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MOS管的米勒效應(yīng):感性負(fù)載

硬件微講堂 ? 來源:硬件微講堂 ? 2023-03-26 13:40 ? 次閱讀

在上一篇文章中詳細(xì)描述了帶阻性負(fù)載時(shí)米勒平臺是怎樣的,對各階段做了定量分析,相信看過的同學(xué)應(yīng)該會有所收獲。今天我們來聊一聊帶感性負(fù)載時(shí)米勒平臺是怎樣的。

同學(xué)留言

140ca890-cb96-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

一位同學(xué)留言說即便用感性負(fù)載也仿真不出理論曲線,仿真結(jié)果和阻性負(fù)載差不多。

感謝這位同學(xué)的留言,相信這位同學(xué)應(yīng)該是實(shí)際動手仿真過,才有這樣的疑問。那到底是不是這樣的呢?大家不妨跟著二火一起動起來,咱們搭個(gè)模型試試,畢竟硬件微講堂還是崇尚用理論+數(shù)據(jù)的方式來論證觀點(diǎn)。

搭建模型

還記得上一篇阻性負(fù)載時(shí)所搭建的仿真模型么?如下圖所示:

143809e0-cb96-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

我們只需要把電路中的R3更換為電感L1即可。為了避免電感在MOS管開關(guān)過程中產(chǎn)生巨大的反向電動勢,我們需要給電感L1配上一個(gè)續(xù)流二極管D1。

1450a7ca-cb96-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

有的同學(xué)會問為什么會有巨大的反向電動勢?這里不做過多展開,只說兩點(diǎn),其他的請自行腦補(bǔ)。

①電感中的電流不能突變,但電流變化率dI/dt可以突變;

②U=LdI/dt。

仿真電路調(diào)整好后,再進(jìn)行參數(shù)設(shè)置。調(diào)整下VG1,設(shè)置為幅值為5V的方波,用于驅(qū)動MOS管的柵極。

145e9934-cb96-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

VS1是電壓源,10V就夠用,不用調(diào)整。L1取值2mH,這取值是隨意取的。到這里,仿真模型就算搭建完畢,下一步開始仿真。

仿真驗(yàn)證

通過“分析”--“瞬時(shí)分析”,設(shè)置10us的仿真時(shí)間,執(zhí)行即可得到如下波形。而黃框中的部分即為米勒平臺所對應(yīng)的Vgs、Id、Vds波形。

14781f12-cb96-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

對黃色區(qū)域進(jìn)行局部放大,可以得到如下波形。同樣可以分為4個(gè)階段:

階段①:Vgs

階段②:Vgs>Vth,Vds>Vgs-Vth,飽和區(qū);

階段③:Vgs>Vth,Vds>Vgs-Vth,飽和區(qū);

階段④:Vgs>Vth,Vds

1489ee54-cb96-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

上圖中的階段③和理論曲線所展示的平臺階段趨勢基本一致:Vgs保持不變,Id也保持不變。理論曲線在前面文章中已提到過,如下圖所示。

149e061e-cb96-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

定量計(jì)算

關(guān)于感性負(fù)載的各階段定量關(guān)系計(jì)算,基本和《MOS管的米勒效應(yīng)(6)--阻性負(fù)載》講過的定量關(guān)系類似,這里不再重復(fù)。需要特別說明階段③,此時(shí)Vds和Id的變化已不同步,在阻性負(fù)載中所提到的歐姆定律關(guān)系式已不能說明問題,內(nèi)部涉及電壓和電流的波形能量轉(zhuǎn)換,開關(guān)管和續(xù)流二極管的換流。

好在此時(shí)的Vgs不變,Id也不變,階段③Vgs和Id的定量計(jì)算可以和階段②在t2時(shí)刻(階段②和階段③臨界點(diǎn))定量計(jì)算的結(jié)果保持相等。Vds的計(jì)算非常復(fù)雜,我們就放過自己吧……

差異點(diǎn)的可能解釋

細(xì)心的同學(xué)發(fā)現(xiàn)階段②,在仿真波形中有一個(gè)明顯的尖峰,而理論曲線沒有。基于個(gè)人理解,我這邊嘗試進(jìn)行如下解釋,可能未必恰當(dāng)。如有不對,還請指正。

①可能由于仿真模型搭建上有差異。理論曲線中搭建模型中使用的是恒流源,而我仿真模型中使用的是電感。

②理論曲線的仿真模型中所使用的器件是否為理想模型,我不確定。TINA-TI中的模型,確定不是理想模型。

(我自認(rèn)為這個(gè)解釋不夠嚴(yán)謹(jǐn)…)

14d9b1b4-cb96-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

感性負(fù)載與阻性負(fù)載對比

我們把感性負(fù)載和阻性負(fù)載的米勒效應(yīng)波形一起看下,如下圖:

14f2ed6e-cb96-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

具體的差異點(diǎn)都在圖上,我不展開講。

只提一個(gè)點(diǎn):感性負(fù)載時(shí),在階段②,漏極電流Id在變化時(shí),漏源電壓Vds不變;在階段③,Id不變化時(shí),Vds在變化。

想想為什么?

感興趣的同學(xué)自己花點(diǎn)精力研究,我這邊點(diǎn)到為止。歡迎評論區(qū)留言,說出你的觀點(diǎn)。

總 結(jié)

先聊到這里,梳理下今天討論的內(nèi)容:

①搭建感性負(fù)載的米勒效應(yīng)仿真模型;

②對感性負(fù)載的米勒效應(yīng)4個(gè)階段進(jìn)行簡要分析;

③定量計(jì)算;

④指出仿真結(jié)果與理論曲線的明顯差異點(diǎn);

⑤對比感性負(fù)載和阻性負(fù)載的米勒效應(yīng)曲線,特別拋出一個(gè)問題點(diǎn);

怎么樣?一個(gè)簡短的問題,給出的回答可淺可深。我的助攻只能到這里,能否晉升到陸地神仙境,一劍開天門,就看你的造化了!

審核編輯:湯梓紅

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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原文標(biāo)題:MOS管的米勒效應(yīng)(7)--感性負(fù)載

文章出處:【微信號:hjldws,微信公眾號:硬件微講堂】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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