在導(dǎo)通數(shù)據(jù)中，原本2，742μJ的開(kāi)關(guān)損耗變?yōu)?，690μJ，損耗減少了約38%。在關(guān)斷數(shù)據(jù)中也從2，039μJ降至1，462μJ，損耗減少了約30%。
2020-07-17 17:47:44
949 
MOSFET/IGBT的開(kāi)關(guān)損耗測(cè)試是電源調(diào)試中非常關(guān)鍵的環(huán)節(jié)，但很多工程師對(duì)開(kāi)關(guān)損耗的測(cè)量還停留在人工計(jì)算的感性認(rèn)知上，PFC MOSFET的開(kāi)關(guān)損耗更是只能依據(jù)口口相傳的經(jīng)驗(yàn)反復(fù)摸索，那么該如何量化評(píng)估呢?
2022-10-19 10:39:231504 MOS 管的開(kāi)關(guān)損耗對(duì)ＭOS 管的選型和熱評(píng)估有著重要的作用，尤其是在高頻電路中，比如開(kāi)關(guān)電源，逆變電路等。
2023-07-23 14:17:001217 
的開(kāi)關(guān)損耗測(cè)試是電源調(diào)試中非常關(guān)鍵的環(huán)節(jié)，開(kāi)關(guān)損耗測(cè)試對(duì)于器件評(píng)估非常關(guān)鍵，但很多工程師對(duì)開(kāi)關(guān)損耗的測(cè)量還停留在人工計(jì)算的感性認(rèn)知上。電源工程師們都知道開(kāi)關(guān)MOS在整個(gè)電源系統(tǒng)里面的損耗占比是不小的，開(kāi)關(guān)
2024-01-20 17:08:06916 
如圖片所示，為什么MOS管的開(kāi)關(guān)損耗（開(kāi)通和關(guān)斷過(guò)程中）的損耗是這樣算的，那個(gè)72pF應(yīng)該是MOS的輸入電容，2.5A是開(kāi)關(guān)電源限制的平均電流
2018-10-11 10:21:49
MOSFET進(jìn)入電阻區(qū)，此時(shí)Vds徹底降下來(lái)，開(kāi)通結(jié)束。由于米勒電容阻止了Vgs的上升，從而也就阻止了Vds的下降，這樣就會(huì)使損耗的時(shí)間加長(zhǎng)。（Vgs上升，則導(dǎo)通電阻下降，從而Vds下降）。
2021-01-27 15:15:03
開(kāi)關(guān)電源 MOS管損耗MOS管開(kāi)關(guān)電源損耗開(kāi)關(guān)模式電源（Switch Mode Power Supply，簡(jiǎn)稱SMPS），又稱交換式電源、開(kāi)關(guān)變換器，是一種高頻化電能轉(zhuǎn)換裝置，是電源供應(yīng)器的一種。其
2021-10-29 09:16:45
-請(qǐng)問(wèn)各位專家，我是個(gè)電源新手，剛開(kāi)始接觸MOS管?，F(xiàn)在又些問(wèn)題，開(kāi)關(guān)損耗主要是導(dǎo)通和關(guān)斷這兩個(gè)過(guò)程，其它損耗可忽略嗎？
2019-06-27 09:10:01
規(guī)格書(shū)查找得到。 6、Coss電容的泄放損耗Pds Coss電容的泄放損耗，指MOS輸出電容Coss截止期間儲(chǔ)蓄的電場(chǎng)能于導(dǎo)同期間在漏源極上的泄放損耗?！ oss電容的泄放損耗計(jì)算：首先須計(jì)算或
2020-06-28 17:48:13
MOS管的開(kāi)關(guān)損耗測(cè)試是電源調(diào)試中非常關(guān)鍵的環(huán)節(jié)，但很多工程師對(duì)開(kāi)關(guān)損耗的測(cè)量還停留在人工計(jì)算的感性認(rèn)知上，PFCMOS管的開(kāi)關(guān)損耗更是只能依據(jù)口口相傳的經(jīng)驗(yàn)反復(fù)摸索，那么該如何量化評(píng)估呢
2018-11-09 11:43:12
，不需要穩(wěn)壓二極管鉗制。米勒振蕩若只是引起GS絕緣層擊穿，那么加穩(wěn)壓二極管很容易解決，問(wèn)題的關(guān)鍵在于，米勒振蕩往往引起二次開(kāi)關(guān)，也就是說(shuō)，導(dǎo)通了又關(guān)閉又導(dǎo)通，多次開(kāi)關(guān)，多次開(kāi)關(guān)帶來(lái)的直接效應(yīng)，就是開(kāi)關(guān)損耗
2018-11-20 16:00:00
本帖最后由 小小的大太陽(yáng) 于 2017-5-31 10:06 編輯
MOS管的導(dǎo)通損耗影響最大的就是Rds，而開(kāi)關(guān)損耗好像不僅僅和開(kāi)關(guān)的頻率有關(guān)，與MOS管的結(jié)電容，輸入電容，輸出電容都有關(guān)系吧？具體的關(guān)系是什么？有沒(méi)有具體計(jì)算開(kāi)關(guān)損耗的公式？
2017-05-31 10:04:51
電源工程師知道，整個(gè)電源系統(tǒng)中開(kāi)關(guān)MOS的損耗比不小. 討論最多的是導(dǎo)通損耗和關(guān)斷損耗，因?yàn)檫@兩種損耗與傳導(dǎo)損耗或驅(qū)動(dòng)損耗不同，因?yàn)樗苤庇^，所以有些人對(duì)其計(jì)算仍然有些困惑.今天，我們將詳細(xì)分析
2021-10-29 08:43:49
MOS管開(kāi)通損耗只要不是軟開(kāi)關(guān)，一般都是比較大的。假如開(kāi)關(guān)頻率80KHZ開(kāi)關(guān)電源中,由于有彌勒電容，如果關(guān)斷速度夠快是不是MOS管的關(guān)斷損耗都算軟關(guān)閉，損耗接近0？另外開(kāi)通和關(guān)閉損耗的比例是多少。請(qǐng)大神賜教，越詳細(xì)越好。
2021-09-11 23:56:46
要提高開(kāi)關(guān)電源的效率，就必須分辨和粗略估算各種損耗。開(kāi)關(guān)電源內(nèi)部的損耗大致可分為四個(gè)方面：開(kāi)關(guān)損耗、導(dǎo)通損耗、附加損耗和電阻損耗。這些損耗通常會(huì)在有損元器件中同時(shí)出現(xiàn)，下面將分別討論。 01與功率
2020-08-27 08:07:20
要提高開(kāi)關(guān)電源的效率，就必須分辨和粗略估算各種損耗。開(kāi)關(guān)電源內(nèi)部的損耗大致可分為四個(gè)方面：開(kāi)關(guān)損耗、導(dǎo)通損耗、附加損耗和電阻損耗。這些損耗通常會(huì)在有損元器件中同時(shí)出現(xiàn)，下面將分別討論?！ ∨c功率
2023-03-16 16:37:04
要提高開(kāi)關(guān)電源的效率，就必須分辨和粗略估算各種損耗。開(kāi)關(guān)電源內(nèi)部的損耗大致可分為四個(gè)方面：開(kāi)關(guān)損耗、導(dǎo)通損耗、附加損耗和電阻損耗。這些損耗通常會(huì)在有損元器件中同時(shí)出現(xiàn)。
2021-03-11 06:04:00
分辨和粗略估算各種損耗。開(kāi)關(guān)電源內(nèi)部的損耗大致可分為四個(gè)方面：開(kāi)關(guān)損耗、導(dǎo)通損耗、附加損耗和電阻損耗。這些損耗通常會(huì)在有損元器件中同時(shí)出現(xiàn)，下面將分別討論。與功率開(kāi)關(guān)有關(guān)的損耗功率開(kāi)關(guān)是典型的開(kāi)關(guān)
2019-07-01 10:20:34
3、開(kāi)關(guān)動(dòng)態(tài)損耗?? 由于開(kāi)關(guān)損耗是由開(kāi)關(guān)的非理想狀態(tài)引起的，很難估算MOSFET 和二極管的開(kāi)關(guān)損耗，器件從完全導(dǎo)通到完全關(guān)閉或從完全關(guān)閉到完全導(dǎo)通需要一定時(shí)間，也稱作死區(qū)時(shí)間，在這個(gè)過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生
2021-12-29 07:52:21
一、開(kāi)關(guān)損耗包括開(kāi)通損耗和關(guān)斷損耗兩種。開(kāi)通損耗是指功率管從截止到導(dǎo)通時(shí)所產(chǎn)生的功率損耗；關(guān)斷損耗是指功率管從導(dǎo)通到截止時(shí)所產(chǎn)生的功率損耗。二、開(kāi)關(guān)損耗原理分析：(1)、非理想的開(kāi)關(guān)管在開(kāi)通時(shí)，開(kāi)關(guān)
2021-10-29 07:10:32
SiC-MOSFET和SiC-SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）組成的類型，也有僅以SiC-MOSFET組成的類型。與Si-IGBT功率模塊相比，開(kāi)關(guān)損耗大大降低處理大電流的功率模塊中，Si的IGBT與FRD
2018-12-04 10:14:32
在BUCK型開(kāi)關(guān)電源中，如果沒(méi)有損耗，那效率就是100%，但這是不可能的，BUCK型開(kāi)關(guān)電源中主要的損耗是導(dǎo)通損耗和交流開(kāi)關(guān)損耗，導(dǎo)通損耗主要是指MOS管導(dǎo)通后的損耗和肖特基二極管導(dǎo)通的損耗（是指完
2021-10-29 08:08:29
形?！ ?、逆變橋動(dòng)態(tài)過(guò)程分析 1）開(kāi)通時(shí)刻電流由上管IGBT→電感或者負(fù)載→N線→上母線電容； 2）關(guān)斷時(shí)刻電感進(jìn)行續(xù)流→負(fù)載→N線→下母線電容→下二極管。 4、IGBT模塊損耗組成部分 IGBT
2023-02-24 16:47:34
直流傳導(dǎo)損耗采用理想組件(導(dǎo)通狀態(tài)下零壓降和零開(kāi)關(guān)損耗)時(shí)，理想降壓轉(zhuǎn)換器的效率為100%。而實(shí)際上，功耗始終與每個(gè)功率元件相關(guān)聯(lián)。SMPS中有兩種類型的損耗：直流傳導(dǎo)損耗和交流開(kāi)關(guān)損耗。降壓轉(zhuǎn)換器的傳導(dǎo)損耗主要來(lái)自于晶體管Q1、二極管D1和電感L在傳導(dǎo)電流時(shí)產(chǎn)生的壓降。為...
2021-10-29 06:18:15
時(shí)間trr快（可高速開(kāi)關(guān)）?trr特性沒(méi)有溫度依賴性?低VF（第二代SBD）下面介紹這些特征在使用方面發(fā)揮的優(yōu)勢(shì)。大幅降低開(kāi)關(guān)損耗SiC-SBD與Si二極管相比，大幅改善了反向恢復(fù)時(shí)間trr。右側(cè)的圖表為
2019-03-27 06:20:11
我用IGBT設(shè)計(jì)了D類功放，用的管子是FGH60N60SFD，開(kāi)關(guān)頻率為300kHz，上網(wǎng)查資料發(fā)現(xiàn)IGBT的開(kāi)關(guān)損耗為圖中公式，查找FGH60N60SFD文檔后計(jì)算開(kāi)關(guān)損耗為300000*2.46/1000/3.14=235W，我想問(wèn)一下，開(kāi)關(guān)損耗真有這么大嗎，是設(shè)計(jì)的不合理還是我計(jì)算錯(cuò)了？
2019-07-25 10:16:28
損耗與減小米勒平臺(tái)區(qū)間的損耗方法討論9-降低開(kāi)關(guān)損耗帶來(lái)的其它問(wèn)題分析及高壓 MOSFET 柵極電阻取值10-MOSFET 柵極電阻與米勒平臺(tái)時(shí)間取值及橋式電路分析11-橋式電路管子誤觸發(fā)因素討論
2021-09-08 09:52:54
本帖最后由 張飛電子學(xué)院魯肅 于 2021-1-30 13:21 編輯
本文詳細(xì)分析計(jì)算功率MOSFET開(kāi)關(guān)損耗，并論述實(shí)際狀態(tài)下功率MOSFET的開(kāi)通過(guò)程和自然零電壓關(guān)斷的過(guò)程，從而使電子
2021-01-30 13:20:31
振蕩。防止mos管燒毀。過(guò)快的充電會(huì)導(dǎo)致激烈的米勒震蕩，但過(guò)慢的充電雖減小了震蕩，但會(huì)延長(zhǎng)開(kāi)關(guān)從而增加開(kāi)關(guān)損耗。Mos開(kāi)通過(guò)程源級(jí)和漏級(jí)間等效電阻相當(dāng)于從無(wú)窮大電阻到阻值很小的導(dǎo)通內(nèi)阻（導(dǎo)通內(nèi)阻一般
2019-07-26 07:00:00
討論交流，真正學(xué)到知識(shí)，現(xiàn)在增加提問(wèn)，參與回答者贈(zèng)送張飛實(shí)戰(zhàn)電子1部精品課程以下是今日問(wèn)題：1、開(kāi)關(guān)損耗和續(xù)流損耗和哪些因素有關(guān)系?2、MOS管在H橋電路中體二極管什么時(shí)候會(huì)續(xù)流?`
2021-06-09 09:08:41
討論交流，真正學(xué)到知識(shí)，現(xiàn)在增加提問(wèn)，參與回答者贈(zèng)送張飛實(shí)戰(zhàn)電子1部精品課程以下是今日問(wèn)題：1、MOS管在H橋電路中怎么解決續(xù)流損耗：A、熱源進(jìn)行分配，大家一起承擔(dān)，B、分時(shí)載波，一會(huì)上管載波，一會(huì)
2021-06-15 09:25:50
分布電容引起。改善方法:在繞組層與層之間加絕緣膠帶，來(lái)減少層間分布電容。08、開(kāi)關(guān)管MOSFET上的損耗mos損耗包括：導(dǎo)通損耗，開(kāi)關(guān)損耗，驅(qū)動(dòng)損耗。其中在待機(jī)狀態(tài)下最大的損耗就是開(kāi)關(guān)損耗。改善辦法
2021-04-09 14:18:40
阻小的MOS管40N120會(huì)降低導(dǎo)通損耗。 MOS在開(kāi)啟和關(guān)閉時(shí)，一定不是瞬間完成。MOS兩端的電壓有一個(gè)下降的過(guò)程，流過(guò)的電流有一個(gè)上升的過(guò)程。在此期間，MOS管的損失是電壓和電流的乘積，稱為開(kāi)關(guān)損失
2021-12-29 16:53:46
像2301那種mos導(dǎo)通后，VDS電壓是0嗎？也就是沒(méi)有損耗?仿真是沒(méi)有損耗的
2020-04-16 15:44:28
是基于技術(shù)規(guī)格書(shū)中的規(guī)格值的比較，Eon為開(kāi)關(guān)導(dǎo)通損耗，Eoff為開(kāi)關(guān)關(guān)斷損耗、Err為恢復(fù)損耗。全SiC功率模塊的Eon和Eoff都顯著低于IGBT，至于Err，由于幾乎沒(méi)有Irr而極其微小。結(jié)論是開(kāi)關(guān)損耗
2018-11-27 16:37:30
：RGWxx65C系列的亮點(diǎn)＞使用SiC SBD作為續(xù)流二極管的Hybrid IGBT650V耐壓，IC(100℃) 30A/40A/50A有3種可選通過(guò)使用SiC SBD，顯著降低了導(dǎo)通時(shí)的開(kāi)關(guān)損耗用于xEV車載
2022-07-27 10:27:04
阻，在開(kāi)關(guān)管會(huì)給出該指標(biāo)，如圖3所示Ts表示開(kāi)關(guān)周期t1、t2表示導(dǎo)通狀態(tài)的開(kāi)始時(shí)間與結(jié)束時(shí)間 圖3導(dǎo)通電阻與電流的關(guān)系四、開(kāi)關(guān)損耗開(kāi)關(guān)損耗指的是總體的能量損耗，由導(dǎo)通過(guò)程損耗、關(guān)閉過(guò)程損耗、導(dǎo)通損耗組成
2021-11-18 07:00:00
，軟關(guān)斷的開(kāi)關(guān)稱之為零電流開(kāi)關(guān)。 功率開(kāi)關(guān)管的軟開(kāi)關(guān)理想波形和硬開(kāi)關(guān)波形如圖1所示，由圖可以看出，在硬開(kāi)關(guān)狀態(tài)下，功率開(kāi)關(guān)管兩端的電壓、電流有明顯的交疊區(qū)，在此交疊區(qū)內(nèi)產(chǎn)生開(kāi)關(guān)損耗;而在軟開(kāi)關(guān)狀態(tài)下，功率開(kāi)關(guān)管兩端的電壓、電流幾乎沒(méi)有交疊區(qū)，所以也就不會(huì)產(chǎn)生開(kāi)關(guān)損耗。
2019-08-27 07:00:00
，截止損耗（漏電流引起的，這個(gè)忽略不計(jì)），還有雪崩能量損耗。只要把這些損耗控制在mos承受規(guī)格之內(nèi)，mos即會(huì)正常工作，超出承受范圍，即發(fā)生損壞。而開(kāi)關(guān)損耗往往大于導(dǎo)通狀態(tài)損耗（不同mos這個(gè)差距可能很大。Mos損壞主要原因：過(guò)流----------持續(xù)大電流或瞬間超大電流引起的結(jié)溫過(guò)高而燒毀；過(guò)壓
2021-07-05 07:19:31
導(dǎo)致激烈的米勒震蕩，但過(guò)慢的充電雖減小了震蕩，但會(huì)延長(zhǎng)開(kāi)關(guān)從而增加開(kāi)關(guān)損耗。Mos開(kāi)通過(guò)程源級(jí)和漏級(jí)間等效電阻相當(dāng)于從無(wú)窮大電阻到阻值很小的導(dǎo)通內(nèi)阻（導(dǎo)通內(nèi)阻一般低壓mos只有幾毫歐姆）的一個(gè)轉(zhuǎn)變
2020-06-26 13:11:45
公式計(jì)算：同樣，關(guān)斷損耗的米勒平臺(tái)時(shí)間在關(guān)斷損耗中占主導(dǎo)地位。對(duì)于兩個(gè)不同的MOSFET，如A管和B管，即使A管的Qg和Ciss小于B管的，但如果A管的Crss比B管的大得多時(shí)，A管的開(kāi)關(guān)損耗就有可能
2017-03-06 15:19:01
完全開(kāi)通，只有導(dǎo)通電阻產(chǎn)生的導(dǎo)通損耗，沒(méi)有開(kāi)關(guān)損耗。t1-t2、t2-t3二個(gè)階段，電流和電壓產(chǎn)生重疊交越區(qū)，因此產(chǎn)生開(kāi)關(guān)損耗。同時(shí)，t1-t2和t2-t3二個(gè)階段工作于線性區(qū)，因此功率MOSFET
2017-02-24 15:05:54
如何更加深入理解MOSFET開(kāi)關(guān)損耗？Coss產(chǎn)生開(kāi)關(guān)損耗與對(duì)開(kāi)關(guān)過(guò)程有什么影響？
2021-04-07 06:01:07
如何計(jì)算MOS管的損耗？
2021-11-01 08:02:22
開(kāi)關(guān)MOS的損耗如何計(jì)算？
2021-03-02 08:36:47
極電壓大于G極電壓，MOS管寄生電容Cgd儲(chǔ)存的電量需要在其導(dǎo)通時(shí)注入G極與其中的電荷中和，因MOS管完全導(dǎo)通后G極電壓大于D極電壓。米勒效應(yīng)會(huì)嚴(yán)重增加MOS管的開(kāi)通損耗。(MOS管不能很快得進(jìn)入開(kāi)關(guān)
2018-12-19 13:55:15
就要降低。芯片選型的時(shí)候，選擇芯片工作在輕載和空載情況下會(huì)跳頻（即降低空載和輕載的工作頻率），MOS管要選用低柵荷的，從而降低損耗。 整流管D1損耗包括開(kāi)關(guān)損耗，反向恢復(fù)損耗，導(dǎo)通損耗。整流管選型
2023-03-20 16:59:01
，LLC的諧振電感損耗，同步整流的MOS管損耗。等等。。。針對(duì)這些損耗，適當(dāng)?shù)臏p小可以提升效率。1.針對(duì)MOS管可選用開(kāi)關(guān)速度快的，導(dǎo)通電阻低的，電路上課采用軟開(kāi)關(guān)。2.針對(duì)變壓器：選擇合適大小的磁芯
2018-09-18 09:13:29
導(dǎo)通損耗是指功率管還是二極管的，還是兩者都有？謝謝大神的解答！
2016-01-10 16:24:49
導(dǎo)通（為寄生電容充電）時(shí)出現(xiàn)一次，而當(dāng)它關(guān)閉（為寄生電容放電）時(shí)出現(xiàn)一次。因此，在這兩種情況下估算時(shí)間t3作為MOSFET的上升和下降時(shí)間，您可使用等式4估算開(kāi)關(guān)損耗：開(kāi)關(guān)損耗取決于頻率和輸入電壓
2018-08-30 15:47:38
的阻值啟動(dòng)損耗普通的啟動(dòng)方法，開(kāi)關(guān)電源啟動(dòng)后啟動(dòng)電阻回路未切斷，此損耗持續(xù)存在改善方法：恒流啟動(dòng)方式啟動(dòng)，啟動(dòng)完成后關(guān)閉啟動(dòng)電路降低損耗。與開(kāi)關(guān)電源工作相關(guān)的損耗鉗位電路損耗有放電電阻存在，mos開(kāi)關(guān)管
2021-05-18 06:00:00
時(shí)，MOS管的損耗是不容忽視的一部分。下面將詳細(xì)計(jì)算MOS管的損耗。2. MOS管的損耗來(lái)源2.1 MOS開(kāi)關(guān)損耗MOS在開(kāi)關(guān)電源中用作開(kāi)關(guān)器件，顧名思義，MOS會(huì)經(jīng)常的開(kāi)通和關(guān)斷。由于電壓和電流都是
2021-07-29 06:01:56
是為密勒電容（CGD）充電。在米勒時(shí)刻期間，漏極電流在IOUT端是恒定的，而VDS從VIN開(kāi)始下降。在這段時(shí)間內(nèi)的功率損耗通過(guò)等式2表示：在等式3中加上總開(kāi)關(guān)損耗的結(jié)果：注意，在圖1中，t2比第三個(gè)時(shí)段
2018-06-05 09:39:43
功率器件損耗主要分為哪幾類？什么叫柵極電荷？開(kāi)關(guān)損耗和柵極電荷有什么關(guān)系？
2021-06-18 08:54:19
今天開(kāi)始看電源界神作《開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)》（第3版），發(fā)現(xiàn)第9頁(yè)有個(gè)名詞，叫“交流開(kāi)關(guān)損耗”，不明白是什么意思，有沒(méi)有哪位大蝦知道它的意思?。恐x謝了??！
2013-05-28 16:29:18
詳細(xì)查考的事項(xiàng)，但如果從柵極驅(qū)動(dòng)電路中消除了LSOURCE的影響，則根據(jù)Figure 4中說(shuō)明的原理，開(kāi)關(guān)速度將變快。關(guān)于關(guān)斷，雖然不像導(dǎo)通那樣區(qū)別顯著，但速度同樣也會(huì)變快。－這就意味著開(kāi)關(guān)損耗得到
2020-07-01 13:52:06
使用絕緣柵雙極晶體管（IGBT）。但隨著半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步，碳化硅 （SiC） 金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 （MOSFET） 能夠以比 IGBT 更高的頻率進(jìn)行開(kāi)關(guān)，通過(guò)降低電阻和開(kāi)關(guān)損耗來(lái)提高效率
2022-11-02 12:02:05
圖1：開(kāi)關(guān)損耗讓我們先來(lái)看看在集成高側(cè)MOSFET中的開(kāi)關(guān)損耗。在每個(gè)開(kāi)關(guān)周期開(kāi)始時(shí)，驅(qū)動(dòng)器開(kāi)始向集成MOSFET的柵極供應(yīng)電流。從第1部分，您了解到MOSFET在其終端具有寄生電容。在首個(gè)時(shí)段（圖
2022-11-16 08:00:15
MOS門極功率開(kāi)關(guān)元件的開(kāi)關(guān)損耗受工作電壓、電流、溫度以及門極驅(qū)動(dòng)電阻等因素影響，在測(cè)量時(shí)主要以這些物理量為參變量。但測(cè)量的非理想因素對(duì)測(cè)量結(jié)果影響是值得注意的，
2009-04-08 15:21:32
32 理解功率MOSFET的開(kāi)關(guān)損耗
本文詳細(xì)分析計(jì)算開(kāi)關(guān)損耗，并論述實(shí)際狀態(tài)下功率MOSFET的開(kāi)通過(guò)程和自然零電壓關(guān)斷的過(guò)程，從而使電子工程師知道哪個(gè)參數(shù)起主導(dǎo)作用并
2009-10-25 15:30:593320 為了有效解決金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）在通信設(shè)備直流-48 V緩啟動(dòng)應(yīng)用電路中出現(xiàn)的開(kāi)關(guān)損耗失效問(wèn)題，通過(guò)對(duì)MOSFET 柵極電荷、極間電容的闡述和導(dǎo)通過(guò)程的解剖，定位了MOSFET 開(kāi)關(guān)損耗的來(lái)源，進(jìn)而為緩啟動(dòng)電路設(shè)計(jì)優(yōu)化，減少M(fèi)OSFET的開(kāi)關(guān)損耗提供了技術(shù)依據(jù)。
2016-01-04 14:59:0538 FPGA平臺(tái)實(shí)現(xiàn)最小開(kāi)關(guān)損耗的SVPWM算法
2016-04-13 16:12:1110 基于DSP的最小開(kāi)關(guān)損耗SVPWM算法實(shí)現(xiàn)。
2016-04-18 09:47:497 使用示波器測(cè)量電源開(kāi)關(guān)損耗。
2016-05-05 09:49:380 MOS門極功率開(kāi)關(guān)元件的開(kāi)關(guān)損耗受工作電壓、電流、溫度以及門極驅(qū)動(dòng)電阻等因素影響，在測(cè)量時(shí)主要以這些物理量為參變量。但測(cè)量的非理想因素對(duì)測(cè)量結(jié)果影響是值得注意的，比如常見(jiàn)的管腳引線電感。本文在理論分析和實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)基礎(chǔ)上闡述了各寄生電感對(duì)IGBT開(kāi)關(guān)損耗測(cè)量結(jié)果的影響。
2017-09-08 16:06:5221 MOSFET/IGBT的開(kāi)關(guān)損耗測(cè)試是電源調(diào)試中非常關(guān)鍵的環(huán)節(jié)，但很多工程師對(duì)開(kāi)關(guān)損耗的測(cè)量還停留在人工計(jì)算的感性認(rèn)知上，PFC MOSFET的開(kāi)關(guān)損耗更是只能依據(jù)口口相傳的經(jīng)驗(yàn)反復(fù)摸索，那么該如何量化評(píng)估呢？
2017-11-10 08:56:426345 1、CCM 模式開(kāi)關(guān)損耗
CCM 模式與 DCM 模式的開(kāi)關(guān)損耗有所不同。先講解復(fù)雜 CCM 模式，DCM 模式很簡(jiǎn)單了。
2018-01-13 09:28:578163 
要提高開(kāi)關(guān)電源的效率，就必須分辨和粗略估算各種損耗。開(kāi)關(guān)電源內(nèi)部的損耗大致可分為四個(gè)方面：開(kāi)關(guān)損耗、導(dǎo)通損耗、附加損耗和電阻損耗。
2019-06-20 10:01:294747 一個(gè)高質(zhì)量的開(kāi)關(guān)電源效率高達(dá)95％，而開(kāi)關(guān)電源的損耗大部分來(lái)自開(kāi)關(guān)器件（MOSFET和二極管），所以正確的測(cè)量開(kāi)關(guān)器件的損耗，對(duì)于效率分析是非常關(guān)鍵的。那我們?cè)撊绾螠?zhǔn)確測(cè)量開(kāi)關(guān)損耗呢？
2019-06-26 15:49:45721 一個(gè)高質(zhì)量的開(kāi)關(guān)電源效率高達(dá)95%，而開(kāi)關(guān)電源的損耗大部分來(lái)自開(kāi)關(guān)器件（MOSFET和二極管），所以正確的測(cè)量開(kāi)關(guān)器件的損耗，對(duì)于效率分析是非常關(guān)鍵的。那我們?cè)撊绾螠?zhǔn)確測(cè)量開(kāi)關(guān)損耗呢？
2019-06-27 10:22:081926 一個(gè)高質(zhì)量的開(kāi)關(guān)電源效率高達(dá)95%，而開(kāi)關(guān)電源的損耗大部分來(lái)自開(kāi)關(guān)器件（MOSFET和二極管），所以正確的測(cè)量開(kāi)關(guān)器件的損耗，對(duì)于效率分析是非常關(guān)鍵的。
2019-07-31 16:54:535929 
Mosfet的損耗主要有導(dǎo)通損耗，關(guān)斷損耗，開(kāi)關(guān)損耗，容性損耗，驅(qū)動(dòng)損耗
2020-01-08 08:00:0011 電源工程師們都知道開(kāi)關(guān)MOS在整個(gè)電源系統(tǒng)里面的損耗占比是不小的，開(kāi)關(guān)mos的的損耗我們談及最多的就是開(kāi)通損耗和關(guān)斷損耗，由于這兩個(gè)損耗不像導(dǎo)通損耗或驅(qū)動(dòng)損耗一樣那么直觀，所有有部分人對(duì)于它計(jì)算還有
2021-03-24 09:45:407010 
功率MOSFET的開(kāi)關(guān)損耗分析。
2021-04-16 14:17:0248 一、開(kāi)關(guān)損耗包括開(kāi)通損耗和關(guān)斷損耗兩種。開(kāi)通損耗是指功率管從截止到導(dǎo)通時(shí)所產(chǎn)生的功率損耗；關(guān)斷損耗是指功率管從導(dǎo)通到截止時(shí)所產(chǎn)生的功率損耗。二、開(kāi)關(guān)損耗原理分析：(1)、非理想的開(kāi)關(guān)管在開(kāi)通時(shí)，開(kāi)關(guān)
2021-10-22 10:51:0611 在BUCK型開(kāi)關(guān)電源中，如果沒(méi)有損耗，那效率就是100%，但這是不可能的，BUCK型開(kāi)關(guān)電源中主要的損耗是導(dǎo)通損耗和交流開(kāi)關(guān)損耗，導(dǎo)通損耗主要是指MOS管導(dǎo)通后的損耗和肖特基二極管導(dǎo)通的損耗（是指完
2021-10-22 15:05:5925 電源工程師知道，整個(gè)電源系統(tǒng)中開(kāi)關(guān)MOS的損耗比不小. 討論最多的是導(dǎo)通損耗和關(guān)斷損耗，因?yàn)檫@兩種損耗與傳導(dǎo)損耗或驅(qū)動(dòng)損耗不同，因?yàn)樗苤庇^，所以有些人對(duì)其計(jì)算仍然有些困惑.今天，我們將詳細(xì)分析
2021-10-22 17:35:5953 ，熱損耗極低。 開(kāi)關(guān)設(shè)備極大程度上決定了SMPS的整體性能。開(kāi)關(guān)器件的損耗可以說(shuō)是開(kāi)關(guān)電源中最為重要的一個(gè)損耗點(diǎn)，課件開(kāi)關(guān)損耗測(cè)試是至關(guān)重要的。接下來(lái)普科科技PRBTEK就開(kāi)關(guān)損耗測(cè)試方案中的探頭應(yīng)用進(jìn)行介紹。 上圖使用MSO5配合THDP0200及TCP003
2021-11-23 15:07:571095 電源工程師們都知道開(kāi)關(guān)MOS在整個(gè)電源系統(tǒng)里面的損耗占比是不小的，我們談及最多的就是開(kāi)通損耗和關(guān)斷損耗，由于這兩個(gè)損耗不像導(dǎo)通損耗或驅(qū)動(dòng)損耗一樣那么直觀，所以有部分人對(duì)于它計(jì)算還有些迷茫。
2022-02-10 10:35:2314 MOS管即場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)，屬于壓控型，是一種應(yīng)用非常廣泛的功率型開(kāi)關(guān)元件，在開(kāi)關(guān)電源、逆變器、直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器等設(shè)備中很常見(jiàn)，是電力電子的核心元件。
2022-02-16 16:38:464395 
開(kāi)關(guān)電源內(nèi)部主要損耗要提高開(kāi)關(guān)電源的效率，就必須分辨和粗略估算各種損耗。開(kāi)關(guān)電源內(nèi)部的損耗大致可分為四個(gè)方面：開(kāi)關(guān)損耗、導(dǎo)通損耗、附加損耗和電阻損耗。這些損耗通常會(huì)在有損元器件中同時(shí)出現(xiàn)，下面將分別討論。
2022-03-21 17:31:393727 開(kāi)關(guān)過(guò)程中，穿越線性區(qū)（放大區(qū)）時(shí)，電流和電壓產(chǎn)生交疊，形成開(kāi)關(guān)損耗。其中，米勒電容導(dǎo)致的米勒平臺(tái)時(shí)間，在開(kāi)關(guān)損耗中占主導(dǎo)作用。
2023-01-17 10:21:00978 全SiC功率模塊與現(xiàn)有的IGBT模塊相比，具有1）可大大降低開(kāi)關(guān)損耗、2）開(kāi)關(guān)頻率越高總體損耗降低程度越顯著 這兩大優(yōu)勢(shì)。
2023-02-08 13:43:22673 
從某個(gè)外企的功率放大器的測(cè)試數(shù)據(jù)上獲得一個(gè)具體的感受：導(dǎo)通損耗60W開(kāi)關(guān)損耗251。大概是1:4.5 下面是英飛凌的一個(gè)例子：可知，六個(gè)管子的總功耗是714W這跟我在項(xiàng)目用用的那個(gè)150A的模塊試驗(yàn)測(cè)試得到的總功耗差不多。 導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗大概1:2
2023-02-23 09:26:4915 上一篇文章中探討了同步整流降壓轉(zhuǎn)換器的功率開(kāi)關(guān)--輸出端MOSFET的傳導(dǎo)損耗。本文將探討開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)產(chǎn)生的開(kāi)關(guān)損耗。開(kāi)關(guān)損耗：見(jiàn)文識(shí)意，開(kāi)關(guān)損耗就是開(kāi)關(guān)工作相關(guān)的損耗。在這里使用PSWH這個(gè)符號(hào)來(lái)表示。
2023-02-23 10:40:49623 
全SiC功率模塊與現(xiàn)有的功率模塊相比具有SiC與生俱來(lái)的優(yōu)異性能。本文將對(duì)開(kāi)關(guān)損耗進(jìn)行介紹，開(kāi)關(guān)損耗也可以說(shuō)是傳統(tǒng)功率模塊所要解決的重大課題。
2023-02-24 11:51:28496 
MOSFET的柵極電荷（米勒電容）以及控制IC的驅(qū)動(dòng)能力。本應(yīng)用筆記將詳細(xì)分析導(dǎo)通開(kāi)關(guān)損耗以及選擇開(kāi)關(guān)P溝道MOSFET的標(biāo)準(zhǔn)。
2023-03-10 09:26:35557 
MOS管在電源應(yīng)用中作為開(kāi)關(guān)用時(shí)將會(huì)導(dǎo)致一些不可避免的損耗，這些損耗可以分為兩類。
2023-03-26 16:18:555704 
CCM 模式與 DCM 模式的開(kāi)關(guān)損耗有所不同。先講解復(fù)雜 CCM 模式，DCM 模式很簡(jiǎn)單了。
2023-07-17 16:51:224680 
同步buck電路的mos自舉驅(qū)動(dòng)可以降低mos的開(kāi)關(guān)損耗嗎？ 同步buck電路的MOS自舉驅(qū)動(dòng)可以降低MOS的開(kāi)關(guān)損耗 同步Buck電路是一種常見(jiàn)的DC/DC降壓轉(zhuǎn)換器，它具有高效、穩(wěn)定、可靠的特點(diǎn)
2023-10-25 11:45:14523 使用SiC MOSFET時(shí)如何盡量降低電磁干擾和開(kāi)關(guān)損耗
2023-11-23 09:08:34333 
IGBT元件的損耗總和分為：通態(tài)損耗與開(kāi)關(guān)損耗。開(kāi)關(guān)損耗分別為開(kāi)通損耗(EON)和關(guān)斷損耗(EOFF)之和。
2024-01-12 09:07:171028 
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