科銳實(shí)現(xiàn)50A碳化硅功率器件技術(shù)突破！

　　科銳實(shí)現(xiàn)50A碳化硅功率器件技術(shù)突破，為更多大功率應(yīng)用帶來更高效率和更低成本，包括1700V碳化硅MOSFET器件在內(nèi)的科銳大功率碳化硅MOSFET器件降低電力電子系統(tǒng)成本并提升能效

　　碳化硅功率器件的市場領(lǐng)先者科銳公司（Nasdaq： CREE）將重新界定大功率應(yīng)用的性能和能效，推出全新產(chǎn)品系列—50A碳化硅功率器件。該產(chǎn)品系列不僅包括業(yè)界首款1700V Z-FET?碳化硅 MOSFET器件，還包括1200V Z-FET?碳化硅MOSFET器件和三款Z-Rec?碳化硅肖特基二極管，能夠提供創(chuàng)紀(jì)錄的能效以及比傳統(tǒng)技術(shù)更低的擁有成本，開創(chuàng)了新一代電源系統(tǒng)。

50A碳化硅功率器件為更多大功率應(yīng)用帶來更高效率和更低成本

　　科銳50A碳化硅功率器件采用裸芯片形式，針對太陽能功率逆變器、不間斷電源設(shè)備以及電機(jī)驅(qū)動(dòng)器等大功率模組應(yīng)用進(jìn)行設(shè)計(jì)。該類器件以更小的尺寸、更低的物料成本以及更高的效率使得電力電子工程師能夠?yàn)橄到y(tǒng)擁有成本設(shè)定新的標(biāo)準(zhǔn)。

　　科銳副總裁兼功率與射頻總經(jīng)理Cengiz Balkas表示：“正是科銳通過不斷的創(chuàng)新，以及科銳在碳化硅領(lǐng)域獨(dú)創(chuàng)的材料技術(shù)、晶圓片工藝和器件設(shè)計(jì)，才使得這樣技術(shù)突破得以實(shí)現(xiàn)。大尺寸的芯片能夠?qū)崿F(xiàn)更多的優(yōu)勢，使得碳化硅MOSFET器件能夠使用在更高的功率應(yīng)用中應(yīng)用，從而能夠取代在大功率、高電壓應(yīng)用領(lǐng)域中的低效傳統(tǒng)硅IGBT器件?！痹撓盗懈哳~定碳化硅器件的推出保持了科銳在碳化硅技術(shù)屢創(chuàng)第一的傳統(tǒng)，如業(yè)界第一款1200V 碳化硅MOSFET器件以及第一個(gè)量產(chǎn)1200V和1700V碳化硅肖特基二極管。

　　科銳全新產(chǎn)品系列50A碳化硅器件包括40mΩ 1700V MOSFET器件、25mΩ 1200V MOSFET器件以及50A/1700V、50A/1200V 和50A/650V肖特基二極管。該產(chǎn)品系列現(xiàn)已提供樣品及基礎(chǔ)數(shù)據(jù)表，預(yù)計(jì)2012年秋實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。如需索取樣品及進(jìn)一步了解科銳碳化硅功率器件的更多詳情，敬請?jiān)L問： www.cree.com/power 。