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電子發(fā)燒友網(wǎng)>模擬技術(shù)>探討碳化硅功率器件的工作原理、優(yōu)勢(shì)、應(yīng)用場(chǎng)景

探討碳化硅功率器件的工作原理、優(yōu)勢(shì)、應(yīng)用場(chǎng)景

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碳化硅功率器件,助力OBC提升功率密度降低重量,讓新能源汽車充電更快,續(xù)航更長
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碳化硅功率器件封裝關(guān)鍵技術(shù)

流及更高的工作溫度,抗輻照能力得到提升;碳化硅材料擊穿電場(chǎng)是硅的 10 倍,因此,其器件可設(shè)計(jì)更高的摻雜濃度及更薄的外延厚度,與相同電壓等級(jí)的硅功率器件相比,導(dǎo)通電阻更低;碳化硅具有高電子飽和速度的特性
2022-11-12 10:01:261315

碳化硅器件介紹與仿真

本推文主要介碳化硅器件,想要入門碳化硅器件的同學(xué)可以學(xué)習(xí)了解。
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科銳實(shí)現(xiàn)50A碳化硅功率器件技術(shù)突破!

  科銳實(shí)現(xiàn)50A碳化硅功率器件技術(shù)突破,為更多大功率應(yīng)用帶來更高效率和更低成本,包括1700V碳化硅MOSFET器件在內(nèi)的科銳大功率碳化硅MOSFET器件降低電力電子系統(tǒng)成本并提升能效
2012-05-10 09:27:161086

650V/1200V碳化硅肖特基二極管如何選型

  碳化硅(SiC)具有禁帶寬度大、擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度高、飽和電子漂移速度高、熱導(dǎo)率大、介電常數(shù)小、抗輻射能力強(qiáng)、化學(xué)穩(wěn)定性良好等特點(diǎn),被認(rèn)為是制作高溫、高頻、大功率和抗輻射器件極具潛力的寬帶隙半導(dǎo)體材料
2020-09-24 16:22:14

功率模塊中的完整碳化硅性能怎么樣?

  本文重點(diǎn)介紹賽米控碳化硅功率模塊中的性能,特別是SEMITRANS 3模塊和SEMITOP E2無基板模塊。  分立器件(如 TO-247)是將碳化硅集成到各種應(yīng)用中的第一步,但對(duì)于更強(qiáng)大和更
2023-02-20 16:29:54

碳化硅(SiC)肖特基二極管的特點(diǎn)

,因此碳化硅功率器件有低的結(jié)到環(huán)境的熱阻。  (4)碳化硅器件工作在高溫,碳化硅器件已有工作在600oC的報(bào)道,而硅器件的最大工作溫度僅為150oC.  (5)碳化硅具有很高的抗輻照能力?! ?6
2019-01-11 13:42:03

碳化硅功率器件可靠性之芯片研發(fā)及封裝篇

要求。測(cè)試新品器件是否合規(guī)比較容易,但判斷器件的物理特征是否會(huì)隨時(shí)間和環(huán)境而變化比較麻煩。本文將從碳化硅芯片研發(fā)和封裝方面探討可靠性問題。  芯片研發(fā)環(huán)節(jié)的可靠性測(cè)試  衡量可靠性可以從器件的故障率入手
2023-02-28 16:59:26

碳化硅器件是如何組成逆變器的?

進(jìn)一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13

碳化硅器件的特點(diǎn)是什么

今天我們來聊聊碳化硅器件的特點(diǎn)
2021-03-16 08:00:04

碳化硅SiC技術(shù)導(dǎo)入應(yīng)用的最大痛點(diǎn)

。  功率半導(dǎo)體就是這樣。在首度商業(yè)化時(shí),碳化硅的創(chuàng)新性和較新的顛覆性技術(shù)必然很昂貴,盡管認(rèn)識(shí)到了與硅基產(chǎn)品(如IGBT和Si-MOSFET)相比的潛在優(yōu)勢(shì),大多數(shù)工程師還是把它放在了“可有可無”的清單
2023-02-27 14:28:47

碳化硅二極管選型表

反向恢復(fù)電流,其關(guān)斷過程很快,開關(guān)損耗很小。由于碳化硅材料的臨界雪崩擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度較高,可以制作出超過1000V的反向擊穿電壓。在3kV以上的整流器應(yīng)用領(lǐng)域,由于SiC PiN二極管與Si器件相比具有更快
2019-10-24 14:21:23

碳化硅半導(dǎo)體器件有哪些?

  由于碳化硅具有不可比擬的優(yōu)良性能,碳化硅是寬禁帶半導(dǎo)體材料的一種,主要特點(diǎn)是高熱導(dǎo)率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場(chǎng)強(qiáng)等,因此被應(yīng)用于各種半導(dǎo)體材料當(dāng)中,碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關(guān)管
2020-06-28 17:30:27

碳化硅壓敏電阻 - 氧化鋅 MOV

和發(fā)電機(jī)繞組以及磁線圈中的高關(guān)斷電壓。 棒材和管材EAK碳化硅壓敏電阻 這些EAK非線性電阻壓敏電阻由碳化硅制成,具有高功率耗散和高能量吸收。該系列采用棒材和管材制造,外徑范圍為 6 至 30
2024-03-08 08:37:49

碳化硅基板——三代半導(dǎo)體的領(lǐng)軍者

泛的寬禁帶半導(dǎo)體材料之一,憑借碳化硅(SiC)陶瓷材料自身優(yōu)異的半導(dǎo)體性能,在各個(gè)現(xiàn)代工業(yè)領(lǐng)域發(fā)揮重要革新作用。是高溫、高頻、抗輻射、大功率應(yīng)用場(chǎng)合下極為理想的半導(dǎo)體材料。由于碳化硅功率器件可顯著降低
2021-01-12 11:48:45

碳化硅深層的特性

碳化硅的顏色,純凈者無色透明,含雜質(zhì)(碳、硅等)時(shí)呈藍(lán)、天藍(lán)、深藍(lán),淺綠等色,少數(shù)呈黃、黑等色。加溫至700℃時(shí)不褪色。金剛光澤。比重,具極高的折射率, 和高的雙折射,在紫外光下發(fā)黃、橙黃色光,無
2019-07-04 04:20:22

碳化硅混合分立器件 IGBT

和 DC-AC 變流器等。集成式快速開關(guān) 50A IGBT 的關(guān)斷性能優(yōu)于純硅解決方案,可與 MOSFET 媲美。較之常規(guī)的碳化硅 MOSFET,這款即插即用型解決方案可縮短產(chǎn)品上市時(shí)間,能以更低成本實(shí)現(xiàn) 95
2021-03-29 11:00:47

碳化硅的歷史與應(yīng)用介紹

的化學(xué)惰性? 高導(dǎo)熱率? 低熱膨脹這些高強(qiáng)度、較持久耐用的陶瓷廣泛用于各類應(yīng)用,如汽車制動(dòng)器和離合器,以及嵌入防彈背心的陶瓷板。碳化硅也用于在高溫和/或高壓環(huán)境中工作的半導(dǎo)體電子設(shè)備,如火焰點(diǎn)火器、電阻加熱元件以及惡劣環(huán)境下的電子元器件。
2019-07-02 07:14:52

碳化硅的應(yīng)用

碳化硅作為現(xiàn)在比較好的材料,為什么應(yīng)用的領(lǐng)域會(huì)受到部分限制呢?
2021-08-19 17:39:39

碳化硅肖特基二極管技術(shù)演進(jìn)解析

  01  碳化硅材料特點(diǎn)及優(yōu)勢(shì)  碳化硅作為寬禁帶半導(dǎo)體的代表性材料之一,其材料本征特性與硅材料相比具有諸多優(yōu)勢(shì)。以現(xiàn)階段最適合用于做功率半導(dǎo)體的4H型碳化硅材料為例,其禁帶寬度是硅材料的3倍
2023-02-28 16:55:45

碳化硅肖特基二極管的基本特征分析

?! ∠鄬?duì)應(yīng)的,硅材料的禁帶寬度較低,在較低的溫度下硅器件本征載流子濃度較高,而高的漏電流會(huì)造成熱擊穿,這限制了器件在高溫環(huán)境和大功率耗散條件下工作?! ?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅肖特基二極管與硅快速恢復(fù)二極管  耐壓
2023-02-28 16:34:16

碳化硅陶瓷線路板,半導(dǎo)體功率器件的好幫手

材料的兩倍以上。因此,SiC所能承受的溫度更高,一般而言,使用碳化硅(SiC)陶瓷線路板的功率器件所能達(dá)到的最大工作溫度可到600 C。2) 高阻斷電壓與Si材料相比,SiC的擊穿場(chǎng)強(qiáng)是Si的十倍多
2021-03-25 14:09:37

CISSOID碳化硅驅(qū)動(dòng)芯片

哪位大神知道CISSOID碳化硅驅(qū)動(dòng)芯片有幾款,型號(hào)是什么
2020-03-05 09:30:32

SIC碳化硅二極管

SIC碳化硅二極管
2016-11-04 15:50:11

TGF2023-2-10碳化硅晶體管

科技有限公司TGF2023-2-10對(duì)碳化硅器件由DC至14 GHz的離散10毫米甘。在3 GHz的tgf2023-2-10通常提供47.4 dBm的功率增益為19.8 dB的飽和輸出功率。最大功率附加效率為
2018-06-12 10:22:42

TGF2023-2-10碳化硅晶體管銷售

TGF2023-2-10對(duì)碳化硅器件由DC至14 GHz的離散10毫米甘。在3 GHz的tgf2023-2-10通常提供47.4 dBm的功率增益為19.8 dB的飽和輸出功率。功率附加效率為69.5%,這使
2018-11-15 11:59:01

TO-247封裝碳化硅MOSFET引入輔助源極管腳的必要性

通損耗一直是功率半導(dǎo)體行業(yè)的不懈追求?! ∠噍^于傳統(tǒng)的硅MOSFET和硅IGBT 產(chǎn)品,基于寬禁帶碳化硅材料設(shè)計(jì)的碳化硅 MOSFET 具有耐壓高、導(dǎo)通電阻低,開關(guān)損耗小的特點(diǎn),可降低器件損耗、減小
2023-02-27 16:14:19

【羅姆BD7682FJ-EVK-402試用體驗(yàn)連載】基于碳化硅功率器件的永磁同步電機(jī)先進(jìn)驅(qū)動(dòng)技術(shù)研究

項(xiàng)目名稱:基于碳化硅功率器件的永磁同步電機(jī)先進(jìn)驅(qū)動(dòng)技術(shù)研究試用計(jì)劃:申請(qǐng)理由:碳化硅作為最典型的寬禁帶半導(dǎo)體材料,近年來被越來越廣泛地用于高頻高溫的工作場(chǎng)合。為了提高永磁同步電機(jī)伺服控制系統(tǒng)的性能
2020-04-21 16:04:04

什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?

什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?碳化硅(SiC)的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的?
2021-06-18 08:32:43

傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)

傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導(dǎo)體電力電子器件的誕生,以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導(dǎo)體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11

創(chuàng)能動(dòng)力推出碳化硅二極管ACD06PS065G

,獲得華大半導(dǎo)體有限公司投資,創(chuàng)能動(dòng)力致力于開發(fā)以硅和碳化硅為基材的功率電子器件功率模塊,并商品化提供解決方案。碳化硅使用在氮化鎵電源中,可實(shí)現(xiàn)相比硅元器件更高的工作溫度,實(shí)現(xiàn)雙倍的功率密度,更小
2023-02-22 15:27:51

圖騰柱無橋PFC中混合碳化硅分立器件的應(yīng)用

功率半導(dǎo)體器件選型,并給出性能和成本平衡的混合碳化硅分立器件解決方案?! ?2  圖騰柱無橋PFC拓?fù)浞治觥 ≡谡胫芷冢╒AC大于0)的時(shí)候,T2為主開關(guān)管。  當(dāng)T2開通時(shí),電感L儲(chǔ)能,電流
2023-02-28 16:48:24

在開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器中充分利用碳化硅器件的性能優(yōu)勢(shì)

MOSFET之所以有如此的大吸引力,在于與它們具有比硅器件更出眾的可靠性,在持續(xù)使用內(nèi)部體二極管的連續(xù)導(dǎo)通模式(CCM)功率因數(shù)校正(PFC)設(shè)計(jì),例如圖騰功率因數(shù)校正器的硬開關(guān)拓?fù)渲校?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅
2023-03-14 14:05:02

基于碳化硅MOSFET的20KW高效LLC諧振隔離DC/DC變換器方案研究

)。給出了本設(shè)計(jì)主要參數(shù)指標(biāo),其中輸出最大電流為35A,輸出電壓范圍在300V-550之間。工作頻率范圍在150KHZ-400KHZ之間。目標(biāo)最高效率超過98.4%,功率密度達(dá)到60瓦/立方英寸。碳化硅
2016-08-05 14:32:43

應(yīng)用于新能源汽車的碳化硅半橋MOSFET模塊

  采用溝槽型、低導(dǎo)通電阻碳化硅MOSFET芯片的半橋功率模塊系列  產(chǎn)品型號(hào)  BMF600R12MCC4  BMF400R12MCC4  汽車級(jí)全碳化硅半橋MOSFET模塊Pcore2
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歸納碳化硅功率器件封裝的關(guān)鍵技術(shù)

摘要: 碳化硅(silicon carbide,SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件,具有耐高壓、高溫,導(dǎo)通電阻低,開關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)。如何充分發(fā)揮碳化硅器件的這些優(yōu)勢(shì)性能則給封裝技術(shù)帶來了新的挑戰(zhàn)
2023-02-22 16:06:08

新型電子封裝熱管理材料鋁碳化硅

新型材料鋁碳化硅解決了封裝中的散熱問題,解決各行業(yè)遇到的各種芯片散熱問題,如果你有類似的困惑,歡迎前來探討,鋁碳化硅做封裝材料的優(yōu)勢(shì)它有高導(dǎo)熱,高剛度,高耐磨,低膨脹,低密度,低成本,適合各種產(chǎn)品的IGBT。我西安明科微電子材料有限公司的趙昕。歡迎大家有問題及時(shí)交流,謝謝各位!
2016-10-19 10:45:41

淺談硅IGBT與碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)的區(qū)別

小于5ns;  · 選用低傳輸延時(shí),上升下降時(shí)間短的推挽芯片?! 】傊?,相比于硅IGBT,碳化硅MOSFET在提升系統(tǒng)效率、功率密度和工作溫度的同時(shí),對(duì)于驅(qū)動(dòng)器也提出了更高要求,為了讓碳化硅
2023-02-27 16:03:36

電動(dòng)汽車的全新碳化硅功率模塊

面向電動(dòng)汽車的全新碳化硅功率模塊 碳化硅在電動(dòng)汽車應(yīng)用中代表著更高的效率、更高的功率密度和更優(yōu)的性能,特別是在800 V 電池系統(tǒng)和大電池容量中,它可提高逆變器的效率,從而延長續(xù)航里程或降低電池成本
2021-03-27 19:40:16

被稱為第三代半導(dǎo)體材料的碳化硅有著哪些特點(diǎn)

是寬禁帶半導(dǎo)體材料的一種,主要特點(diǎn)是高熱導(dǎo)率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場(chǎng)強(qiáng)等,因此被應(yīng)用于各種半導(dǎo)體材料當(dāng)中,碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關(guān)管。功率二極管包括結(jié)勢(shì)壘肖特基(JBS)二極管
2023-02-20 15:15:50

請(qǐng)教碳化硅刻蝕工藝

最近需要用到干法刻蝕技術(shù)去刻蝕碳化硅,采用的是ICP系列設(shè)備,刻蝕氣體使用的是SF6+O2,碳化硅上面沒有做任何掩膜,就是為了去除SiC表面損傷層達(dá)到表面改性的效果。但是實(shí)際刻蝕過程中總是會(huì)在碳化硅
2022-08-31 16:29:50

降低碳化硅牽引逆變器的功率損耗和散熱

IGBT 的三相電機(jī)半橋的高側(cè)和低側(cè)功率級(jí),并能夠監(jiān)控和保護(hù)各種故障情況。圖1:電動(dòng)汽車牽引逆變器框圖碳化硅 MOSFET 米勒平臺(tái)和高強(qiáng)度柵極驅(qū)動(dòng)器的優(yōu)勢(shì)特別是對(duì)于SiC MOSFET,柵極驅(qū)動(dòng)器IC
2022-11-02 12:02:05

碳化硅MOSFET器件的特性優(yōu)勢(shì)與發(fā)展瓶頸!

  碳化硅功率器件近年來越來越廣泛應(yīng)用于工業(yè)領(lǐng)域,受到大家的喜愛,不斷地推陳出新,大量的更高電壓等級(jí)、更大電流等級(jí)的產(chǎn)品相繼推出,市場(chǎng)反應(yīng)碳化硅器件的效果非常好,但似乎對(duì)于碳化硅器件的普及還有
2017-12-13 09:17:4421987

采用碳化硅和氮化鎵材料器件的應(yīng)用及優(yōu)勢(shì)介紹

1.1 碳化硅和氮化鎵器件的介紹, 應(yīng)用及優(yōu)勢(shì)
2018-08-17 02:33:006437

碳化硅對(duì)比硅材料器件有哪些優(yōu)勢(shì)

碳化硅功率器件的研發(fā)始于20世紀(jì)90年代,目前已成為新型功率半導(dǎo)體器件研究開發(fā)的主流。業(yè)界普遍認(rèn)為碳化硅功率器件是一種真正的創(chuàng)新技術(shù),有助于對(duì)抗全球氣候變化,推動(dòng)太陽能和節(jié)能照明系統(tǒng)的市場(chǎng)發(fā)展。
2020-10-02 17:48:008721

碳化硅材料技術(shù)對(duì)器件可靠性有哪些影響

碳化硅器件總成本的50%,外延、晶圓和封裝測(cè)試成本分別為25%、20%和5%。碳化硅材料的可靠性對(duì)最終器件的性能有著舉足輕重的意義,基本半導(dǎo)體從產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)探究材料特性及缺陷產(chǎn)生的原因,與上下游企業(yè)協(xié)同合作提升碳化硅功率器件
2021-08-16 10:46:405267

碳化硅功率器件面臨的挑戰(zhàn)

碳化硅 (SiC) 器件與高功率應(yīng)用中常用的硅器件相比具有多項(xiàng)優(yōu)勢(shì)。SiC 功率器件仍然面臨一些大規(guī)模生產(chǎn)的挑戰(zhàn),包括縮放的限制因素、與 SiC 器件較小的管芯尺寸相關(guān)的散熱問題、管芯上與封裝相關(guān)的應(yīng)變以及襯底可用性。
2022-08-09 10:13:161600

碳化硅功率器件技術(shù)可靠性!

碳化硅器件總成本的50%,外延、晶圓和封裝測(cè)試成本分別為25%、20%和5%。碳化硅材料的可靠性對(duì)最終器件的性能有著舉足輕重的意義,從產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)探究材料特性及缺陷產(chǎn)生的原因,與上下游企業(yè)協(xié)同合作提升碳化硅功率器件的可靠性。
2023-01-05 11:23:191191

SiC碳化硅功率器件測(cè)試哪些方面?碳化硅功率器件測(cè)試系統(tǒng)NSAT-2000

SiC碳化硅功率半導(dǎo)體器件具有耐壓高、熱穩(wěn)定好、開關(guān)損耗低、功率密度高等特點(diǎn),被廣泛應(yīng)用在電動(dòng)汽車、風(fēng)能發(fā)電、光伏發(fā)電等新能源領(lǐng)域。 近年來,全球半導(dǎo)體功率器件的制造環(huán)節(jié)以較快速度向我國轉(zhuǎn)移。目前
2023-01-13 11:16:441230

一文了解SiC碳化硅扥性能優(yōu)勢(shì)和使用場(chǎng)景

碳化硅(SiC) 是第三代半導(dǎo)體,相較于前兩代半導(dǎo)體(一代硅,二代砷化鉀)碳化硅在使用極限性能,上優(yōu)于硅襯底,可以滿足高溫、高壓、高頻、大功率等條件下的應(yīng)用需求。
2023-01-16 10:22:08412

碳化硅MOSFET的工作原理 與igbt相比的差別

 碳化硅MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)是一種半導(dǎo)體器件,它的工作原理是通過控制門電壓來控制通過源極和漏極的電流。
2023-02-15 15:43:122797

SiC碳化硅二極管的特性和優(yōu)勢(shì)

什么是第三代半導(dǎo)體?我們把SiC碳化硅功率器件和氮化鎵功率器件統(tǒng)稱為第三代半導(dǎo)體,這個(gè)是相對(duì)以硅基為核心的第二代半導(dǎo)體功率器件的。今天我們著重介紹SiC碳化硅功率器件,也就是SiC碳化硅二極管
2023-02-21 10:16:472090

SiC碳化硅二極管功率器件有哪些封裝?

我們拿慧制敏造碳化硅半導(dǎo)體出品的KNSCHA碳化硅二極管封裝接下來我們來看一下碳化硅二極管的貼片封裝,常見的有有TO-263和TO-252封裝,隨著近些年電源對(duì)于功率密度要求不斷提高,碳化硅功率器件
2023-02-21 13:38:161795

什么是碳化硅器件

SiC器件是一種新型的硅基 MOSFET,特別是 SiC功率器件具有更高的開關(guān)速度和更寬的輸出頻率。SiC功率芯片主要由 MOSFET和 PN結(jié)組成。 在眾多半導(dǎo)體器件中,碳化硅材料具有低熱
2023-03-03 14:18:564079

碳化硅功率器件在充電樁中的應(yīng)用有哪些?

在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域,碳化硅與氮化鎵無疑是當(dāng)前最炙手可熱的明星。其中,碳化硅擁有高壓、高頻和高效率等特性,其耐高頻耐高溫的性能,是同等硅器件耐壓的10倍。
2023-04-06 11:06:53465

碳化硅功率器件的可靠性應(yīng)用

碳化硅功率器件在新能源汽車領(lǐng)域的應(yīng)用主要有以下幾個(gè)方面。
2023-04-27 14:05:52635

碳化硅功率模組有哪些

碳化硅功率模組有哪些 碳化硅功率器件系列研報(bào)深受眾多專業(yè)讀者喜愛,本期為番外篇,前五期主要介紹了碳化硅功率器件產(chǎn)業(yè)鏈的上中下游,本篇將深入了解碳化硅功率器件的應(yīng)用市場(chǎng),以及未來的發(fā)展趨勢(shì),感謝各位
2023-05-31 09:43:20390

11.6 碳化硅和硅功率器件的性能比較∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

11.6碳化硅和硅功率器件的性能比較第11章碳化硅器件在電力系統(tǒng)中的應(yīng)用《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》代理產(chǎn)品線:器件主控:1、國產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera
2022-04-24 11:34:51578

7.1.3 雙極型功率器件優(yōu)值系數(shù)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

7.1.3雙極型功率器件優(yōu)值系數(shù)7.1SiC功率開關(guān)器件簡(jiǎn)介第7章單極型和雙極型功率二極管《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容:7.1.2單極型功率器件優(yōu)值系數(shù)∈《碳化硅技術(shù)
2022-02-09 09:25:05378

7.1.2 單極型功率器件優(yōu)值系數(shù)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

7.1.2單極型功率器件優(yōu)值系數(shù)7.1SiC功率開關(guān)器件簡(jiǎn)介第7章單極型和雙極型功率二極管《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容:7.1.1阻斷電壓∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長
2022-02-07 15:01:28396

8.1.6 功率JFET器件的實(shí)現(xiàn)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

8.1.6功率JFET器件的實(shí)現(xiàn)8.1結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(JFET)第8章單極型功率開關(guān)器件碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容:8.1.5增強(qiáng)型和耗盡型工作模式∈《碳化硅技術(shù)
2022-02-21 09:29:28537

碳化硅功率器件封裝大揭秘:科技魔法師的綠色能源秘笈

速度等,受到了廣泛關(guān)注。然而,要發(fā)揮碳化硅功率器件優(yōu)勢(shì),必須解決封裝技術(shù)中的關(guān)鍵問題。本文將重點(diǎn)探討碳化硅功率器件封裝的關(guān)鍵技術(shù)。
2023-04-14 14:55:27555

碳化硅功率器件的基本原理、特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)

碳化硅(SiC)功率器件是一種基于碳化硅材料的半導(dǎo)體器件,具有許多優(yōu)勢(shì)和廣泛的應(yīng)用前景。
2023-06-28 09:58:092319

碳化硅功率器件在新能源汽車領(lǐng)域有哪些應(yīng)用呢?

碳化硅功率器件在新能源汽車領(lǐng)域的應(yīng)用主要有以下幾個(gè)方面
2023-07-30 15:50:14969

碳化硅功率器件的應(yīng)用和發(fā)展

碳化硅功率器件是一種新型的半導(dǎo)體器件,由于其具有高溫工作能力、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高電子遷移率等優(yōu)點(diǎn),被廣泛應(yīng)用于許多領(lǐng)域,包括電動(dòng)汽車、可再生能源、工業(yè)電機(jī)和變頻器、電力電子設(shè)備以及白色家電等。本文將就該器件的應(yīng)用和發(fā)展進(jìn)行探討。
2023-08-08 10:25:30198

碳化硅功率器件:革命性的封裝技術(shù)揭秘

碳化硅(SiC)作為一個(gè)新興的寬帶隙半導(dǎo)體材料,已經(jīng)吸引了大量的研究關(guān)注。其優(yōu)越的電氣性能、高溫穩(wěn)定性和高頻響應(yīng)使其在功率電子器件領(lǐng)域中具有巨大的應(yīng)用潛力。但要完全發(fā)揮SiC功率器件的潛力,封裝技術(shù)同樣至關(guān)重要。本文主要探討碳化硅功率器件封裝的三個(gè)關(guān)鍵技術(shù)。
2023-08-15 09:52:11701

碳化硅的性能和應(yīng)用場(chǎng)景

碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優(yōu)良電氣特性,突破硅基半導(dǎo)體材料物理限制,是第三代半導(dǎo)體核心材料。碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化鎵射頻器件碳化硅功率器件。受益于5G通信、國防軍工、新能源汽車和新能源光伏等領(lǐng)域的發(fā)展,碳化硅需求增速可觀。
2023-08-19 11:45:221042

不同類型的碳化硅功率器件

目前市場(chǎng)上出現(xiàn)的碳化硅半導(dǎo)體包括的類型相對(duì)較多,常見的主要有二極管、金屬氧化物、半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)、晶體管、晶閘管、結(jié)算場(chǎng)、效應(yīng)晶體管等等這些不同類型的碳化硅器件,單元結(jié)構(gòu)和漂移區(qū)參雜以及厚度之間存在較為明顯的差異。那么下文主要針對(duì)不同類型的碳化硅功率器件的相關(guān)內(nèi)容進(jìn)行分析。
2023-08-31 14:14:22286

碳化硅功率器件的基本原理及優(yōu)勢(shì)

汽車領(lǐng)域中得到了廣泛的應(yīng)用。本文將從AD820ARZ碳化硅功率器件的基本原理、優(yōu)勢(shì)及應(yīng)用等方面進(jìn)行分析。 一、碳化硅功率器件的基本原理 碳化硅功率器件是由碳化硅材料制成的半導(dǎo)體器件,它的工作原理與傳統(tǒng)的硅功率器件基本相同,
2023-09-05 09:04:421880

碳化硅新型功率器件的優(yōu)缺點(diǎn)

碳化硅(SiC)MOS管作為一種新型功率器件,與傳統(tǒng)的硅基功率器件相比,在某些特定條件下具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì),但也存在一定的不足。KeepTops告訴你碳化硅MOS管的優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)。
2023-09-26 16:59:07475

碳化硅功率器件的結(jié)構(gòu)和工作原理

碳化硅功率器件是一種利用碳化硅材料制作的功率半導(dǎo)體器件,具有高溫、高頻、高效等優(yōu)點(diǎn),被廣泛應(yīng)用于電力電子、新能源等領(lǐng)域。下面介紹一些碳化硅功率器件的基礎(chǔ)知識(shí)。
2023-09-28 18:19:571220

碳化硅功率器件的產(chǎn)品定位

碳化硅(SiC)功率器件是由硅和碳制成的半導(dǎo)體,用于制造電動(dòng)汽車、電源、電機(jī)控制電路和逆變器等高壓應(yīng)用的功率器件。
2023-10-17 09:43:16169

碳化硅器件的生產(chǎn)流程,碳化硅有哪些優(yōu)劣勢(shì)?

中游器件制造環(huán)節(jié),不少功率器件制造廠商在硅基制造流程基礎(chǔ)上進(jìn)行產(chǎn)線升級(jí)便可滿足碳化硅器件的制造需求。當(dāng)然碳化硅材料的特殊性質(zhì)決定其器件制造中某些工藝需要依靠特定設(shè)備進(jìn)行特殊開發(fā),以促使碳化硅器件耐高壓、大電流功能的實(shí)現(xiàn)。
2023-10-27 12:45:361191

碳化硅的5大優(yōu)勢(shì)

碳化硅(SiC),又名碳化硅,是一種硅和碳化合物。其材料特性使SiC器件具有高阻斷電壓能力和低比導(dǎo)通電阻。
2023-12-12 09:47:33456

碳化硅功率器件的特點(diǎn)和應(yīng)用現(xiàn)狀

  隨著電力電子技術(shù)的不斷發(fā)展,碳化硅(SiC)功率器件作為一種新型的半導(dǎo)體材料,在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛。與傳統(tǒng)的硅功率器件相比,碳化硅功率器件具有高效率、高功率密度、高耐壓、高耐流等優(yōu)點(diǎn)
2023-12-14 09:14:46241

碳化硅功率器件的原理和應(yīng)用

隨著科技的快速發(fā)展,碳化硅(SiC)功率器件作為一種先進(jìn)的電力電子設(shè)備,已經(jīng)廣泛應(yīng)用于能源轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、電網(wǎng)保護(hù)等多個(gè)領(lǐng)域。本文將詳細(xì)介紹碳化硅功率器件的原理、應(yīng)用、技術(shù)挑戰(zhàn)以及未來發(fā)展趨勢(shì)。
2023-12-16 10:29:20360

碳化硅MOSFET在高頻開關(guān)電路中的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

碳化硅MOSFET在高頻開關(guān)電路中的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)? 碳化硅MOSFET是一種新型的功率半導(dǎo)體器件,具有在高頻開關(guān)電路中廣泛應(yīng)用的多個(gè)優(yōu)勢(shì)。 1. 高溫特性: 碳化硅MOSFET具有極低的本征載流子濃度
2023-12-21 10:51:03357

碳化硅功率器件的實(shí)用性不及硅基功率器件

碳化硅功率器件的實(shí)用性不及硅基功率器件嗎? 碳化硅功率器件相較于傳統(tǒng)的硅基功率器件具有許多優(yōu)勢(shì),主要體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面:材料特性、功率密度、溫度特性和開關(guān)速度等。盡管碳化硅功率器件還存在一些挑戰(zhàn)
2023-12-21 11:27:09286

新型碳化硅溝槽器件技術(shù)研究進(jìn)展

碳化硅功率器件具有高壓高功率領(lǐng)域等優(yōu)勢(shì),市場(chǎng)廣闊,應(yīng)用場(chǎng)景廣泛。也被認(rèn)為是下一代800V電動(dòng)汽車電驅(qū)核心技術(shù)。
2023-12-22 10:45:06457

碳化硅功率器件工作原理優(yōu)勢(shì)

  隨著科技的飛速發(fā)展,電力電子技術(shù)在各種領(lǐng)域中發(fā)揮著越來越重要的作用,從電動(dòng)汽車到數(shù)據(jù)中心,再到可再生能源系統(tǒng),其應(yīng)用范圍不斷擴(kuò)大。在這一領(lǐng)域,碳化硅(SiC)功率器件因其出色的性能而備受矚目,被視為未來電力電子技術(shù)的關(guān)鍵。本文將深入探討碳化硅功率器件工作原理、優(yōu)勢(shì)以及市場(chǎng)發(fā)展趨勢(shì)。
2023-12-26 09:31:49173

碳化硅功率器件優(yōu)勢(shì)、應(yīng)用及發(fā)展

隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展,碳化硅(SiC)作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,因其獨(dú)特的物理特性,如高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高飽和電子漂移速率和高熱導(dǎo)率等,在功率器件領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。本文將對(duì)SiC功率器件優(yōu)勢(shì)、應(yīng)用及發(fā)展進(jìn)行深入探討。
2023-12-28 09:25:56152

碳化硅肖特基二極管的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用領(lǐng)域

的電子器件,正逐漸成為電力電子領(lǐng)域的明星產(chǎn)品。本文將深入探討碳化硅肖特基二極管的優(yōu)勢(shì)、市場(chǎng)前景及其在各領(lǐng)域的應(yīng)用。
2023-12-29 09:54:29188

碳化硅功率器件優(yōu)勢(shì)應(yīng)及發(fā)展趨勢(shì)

隨著科技的不斷進(jìn)步,碳化硅(SiC)作為一種新型的半導(dǎo)體材料,在功率器件領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛。碳化硅功率器件在未來具有很大的發(fā)展?jié)摿Γ瑢⒃诙鄠€(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出顯著的優(yōu)勢(shì)。本文將介紹未來碳化硅功率器件優(yōu)勢(shì)
2024-01-06 14:15:03353

碳化硅功率器件優(yōu)勢(shì)及應(yīng)用

傳統(tǒng)的硅基功率器件在應(yīng)對(duì)這一挑戰(zhàn)時(shí),其性能已經(jīng)接近極限。碳化硅(SiC)功率器件的出現(xiàn),為電力電子行業(yè)帶來了革新性的改變,成為了解決這一問題的關(guān)鍵所在。
2024-01-06 11:06:57130

碳化硅功率器件簡(jiǎn)介、優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用

碳化硅(SiC)是一種優(yōu)良的寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、低介電常數(shù)等特點(diǎn),因此在高溫、高頻、大功率應(yīng)用領(lǐng)域具有顯著優(yōu)勢(shì)碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的電力電子器件,主要包括
2024-01-09 09:26:49379

碳化硅功率器件工作原理、優(yōu)勢(shì)及應(yīng)用前景

隨著科技的不斷進(jìn)步,電力電子技術(shù)在能源轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、電網(wǎng)管理和可再生能源系統(tǒng)等領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛。碳化硅(SiC)作為一種優(yōu)秀的半導(dǎo)體材料,具有高頻率、高電壓、高溫穩(wěn)定性的優(yōu)異性能,為電力電子帶來了革新性的突破。本文將深入探討碳化硅功率器件工作原理、優(yōu)勢(shì)及應(yīng)用前景。
2024-01-10 09:28:30211

碳化硅逆變器是什么 功能介紹

碳化硅逆變器是一種基于碳化硅(SiC)半導(dǎo)體材料的功率電子設(shè)備,主要用于將直流電轉(zhuǎn)換為交流電。與傳統(tǒng)的硅基功率器件相比,碳化硅逆變器具有許多優(yōu)越性能,如更高的開關(guān)頻率、更低的導(dǎo)通損耗、更高的工作
2024-01-10 13:55:54272

碳化硅功率器件的應(yīng)用與市場(chǎng)前景

碳化硅(SiC)作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高電子飽和漂移速率和高熱導(dǎo)率等優(yōu)異性能,使其在功率器件領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。本文將對(duì)碳化硅功率器件的技術(shù)、應(yīng)用和市場(chǎng)前景進(jìn)行深入探討
2024-01-17 09:44:56159

簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)碳化硅功率器件

隨著能源危機(jī)和環(huán)境污染日益加劇,電力電子技術(shù)在能源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛。碳化硅(SiC)功率器件作為第三代半導(dǎo)體材料的代表,具有高溫、高速、高效、高可靠性等優(yōu)點(diǎn),被譽(yù)為“未來電力電子的新星”。本文將詳細(xì)介紹碳化硅功率器件的基本原理、性能優(yōu)勢(shì)、應(yīng)用領(lǐng)域以及未來發(fā)展趨勢(shì)。
2024-02-21 09:27:13210

碳化硅功率器件的特點(diǎn)和應(yīng)用

隨著全球能源危機(jī)和環(huán)境問題的日益突出,高效、環(huán)保、節(jié)能的電力電子技術(shù)成為了當(dāng)今研究的熱點(diǎn)。在這一領(lǐng)域,碳化硅(SiC)功率器件憑借其出色的物理性能和電學(xué)特性,正在逐步取代傳統(tǒng)的硅基功率器件,引領(lǐng)著電力電子技術(shù)的發(fā)展方向。本文將詳細(xì)介紹碳化硅功率器件的特點(diǎn)、優(yōu)勢(shì)、應(yīng)用以及面臨的挑戰(zhàn)和未來的發(fā)展趨勢(shì)。
2024-02-22 09:19:21170

碳化硅功率器件工作原理和性能優(yōu)勢(shì)

的物理性能和潛力巨大的市場(chǎng)應(yīng)用前景,受到了業(yè)界的廣泛關(guān)注。本文將深入探討碳化硅功率器件工作原理、性能優(yōu)勢(shì)、應(yīng)用領(lǐng)域以及未來的發(fā)展趨勢(shì)。
2024-02-25 10:37:01165

碳化硅功率器件的基本原理、性能優(yōu)勢(shì)、應(yīng)用領(lǐng)域

碳化硅功率器件主要包括碳化硅二極管(SiC Diode)、碳化硅晶體管(SiC Transistor)等。這些器件通過利用碳化硅材料的優(yōu)良特性,可以在更高的溫度和電壓下工作,實(shí)現(xiàn)更高的功率密度和效率。
2024-02-29 14:23:24125

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