據(jù)日本富士經(jīng)濟(Fuji Keizai)6月發(fā)布功率半導體全球市場的報告預估，汽車，電氣設備，信息和通信設備等領(lǐng)域?qū)ο乱淮?b class="flag-6" style="color: red">功率半導體（SiC和GaN）需求的預計將增加。預計2030年（與2018
2019-06-25 11:22:42
7827 在未來十年，受電源、光伏（PV）逆變器以及工業(yè)電動機的需求驅(qū)動，新興的碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率半導體市場將以18%的驚人速度穩(wěn)步增長。據(jù)有關(guān)報告稱，至2022年SiC和GaN功率半導體
2013-04-26 10:10:041532 “PCIM Europe”是功率器件、逆變器、轉(zhuǎn)換器等功率電子產(chǎn)品的展會。在市場要求降低耗電、減輕環(huán)境負荷等背景下，該展會的規(guī)模逐年擴大，2013年共迎來了近8000名參觀者。在本屆展會上，開發(fā)
2013-07-09 09:46:493475 市場研究機構(gòu)IHS最新統(tǒng)計報告指出，隨著愈來愈多供應商推出產(chǎn)品，2015年碳化矽（SiC）功率半導體平均銷售價格已明顯下滑，有望刺激市場加速采 用；與此同時，氮化鎵（GaN）功率半導體也已開始
2016-03-24 08:26:111306 作為半導體材料“霸主“的Si，其性能似乎已經(jīng)發(fā)展到了一個極限，而此時以SiC和GaN為主的寬禁帶半導體經(jīng)過一段時間的積累也正在變得很普及。
2020-09-11 10:51:1010918 
（SiC）和氮化鎵（GaN）占有約90％至98％的市場份額。供應商。WBG半導體雖然還不是成熟的技術(shù)，但由于其優(yōu)于硅的性能優(yōu)勢（包括更高的效率，更高的功率密度，更小的尺寸和更少的冷卻），正在跨行業(yè)進軍。 使用基于SiC或GaN的功率半導體來獲
2021-04-06 17:50:533169 
電力電子將在未來幾年發(fā)展，尤其是對于組件，因為 WBG 半導體技術(shù)正變得越來越流行。高工作溫度、電壓和開關(guān)頻率需要 GaN 和 SiC 等 WBG 材料的能力。從硅到 SiC 和 GaN 組件的過渡標志著功率器件發(fā)展和更好地利用電力的重要一步。
2022-07-27 10:48:41761 
功率半導體”多被用于轉(zhuǎn)換器及逆變器等電力轉(zhuǎn)換器進行電力控制。目前，功率半導體材料正迎來材料更新?lián)Q代，這些新材料就是SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵），二者的物理特性均優(yōu)于現(xiàn)在使用的Si（硅），作為“節(jié)能王牌”受到了電力公司、汽車廠商和電子廠商等的極大期待。
2013-03-07 14:43:024596 全球范圍內(nèi)5G技術(shù)的迅猛發(fā)展，為氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）功率半導體制造商提供新的增長前景。2020年，GaN和SiC功率半導體市場規(guī)模為7億美元，預計2021年至2027年的復合年增長率
2021-05-21 14:57:182257 遷移率晶體管）。為什么同是第三代半導體材料，SiC和GaN在功率器件上走了不同的道路？為什么沒有GaN MOSFET產(chǎn)品？下面我們來簡單分析一下。 ? GaN 和SiC 功率器件的襯底材料區(qū)別 ? 首先我們從襯底材料來看看SiC和GaN功率器件的區(qū)別，一般而言，SiC功率器件是在
2023-12-27 09:11:361220 GaN功率半導體(氮化鎵)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢
2023-06-19 09:28:46
GaN功率半導體與高頻生態(tài)系統(tǒng)(氮化鎵)
2023-06-25 09:38:13
GaN功率半導體在快速充電市場的應用(氮化鎵)
2023-06-19 11:00:42
GaN功率半導體帶來AC-DC適配器的革命(氮化鎵)
2023-06-19 11:41:21
近日納微半導體宣布推出至今世界上最小的65W USB-PD (Type-C) 電源適配器參考設計。這種高頻及高效的AllGaN?功率IC相比傳統(tǒng)硅IC可縮小變壓器、濾波器和散熱器的尺寸、減輕
2017-09-25 10:44:14
半導體的關(guān)鍵特性是能帶隙，能帶動電子進入導通狀態(tài)所需的能量。寬帶隙（WBG）可以實現(xiàn)更高功率，更高開關(guān)速度的晶體管，WBG器件包括氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半導體。 GaN和SiC
2022-08-12 09:42:07
寬禁帶半導體材料氮化鎵（GaN）以其良好的物理化學和電學性能成為繼第一代元素半導體硅（Si）和第二代化合物半導體砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）、磷化銦（InP）等之后迅速發(fā)展起來的第三代半導體
2019-06-25 07:41:00
預約項目。參展商可與專業(yè)買家提前建立聯(lián)系，從而大大節(jié)省展會期間的時間，提高參展效率。 展覽+會議 PCIM 2010 中國的主要展出產(chǎn)品 ↘功率半導體 ↘DSP、微處理器 ↘被動元件 ↘電源、UPS
2010-03-11 19:17:14
基于碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導體的新型高效率、超快速功率轉(zhuǎn)換器已經(jīng)開始在各種創(chuàng)新市場和應用領(lǐng)域攻城略地——這類應用包括太陽能光伏逆變器、能源存儲、車輛電氣化（如充電器
2019-07-31 06:16:52
新型和未來的 SiC/GaN 功率開關(guān)將會給方方面面帶來巨大進步，從新一代再生電力的大幅增加到電動汽車市場的迅速增長。其巨大的優(yōu)勢——更高功率密度、更高工作頻率、更高電壓和更高效率，將有助于實現(xiàn)更緊
2018-10-30 11:48:08
基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉(zhuǎn)換器SiC/GaN具有的優(yōu)勢
2021-03-10 08:26:03
功率半導體器件以功率金屬氧化物半導體場效應晶體管(功率MOSFET，常簡寫為功率MOS)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)以及功率集成電路(power IC，常簡寫為PIC)為主。
2020-04-07 09:00:54
，可應用在較高頻率、電壓與溫度的嚴苛環(huán)境下，還可達到低耗損高效率的特性。隨著全球?qū)Νh(huán)境保護的重視，電子產(chǎn)品效率要求的提高，讓GaN與SiC成為世界各國半導體業(yè)研究的重點?！ 」杌鵌GBT一般工作于
2018-10-23 16:12:16
OpenHarmony將攜新成果亮相HDC2022第四屆華為開發(fā)者大會 2022（Together）將于11月4日-6日在東莞召開，OpenAtom OpenHarmony（以下簡稱“OpenHarmony”）將攜新生態(tài)成果亮相HDC2022。邀你共建、共賞、共探索！
2022-10-31 17:30:57
實現(xiàn)了具有硅半導體無法得到的突破性特性的碳化硅半導體（SiC半導體）的量產(chǎn)。另外，在傳統(tǒng)的硅半導體功率元器件領(lǐng)域，實現(xiàn)了從分立式半導體到IC全覆蓋的融合了ROHM綜合實力的復合型產(chǎn)品群。下面介紹這些產(chǎn)品中的一部分。
2019-07-08 08:06:01
`Qorvo的TGF2023-2-05是基于SiC HEMT的5.0 mm離散GaN，其工作頻率范圍為DC至18 GHz。TGF2023-2-05通常在3 GHz時可提供43 dBm的飽和輸出功率
2021-03-18 12:03:50
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：GaN、ZnO和SiC的濕法化學蝕刻編號：JFKJ-21-830作者：炬豐科技摘要寬帶隙半導體具有許多特性，使其對高功率、高溫器件應用具有吸引力。本文綜述了三種
2021-10-14 11:48:31
有限公司（以下簡稱“薩科微”）為代表的“造芯”勢力正在奮力追趕，致力補齊國內(nèi)功率半導體產(chǎn)業(yè)鏈中重要的一環(huán)。薩科微半導體產(chǎn)品包括“slkor”品牌的碳化硅SiC二極管、碳化硅SiC MOS管、IGBT管
2023-03-17 11:08:33
在接下來的幾周內(nèi)，安森美半導體的專家將在路上，幫助設計工程師在美國和加拿大的五個地點解決他們的電源應用挑戰(zhàn)。安森美半導體的電力研討會側(cè)重于技術(shù)和技術(shù)，而非產(chǎn)品。我們邀請您與我們的電源專家會面，探討
2018-10-29 08:57:06
有限公司（以下簡稱“薩科微”）為代表的“造芯”勢力正在奮力追趕，致力補齊國內(nèi)功率半導體產(chǎn)業(yè)鏈中重要的一環(huán)。薩科微半導體產(chǎn)品包括“slkor”品牌的碳化硅SiC二極管、碳化硅SiC MOS管、IGBT管
2023-03-17 11:13:35
方形，通過兩個晶格常數(shù)（圖中標記為a 和c）來表征。GaN 晶體結(jié)構(gòu)在半導體領(lǐng)域，GaN 通常是高溫下（約為1,100°C）在異質(zhì)基板（射頻應用中為碳化硅[SiC]，電源電子應用中為硅[Si]）上通過
2019-08-01 07:24:28
元件來適應略微增加的開關(guān)頻率，但由于無功能量循環(huán)而增加傳導損耗［2］。因此，開關(guān)模式電源一直是向更高效率和高功率密度設計演進的關(guān)鍵驅(qū)動力?！ 』?SiC 和 GaN 的功率半導體器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導體電力電子器件的誕生，以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
什么是堆疊式共源共柵？低阻抗功率半導體開關(guān)有哪些關(guān)鍵特性？低阻抗功率半導體開關(guān)有哪些應用優(yōu)勢？
2021-06-26 06:14:32
了厚實的研發(fā)設計能力，同時還建立全流程的封裝測試產(chǎn)線（涵蓋封裝測試、成品測試等多項）。為客戶提供MOSFET、SiC、功率二極管及整流橋等高品質(zhì)的半導體分立器件產(chǎn)品。MDD致力滿足客戶高品質(zhì)需求，目前產(chǎn)品
2022-11-11 11:50:23
，全方位展示宇陽科技高品質(zhì)MLCC產(chǎn)品及技術(shù)實力。
?
國產(chǎn)半導體新銳品牌安森德（展位號1F35）攜功率器件、模擬IC及SIP系統(tǒng)級芯片與行業(yè)解決方案重磅亮相，邀您共商“芯”機遇，共謀“芯”發(fā)展
2023-08-24 11:49:00
升級到半橋GaN功率半導體
2023-06-21 11:47:21
，以支持在整個低、中和高功率范圍的多樣化應用。從用于車載媒體應用到空調(diào)的器件，到用于內(nèi)燃機(ICE)、混合動力和純電動動力系統(tǒng)的高功率方案，安森美半導體正在不斷開發(fā)新產(chǎn)品，以幫助支持和加速汽車技術(shù)
2018-10-30 09:06:50
常用的功率半導體器件有哪些？
2021-11-02 07:13:30
解決方案·低壓伺服驅(qū)動解決方案·基于SiC的光伏逆變器DC-AC解決方案·8通道IO-Link主站解決方案
▌峰會議程
▌參會福利
1、即日起-9月27日，深圳用戶報名預約【意法半導體工業(yè)峰會2023
2023-09-11 15:43:36
`由電氣觀察主辦的“寬禁帶半導體(SiC、GaN)電力電子技術(shù)應用交流會”將于7月16日在浙江大學玉泉校區(qū)舉辦。寬禁帶半導體電力電子技術(shù)的應用、寬禁帶半導體電力電子器件的封裝、寬禁帶電力電子技術(shù)
2017-07-11 14:06:55
`根據(jù)Yole Developpement指出，氮化鎵(GaN)組件即將在功率半導體市場快速發(fā)展，從而使專業(yè)的半導體企業(yè)受惠；另一方面，他們也將會發(fā)現(xiàn)逐漸面臨來自英飛凌(Infineon)/國際
2015-09-15 17:11:46
半導體的低阻值，可以高速工作，高溫工作，能夠大幅度削減從電力傳輸?shù)綄嶋H設備的各種功率轉(zhuǎn)換過程中的能量損耗。SiC功率元器件在節(jié)能和小型化方面功效卓著，其產(chǎn)品已經(jīng)開始實際應用，并且還應用在對品質(zhì)可靠性
2017-07-22 14:12:43
氮化鎵功率半導體技術(shù)解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26
一、化合物半導體應用前景廣闊，市場規(guī)模持續(xù)擴大 化合物半導體是由兩種及以上元素構(gòu)成的半導體材料，目前最常用的材料有GaAs、GaN以及SiC等，作為第二代和第三代半導體的主要代表，因其在高功率
2019-06-13 04:20:24
用于無線充電應用的高壓GaN功率半導體單級6.78 MHz功率放大器設計
2023-06-21 11:45:06
超過40%，其中以碳化硅材料（SiC）為代表的第三代半導體大功率電力電子器件是目前在電力電子領(lǐng)域發(fā)展最快的功率半導體器件之一。根據(jù)中國半導體行業(yè)協(xié)會統(tǒng)計，2019年中國半導體產(chǎn)業(yè)市場規(guī)模達7562億元
2021-01-12 11:48:45
突破GaN功率半導體的速度限制
2023-06-25 07:17:49
GaN將在高功率、高頻率射頻市場及5G 基站PA的有力候選技術(shù)。未來預估5-10年內(nèi)GaN 新型材料將快速崛起并占有多半得半導體市場需求。。。以下內(nèi)容均摘自網(wǎng)絡媒體，如果不妥，請聯(lián)系站內(nèi)信進行刪除
2019-04-13 22:28:48
(SiC)、氮鎵(GaN)為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優(yōu)點，與剛石等半導體材料一起，被譽為是繼第一代Ge、Si半導體材料、第二代GaAs
2017-06-16 10:37:22
材料的代表，寬禁帶材料SiC和GaN相對于前兩代半導體材料具有可見光波段的發(fā)光特性、高擊穿場強、更好的大功率特性、更加抗高溫和高輻射等優(yōu)勢，可以應用于光電器件、微波通信器件和電力電子器件。經(jīng)過多年的發(fā)展
2017-02-22 14:59:09
蘇州華林科納半導體設備技術(shù)有限公司成立于2008年3月，投資4500萬元。主要從事半導體、太陽能、FPD領(lǐng)域濕制程設備的設計、研發(fā)、生產(chǎn)及銷售；同時代理半導體、太陽能、FPD領(lǐng)域其它國外設備，負責
2015-04-02 17:26:21
雖然低電壓氮化鎵功率芯片的學術(shù)研究，始于 2009 年左右的香港科技大學，但強大的高壓氮化鎵功率芯片平臺的量產(chǎn)，則是由成立于 2014 年的納微半導體最早進行研發(fā)的。納微半導體的三位聯(lián)合創(chuàng)始人
2023-06-15 15:28:08
本文介紹了適用于5G毫米波頻段等應用的新興SiC基GaN半導體技術(shù)。通過兩個例子展示了采用這種GaN工藝設計的MMIC的性能：Ka頻段（29.5至36GHz）10W的PA和面向5G應用的24至
2020-12-21 07:09:34
“功率半導體”多被用于轉(zhuǎn)換器及逆變器等電力轉(zhuǎn)換器進行電力控制。目前，功率半導體材料正迎來材料更新?lián)Q代，這些新材料就是SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵），二者的物理特性均優(yōu)
2012-07-02 11:18:331387 三菱電機株式會社定于7月31日開始，依次提供5個品種的SiC功率半導體模塊，以滿足家電產(chǎn)品與工業(yè)設備對應用SiC材料的新一代SBD和MOSFET等功率半導體的需要。在這5種產(chǎn)品中，3種適用于
2012-07-25 15:59:27718 這篇文章的目的是提供一個指南，高功率SiC MESFET和GaN HEMT晶體管的熱性能的克里寬禁帶半導體設備的用戶。
2017-06-27 08:54:11
23 ，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優(yōu)點，與剛石等半導體材料一起，被譽為是繼第一代Ge、Si半導體材料、第二代GaAs、InP化合物半導體材料之后的第三代半導體材料。 在光電子、高溫大功率器件和高頻微波器件應用方面有著廣闊的前景。SiC功率
2017-11-09 11:54:529 功率半導體市場一直都處于溫溫不火的狀態(tài)的，但是隨著混合動力及電動汽車、電力和光伏（PV）逆變器的需求，GaN和SiC功率半導體市場規(guī)模呈現(xiàn)井噴式增長。
2018-05-23 15:00:059833 Yole電力電子技術(shù)與市場分析師Ana Villamor與意法半導體功率RF和GaN產(chǎn)品部經(jīng)理Filippo Di Giovanni會面，討論意法半導體與CEA-Leti在GaN研發(fā)方面的合作情況，以及未來幾年功率GaN路線圖。
2018-12-24 15:14:275745 作為半導體材料“霸主“的Si，其性能似乎已經(jīng)發(fā)展到了一個極限，而此時以SiC和GaN為主的寬禁帶半導體經(jīng)過一段時間的積累也正在變得很普及。所以，出現(xiàn)了以Si基器件為主導，SiC和GaN為"游擊"形式存在的局面。
2020-08-27 16:26:0010157 
半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展一共分三個階段，第一代半導體材料是硅(Si)，第二代半導體材料是以GaAs和SiGe為代表的微波器件，而現(xiàn)在最熱門的是第三代半導體材料是寬禁帶半導體材料GaN和SiC，相較前兩代產(chǎn)品
2022-12-09 10:46:48911 尋找硅替代物的研究始于上個世紀的最后二十年，當時研究人員和大學已經(jīng)對幾種寬帶隙材料進行了試驗，這些材料顯示出替代射頻，發(fā)光，傳感器和功率半導體的現(xiàn)有硅材料技術(shù)的巨大潛力。應用程序。在新世紀即將來臨
2021-04-01 14:10:192124 
11月15日消息 根據(jù) Omdia 的《2020 年 SiC 和 GaN 功率半導體報告》，在混合動力及電動汽車、電源和光伏逆變器需求的拉動下，碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率半導體的新興市場
2020-11-16 10:19:322223 為實現(xiàn)低碳社會，電裝開始量產(chǎn)搭載了高品質(zhì)SiC（碳化硅）功率半導體的新一代升壓用功率模塊＊1。2020年12月9日在日本正式發(fā)售的豐田新一代“MIRAI”車型就搭載了該產(chǎn)品。 持續(xù)布局 深耕SiC
2020-12-21 16:20:263192 第三代半導體材料又稱寬禁帶半導體材料，主要包括碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等。與第一、二代半導體材料相比，第三代半導體材料擁有高禁帶寬度、高飽和電子漂移速度、高熱導率、導通阻抗小、體積小等優(yōu)勢
2021-05-03 16:18:0010175 
新能源和軌道交通等市場的快速發(fā)展，對電力電子產(chǎn)品的要求也越來越高，除了傳統(tǒng)主流的IGBT，第三代半導體材料，GaN和SiC，由于其更寬的禁帶寬度、更高的導熱率等特性也越來越得到市場的認可。一年一度
2021-09-22 16:14:151904 半導體的關(guān)鍵特性是能帶隙，能帶動電子進入導通狀態(tài)所需的能量。寬帶隙（WBG）可以實現(xiàn)更高功率，更高開關(guān)速度的晶體管，WBG器件包括氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半導體。
2022-04-16 17:13:015712 寬帶隙半導體具有許多特性，這些特性使其對高功率、高溫器件應用具有吸引力。本文綜述了三種重要材料的濕法腐蝕，即ZnO、GaN和SiC。雖然ZnO在包括HNO3/HCl和HF/HNO3的許多酸性溶液
2022-07-06 16:00:211644 
AspenCore 的?2021 年 PowerUP 博覽會?用一整天的時間介紹寬帶隙 (WBG) 半導體，特別是氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC)。WBG 小組討論的重點是“下一波 GaN
2022-07-29 18:06:26391 
PCIM Europe即歐洲電力電子系統(tǒng)及元器件展，是全球最大的功率半導體展會。今年5月，瑞能半導體攜多款旗艦產(chǎn)品亮相展會，全方位展示行業(yè)領(lǐng)先的技術(shù)，以及在家用電器、可再生能源、汽車、通訊等領(lǐng)域卓越的功率器件產(chǎn)品組合產(chǎn)品。
2022-08-04 11:45:251168 氮化鎵（GaN）是一種非常堅硬且在機械方面非常穩(wěn)定的寬帶隙半導體材料。由于具有更高的擊穿強度、更快的開關(guān)速度，更高的熱導率和更低的導通電
阻，氮化鎵基功率器件明顯比硅基器件更優(yōu)越。
氮化鎵晶體
2023-02-15 16:19:060 本文介紹了使用多個電流探頭研究SiC和GaN功率半導體器件的電極間電容。它分為四部分：雙電流探頭法原理、測量結(jié)果、三電流探頭法原理和測量結(jié)果。
2023-02-19 17:06:18350 
由于對SiC功率半導體的強勁需求和對GaN功率半導體的強勁需求，2022年下一代功率半導體將比上年增長2.2倍。預計未來市場將繼續(xù)高速擴張，2023年達到2354億日元（約合人民幣121億元），比2022年增長34.5%，2035年擴大到54485億日元（約合人民幣2807億元），增長31.1倍。
2023-04-13 16:10:46444 全球知名半導體制造商羅姆將參加于5月9日至11日在德國紐倫堡舉辦的2023PCIM歐洲展會。PCIM歐洲是全球電力電子行業(yè)的頂級展會及研討會。屆時，羅姆將展示其推進可持續(xù)技術(shù)的新型功率半導體，包括
2023-05-09 14:25:12375 當?shù)貢r間5月9日，全球領(lǐng)先的功率半導體供應商瑞能半導體攜其最新產(chǎn)品亮相在德國紐倫堡揭幕的PCIM Europe 2023。產(chǎn)品組合包含碳化硅器件，可控硅和功率二極管，高壓和低壓Si-MOSFET
2023-05-10 14:19:30770 
展示成果的最佳機會。 瑞能半導體源自恩智浦，擁有完整且嚴格的研發(fā)、認證和生產(chǎn)管理體系，是中國本土最早的SiC功率器件供應商。 自2011年以來，瑞能半導體持續(xù)研發(fā)并推出多種碳化硅半導體器件，出貨量累計達4000萬顆。目前，瑞能SiC二極管產(chǎn)品已完成六代產(chǎn)品開
2023-05-23 13:44:331135 功率半導體和芯片公司，瞻芯電子將攜最新碳化硅(SiC)功率半導體、芯片產(chǎn)品和解決方案參展，在N5館儲能技術(shù)及裝備、逆變器、電源國際品牌館亮相，并期待與您共同探討未來的綠色能源發(fā)展之路。 ? 瞻芯電子致力于開發(fā)碳化硅(SiC)功率器件和模塊、柵極驅(qū)動芯片、控制芯片產(chǎn)品
2023-05-25 14:59:221125 
發(fā)布最新的研究成果和新產(chǎn)品，內(nèi)容從器件、驅(qū)動控制、封裝技術(shù)到最終系統(tǒng)，涵蓋整個生態(tài)鏈。英飛凌將亮相PCIM2022（5月10日至12日，德國紐倫堡），展示功率半導體
2022-05-13 15:56:37379 
技術(shù)。 三安半導體專注于碳化硅、氮化鎵功率半導體的研發(fā)和制造，展會現(xiàn)場展示了最新的產(chǎn)品系列，包括SiC MOSFET、SiC Schottky二極管和GaN HEMT等關(guān)鍵器件，其中自主開發(fā)的SiC MOSFET產(chǎn)品和工藝平臺備受矚目。憑借卓越的品質(zhì)和先進的制造工藝，三安半導體贏得了全球
2023-07-12 21:39:14429 
SiC和GaN被稱為“寬帶隙半導體”(WBG)，因為將這些材料的電子從價帶炸毀到導帶所需的能量：而在硅的情況下，該能量為1.1eV，SiC（碳化硅）為3.3eV，GaN（氮化鎵）為3.4eV。這導致了更高的適用擊穿電壓，在某些應用中可以達到1200-1700V。
2023-08-09 10:23:39431 
）。 本次展會聚焦碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等寬禁帶半導體，展示其面向工業(yè)設備和汽車領(lǐng)域的豐富產(chǎn)品陣容及解決方案。同時， 羅姆工程師還將在明日（8月30日）現(xiàn)場舉辦的“第三代半導體論壇”以及“電力電子應用技術(shù)論壇”等同期論壇上發(fā)表演講，分享
2023-08-29 12:10:06294 
的最新技術(shù)與產(chǎn)品。? ? ? ? 揚杰科技攜帶晶圓、IGBT、SiC、可控硅等產(chǎn)品首次亮相國內(nèi)PCIM Asia展，詳細全面介紹了在汽車電子、工控、清潔能源等高"信賴性"需
2023-08-31 17:55:02476 
【 2023 年 8 月 29 日 ， 中國上海訊】 英飛凌（Infineon）今日攜廣泛的半導體技術(shù)和產(chǎn)品，亮相于上海新國際博覽中心舉辦的?“2023上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會(以下
2023-09-01 18:39:37670 
? ? ?2023年8月29-31日，PCIM Asia國際電力元件、可再生能源管理展會于上海新國際博覽中心舉辦，主要展示功率半導體元件及模塊等電力電子方面的技術(shù)和產(chǎn)品。 ? ? ?翠展微電子作為
2023-09-02 16:15:01520 
英飛凌如何控制和保證基于 SiC 的功率半導體器件的可靠性
2023-10-11 09:35:49687 
解更多公司，建議查詢相關(guān)網(wǎng)站。 sic功率半導體技術(shù)如何實現(xiàn)成果轉(zhuǎn)化 SIC功率半導體技術(shù)的成果轉(zhuǎn)化可以通過以下途徑實現(xiàn)： 與現(xiàn)有產(chǎn)業(yè)合作：尋找現(xiàn)有的使用SIC功率半導體技術(shù)的企業(yè)，與他們合作，共同研究開發(fā)新產(chǎn)品，將技術(shù)轉(zhuǎn)化為商業(yè)化
2023-10-18 16:14:30586 2023年11月，日本三菱電機、安世半導體（Nexperia）宣布，將聯(lián)合開發(fā)高效的碳化硅（SiC）MOSFET分立產(chǎn)品功率半導體。
2023-11-25 16:50:53451 家 SiC、GaN 企業(yè)代表來共同見證第三代半導體的蓬勃發(fā)展。Nexperia（安世半導體）榮獲權(quán)威認證，將「SiC年度優(yōu)秀產(chǎn)品獎」與「中國GaN 功率器件十強」兩項大獎收入囊中，展現(xiàn)了其作為基礎(chǔ)半導體全球領(lǐng)導者的強大實力與深耕三代半領(lǐng)域的決心。
2023-12-21 11:37:25681 近期，由第三代半導體產(chǎn)業(yè)知名媒體與產(chǎn)業(yè)研究機構(gòu)“行家說三代半”主辦的“2023年行家極光獎”頒獎典禮在深圳正式拉開帷幕，數(shù)家SiC&GaN企業(yè)代表參加，共同見證第三代半導體產(chǎn)業(yè)的風采。
2023-12-27 10:47:55225 
1月8日，Luminus Devices宣布，湖南三安半導體與其簽署了一項合作協(xié)議，Luminus將成為湖南三安SiC和GaN產(chǎn)品在美洲的獨家銷售渠道，面向功率半導體應用市場。
2024-01-13 17:17:561042
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