MOSFET、600V~1350V溝槽柵場(chǎng)截止型IGBT，相關(guān)核心技術(shù)已獲得多項(xiàng)專利授權(quán)，四大系列產(chǎn)品均獲得江蘇省高新技術(shù)產(chǎn)品認(rèn)定。
l 深圳芯能
成立時(shí)間：2013年
業(yè)務(wù)模式：設(shè)計(jì)
簡(jiǎn)介：深圳芯能半導(dǎo)體
2023-10-16 11:00:14
半導(dǎo)體元器件晶體管領(lǐng)域。功率半導(dǎo)體元器件的特點(diǎn)除了IGBT外，功率半導(dǎo)體元器件（晶體管領(lǐng)域）的代表產(chǎn)品還有MOSFET、BIPOLAR等，它們主要被用作半導(dǎo)體開關(guān)。根據(jù)其分別可支持的開關(guān)速度
2019-05-06 05:00:17
半導(dǎo)體元器件晶體管領(lǐng)域。功率半導(dǎo)體元器件的特點(diǎn)除了IGBT外，功率半導(dǎo)體元器件（晶體管領(lǐng)域）的代表產(chǎn)品還有MOSFET、BIPOLAR等，它們主要被用作半導(dǎo)體開關(guān)。根據(jù)其分別可支持的開關(guān)速度
2019-03-27 06:20:04
投入了許多精力?！ 〉?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體 近年來，金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管(MOSFET)已經(jīng)成為切換電源的主要功率組件，從場(chǎng)效晶體管(FET)、雙極結(jié)型晶體管(BJT)、MOSFET、到絕緣柵雙極型晶體管
2018-10-23 16:12:16
半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)與晶體管工藝原理
2012-08-20 08:37:00
上次我們學(xué)習(xí)了無源元件，今天我們接著來復(fù)習(xí)一下半導(dǎo)體以及使用了半導(dǎo)體的有源元件-二極管、晶體管、FET。
2021-03-03 08:36:01
請(qǐng)問圖片是意法的什么元件，上面的絲印具體信息是什么，有能替代的嗎，查了資料沒找到這個(gè)型號(hào)，謝謝
2022-05-16 23:20:58
，ZRL典型值為±1dps，這些功能適合各種應(yīng)用，特別是在精確運(yùn)動(dòng)檢測(cè)和提高相機(jī)性能方面。該傳感器還支持意法半導(dǎo)體開發(fā)的使用浮點(diǎn)數(shù)學(xué)運(yùn)算將計(jì)步誤差率降低60％的增強(qiáng)版計(jì)步器算法，并集成一個(gè)能夠識(shí)別公共汽車
2018-11-05 14:07:51
Sigfox連網(wǎng)設(shè)備，以快速跟上持續(xù)增長的市場(chǎng)需求?！?佐臻WS211X系列模塊的開發(fā)板采用Arduino界面，便于快速開發(fā)，并且可以與意法半導(dǎo)體MEMS動(dòng)作傳感器、環(huán)境傳感器或光學(xué)傳感器（ToF）等
2018-05-09 15:45:36
中國，2018年2月26日 – 橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）今天宣布與遠(yuǎn)創(chuàng)達(dá)科技公司簽署一份
2018-02-28 11:44:56
新任總裁兼首席執(zhí)行官Jean-Marc Chery任新執(zhí)行委員會(huì)主席中國，2018年6月4日——根據(jù)意法半導(dǎo)體新任總裁兼首席執(zhí)行官Jean-Marc Chery的提議，監(jiān)事會(huì)批準(zhǔn)成立新組建的由
2018-06-04 16:24:42
13日 – 針對(duì)重要的醫(yī)療和工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域，意法半導(dǎo)體采用其經(jīng)過驗(yàn)證的支持單片集成模擬電路（雙極晶體管）、數(shù)字電路（CMOS）和電源（DMOS）電路的BCD8s-SOI制造工藝，推出一款新的尺寸緊湊、性能
2018-08-13 14:18:07
服務(wù)提供商 Sigfox宣布一項(xiàng)技術(shù)合作協(xié)議，以支持并提高市場(chǎng)對(duì)各種應(yīng)用互聯(lián)設(shè)備的需求，包括供應(yīng)鏈管理、樓宇和設(shè)備維護(hù)、水和燃?xì)庥?jì)量、安保、交通、農(nóng)業(yè)、礦業(yè)和家庭自動(dòng)化。意法半導(dǎo)體的開發(fā)工具將整合
2018-03-12 17:17:45
▌峰會(huì)簡(jiǎn)介第五屆意法半導(dǎo)體工業(yè)峰會(huì)即將啟程，現(xiàn)我們敬邀您蒞臨現(xiàn)場(chǎng)，直擊智能熱點(diǎn)，共享前沿資訊，通過意法半導(dǎo)體核心技術(shù)，推動(dòng)加快可持續(xù)發(fā)展計(jì)劃，實(shí)現(xiàn)突破性創(chuàng)新~報(bào)名鏈接：https
2023-09-11 15:43:36
，加強(qiáng)安保，提高靈活性橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）推出新的STM32L5 系列? Cortex
2018-10-17 10:37:12
的硬件和(免費(fèi))注冊(cè)中國，2018年2月9日 —— 橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）今天宣布，包括學(xué)生
2018-02-09 14:08:48
中國， 2018 年 5 月 21 日 —— 橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供貨商意法半導(dǎo)體（ STMicroelectronics ，簡(jiǎn)稱 ST ；紐約證券交易所代碼： STM ） 推出
2018-05-22 11:20:41
有源米勒鉗位選配，提升高速開關(guān)抗干擾能力中國，2018年8月3日——意法半導(dǎo)體的STGAP2S單路電氣隔離柵極驅(qū)動(dòng)器提供26V的最大柵極驅(qū)動(dòng)輸出電壓，準(zhǔn)許用戶選擇獨(dú)立的導(dǎo)通/關(guān)斷輸出或內(nèi)部有源米勒鉗
2018-08-06 14:37:25
意法半導(dǎo)體單片天線匹配 IC系列新增兩款優(yōu)化的新產(chǎn)品，面向BlueNRG-LPS系統(tǒng)芯片(SoC)，以及STM32WB1x 和STM32WB5x*無線MCU。單片天線匹配 IC有助于簡(jiǎn)化射頻電路設(shè)計(jì)
2023-02-13 17:58:36
(STEVAL-LDO001V1)搭載1個(gè)STLQ020和3個(gè)其它型號(hào)低壓差（LDO）穩(wěn)壓器，售價(jià)9.68美元。相關(guān)新聞意法半導(dǎo)體(ST)發(fā)布世界領(lǐng)先的防水壓力傳感器，首張訂單來自三星高性能穿戴式產(chǎn)品奇手(Qeexo
2018-04-10 15:13:05
橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST；紐約證券交易所代碼：STM） 推出汽車級(jí)六軸慣性傳感器ASM330LHH ，為先進(jìn)的車載導(dǎo)航
2018-07-17 16:46:16
中國，2018年10月10日——意法半導(dǎo)體推出了STLINK-V3下一代STM8 和STM32微控制器代碼燒寫及調(diào)試探針，進(jìn)一步改進(jìn)代碼燒寫及調(diào)試靈活性，提高效率。STLINK-V3支持大容量存儲(chǔ)
2018-10-11 13:53:03
`中國，2018年6月22日——意法半導(dǎo)體的VIPer11離線轉(zhuǎn)換器內(nèi)置800V耐雪崩MOSFET，可幫助設(shè)備制造商設(shè)計(jì)更耐用的輔助電源和電源適配器，其26Vdc漏極啟動(dòng)電壓允許超寬的線路輸入電壓
2018-06-25 11:01:49
系統(tǒng)等各種設(shè)備和系統(tǒng)。STM32系列微控制器的制造商意法半導(dǎo)體是世界領(lǐng)先的32位Arm?Cortex?-M-core 微控制器廠商。為加快和促進(jìn)開發(fā)社區(qū)的應(yīng)用開發(fā)，意法半導(dǎo)體建立了一個(gè)強(qiáng)大的軟硬件開發(fā)
2018-07-13 15:52:39
STM32* 微控制器上開發(fā)先進(jìn)的高能效電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的難度。此舉為空調(diào)、家電、無人機(jī)、樓宇自動(dòng)化、機(jī)床、醫(yī)療設(shè)備、電動(dòng)車等產(chǎn)品設(shè)備工程師研發(fā)先進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)帶來更多機(jī)會(huì)，而且無需專門的研發(fā)經(jīng)驗(yàn)?；?b class="flag-6" style="color: red">意法半導(dǎo)體上一代
2018-03-22 14:30:41
意法半導(dǎo)體已將其 STM32Cube.AI 機(jī)器學(xué)習(xí)開發(fā)環(huán)境放入云中，并配有可云訪問的意法半導(dǎo)體MCU板進(jìn)行測(cè)試。這兩個(gè)版本都從TensorFlow，PyTorch或ONNX文件為STM32微控制器
2023-02-14 11:55:49
中國，2018年8月1日——意法半導(dǎo)體的FDA803D 和FDA903D汽車級(jí)數(shù)字輸入音頻放大器功能豐富，有助于簡(jiǎn)化系統(tǒng)集成，最大限度提高車載信息服務(wù)及緊急呼叫設(shè)備和混動(dòng)/電動(dòng)汽車聲學(xué)提示系統(tǒng)
2018-08-02 15:33:58
微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)感測(cè)器制造技術(shù)邁入新里程碑。意法半導(dǎo)體(ST)宣布成功結(jié)合面型微加工(Surface-micromachining)和體型微加工(Bulk-micromachining)制程
2020-05-05 06:36:14
`中國，5月28日—— 橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供貨商意法半導(dǎo)體（ STMicroelectronics ，簡(jiǎn)稱 ST ；紐約證券交易所代碼： STM ）發(fā)布 了2018 年可持續(xù)發(fā)展
2018-05-29 10:32:58
所未有的速度運(yùn)行，大幅提高吞吐量；微步分辨率從?步到1/256步每微步，確保打印表面平滑度領(lǐng)先同級(jí)。3D打印性能實(shí)現(xiàn)如此巨大的飛躍關(guān)鍵在于意法半導(dǎo)體的STSPIN820步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器IC。STSPIN820嵌入
2018-06-11 15:16:38
橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST;)發(fā)布一款創(chuàng)新的顯示屏背光LED控制器芯片。新產(chǎn)品可簡(jiǎn)化手機(jī)與其它便攜電子產(chǎn)品的電路設(shè)計(jì)，為
2011-11-24 14:57:16
晶體管分類 按半導(dǎo)體材料和極性分類 按晶體管使用的半導(dǎo)體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體管的極性可分為鍺NPN型晶體管、鍺PNP晶體管、硅NPN型晶體管和硅PNP型晶體管。 按結(jié)構(gòu)
2010-08-12 13:59:33
？
再者在場(chǎng)效應(yīng)管這種單極性導(dǎo)電半導(dǎo)體中，為什么只是有一種離子導(dǎo)電，而非兩種離子，不像晶體管那種兩種離子導(dǎo)電，請(qǐng)問這是為什么？同樣對(duì)于場(chǎng)效應(yīng)管也有上面的問題？
2024-02-21 21:39:24
不同分類角度，有幾種不同的分類方法。在這里，從結(jié)構(gòu)和工藝方面粗略地分類如下。其中，本篇的主題“功率類”加粗/涂色表示。雙極晶體管和MOSFET中，分功率型和小信號(hào)型，IGBT原本是為處理大功率而開發(fā)
2018-11-28 14:29:28
和小信號(hào)型，IGBT原本是為處理大功率而開發(fā)的晶體管，因此基本上僅有功率型。 順便提一下，MOSFET為Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
2020-06-09 07:34:33
現(xiàn)代社會(huì)帶來了巨大的影響。2. 從鍺到硅最初，晶體管是由鍺（半導(dǎo)體）做成的。但是，鍺具有在80°C左右時(shí)發(fā)生損壞的缺點(diǎn)，因此現(xiàn)在幾乎都使用硅。硅是可以耐180°C左右熱度的物質(zhì)。3. 晶體管的作用
2019-05-05 00:52:40
集中制造在一塊很小的硅片上，封裝成一個(gè)獨(dú)立的元件.晶體管是半導(dǎo)體三極管中應(yīng)用最廣泛的器件之一，在電路中用“V”或“VT”（舊文字符號(hào)為“Q”、“GB”等）表示。 晶體管被認(rèn)為是現(xiàn)代歷史中最偉大的發(fā)明
2010-08-12 13:57:39
電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST；紐約證券交易所代碼：STM)于今日聯(lián)合宣布，將在意法半導(dǎo)體的ST Telemaco3P STA1385車載信息
2018-11-05 14:09:44
芯片，加快硅上氮化鎵在主流市場(chǎng)上的應(yīng)用。意法半導(dǎo)體和MACOM為提高意法半導(dǎo)體CMOS晶圓廠的硅上氮化鎵產(chǎn)量而合作多年，按照目前時(shí)間安排，意法半導(dǎo)體預(yù)計(jì)2018年開始量產(chǎn)樣片。 MACOM公司總裁
2018-02-12 15:11:38
MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-EffectTransistor）是金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的縮寫，也叫場(chǎng)效應(yīng)管，是一種由運(yùn)算器的基礎(chǔ)構(gòu)成
2023-03-08 14:13:33
1.MOSFET的速度比晶體管或IGBT快。2.MOSFET的過電流適中；晶體管是一個(gè)流控流型的，要使集電極上的電流增大，基極上的電流就要增大，但是基極上的電流是無用的。IGBT一般使用在大電流的場(chǎng)景。...
2021-10-29 08:28:40
電壓能力相結(jié)合。IGBT將用于控制輸入的隔離柵極FET和作為單個(gè)器件中開關(guān)的雙極型功率晶體管組合在一起。安森美半導(dǎo)體推出TO247-4L IGBT系列，具有強(qiáng)大且經(jīng)濟(jì)實(shí)惠的Field StopII
2020-07-07 08:40:25
一、引言PNP 晶體管是雙極結(jié)型晶體管（BJT）。PNP晶體管具有與NPN晶體管完全不同的結(jié)構(gòu)。在PNP晶體管結(jié)構(gòu)中，兩個(gè)PN結(jié)二極管相對(duì)于NPN晶體管反轉(zhuǎn)，使得兩個(gè)P型摻雜半導(dǎo)體材料被一層薄薄的N
2023-02-03 09:44:48
STM32系列打造意法半導(dǎo)體核心戰(zhàn)略產(chǎn)品
2012-07-31 21:36:53
Degauque表示：“意法半導(dǎo)體高射頻性能的NFC方案最大限度地提高了工程師在新產(chǎn)品設(shè)計(jì)時(shí)的自由空間和靈活度。通過充分利用這一靈活性， NFC在Alcatel 3V智能手機(jī)上的集成過程被有效簡(jiǎn)化
2018-06-11 15:22:25
的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）與世界領(lǐng)先的獨(dú)立定位技術(shù)專家TomTom (TOM2)公司，宣布在意法半導(dǎo)體STM32* 開放式開發(fā)
2018-09-07 11:12:27
系統(tǒng)芯片的集成度達(dá)到空前水平，意法半導(dǎo)體擁有20多年的這能電表技術(shù)沉淀， PLC和智能電表芯片出貨量逾600萬個(gè)。 相關(guān)新聞意法半導(dǎo)體(ST)電力線通信芯片組解決方案為新智能電力基礎(chǔ)設(shè)施的推出鋪平道路
2018-03-08 10:17:35
晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，可以用于檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制和許多其它功能
2010-08-13 11:36:51
ST意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體擁有48,000名半導(dǎo)體技術(shù)的創(chuàng)造者和創(chuàng)新者，掌握半導(dǎo)體供應(yīng)鏈和先進(jìn)的制造設(shè)備。作為一家半導(dǎo)體垂直整合制造商(IDM)，意法半導(dǎo)體與二十多萬家客戶、成千上萬名合作伙伴一起研發(fā)
2022-12-12 10:02:34
晶閘管）、IGCT（集成門極換流晶閘管）、IEGT（電子注入增強(qiáng)柵晶體管）、IPEM（集成電力電子模塊）、PEBB（電力電子積木）等。圖表2 功率半導(dǎo)體器件分類方式及代表類型（來源：電力電子技術(shù)
2019-02-26 17:04:37
，更不會(huì)增加閃爍或改變顏色。新Neonode系列觸控傳感器采用意法半導(dǎo)體的可編程混合信號(hào)定制系統(tǒng)芯片(SoC)和STM32 Arm? Cortex?微控制器控制掃描激光二極管和IR光束，以確定手指、手或
2018-02-06 15:44:03
本帖最后由 o_dream 于 2020-9-4 08:45 編輯
今天給大家?guī)淼氖?b class="flag-6" style="color: red">意法半導(dǎo)體STM32系列以及STM8系列MCU的一些介紹和相關(guān)的資料手冊(cè)，希望大家在這里能找到自己想要
2020-09-03 22:34:17
用于高頻電路。砷化鎵組件在高頻、高功率、高效率、低噪聲指數(shù)的電氣特性均遠(yuǎn)超過硅組件，空乏型砷化鎵場(chǎng)效晶體管(MESFET)或高電子遷移率晶體管(HEMT/PHEMT)，在3 V 電壓操作下可以有80
2019-07-29 07:16:49
晶體管是通常用于放大器或電控開關(guān)的半導(dǎo)體器件。晶體管是調(diào)節(jié)計(jì)算機(jī)、移動(dòng)電話和所有其他現(xiàn)代電子電路運(yùn)行的基本構(gòu)件。由于其高響應(yīng)和高精度，晶體管可用于各種數(shù)字和模擬功能，包括放大器、開關(guān)、穩(wěn)壓器、信號(hào)
2023-02-03 09:36:05
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對(duì)特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受嚴(yán)重的失配，即使在滿輸出電平時(shí)也是如此?，F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 08:14:59
、伊朗和南非）。 全系產(chǎn)品完全符合相關(guān)法規(guī)要求，尺寸精細(xì)，而且質(zhì)量絕佳。光寶全系列的 Sigfox 認(rèn)證模塊都集成了兼具模塊性能和效能的 S2-LP sub-1GHz 射頻收發(fā)器，以及意法半導(dǎo)體
2018-07-13 11:59:12
的規(guī)則，則可以互換使用NPN和PNP晶體管。雙極晶體管實(shí)際上是兩個(gè)背靠背連接的二極管，基極用作公共連接。PNP 結(jié)點(diǎn)如何工作？PNP晶體管是由夾在兩個(gè)P型半導(dǎo)體之間的N型半導(dǎo)體組成的雙極結(jié)型晶體管
2023-02-03 09:45:56
和公交地鐵票務(wù)。出門問問一直將改善用戶體驗(yàn)、提高操作便利性放在首要位置。其TicWatch Pro系列旗艦智能手表集成了意法半導(dǎo)體ST21NFCDNFC控制器，通過ST 獨(dú)有的NFC技術(shù)，可確保在維持高射
2018-07-13 13:06:48
功率半導(dǎo)體器件以功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(功率MOSFET，常簡(jiǎn)寫為功率MOS)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)以及功率集成電路(power IC，常簡(jiǎn)寫為PIC)為主。
2020-04-07 09:00:54
常用的半導(dǎo)體元件還有利用一個(gè)PN結(jié)構(gòu)成的具有負(fù)阻特性的器件一單結(jié)晶體管，請(qǐng)問這個(gè)單結(jié)晶體管是什么？能夠?qū)崿F(xiàn)負(fù)阻特性？
2024-01-21 13:25:27
滿足電機(jī)控制的需求，意法半導(dǎo)體以SLLIMM-nano系列產(chǎn)品形式提供多種功率開關(guān)技術(shù)。 3.1. 內(nèi)置續(xù)流二極管的IGBT SLLIMM-nano系列產(chǎn)品所用的600 V IGBT采用意法半導(dǎo)體
2018-11-20 10:52:44
晶體管開關(guān)對(duì)電子產(chǎn)品至關(guān)重要。了解晶體管開關(guān)，從其工作區(qū)域到更高級(jí)的特性和配置?！ ?b class="flag-6" style="color: red">晶體管開關(guān)對(duì)于低直流開/關(guān)開關(guān)的電子設(shè)備至關(guān)重要，其中晶體管在其截止或飽和狀態(tài)下工作。一些電子設(shè)備（如 LED
2023-02-20 16:35:09
中國，2018年8月8日——意法半導(dǎo)體推出符合LoRa-Alliance最新標(biāo)準(zhǔn)的LoRaWAN 1.0.3軟件更新包，使STM32系列微控制器的I-CUBE-LRWAN擴(kuò)展軟件包保持最新、更加安全
2018-08-08 17:09:16
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
IGBT是由哪些部分組成的？絕緣柵雙極型晶體管IGBT有哪些特點(diǎn)？如何去使用絕緣柵雙極型晶體管IGBT呢？
2021-11-02 06:01:06
絕緣柵雙極晶體管（IGBT）有哪些應(yīng)用呢？如何去實(shí)現(xiàn)絕緣柵雙極晶體管（IGBT）的電磁兼容設(shè)計(jì)呢？
2022-01-14 07:02:41
本應(yīng)用筆記為將意法半導(dǎo)體環(huán)境傳感器 （氣壓、濕度、紫外線傳感器）成功集成到Linux/Android 操作系統(tǒng)提供指南。
2023-09-05 06:08:58
半導(dǎo)體陣容的包括用于主逆變器的650 V至1200V IGBT、1200 V SiC二極管、用于充電器的650 V超級(jí)結(jié)MOSFET、用于48V系統(tǒng)的80 V至200 V極低RDSon（< 1m
2018-10-25 08:53:48
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對(duì)特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受嚴(yán)重的失配，即使在滿輸出電平時(shí)也是如此?，F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 06:13:27
，掌握它們的特性和參數(shù)。本章從討論半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性和PN 結(jié)的單向?qū)щ娦蚤_始，分別介紹二極管、雙極型晶體管、絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管和半導(dǎo)體光電器件等常用的半導(dǎo)體元器件。喜歡的頂一頂，介紹的非常詳細(xì)哦。。。。[此貼子已經(jīng)被作者于2008-5-24 11:05:21編輯過]
2008-05-24 10:29:38
到底什么是 IGBT？ IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極 型晶體管，是由晶體三極管和 MOS 管組成的復(fù)合型半導(dǎo)體器 件。IGBT 作為
2021-02-24 10:33:18
的IO-Link，能更好地幫助設(shè)備互聯(lián)互通。 傳感與數(shù)據(jù)處理：作為MEMS和傳感器技術(shù)創(chuàng)新、生產(chǎn)及應(yīng)用方面的領(lǐng)導(dǎo)者，意法半導(dǎo)體能夠提供多種產(chǎn)品和定制化解決方案，以滿足客戶的不同需求。本次展會(huì)意法半導(dǎo)體將
2018-06-28 10:59:23
都不是實(shí)質(zhì)問題?；貋砗?，我偶然中發(fā)現(xiàn)了這個(gè)秘密。原來是有一個(gè)叫陳××的教授，在《電子節(jié)能燈與電子鎮(zhèn)流器的原理和制造》一書中介紹了深愛半導(dǎo)體生產(chǎn)的BLD系列晶體管具有抗飽和防燒毀的功能，許多客戶的工程技術(shù)人員都在學(xué)習(xí)這本書，所以引起了市場(chǎng)的共鳴。
2009-12-17 10:27:07
晶體管的半導(dǎo)體的電流由空穴（正極性）和電子（負(fù)極性）產(chǎn)生。一般而言的晶體管是指這種由硅構(gòu)成的晶體管。FETField Effect Transistor的簡(jiǎn)稱，是指場(chǎng)效應(yīng)晶體管。有接合型FET和MOS型
2019-05-05 01:31:57
大家好，首次發(fā)帖。本人為意法半導(dǎo)體工程師，因?yàn)橄旅嬉粋€(gè)molding工程師要辭職，繼續(xù)補(bǔ)充新鮮血液。要求：一.熟悉molding制程，需特別熟悉molding compound的性能為佳。二.2年
2012-02-15 11:42:53
小弟物理學(xué)本科應(yīng)聘到深圳賽意法，想從事半導(dǎo)體封裝這個(gè)行業(yè)，這家公司怎么樣？
2013-06-14 19:24:04
意法半導(dǎo)體擁有最先進(jìn)的平面工藝，并且會(huì)隨著G4不斷改進(jìn)：? 導(dǎo)通電阻約比G3低15%? 工作頻率接近1 MHz? 成熟且穩(wěn)健的工藝? 吞吐量、設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單性、可靠性、經(jīng)驗(yàn)…? 適用于汽車的高生產(chǎn)率
2023-09-08 06:33:00
電子產(chǎn)品中，近年來逐漸被晶體管和集成電路所取代，但目前在一些高保真音響器材中，仍然使用電子管作為音頻功率放大器件?！ 《?b class="flag-6" style="color: red">晶體管是一種固體半導(dǎo)體器件，可以用于檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制和許多
2016-01-26 16:52:08
受益于集成器件保護(hù)，直接驅(qū)動(dòng)GaN器件可實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān)電源效率和更佳的系統(tǒng)級(jí)可靠性。高電壓（600V）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的開關(guān)特性可實(shí)現(xiàn)提高開關(guān)模式電源效率和密度的新型
2020-10-27 06:43:42
專利和商標(biāo)局注冊(cè)。相關(guān)新聞意法半導(dǎo)體的新STM32探索套件簡(jiǎn)化移動(dòng)網(wǎng)至云端連接，并提供免費(fèi)試用的第三方服務(wù)意法半導(dǎo)體(ST)新系列STM32L4+微控制器讓下一代智能產(chǎn)品“吃得少，干得多”意法半導(dǎo)體
2018-07-09 10:17:50
絕緣柵雙極晶體管IGBT又叫絕緣柵雙極型晶體管。一．絕緣柵雙極晶體管IGBT的工作原理： 半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)分析略。本講義附加了相關(guān)資料，供感興趣
2009-05-12 20:44:23
絕緣柵雙級(jí)晶體管IGBT
2012-08-20 09:46:02
的半導(dǎo)體開關(guān)器件。IGBT 晶體管采用了這兩種類型的晶體管的最好的部分，高輸入阻抗和高開關(guān)速度的 MOSFET 與低飽和電壓的雙極性晶體管，并結(jié)合在一起，產(chǎn)生另一種晶體管開關(guān)設(shè)備，能夠處理大集
2022-04-29 10:55:25
進(jìn)一步減少所需的組件?！ {借英飛凌50V LDMOS功率晶體管技術(shù)，PTVA127002EV展現(xiàn)出了極高的能效：利用300微秒10%占空比脈沖進(jìn)行測(cè)量，在1200 MHz~1400 MHz波段下
2018-11-29 11:38:26
意法半導(dǎo)體官方的庫怎么搞？求解答
2021-12-15 07:31:43
ADCSTM32H725ZGT6，V 18664341585,ST/意法半導(dǎo)體，Arm?Cortex?-M7 32位550 MHz MCU，最高1 MB閃存，564
2023-10-16 15:52:51
柵雙極晶體管」。 IGBT晶體管是半導(dǎo)體器件的一種，主要被用于電動(dòng)汽車、鐵路機(jī)車及動(dòng)車組的交流電電動(dòng)機(jī)的輸出控制等領(lǐng)域。 IGBT晶體管是由BJT（雙極型晶體或雙極性晶體管，俗稱三極管）和MOSFET（絕緣
2021-02-03 17:37:15
11198 柵型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件。
2023-05-20 15:19:12583 
絕緣柵雙極晶體管也簡(jiǎn)稱為IGBT ，是傳統(tǒng)雙極結(jié)型晶體管(BJT) 和場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)的交叉體，使其成為理想的半導(dǎo)體開關(guān)器件。
2023-09-06 15:12:291491 
意法半導(dǎo)體新系列 IGBT晶體管將擊穿電壓提高到 1350V，最高工作溫度拓寬到175°C，更高的額定值確保晶體管在所有工作條件下具有更大的設(shè)計(jì)余量、耐變性能和更長久的可靠性。
2023-09-12 10:38:00483 2023 年 9 月 11 日，中國 – 意法半導(dǎo)體新系列 IGBT晶體管將擊穿電壓提高到 1350V，最高工作溫度拓寬到175°C，更高的額定值確保晶體管在所有工作條件下具有更大的設(shè)計(jì)余量、耐變性能和更長久的可靠性。
2023-09-12 10:39:11595 如何去識(shí)別IGBT絕緣柵雙極型晶體管呢？ IGBT絕緣柵雙極型晶體管是一種功率半導(dǎo)體器件，結(jié)合了雙極型晶體管（BJT）和場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）的特點(diǎn)。IGBT通常用于高電壓和高電流應(yīng)用，例如工業(yè)
2024-01-12 11:18:10350
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