增強輸出的電路
2017-06-22 18:05:03
正電壓，以產(chǎn)生從發(fā)射極到集電極的電流。7.如何測量晶體管的特性？晶體管的輸出特性是通過檢查不同基極電流下屬于集電極電流的集電極-發(fā)射極端子之間的電壓變化來確定的。通過按下移動設備上的“輸出特性”按鈕
2023-02-03 09:32:55
伏安特性分析儀簡稱IV分析儀，專門用來測量二極管的伏安特性曲線、晶體管三極管的輸出特性曲線，以及MOS場效應管的輸出特性曲線。
IV分析儀相當于實驗室的晶體管圖示儀，需要將晶體管與連接
2023-04-27 16:28:47
可以將PNP晶體管定義為通常為“OFF”，但是適度的輸出電流和相對于其發(fā)射極（E）的基極（B）的負電壓將使其“打開”，從而允許大的發(fā)射極-集電極電流流動。我可以用NPN代替PNP嗎？如果您還記得一個簡單
2023-02-03 09:45:56
功率晶體管（GTR）具有控制方便、開關時間短、通態(tài)壓降低、高頻特性好、安全工作區(qū)寬等優(yōu)點。但存在二次擊穿問題和耐壓難以提高的缺點，阻礙它的進一步發(fā)展?！?、結構特性1、結構原理功率晶體管是雙極型大功率
2018-01-15 11:59:52
功率晶體管（GTR）具有控制方便、開關時間短、通態(tài)壓降低、高頻特性好、安全工作區(qū)寬等優(yōu)點。但存在二次擊穿問題和耐壓難以提高的缺點，阻礙它的進一步發(fā)展?！⒔Y構特性1、結構原理功率晶體管是雙極型大功率
2018-01-25 11:27:53
半導體二極管的伏安特性是什么？
2021-06-15 06:17:58
請教：單結晶體管在什么位置，有人說是UJT，但好象用不了呀？
2013-09-26 16:55:49
各位高手，小弟正在學習單結晶體管，按照網(wǎng)上的電路圖做的關于單結晶體管的仿真，大多數(shù)都不成功，請問誰有成功的單結晶體管的仿真仿真啊，可以分享下嗎。
2016-03-04 09:15:06
1. 內(nèi)容利用LabVIEW設計一個三極管伏安特性測量程序，采用電壓掃描法實現(xiàn)對三極管伏安特性的分析。2. 要求 （1）輸出信號的幅值可以調(diào)整； （2）顯示集電極電流Ic-集電極與射集間電壓Uce之間的關系曲線； （3）虛擬儀器前面板的設計美觀大方、操作方便，后面板的設計簡潔、布線合理、功能完善。
2016-07-05 10:43:24
基于LabVIEW的三極管伏安特性測量1. 內(nèi)容利用LabVIEW設計一個三極管伏安特性測量程序，采用電壓掃描法實現(xiàn)對三極管伏安特性的分析。2. 要求
2016-07-05 10:34:20
基于單片機的晶體管特性圖示儀
2012-08-20 09:30:07
，這反過來又使耗盡層盡可能小，從而通過我們的晶體管的最大電流流動。這使得晶體管開關導通。 圖2顯示了飽和區(qū)域特性?！ D2.飽和區(qū)域特征 輸入基極電流和輸出集電極電流為零，集電極電壓處于最大值
2023-02-20 16:35:09
本應用指南介紹了一種采用后向設計的基本驅(qū)動電路，它從輸出晶體管器件開始再返回到水平振蕩器，便于加速晶體管的水平輸出級。
2014-09-22 17:14:04
如何去判別晶體管材料與極性？如何去檢測晶體管的性能？怎樣去檢測特殊晶體管？
2021-05-13 07:23:57
怎樣去設計掃描信號發(fā)生器？掃描信號發(fā)生器的階梯波和鋸齒波有什么關系？以CRT示波器為顯示終端顯示波形，與通用晶體管特性圖示儀比較，具有哪些優(yōu)點？
2021-04-15 06:13:59
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
為了改善晶體管的開關特性，減小晶體管的損耗，在晶體管基極驅(qū)動電路的設計上會采取一些加速措施。如下： 加速電路一 在加速電路一中，并聯(lián)在RB兩端的電容CB稱為加速電容，數(shù)值一般在1nf
2020-11-26 17:28:49
如何用Multisim10進行數(shù)據(jù)采集？如何用LabVIEW顯示單結晶體管伏安特性？
2021-04-09 06:13:03
來至網(wǎng)友的提問：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
晶體管的開關速度即由其開關時間來表征，開關時間越短，開關速度就越快。BJT的開關過程包含有開啟和關斷兩個過程，相應地就有開啟時間ton和關斷時間toff，晶體管的總開關時間就是ton與toff之和
2019-09-22 08:00:00
晶體管依照用途大致分為高頻與低頻，它們在型號上的大致區(qū)別是什么？例如《晶體管電路設計》中列舉的：高頻（2SA****，2SC*****）、低頻（2SB****，2SD****）?，F(xiàn)在產(chǎn)品設計中最常用的型號是哪些？
2017-10-11 23:53:40
特性 NPN 晶體管可能具有公共基極 （CB） 或共發(fā)射極 （CE） 配置，每種配置都有自己獨特的輸入和輸出。在常見的發(fā)射極設置中，從基極（V是） 和收集器 （V菲爾.A 電壓 VE然后離開發(fā)射極并進
2023-02-17 18:07:22
bandgap中晶體管的熱噪聲比較大，通過什么手段能解決？
2021-06-24 07:29:25
to -2.4mV/oC的范圍有偏差)R1的溫度變化率，如下圖表。關于輸出電壓 - 輸出電流特性的低電流領域(數(shù)字晶體管的情況)數(shù)字晶體管的輸出電壓-輸出電流特性，按以下測定方法測定。IO（低電流區(qū)域
2019-04-22 05:39:52
選定方法數(shù)字晶體管的型號說明IO和IC的區(qū)別GI和hFE的區(qū)別VI(on)和VI(off)的區(qū)別關于數(shù)字晶體管的溫度特性關于輸出電壓 - 輸出電流特性的低電流領域（數(shù)字晶體管的情況）關于數(shù)字晶體管
2019-04-09 21:49:36
普通二極管和肖特基二極管的伏安特性如何
2021-10-13 08:57:54
晶體管的代表形狀晶體管分類圖：按照該分類，掌握其種類1. 按結構分類根據(jù)工作原理不同分類，分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi（2個）、極是指Polar（極性）。雙極晶體管，即流經(jīng)構成
2019-05-05 01:31:57
的選擇和比較進行了分析?？紤]了晶體管參數(shù)，如與時間相關的輸出有效電容（Co（tr））和關斷能量（Eoff）等，這會影響LLC轉換器的高性能成就。還分析了基于GaN、Si和SiC MOS的3KW 48V
2023-02-27 09:37:29
我最近買了一臺QT2晶體管特性圖示儀，但是說明書看不懂，有沒有人能指導一下如何使用QT2晶體管特性圖？我是真的想知道怎么用QT2檢測各種三極管，場效應管，整流管等，不要網(wǎng)上隨便復制的答案，希望真的懂得的哥們指導指導。。。
2012-07-14 21:37:00
二極管的伏安特性是什么？溫度對二極管的伏安特性有何影響？
2021-10-08 08:55:17
用555制作的晶體管特性曲線描繪儀本儀器除能測試晶體管外，還能測試二極管，測試方法如圖所示。晶體管特性曲線描繪儀是測試晶體管特性的專用儀器，使用該儀器可以將晶體管在各種工作電壓下的工作特性用曲線
2008-07-25 13:34:04
。試驗后，根據(jù)試驗數(shù)據(jù)繪出伏安特性曲線。三 注意事項1.電流互感器的伏安特性試驗，只對繼電保護有要求的二次繞組進行。2.測得的伏安特性曲線與過去或出廠的伏安特性曲線比較，電壓不應有顯著降低。若有顯著
2020-09-15 22:26:01
受益于集成器件保護，直接驅(qū)動GaN器件可實現(xiàn)更高的開關電源效率和更佳的系統(tǒng)級可靠性。高電壓（600V）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的開關特性可實現(xiàn)提高開關模式電源效率和密度的新型
2020-10-27 06:43:42
不導通。當UA＞UG時，P1N1結正偏將發(fā)生空穴注入，P1N1P2N2結構開通，A-K間導通并出現(xiàn)負阻現(xiàn)象。其過程及伏安特性與單結晶體管十分相似，區(qū)別僅在于：單結晶體管的負阻特性出現(xiàn)在E-B1之間，而
2018-01-22 15:23:21
電極-發(fā)射極電流與幾乎零柵流驅(qū)動器。典型的 IGBT絕緣柵雙極性晶體管，即 IGBT，結合了 MOSFET 的絕緣柵(因此得名第一部分)技術和傳統(tǒng)雙極性晶體管的輸出性能特性，因此得名第二部分。這種混合
2022-04-29 10:55:25
繼電器和晶體管輸出具有哪些特點？使用注意事項有哪些？繼電器與晶體管輸出有哪些差別？
2021-10-12 06:28:48
，典型能效為55%,P1dB輸出功率為700瓦，增益為16dB,并具備低熱阻特性。 新晶體管的推出使得英飛凌如今可為1200 MHz~1400 MHz系統(tǒng)應用提供一系列射頻功率晶體管，額定輸出功率分別為
2018-11-29 11:38:26
晶體管中，輸入回路負載線與輸入特性曲線的交點為什么就是Q點？
2019-04-01 06:36:50
`如圖所示，使用STM32輸出通過光耦驅(qū)動晶體管陣列MC1413(同ULN2003)，但是輸出端測不到，求指教電路是否合適，謝謝。順便貼上MC1413的電氣特性。`
2019-03-18 09:56:56
來至網(wǎng)友的提問：如何選擇分立晶體管？
2018-12-12 09:07:55
這個達林頓晶體管廠家是哪家
2022-05-30 16:36:56
單結晶體管具有負租特性，其工作原理和伏安特性見圖1-31。
圖1-31中電源電壓UBB的
2009-07-31 17:22:552649 
晶體管特性圖示儀,
晶體管特性圖示儀是什么意思
體管
特性圖示儀它是一種能對
晶體管的
特性參數(shù)進行測試的儀器?！ ∫话?/div>
2010-03-05 14:29:093255 晶體管特性圖示儀原理與使用 晶體管特性圖示儀原理與使用
2016-02-18 14:56:24
48 Multisim 10的元器件庫提供數(shù)千種電路元器件供實驗選用，虛擬測試儀器儀表種類齊全，有一般實驗用的通用儀器，但沒有晶體管圖示儀，只能測試晶體三極管、PMOS和NMOS伏安特性曲線，不具備測試
2019-01-04 09:18:004248 
本文檔的主要內(nèi)容詳細介紹的是晶體管的特性與參數(shù)詳細資料說明包括了：1 晶體管的工作原理，2 晶體管的伏安特性，3 晶體管的主要參數(shù)
2019-06-17 08:00:0023 本文主要闡述了磁敏晶體管的工作原理及磁敏晶體管的特性。
2019-12-20 11:16:256592 
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