當(dāng)IGBT在開關(guān)時普遍會遇到的一個問題即寄生米勒電容開通期間的米勒平臺。米勒效應(yīng)在單電源門極驅(qū)動的應(yīng)用中影響是很明顯的。基于門極G與集電極C之間的耦合，在IGBT關(guān)斷期間會產(chǎn)生一個很高的瞬態(tài)dv
2015-01-14 17:10:29
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本文著重介紹三個IGBT驅(qū)動電路。驅(qū)動電路的作用是將單片機輸出的脈沖進行功率放大，以驅(qū)動IGBT，保證IGBT的可靠工作，驅(qū)動電路起著至關(guān)重要的作用，以及對IGBT驅(qū)動電路的基本要求。
2015-12-31 09:07:2689557 
從多個維度分析了米勒效應(yīng)，針對Cgd的影響也做了定量的推導(dǎo)，今天我們再和大家一起，結(jié)合米勒效應(yīng)的仿真，探討下如何減小米勒平臺。
2023-02-14 09:25:467164 米勒平臺的形成與其材料、制造工藝息息相關(guān)，當(dāng)GE之間電壓大于閾值點的時候，管子的CE電壓開始下降，但是下降的速度十分緩慢
2023-11-03 14:55:573339 
90kW變頻器，當(dāng)電流達到110A以上時，IGBT在關(guān)斷的時候，出現(xiàn)這個波形，請問是怎么回事？在110A以下就不出現(xiàn)。這是IGBT Vce的電壓波形，當(dāng)關(guān)斷的時候還要再開通一下，這樣不就很容易上下橋直通了嗎？這是怎么回事呢？是米勒效應(yīng)導(dǎo)致的嗎？如何解決呢？
2017-07-24 10:06:32
Cres對柵極的驅(qū)動特性影響較大，其中，米勒電容還是驅(qū)動電壓Vge米勒平臺的始作俑者，如下圖紅框所示。此外，因為米勒電容的存在，IGBT的驅(qū)動電路往往需要設(shè)置米勒嵌位，防止因米勒電容動態(tài)過程造成的上下
2021-02-23 16:33:11
本文著重介紹三個IGBT驅(qū)動電路。驅(qū)動電路的作用是將單片機輸出的脈沖進行功率放大，以驅(qū)動IGBT，保證IGBT的可靠工作，驅(qū)動電路起著至關(guān)重要的作用，對IGBT驅(qū)動電路的基本要求。
2021-03-04 08:44:36
現(xiàn)有IGBT 型號為H20R1202 要設(shè)計他的驅(qū)動電路，在哪里找資料？或者有沒有設(shè)計過IGBT驅(qū)動電路的，能分享嗎？現(xiàn)在有一個驅(qū)動MOSFET 的電路，可以用在IGBT的驅(qū)動上嗎？
2016-04-01 09:34:58
請幫忙看下這個IGBT驅(qū)動電路是否可行；如果可行，柵極電壓將會是多少，以及三極管Q1，Q2在IGBT導(dǎo)通時的工作狀態(tài)
2013-08-18 19:56:22
`我需要通過LC電路產(chǎn)生一個1200A，2.5KHz的脈沖電流，所加電壓500V，電路圖如下。需要用到IGBT來進行開關(guān)控制，初步選定IGBT使用IRG4PC50FD 。但是IGBT需要驅(qū)動電路
2017-10-10 17:16:20
米勒平臺形成的基本原理米勒平臺形成的詳細過程
2021-03-18 06:52:14
場效應(yīng)管和IGBT的驅(qū)動經(jīng)常聽到米勒效應(yīng)這個詞，查閱了一些資料是柵極和漏極之間的等效電容，這個等效電容在場效應(yīng)管或者IGBT開通的時候在某一階段會放大較多倍，進而導(dǎo)致驅(qū)動電路需要提供的電壓電流增多
2024-01-11 16:47:48
【不懂就問】看到TI的一個三相逆變器設(shè)計資料中，關(guān)于有源米勒鉗位的設(shè)計這是一段原話“開關(guān)IGBT過程中，位移電流流經(jīng)IGBT的GE極電容，使其柵極電壓上升，可能讓器件誤導(dǎo)通原因是，當(dāng)逆變器的上管導(dǎo)
2017-12-21 09:01:45
鉗位電路元器件功能詳解PCB打樣找華強 http://www.hqpcb.com/3 樣板2天出貨
2012-10-17 10:53:10
ad8037做整流使用時，能否同時應(yīng)用鉗位功能，如下圖，能否在VH端加電壓起到鉗位作用？
2023-11-22 07:08:18
開關(guān)、鉗位感性電路中，MOSFET的關(guān)斷損耗比IGBT低得多，原因在于IGBT 的拖尾電流，這與清除圖1中PNP BJT的少數(shù)載流子有關(guān)。圖7顯示了集電極電流ICE和結(jié)溫Tj的函數(shù)Eoff，其曲線在
2018-08-27 20:50:45
得IGBT芯片們的溫度可以保持一致的變化。相反地，MOSFET具有PTC (正溫度系數(shù))，可以提供良好的電流分流。3.關(guān)斷損耗 —問題尚未結(jié)束在硬開關(guān)、鉗位感性電路中，MOSFET的關(guān)斷損耗比IGBT低得
2018-09-28 14:14:34
數(shù)量級、漏電流小、瞬態(tài)功率大、無噪聲等特點，因此在信號系統(tǒng)內(nèi)得到廣泛的應(yīng)用及認可?！ ∠旅鎭硐攘私庖幌聝蓚€二極管反向串聯(lián)時候是怎工作的，如下圖D1和D2兩個二極管反向串聯(lián)在一起，這屬于鉗位保護電路，也有
2023-02-28 13:47:33
，MOSFET具有PTC (正溫度系數(shù))，可以提供良好的電流分流。關(guān)斷損耗 —問題尚未結(jié)束在硬開關(guān)、鉗位感性電路中，MOSFET的關(guān)斷損耗比IGBT低得多，原因在于IGBT 的拖尾電流，這與清除圖1中PNP
2017-04-15 15:48:51
，如果不采取措施，漏感將通過寄生電容釋放能量，引起電路電壓過沖和振蕩，影響電路工作性能，還會引起EMI問題，嚴重時會燒毀器件，為抑制其影響，可在變壓器初級并聯(lián)無源RCD鉗位電路，其拓撲如圖2所示。引入
2018-11-20 14:16:53
/dt 下的有源米勒鉗位的有效性以及 IGBT 柵極驅(qū)動器的源自可調(diào)速電氣電力驅(qū)動系統(tǒng) (IEC61800-3) 的系統(tǒng)級 ESD/EFT 性能。Piccolo Launch Pad
2018-12-27 11:41:40
一、鉗位電路應(yīng)用夾具有什么用途？鉗位電路通常用于各種顯示設(shè)備，例如測試設(shè)備、放大器保護、聲納和雷達系統(tǒng)。例如，在示波器和雷達中，使用鉗位電路來恢復(fù)掃描信號的直流分量，以解決掃描速度不同引起的圖像
2023-02-07 16:02:32
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:07 編輯
二極管鉗位電路
2012-08-18 08:09:42
簡單型正鉗位電路 電路原理： 輸入Vin在負半周時（Vin上負下正），二極管導(dǎo)通，電流如紅色箭頭所示，電容充電至+V（左負右正），Vout=0V； 輸入Vin在正半周時（Vin上正下負
2020-11-30 15:58:54
二極管的鉗位作用對于二極管的單向?qū)ㄌ匦?，我們最熟悉的?yīng)用就要屬二極管整流了，還有一種鉗位電路，也是利用它的這一特性。所謂的鉗位，就是將信號強行鉗制到某一電位上，抬高或降低信號的基準(zhǔn)電位，但不
2019-11-26 09:06:41
利用二極管的單向?qū)щ娦钥梢栽O(shè)計出好玩、實用的電路。分享本文，分析限幅電路和鉗位電路，是如何用二極管來實現(xiàn)的。限幅電路如下圖所示，當(dāng)在正半周期，并且VIN大于等于0.7V，二極管正向?qū)?。此時
2022-04-03 07:00:00
如果我在輸入端A,B輸入A為低電平0.3v，B為高電平3.6v，那么Vb1為什么會被鉗位到1v而不是4.3,剛開始學(xué)數(shù)字電路，還是不太熟悉。
2017-03-23 10:41:26
雙晶體管正激有源鉗位軟開關(guān)電路圖
2019-04-28 13:48:27
反激式變換器中RCD鉗位電路
2012-08-20 23:27:07
本帖最后由 kamen588 于 2011-11-4 18:35 編輯
{:soso_e109:}如圖 這是個負向鉗位電路 仿真波形如圖所示 上面的波形是輸入波形 下面的是輸出波形 不明白為什么是這樣的輸出波形請教各位老師 、
2011-11-04 15:58:09
鉗位器（clamper）可以將輸入波形整體上移或下移，“clamper”在 英語中的原意是“夾具”的意思，很形象地說明了它可以把波形任意鉗夾在某個電平處。如下圖所示：圖 2-5.01鉗位電路的核心
2020-11-09 09:10:57
在二極管電路中被鉗位是什么意思？什么時候會出現(xiàn)被鉗位呢？
2023-05-05 09:52:03
TLP5214是一款通用柵極驅(qū)動器耦合器，我們?yōu)槠涮砑恿薞CE（sat）檢測功能，米勒鉗位功能，故障檢測功能等，適用于具有保護IGBT免受過流影響的驅(qū)動器耦合器（如產(chǎn)生于逆變電路）。這些光電耦合器使用16引腳SO16L封裝來處理多功能擴展
2020-05-11 09:00:09
IGBT和MOS管的區(qū)別是什么？IGBT和可控硅的區(qū)別有哪些？如何實現(xiàn)IGBT驅(qū)動電路的設(shè)計？
2021-11-02 08:30:41
二極管鉗位作用如何運用？在電路設(shè)計過程中很多位置需要用二極管鉗位，如何深入理解和運用？
2019-04-03 03:03:34
作者：TI專家Bruce Trump之前，我們討論了運算放大器用作比較器時，內(nèi)部差動輸入鉗位二極管對運算放大器的影響。我提出了一個問題——這些鉗位會影響運算放大器電路嗎？運算放大器在兩個輸入端之間
2018-09-26 11:47:31
本文介紹輸入整流濾波器及鉗位保護電路的設(shè)計，包括輸入整流橋的選擇、輸入濾波電容器的選擇、漏極鉗位保護電路的設(shè)計等內(nèi)容，講解圖文并茂且附實例計算。1 輸入整流橋的選擇1)整流橋的導(dǎo)通時間與選通特性
2011-11-11 10:17:19
整流濾波電路和鉗位保護電路設(shè)計 1 輸入整流橋的選擇 1)整流橋的導(dǎo)通時間與選通特性 50Hz交流電壓經(jīng)過全波整流后變成脈動直流電壓u1，再通過輸入濾波電容得到直流高壓U1。在理想情況下，整流橋
2013-07-30 17:26:27
的元件。但是，反激式電路能達到多小是受限的，因為與變壓器漏感相關(guān)的損耗限制了實際大小。到目前為止，每個設(shè)計都通過減小漏感來應(yīng)對這一點。但有源鉗位反激打破了這個循環(huán)。圖1：有源鉗位反激，漏感為紅色，有源鉗
2022-11-11 06:57:02
防止由米勒電容引起的故障的另一種方法包括在IGBT的柵極發(fā)射極之間進行短路。配置電路以從外部組件安全地鉗位柵極是復(fù)雜的并且需要額外的PWB空間。 TLP5214具有內(nèi)部功能，稱為有源米勒鉗位功能，可
2020-05-11 09:00:09
有源鉗位反激電路和無源鉗位反激（RCD吸收回路）
2021-12-29 07:46:18
現(xiàn)在在做一個有源鉗位反激電路，原邊是兩模塊并聯(lián)，，現(xiàn)在由于開關(guān)管電壓應(yīng)力問題，直接短接了圖中的L1,L2,僅依靠變壓器漏感諧振，匝比1：1，匝數(shù)3匝，勵磁電感和漏感分為為0.17u和1.7u，采用
2022-11-25 15:55:39
有源鉗位控制電路NCP1562資料下載內(nèi)容包括：NCP1562引腳功能NCP1562內(nèi)部方框圖
2021-03-23 06:24:02
的工作原理，然后介紹基本的特性參數(shù)，最后，我們將重點講解TVS二極管的鉗位電壓。瞬態(tài)抑制二極管工作原理：器件并聯(lián)于電路中，當(dāng)電路正常工作時，它處于截止?fàn)顟B(tài)（高阻態(tài)），不影響線路正常工作，當(dāng)電路出現(xiàn)異常過壓
2015-06-10 16:36:25
請TI工程師推反激有源鉗位的IC，主要應(yīng)用在DC-DC電源上，因?qū)掚妷狠斎?－36V范圍，若用正激有源鉗位的話二次側(cè)續(xù)流管會是比較難處理的問題，加之體積小，所以想用反激有源鉗位。早先的IC有看到UCC3580可以做。請問有沒有比這顆更新，體積更小的封裝IC可以用上。謝謝
2019-07-05 11:51:46
圖1 圖2硬件電路如圖1所示(這就是實際的電路結(jié)構(gòu)，只是我采用仿真圖來表示)，沒有加驅(qū)動信號，實驗波形如圖2所示，信號1為補償電流波形，即圖1中電流傳感器波形，因為有電壓鉗位電路，所以有削峰現(xiàn)象
2016-01-09 12:10:23
ad8037做整流使用時，能否同時應(yīng)用鉗位功能，如下圖，能否在VH端加電壓起到鉗位作用？
2018-09-27 11:46:15
MOS管與IGBT是不是都有這個GS米勒效應(yīng)？
2019-09-05 03:29:03
運算放大器鉗位電路圖
2019-10-17 09:11:36
如何選擇輸入整流橋？如何選擇輸入濾波電容器？輸入整流濾波器及鉗位保護電路的設(shè)計
2021-04-22 07:08:50
二極管限幅倒是容易理解。鉗位有點想不通，為什么D1可以提供一個Vp-0.7V的直流偏置從而起到鉗位的作用。。C1不是把直流都隔離了嗎？新手，問題比較幼稚，見笑了。。
2016-07-13 15:59:55
求指導(dǎo)這個充電器方案鉗位電路的元件參數(shù)怎樣確定
2013-11-21 19:15:03
DESAT 檢測和米勒鉗位保護的增強型隔離式 IGBT 柵極驅(qū)動器，支持將單極電源電壓用于柵極驅(qū)動器。此參考設(shè)計將基于開環(huán)推挽式拓撲的電源用于每個柵極驅(qū)動器，從而使 PCB 布線具有靈活性。在
2018-10-19 15:30:07
鉗位(以防止寄生米勒電容造成的IGBT誤觸發(fā))。 2、請問：如何避免米勒效應(yīng)?謝謝! IGBT操作時所面臨的問題之一是米勒效應(yīng)的寄生電容。這種效果是明顯的在0到 15 V類型的門極驅(qū)動器(單電源
2018-11-05 15:38:56
，我以為是電路沒有焊接好，然后同樣的換上去，照樣炸掉，這樣白白浪費了好多IGBT。后來發(fā)現(xiàn)一些規(guī)律，就是采用峰值電流保護的措施就能讓IGBT不會炸，下面我就會將這些東西一起詳細的說一說，說的不好請大家
2017-03-24 11:53:14
摘要: 討論了目前存在的基于米勒電容的采樣/保持電路，在此基礎(chǔ)上設(shè)計了一種簡化形式。該電路利用簡單的CMOS反相器代替米勒反饋電路中的運算放大器，在保證采樣速度和精度
2010-07-31 17:24:53
0 IGBT驅(qū)動電路的作用是驅(qū)動IGBT模塊以能讓其正常工作，同時對IGBT模塊進行保護。IGBT 驅(qū)動電路的作用對整個IGBT構(gòu)成的系統(tǒng)來說至關(guān)重要
2017-06-05 14:21:1227214 
本文著重介紹三個IGBT驅(qū)動電路。驅(qū)動電路的作用是將單片機輸出的脈沖進行功率放大，以驅(qū)動IGBT，保證IGBT的可靠工作，驅(qū)動電路起著至關(guān)重要的作用
2017-06-05 15:12:5451685 
米勒效應(yīng)解決
2017-06-09 09:56:4048 IGBT等功率器件的技巧。 1、如何避免米勒效應(yīng)？ IGBT操作時所面臨的問題之一是米勒效應(yīng)的寄生電容。這種效果是明顯的在0到15V類型的門極驅(qū)動器（單電源驅(qū)動器）。門集-電極之間的耦合，在于IGBT關(guān)斷期間，高dV/dt瞬態(tài)可誘導(dǎo)寄生IGBT道通（門集電壓尖峰），這是潛在的危險。 當(dāng)上半橋的I
2017-10-26 16:52:4614 本文主要介紹了igbt模塊逆變器電路圖大全（六款igbt模塊逆變器電路設(shè)計原理圖詳解）。全橋式逆變器的一大缺陷就是存在中頻變壓器偏磁問題，正常工作情況下，功率開關(guān)器件在工作前半周與后半周導(dǎo)通脈寬相等
2018-03-01 15:06:27108912 
米勒效應(yīng)在單電源門極驅(qū)動過程中非常顯著?；陂T極G與集電極C之間的耦合，在IGBT關(guān)斷期間會產(chǎn)生一個很高的瞬態(tài)dv/dt，這樣會引發(fā)門極VGE間電壓升高而導(dǎo)通，這里存在著潛在的風(fēng)險。
2019-02-04 11:17:0037672 
在描述米勒平臺（miller plateau）之前，首先來看看“罪魁禍?zhǔn)住?b class="flag-6" style="color: red">米勒效應(yīng)（miller effect） 。
2019-02-02 17:08:0058509 
使用IGBT時，面臨的常見問題之一是由于米勒電容器而導(dǎo)致的寄生導(dǎo)通。在0至+15 V型柵極驅(qū)動器（單電源驅(qū)動器）中，這種影響是明顯的。
2021-05-17 07:31:006521 
當(dāng)IGBT在開關(guān)時普遍會遇到的一個問題即寄生米勒電容開通期間的米勒平臺。米勒效應(yīng)在單電源門極驅(qū)動的應(yīng)用中影響是很明顯的?；陂T極G與集電極C之間的耦合，在IGBT關(guān)斷期間會產(chǎn)生一個很高的瞬態(tài)dv/dt，這樣會引發(fā)門極VGE間電壓升高而導(dǎo)通，這是一個潛在的風(fēng)險（如圖1）。
2021-03-15 15:01:2615562 
ADuM4135：提供米勒箝位的單電源 / 雙電源 高電壓隔離 IGBT 柵極驅(qū)動器
2021-03-21 13:47:029 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供詳解IGBT系統(tǒng)資料下載的電子資料下載，更有其他相關(guān)的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設(shè)計、用戶指南、解決方案等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-04-16 08:40:5535 IGBT短路測試方法詳解及波形解析
2021-12-27 10:57:4075 在現(xiàn)在使用的MOS和IGBT等開關(guān)電源應(yīng)用中，所需要面對一個常見的問題 — 米勒效應(yīng)，本文將主要介紹MOS管在開通過程中米勒效應(yīng)的成因、表現(xiàn)、危害及應(yīng)對方法。
2023-02-10 14:05:506736 
IGBT米勒平臺產(chǎn)生原因 我們在使用IGBT的時候，可以從手冊中得到IGBT柵極的充電特性，但是柵極的充電特性在中間一部分會出現(xiàn)一個平臺電壓，影響著IGBT的動態(tài)性能，這是為什么呢？ IGBT
2023-02-22 14:27:3010 ??關(guān)于IGBT的有源鉗位技術(shù)，也有稱Vce鉗位，VceClamp，區(qū)別于有源米勒鉗位。??這里推薦一篇文章，值得一看： IGBT應(yīng)用技術(shù)之有源鉗位詳解??典型的有源鉗位電路通過TVS直接引入負反饋
2023-02-22 14:04:2013 米勒效應(yīng)（Miller effect）是在電子學(xué)中，反相放大電路中，輸入與輸出之間的分布電容或寄生電容由于放大器的放大作用，其等效到輸入端的電容值會擴大1+K倍，其中K是該級放大電路電壓放大倍數(shù)
2023-05-15 16:11:324100 
之前我們在介紹MOS和IGBT的文章中也有提到米勒電容和米勒效應(yīng)的概念，在IGBT的導(dǎo)通過程分析的文章中我們也簡單提到過米勒平臺
2023-05-25 17:24:253999 
搞電力電子的同學(xué)想必經(jīng)常被“米勒效應(yīng)”這個詞困擾。米勒效應(yīng)增加開關(guān)延時不說，還可能引起寄生導(dǎo)通，增加器件損耗。那么米勒效應(yīng)是如何產(chǎn)生的，我們又該如何應(yīng)對呢？我們先來看IGBT開通時的典型波形：上圖
2023-03-03 16:04:061634 
IGBT逆變電路詳解 IGBT逆變電路是一種高壓、高功率驅(qū)動電路，廣泛應(yīng)用于工業(yè)、航空、船舶等領(lǐng)域。本文將為您詳細介紹IGBT逆變電路的原理、結(jié)構(gòu)、應(yīng)用以及注意事項等內(nèi)容。 一、IGBT逆變電路
2023-08-29 10:25:543326 如何減輕米勒電容所引起的寄生導(dǎo)通效應(yīng)？? 米勒電容是指由電路中存在的電感所形成的電容。它可以導(dǎo)致電路中的寄生導(dǎo)通效應(yīng)，從而影響電路的性能。常見的一種解決方法是使用補償電容，但這么做也會帶來其他
2023-09-05 17:29:39977 ，它決定了IGBT的性能、可靠性和穩(wěn)定性。米勒電容是影響IGBT關(guān)斷時間的一個重要因素。 米勒電容是電路中的一種電容，它受到信號傳輸線或?qū)Ь€的電場影響而產(chǎn)生的，其本質(zhì)是信號傳輸線或?qū)Ь€上的電荷之間的相互作用。米勒電容通常會影響電路的性能或者
2023-09-05 17:29:421284 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《ADuM4135：提供米勒箝位的單電源/雙電源 高電壓隔離IGBT柵極驅(qū)動器.pdf》資料免費下載
2023-11-29 09:37:154
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