呢？因?yàn)?，在MOS開(kāi)通前，D極電壓大于G極電壓，MOS寄生電容Cgd儲(chǔ)存的電量需要在其導(dǎo)通時(shí)注入G極與其中的電荷中和，因MOS完全導(dǎo)通后G極電壓大于D極電壓。米勒效應(yīng)會(huì)嚴(yán)重增加MOS的開(kāi)通損耗。（MOS管不能很快得進(jìn)入開(kāi)關(guān)狀態(tài)）
2018-09-28 08:02:00
19124 實(shí)際系統(tǒng)的很多方面都會(huì)在PCB布局，IC或任何其他電氣系統(tǒng)中產(chǎn)生意外的寄生現(xiàn)象。重要的是在嘗試使用SPICE仿真提取寄生效應(yīng)之前，請(qǐng)注意電路圖中無(wú)法考慮的內(nèi)容。
2020-12-31 12:01:418249 
我們應(yīng)該都清楚，MOSFET 的柵極和漏源之間都是介質(zhì)層，因此柵源和柵漏之間必然存在一個(gè)寄生電容CGS和CGD，溝道未形成時(shí)，漏源之間也有一個(gè)寄生電容CDS，所以考慮寄生電容時(shí)，MOSFET
2021-01-08 14:19:5915830 
作者：Stephen Woodward 雖然最初人們認(rèn)為米勒效應(yīng)只不過(guò)是會(huì)限制帶寬和穩(wěn)定性的不想要的寄生電容倍增器，但它現(xiàn)在已被有用的拓?fù)渌杉{，如模擬示波器時(shí)基積分器。根據(jù)這樣一個(gè)事實(shí)：如果放大器
2021-01-26 16:05:202750 
在說(shuō)MOS管的米勒效應(yīng)之前我們先看下示波器測(cè)量的這個(gè)波形。
2023-02-03 15:35:472321 
從多個(gè)維度分析了米勒效應(yīng)，針對(duì)Cgd的影響也做了定量的推導(dǎo)，今天我們?cè)俸痛蠹乙黄穑Y(jié)合米勒效應(yīng)的仿真，探討下如何減小米勒平臺(tái)。
2023-02-14 09:25:467164 對(duì)于MOSFET，米勒效應(yīng)（Miller Effect）指其輸入輸出之間的分布電容（柵漏電容）在反相放大作用下，使得等效輸入電容值放大的效應(yīng)。由于米勒效應(yīng)，MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)過(guò)程中，會(huì)形成平臺(tái)電壓，引起開(kāi)關(guān)時(shí)間變長(zhǎng)，開(kāi)關(guān)損耗增加，給MOS管的正常工作帶來(lái)非常不利的影響。
2023-04-26 09:20:532057 
本文探討了如何使用 PSpice for TI 來(lái)仿真電機(jī)驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)中寄生效應(yīng)的潛在原因，并提供設(shè)計(jì)技巧來(lái)減輕大功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中常見(jiàn)的負(fù)面影響。 大功率系統(tǒng)設(shè)計(jì)中最令人沮喪的部分之一是寄生效應(yīng)的結(jié)果
2023-05-03 18:15:002028 
本文主要介紹了米勒效應(yīng)的由來(lái)，并詳細(xì)分析了MOSFET開(kāi)關(guān)過(guò)程米勒效應(yīng)的影響，幫助定性理解米勒平臺(tái)的形成機(jī)制。最后給出了場(chǎng)效應(yīng)管柵極電荷的作用。
2023-05-16 09:47:341316 
通過(guò)了解MOS管的的開(kāi)關(guān)過(guò)程，以及MOS米勒電容的影響，來(lái)改進(jìn)MOS管設(shè)計(jì)。
2023-07-21 09:19:364571 
MOS管具有三個(gè)內(nèi)在的寄生電容：Cgs、Cgd、Cds。這一點(diǎn)在MOS管的規(guī)格書(shū)中可以體現(xiàn)（規(guī)格書(shū)常用Ciss、Coss、Crss這三個(gè)參數(shù)代替）。MOS管之所以存在米勒效應(yīng)，以及ＧＳ之間要并電阻
2023-08-26 08:12:55915 
米勒電容（Miller capacitance）通常用于運(yùn)算放大器頻率補(bǔ)償?shù)姆椒ㄖ小?/div>
2023-09-18 09:44:47982 
寄生電容有一個(gè)通用的定義：寄生電容是存在于由絕緣體隔開(kāi)的兩個(gè)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)之間的虛擬電容（通常不需要的），是PCB布局中的一種效應(yīng)，其中傳播的信號(hào)表現(xiàn)得好像就是電容，但其實(shí)并不是真正的電容。
2024-01-18 15:36:14868 
Latch-Up(鎖定)是CMOS存在一種寄生電路的效應(yīng)，它會(huì)導(dǎo)致VDD和VSS短路，使得晶片損毀，或者至少系統(tǒng)因電源關(guān)閉而停擺。這種效應(yīng)是早期CMOS技術(shù)不能被接受的重要原因之一。在制造更新和充分
2018-08-23 06:06:17
低頻下，所有三種電容器均未表現(xiàn)出寄生分量，因?yàn)樽杩姑黠@只與電容相關(guān)。但是，鋁電解電容器阻抗停止減小，并在相對(duì)低頻時(shí)開(kāi)始表現(xiàn)出電阻特性。這種電阻特性不斷增加，直到達(dá)到某個(gè)相對(duì)高頻為止（電容器出現(xiàn)電感）。鋁聚合物電容器為與理想狀況不符的另一種電容器。
2019-08-15 06:33:32
寄生電容一般是指電感，電阻，芯片引腳等在高頻情況下表現(xiàn)出來(lái)的電容特性。實(shí)際上，一個(gè)電阻等效于一個(gè)電容，一個(gè)電感，和一個(gè)電阻的串聯(lián)，在低頻情況下表現(xiàn)不是很明顯，而在高頻情況下，等效值會(huì)增大，不能忽略。
2019-09-29 10:20:26
寄生電容的影響是什么？焊接對(duì)無(wú)源器件性能的影響是什么？
2021-06-08 06:05:47
嗎，這不是加大了米勒電容，會(huì)越發(fā)的更難以實(shí)現(xiàn)場(chǎng)效應(yīng)管或者IGBT的導(dǎo)通過(guò)程。以上是我個(gè)人的理解，肯定有理解不到位或者錯(cuò)誤的地方。
2024-01-11 16:47:48
反相放大電路中，輸入輸出之間的分布電容或者寄生電容由于放大器的方法作用，其等效到輸入端的電容值會(huì)擴(kuò)大1+k倍，k是增益。那么米勒效應(yīng)和上面說(shuō)的IGBT的正方向電容怎么聯(lián)系上？【2】位移電流是如何而來(lái)
2017-12-21 09:01:45
90kW變頻器，當(dāng)電流達(dá)到110A以上時(shí)，IGBT在關(guān)斷的時(shí)候，出現(xiàn)這個(gè)波形，請(qǐng)問(wèn)是怎么回事？在110A以下就不出現(xiàn)。這是IGBT Vce的電壓波形，當(dāng)關(guān)斷的時(shí)候還要再開(kāi)通一下，這樣不就很容易上下橋直通了嗎？這是怎么回事呢？是米勒效應(yīng)導(dǎo)致的嗎？如何解決呢？
2017-07-24 10:06:32
上一節(jié)講到，米勒振蕩是因?yàn)閺?qiáng)的負(fù)反饋引起的開(kāi)關(guān)振蕩，導(dǎo)致二次導(dǎo)通，對(duì)于后級(jí)大功率半橋、全橋等H橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)應(yīng)用中，容易導(dǎo)致上下管子瞬間導(dǎo)通從而炸毀管子，這個(gè)是開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)中最核心的一環(huán)，所以如何避免
2018-11-26 11:40:06
，不需要穩(wěn)壓二極管鉗制。米勒振蕩若只是引起GS絕緣層擊穿，那么加穩(wěn)壓二極管很容易解決，問(wèn)題的關(guān)鍵在于，米勒振蕩往往引起二次開(kāi)關(guān)，也就是說(shuō)，導(dǎo)通了又關(guān)閉又導(dǎo)通，多次開(kāi)關(guān)，多次開(kāi)關(guān)帶來(lái)的直接效應(yīng)，就是開(kāi)關(guān)損耗
2018-11-20 16:00:00
，Vds開(kāi)始下降，Id開(kāi)始上升，此時(shí)MOSFET進(jìn)入飽和區(qū)；但由于米勒效應(yīng)，Vgs會(huì)持續(xù)一段時(shí)間不再上升，此時(shí)Id已經(jīng)達(dá)到最大，而Vds還在繼續(xù)下降，直到米勒電容充滿電，Vgs又上升到驅(qū)動(dòng)電壓的值，此時(shí)
2021-01-27 15:15:03
限度降低傳導(dǎo)和開(kāi)關(guān)損耗）、如何最大限度降低柵極損耗、如何降低系統(tǒng)寄生效應(yīng)的影響、如何減小導(dǎo)通電阻等問(wèn)題。首先，考慮到關(guān)斷能量、導(dǎo)通能量、米勒效應(yīng)等都會(huì)影響開(kāi)關(guān)行為。通過(guò)降低柵極電阻（RG）或者在關(guān)閉
2019-07-09 04:20:19
寄生電容是指電感，電阻，芯片引腳等在高頻情況下表現(xiàn)出來(lái)的電容特性。實(shí)際上，一個(gè)電阻等效于一個(gè)電容，一個(gè)電感，一個(gè)電阻的串聯(lián)，低頻情況下表現(xiàn)不明顯，而高頻情況下，等效值會(huì)增大。在計(jì)算中我們要考慮
2021-01-11 15:23:51
的過(guò)程），米勒平臺(tái)大家首先想到的麻煩就是米勒振蕩。（即，柵極先給Cgs充電，到達(dá)一定平臺(tái)后再給Cgd充電）因?yàn)檫@個(gè)時(shí)候源級(jí)和漏級(jí)間電壓迅速變化，內(nèi)部電容相應(yīng)迅速充放電，這些電流脈沖會(huì)導(dǎo)致mos寄生電感
2019-07-26 07:00:00
學(xué)習(xí)進(jìn)步。寄生效應(yīng)所謂寄生效應(yīng)就是那些溜進(jìn)你的PCB并在電路中大施破壞、令人頭痛、原因不明的小故障。它們就是滲入高速電路中隱藏的寄生電容和寄生電感。其中包括由封裝引腳和印制線過(guò)長(zhǎng)形成的寄生電感；焊盤(pán)到
2018-10-19 13:46:56
1. 真實(shí)的半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件都有寄生的并聯(lián)電阻，實(shí)際上來(lái)源于導(dǎo)致泄露損耗的漏電流通路模型。器件的正向壓降一定意義上也可看作導(dǎo)致導(dǎo)通損耗的串聯(lián)寄生電阻所產(chǎn)生。2. MOSFET的寄生參數(shù)（電容）是限制其
2021-10-28 08:17:48
由米勒電容引起的寄生導(dǎo)通效應(yīng)，常被認(rèn)為是當(dāng)今碳化硅MOSFET應(yīng)用的一大缺陷。為了避免這種效應(yīng)，在硬開(kāi)關(guān)變流器的柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)中，通常采用負(fù)柵極電壓關(guān)斷。但是這對(duì)于CoolSiC? MOSFET
2023-02-27 13:53:56
我上murata官網(wǎng)看了半天電容的datasheet，他就說(shuō)自己是低寄生電感，具體多低，也沒(méi)說(shuō)清楚。是我自己沒(méi)找到還是datasheet里原本就沒(méi)？如果沒(méi)有的話，寄生電感的數(shù)值只能瞎猜嗎？
2019-12-28 16:39:18
場(chǎng)效應(yīng)管不導(dǎo)通，LED能亮嗎？
2023-10-17 07:09:53
如何減小過(guò)孔的寄生效應(yīng)帶來(lái)的不利影響？混合信號(hào)PCB設(shè)計(jì)需要注意什么？
2021-04-21 06:21:44
極電壓大于G極電壓，MOS管寄生電容Cgd儲(chǔ)存的電量需要在其導(dǎo)通時(shí)注入G極與其中的電荷中和，因MOS管完全導(dǎo)通后G極電壓大于D極電壓。米勒效應(yīng)會(huì)嚴(yán)重增加MOS管的開(kāi)通損耗。(MOS管不能很快得進(jìn)入開(kāi)關(guān)
2018-12-19 13:55:15
1所示，可以看到，其具有三個(gè)內(nèi)在的寄生電容：G和S的電容CGS；G和D的電容：CGD，也稱為反向傳輸電容、米勒電容，Crss；D和S的電容CDS。圖1：溝槽型MOSFET寄生電容功率MOSFET
2016-12-23 14:34:52
MOS管與IGBT是不是都有這個(gè)GS米勒效應(yīng)？
2019-09-05 03:29:03
三極管會(huì)不會(huì)存在米勒效應(yīng)
2019-09-10 04:37:38
請(qǐng)問(wèn)各路大神，場(chǎng)效應(yīng)管組成的放大電路，存在米勒效應(yīng)，階躍時(shí)間變得很長(zhǎng)，是不是需要增大前級(jí)驅(qū)動(dòng)電流，就能減小階躍時(shí)間，或者還有其他方法嗎，我看米勒效應(yīng)都在開(kāi)關(guān)狀態(tài)下來(lái)講解，但在放大狀態(tài)依然有米勒平臺(tái)，這是正常的嗎？
2018-08-08 10:29:41
電容器的寄生作用與雜散電容.pdf
2006-04-04 23:33:03
0 利用PCB 線圈消除濾波電容器的寄生電感
摘要：電源系統(tǒng)中，EMI 濾波器是抑制電磁干擾的重要部件，但是其高頻性能受限于元器件的寄生效應(yīng)。本文針對(duì)差模
2009-11-16 11:38:3732 電源系統(tǒng)中，EMI 濾波器是抑制電磁干擾的重要部件，但是其高頻性能受限于元器件的寄生效應(yīng)。本文針對(duì)差模濾波電容，設(shè)計(jì)一種PCB 耦合線圈消除其寄生電感，以此改善電容器濾波
2010-02-18 13:08:0337 摘要: 討論了目前存在的基于米勒電容的采樣/保持電路，在此基礎(chǔ)上設(shè)計(jì)了一種簡(jiǎn)化形式。該電路利用簡(jiǎn)單的CMOS反相器代替米勒反饋電路中的運(yùn)算放大器，在保證采樣速度和精度
2010-07-31 17:24:530 電容器的寄生作用與雜散電容
電容器的寄生作用問(wèn)：我想知道如何為具體的應(yīng)用選擇合適的電容器，但我又不清楚許多不同種類 的電容器有哪些優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)?
2009-11-26 10:44:192130 寄生電容,寄生電容是什么意思
寄生的含義 寄身的含義就是本來(lái)沒(méi)有在那個(gè)地方設(shè)計(jì)電容，但由于布線構(gòu)之間總是有互容，互
2010-03-23 09:33:552558 電容器的寄生作用與雜散電容
電容器的寄生作用問(wèn)：我想知道如何為具體的應(yīng)用選擇合適的電容器，但我又不清楚許多不同種類 的電容器有哪
2010-01-04 17:03:541297 
電容器的寄生作用與雜散電容，還不錯(cuò)哦
2016-06-15 15:53:576 電容器的寄生作用與雜散電容
2017-01-28 21:32:495 米勒效應(yīng)解決
2017-06-09 09:56:4048 當(dāng)頻率很高時(shí)，電容不再被當(dāng)做集總參數(shù)看待，寄生參數(shù)的影響不可忽略。寄生參數(shù)包括Rs，等效串聯(lián)電阻（ESR）和
2017-11-17 15:10:3321230 電容的寄生電感和寄生電阻主要是指它的引線和極板形成的電感和電阻，尤其是容量較大的電容更為明顯。如果你解剖過(guò)電容器，會(huì)看到它的極板是用長(zhǎng)達(dá)1米的金屬薄膜卷曲而成的，其層狀就像一個(gè)幾十、甚至上百圈的線圈
2018-01-31 13:44:5537300 
通常情況下，為了防止出現(xiàn)寄生IGBT通道的情況發(fā)生，國(guó)內(nèi)通常有兩種解決辦法。第一個(gè)辦法是為配置添加門(mén)極和發(fā)射極之間的電容，第二是通過(guò)使用負(fù)門(mén)極驅(qū)動(dòng)。如果使用第一方案，那么很容易造成效率的降低，而第二個(gè)方案則需要考慮到額外費(fèi)用和成本問(wèn)題，工程師需要依據(jù)實(shí)際情況進(jìn)行比較和判斷。
2018-05-22 09:19:499684 電源設(shè)計(jì)小貼士51:了解電容器的寄生效應(yīng)
2018-08-15 01:13:0015028 除了前述有形的電感與電容外，在高頻下，更是會(huì)出現(xiàn)無(wú)形的電感與電容，亦即所謂的寄生效應(yīng)。接下來(lái)將探討寄生效應(yīng)之注意事項(xiàng)。前述可知，當(dāng)兩個(gè)金屬很靠近時(shí)，便形成了電容。
2018-10-22 08:00:0020 米勒效應(yīng)在單電源門(mén)極驅(qū)動(dòng)過(guò)程中非常顯著。基于門(mén)極G與集電極C之間的耦合，在IGBT關(guān)斷期間會(huì)產(chǎn)生一個(gè)很高的瞬態(tài)dv/dt，這樣會(huì)引發(fā)門(mén)極VGE間電壓升高而導(dǎo)通，這里存在著潛在的風(fēng)險(xiǎn)。
2019-02-04 11:17:0037672 
在描述米勒平臺(tái)（miller plateau）之前，首先來(lái)看看“罪魁禍?zhǔn)住?b class="flag-6" style="color: red">米勒效應(yīng)（miller effect） 。
2019-02-02 17:08:0058509 
本文首先介紹了寄生電容的概念，其次介紹了寄生電容產(chǎn)生的原因，最后介紹了寄生電容產(chǎn)生的危害。
2019-04-30 15:39:3728588 分布電容強(qiáng)調(diào)的是均勻性。寄生跟強(qiáng)調(diào)的是意外性，指不是專門(mén)設(shè)計(jì)成電容，卻有著電容作用的效應(yīng)，比如三極管極間電容。單點(diǎn)說(shuō)，兩條平行走線之間會(huì)產(chǎn)生分布電容，元器件間在高頻下表現(xiàn)出來(lái)的容性叫寄生電容。
2019-04-30 15:56:3019502 
減小電感寄生電容的方法
如果磁芯是導(dǎo)體，首先：
用介電常數(shù)低的材料增加繞組導(dǎo)體與磁芯之間的距離
2019-07-18 08:00:001 寄生電感一半是在PCB過(guò)孔設(shè)計(jì)所要考慮的。在高速數(shù)字電路的設(shè)計(jì)中，過(guò)孔的寄生電感帶來(lái)的危害往往大于寄生電容的影響。它的寄生串聯(lián)電感會(huì)削弱旁路電容的貢獻(xiàn)，減弱整個(gè)電源系統(tǒng)的濾波效用。我們可以用下面的公式來(lái)簡(jiǎn)單地計(jì)算一個(gè)過(guò)孔近似的寄生電感。
2019-10-11 10:36:3319064 寄生的含義就是本來(lái)沒(méi)有在那個(gè)地方設(shè)計(jì)電容，但由于布線之間總是有互容，互容就好像是寄生在布線之間的一樣，所以叫寄生電容，又稱雜散電容。
2020-09-17 11:56:1127673 您是否曾經(jīng)想過(guò)為什么某些 PCBA 電容器看上去與電池非常相似？蓋子和電池的功能是否類似？實(shí)際上，它們?cè)谠S多情況下執(zhí)行相同的基本功能。也就是說(shuō)，它們既存儲(chǔ)又釋放能量。那么，電容器和電池有什么區(qū)別
2020-09-30 18:46:333755 使用IGBT時(shí)，面臨的常見(jiàn)問(wèn)題之一是由于米勒電容器而導(dǎo)致的寄生導(dǎo)通。在0至+15 V型柵極驅(qū)動(dòng)器（單電源驅(qū)動(dòng)器）中，這種影響是明顯的。
2021-05-17 07:31:006521 
當(dāng)IGBT在開(kāi)關(guān)時(shí)普遍會(huì)遇到的一個(gè)問(wèn)題即寄生米勒電容開(kāi)通期間的米勒平臺(tái)。米勒效應(yīng)在單電源門(mén)極驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用中影響是很明顯的。基于門(mén)極G與集電極C之間的耦合，在IGBT關(guān)斷期間會(huì)產(chǎn)生一個(gè)很高的瞬態(tài)dv/dt，這樣會(huì)引發(fā)門(mén)極VGE間電壓升高而導(dǎo)通，這是一個(gè)潛在的風(fēng)險(xiǎn)（如圖1）。
2021-03-15 15:01:2615562 
AN39-升壓變壓器設(shè)計(jì)中的寄生電容效應(yīng)
2021-04-28 17:42:254 本文介紹了米勒效應(yīng)的由來(lái)，并詳細(xì)分析了MOSFET開(kāi)關(guān)過(guò)程米勒效應(yīng)的影響，幫助定性理解米勒平臺(tái)的形成機(jī)制。最后給出了場(chǎng)效應(yīng)管柵極電荷的作用。
2022-03-10 14:44:186226 
米勒電容器寄生導(dǎo)通效應(yīng)的抑制方法
2022-03-17 15:32:1210 本來(lái)沒(méi)有在那個(gè)地方設(shè)計(jì)電容，但由于布線之間總是有互容，互容就好像是寄生在布線之間的一樣，所以叫寄生電容 寄生電容： 本質(zhì)上還是電容，滿足i=c*du/dt。 電容是用來(lái)衡量?jī)?chǔ)存電荷能力的物理量。根據(jù)
2022-07-27 14:23:5515292 
米勒效應(yīng)在MOS驅(qū)動(dòng)中臭名昭著，他是由MOS管的米勒電容引發(fā)的米勒效應(yīng)，在MOS管開(kāi)通過(guò)程中，GS電壓上升到某一電壓值后GS電壓有一段穩(wěn)定值，過(guò)后GS電壓又開(kāi)始上升直至完全導(dǎo)通。
2022-08-30 15:34:142286 對(duì)于MOSFET，米勒效應(yīng)（Miller Effect）指其輸入輸出之間的分布電容（柵漏電容）在反相放大作用下，使得等效輸入電容值放大的效應(yīng)。由于米勒效應(yīng)，MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)過(guò)程中，會(huì)形成平臺(tái)電壓，引起開(kāi)關(guān)時(shí)間變長(zhǎng)，開(kāi)關(guān)損耗增加，給MOS管的正常工作帶來(lái)非常不利的影響。
2022-10-28 10:18:378282 MOS管的米勒效應(yīng)會(huì)在高頻開(kāi)關(guān)電路中，延長(zhǎng)開(kāi)關(guān)頻率、增加功耗、降低系統(tǒng)穩(wěn)定性，可謂是臭名昭著，各大廠商都在不遺余力的減少米勒電容。
2022-10-31 02:03:321073 
EMI 的工程師指南第 3 部分 — 了解功率級(jí)寄生效應(yīng)
2022-10-31 08:23:584 在現(xiàn)在使用的MOS和IGBT等開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用中，所需要面對(duì)一個(gè)常見(jiàn)的問(wèn)題 — 米勒效應(yīng)，本文將主要介紹MOS管在開(kāi)通過(guò)程中米勒效應(yīng)的成因、表現(xiàn)、危害及應(yīng)對(duì)方法。
2023-02-10 14:05:506736 
隨著半導(dǎo)體工藝的發(fā)展，由導(dǎo)線引起的寄生效應(yīng)產(chǎn)生的影響越來(lái)越大。三個(gè)寄生參數(shù)（電容、電阻和電感）對(duì)電路都有影響。
2023-02-13 10:38:023801 
在上一篇文章中詳細(xì)描述了帶阻性負(fù)載時(shí)米勒平臺(tái)是怎樣的，對(duì)各階段做了定量分析，相信看過(guò)的同學(xué)應(yīng)該會(huì)有所收獲。今天我們來(lái)聊一聊帶感性負(fù)載時(shí)米勒平臺(tái)是怎樣的。
2023-03-26 13:40:481712 在電路設(shè)計(jì)中每個(gè)器件都有其寄生參數(shù)。例如，一個(gè)電感中還存在容性和阻性分量，電容中還存在感性和阻性分量。
2023-04-08 11:43:27831 
關(guān)于MOS管的米勒效應(yīng)，已經(jīng)輸出了8篇，今天這一篇是MOS管章節(jié)的最后一篇，下一篇就開(kāi)始整理運(yùn)放相關(guān)的內(nèi)容。我個(gè)人認(rèn)為今天聊的這個(gè)話題至關(guān)重要：抑制米勒效應(yīng)和抑制EMI之間如何平衡。
2023-04-17 10:28:194149 米勒效應(yīng)（Miller effect）是在電子學(xué)中，反相放大電路中，輸入與輸出之間的分布電容或寄生電容由于放大器的放大作用，其等效到輸入端的電容值會(huì)擴(kuò)大1+K倍，其中K是該級(jí)放大電路電壓放大倍數(shù)
2023-05-15 16:11:324099 
之前我們?cè)诮榻BMOS和IGBT的文章中也有提到米勒電容和米勒效應(yīng)的概念，在IGBT的導(dǎo)通過(guò)程分析的文章中我們也簡(jiǎn)單提到過(guò)米勒平臺(tái)
2023-05-25 17:24:253999 
本文要點(diǎn)寄生電容的定義寄生電容影響電路機(jī)理消除寄生電容的方法當(dāng)你想到寄生蟲(chóng)時(shí)，你可能會(huì)想到生物學(xué)上的定義——一種生活在宿主身上或在宿主體內(nèi)的有機(jī)體，從宿主身上吸取食物。從這個(gè)意義上說(shuō)，寄生蟲(chóng)可能是
2022-05-31 11:09:011733 
搞電力電子的同學(xué)想必經(jīng)常被“米勒效應(yīng)”這個(gè)詞困擾。米勒效應(yīng)增加開(kāi)關(guān)延時(shí)不說(shuō)，還可能引起寄生導(dǎo)通，增加器件損耗。那么米勒效應(yīng)是如何產(chǎn)生的，我們又該如何應(yīng)對(duì)呢？我們先來(lái)看IGBT開(kāi)通時(shí)的典型波形：上圖
2023-03-03 16:04:061634 
寄生電容有一個(gè)通用的定義：寄生電容是存在于由絕緣體隔開(kāi)的兩個(gè)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)之間的虛擬電容（通常不需要的），是 PCB 布局中的一種效應(yīng)，其中傳播的信號(hào)表現(xiàn)得好像就是電容，但其實(shí)并不是真正的電容。
2023-07-24 16:01:365440 
電容可能會(huì)對(duì)電路的性能和穩(wěn)定性產(chǎn)生影響。因此，在 PCB 布線設(shè)計(jì)中，充分了解寄生電容的產(chǎn)生原因和處理方法是非常必要的。 什么是 PCB 連線寄生電容 維基百科上對(duì)于 PCB 連線寄生電容的定義是“由于 PCB 上信號(hào)線之間的相互耦合而導(dǎo)致的電容效應(yīng)”。
2023-08-27 16:19:441608 為什么說(shuō)共源共柵結(jié)構(gòu)會(huì)減小米勒電容效應(yīng)呢？ 共源共柵結(jié)構(gòu)是一種常見(jiàn)的放大器電路結(jié)構(gòu)，在多種電路應(yīng)用中都有廣泛的應(yīng)用。它由共源、共柵、共耦合電容和外部負(fù)載等元件組成。共源共柵結(jié)構(gòu)由于具有許多優(yōu)良的特性
2023-09-05 17:29:36769 如何減輕米勒電容所引起的寄生導(dǎo)通效應(yīng)？? 米勒電容是指由電路中存在的電感所形成的電容。它可以導(dǎo)致電路中的寄生導(dǎo)通效應(yīng)，從而影響電路的性能。常見(jiàn)的一種解決方法是使用補(bǔ)償電容，但這么做也會(huì)帶來(lái)其他
2023-09-05 17:29:39977 米勒電容對(duì)IGBT關(guān)斷時(shí)間的影響? IGBT，即絕緣柵雙極性晶體管，是一種高效、高穩(wěn)定性的半導(dǎo)體器件。它是一種功率開(kāi)關(guān)元件，能夠控制大電流和高電壓的開(kāi)關(guān)。IGBT的關(guān)斷時(shí)間是非常重要的一個(gè)參數(shù)
2023-09-05 17:29:421284 許多優(yōu)點(diǎn)，但由于它們的關(guān)斷速度受到所謂的寄生電容影響，使其對(duì)快速切換應(yīng)用有限制。因此，理解寄生電容對(duì)MOS管快速關(guān)斷的影響至關(guān)重要。在本文中，我們將探討MOS管寄生電容的作用以及如何減輕其對(duì)快速關(guān)斷的影響。 MOS管的寄生電容： 在MOS管中，寄生電容產(chǎn)生的原因是因?yàn)楫?dāng)
2023-09-17 10:46:581244 米勒電容效應(yīng)怎么解決？? 米勒電容效應(yīng)是指在一個(gè)帶有放大器的電路中，負(fù)載電容會(huì)產(chǎn)生一種反饋效應(yīng)，使得整個(gè)電路的增益降低或者不穩(wěn)定。這種效應(yīng)的產(chǎn)生會(huì)影響到很多電路的穩(wěn)定性和性能，是電子設(shè)計(jì)中必須面對(duì)
2023-09-18 09:15:451230 電容器的寄生作用與雜散電容
2022-12-30 09:21:513 電容器的寄生作用與雜散電容
2023-03-01 15:37:551 MOS管開(kāi)通過(guò)程的米勒效應(yīng)及應(yīng)對(duì)措施
2023-11-27 17:52:431378 
在半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)中使用共源共柵拓?fù)湎?b class="flag-6" style="color: red">米勒效應(yīng)
2023-12-07 11:36:43237 
寄生電容和寄生電感是指在電路中存在的非意圖的電容和電感元件。 它們通常是由于電路布局、線路長(zhǎng)度、器件之間的物理距離等因素引起的。
2024-02-21 09:45:35246 
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