每個(gè)橋臂需要4個(gè)MOSFET以及各自的驅(qū)動(dòng)，增加了系統(tǒng)復(fù)雜度，再比如每個(gè)橋臂需要各自的鉗位二極管，增加了系統(tǒng)成本?！ ”疚闹校瑢⒔榻B我們8KW LLC變換器的設(shè)計(jì)方案。使用Cree的1200V 碳化硅
2018-10-17 16:55:50
PN結(jié)器件優(yōu)越的指標(biāo)是正向?qū)妷旱?，具有低的?dǎo)通損耗。 但硅肖特基二極管也有兩個(gè)缺點(diǎn)，一是反向耐壓VR較低，一般只有100V左右;二是反向漏電流IR較大?！ 《?、碳化硅半導(dǎo)體材料和用它制成的功率
2019-01-11 13:42:03
應(yīng)用，處理此類(lèi)應(yīng)用的唯一方法是使用IGBT器件。
碳化硅或簡(jiǎn)稱(chēng)SiC已被證明是一種材料，可以用來(lái)構(gòu)建類(lèi)似MOSFET的組件，使電路具有比以往IGBT更高的效率。如今，SiC受
到了很多關(guān)注，不僅因?yàn)樗?/div>
2023-02-24 15:03:59
本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實(shí)驗(yàn)(SCT)表現(xiàn)。具體而言，該實(shí)驗(yàn)的重點(diǎn)是在不同條件下進(jìn)行專(zhuān)門(mén)的實(shí)驗(yàn)室測(cè)量，并借助一個(gè)穩(wěn)健的有限元法物理模型來(lái)證實(shí)和比較測(cè)量值，對(duì)短路行為的動(dòng)態(tài)變化進(jìn)行深度評(píng)估。
2019-08-02 08:44:07
本帖最后由 ewaysqian 于 2024-2-21 14:26 編輯
碳化硅MOS具有寬帶隙、高擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度、高電流密度、快速開(kāi)關(guān)速度、低導(dǎo)通電阻和抗輻射性能等獨(dú)特特點(diǎn)，在電子器件領(lǐng)域有著
2022-02-17 14:36:16
上?！ 〔贿^(guò)，隨著碳化硅價(jià)格的下降、性能和可靠性的提高，其性能得到改善，可靠性得到了證明，在列表中的地位調(diào)高了，現(xiàn)在已被視為現(xiàn)有舊技術(shù)器件的替代品和新設(shè)計(jì)的起點(diǎn)?！ ?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅的采用取決于應(yīng)用，所以
2023-02-27 14:28:47
反向恢復(fù)電流，其關(guān)斷過(guò)程很快，開(kāi)關(guān)損耗很小。由于碳化硅材料的臨界雪崩擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度較高，可以制作出超過(guò)1000V的反向擊穿電壓。在3kV以上的整流器應(yīng)用領(lǐng)域，由于SiC PiN二極管與Si器件相比具有更快
2019-10-24 14:21:23
200V，但是碳化硅肖特基二極管能擁有較短恢復(fù)時(shí)間實(shí)踐，同時(shí)在正向電壓也減少，耐壓也大大超過(guò)200V，典型的電壓有650V、1200V等，另外在反向恢復(fù)造成的損耗方面碳化硅肖特基二極管也有很大優(yōu)勢(shì)。在
2020-06-28 17:30:27
碳化硅圓盤(pán)壓敏電阻 |碳化硅棒和管壓敏電阻 | MOV / 氧化鋅 （ZnO） 壓敏電阻 |帶引線(xiàn)的碳化硅壓敏電阻 | 硅金屬陶瓷復(fù)合電阻器 |ZnO 塊壓敏電阻 關(guān)于EAK碳化硅壓敏電阻我們
2024-03-08 08:37:49
進(jìn)一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我們來(lái)聊聊碳化硅器件的特點(diǎn)
2021-03-16 08:00:04
超過(guò)40%，其中以碳化硅材料（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體大功率電力電子器件是目前在電力電子領(lǐng)域發(fā)展最快的功率半導(dǎo)體器件之一。根據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì)，2019年中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)規(guī)模達(dá)7562億元
2021-01-12 11:48:45
大量采用持續(xù)穩(wěn)定的線(xiàn)路板；在引擎室中，由于高溫環(huán)境和LED 燈源的散熱要求，現(xiàn)有的以樹(shù)脂、金屬為基材的電路板不符合使用要求，需要散熱性能更好碳化硅電路板，例如斯利通碳化硅基板；在高頻傳輸與無(wú)線(xiàn)雷達(dá)偵測(cè)
2020-12-16 11:31:13
。 碳化硅近幾年的快速發(fā)展 近幾年來(lái)，低碳生活也是隨之而來(lái)，隨著太陽(yáng)能產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，作為光伏產(chǎn)業(yè)用的材料，碳化硅的銷(xiāo)售市場(chǎng)也是十分火爆，許多磨料磨具業(yè)內(nèi)人開(kāi)始關(guān)注起碳化硅這個(gè)行業(yè)了。目前碳化硅制備技術(shù)非常
2019-07-04 04:20:22
和 DC-AC 變流器等。集成式快速開(kāi)關(guān) 50A IGBT 的關(guān)斷性能優(yōu)于純硅解決方案，可與 MOSFET 媲美。較之常規(guī)的碳化硅 MOSFET，這款即插即用型解決方案可縮短產(chǎn)品上市時(shí)間，能以更低成本實(shí)現(xiàn) 95
2021-03-29 11:00:47
硅與碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC)，俗稱(chēng)金剛砂。SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在，但十分稀少。不過(guò)，自1893 年以來(lái)，粉狀碳化硅已被大量生產(chǎn)用作研磨劑。碳化硅用作研磨劑已有一百多年
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作為現(xiàn)在比較好的材料，為什么應(yīng)用的領(lǐng)域會(huì)受到部分限制呢？
2021-08-19 17:39:39
商用?！ ?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅肖特基二極管從2001年開(kāi)始商用，至今已有20年商用積累，并在部分高中端電源市場(chǎng)批量應(yīng)用，逐步向通用市場(chǎng)滲透，具備廣闊的市場(chǎng)前景?！ ?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅材料在禁帶寬度和臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)等關(guān)鍵特性上具有
2023-02-28 16:55:45
導(dǎo)通電壓比對(duì)，碳化硅肖特基二極管的導(dǎo)通壓降為1.5V，硅快速恢復(fù)二極管的導(dǎo)通壓降為1.7V， 碳化硅材料性能好于硅材料?！ ?、碳化硅肖特基二極管的恢復(fù)特性 硅快速恢復(fù)二極管存在反向漏電流較大
2023-02-28 16:34:16
二十世紀(jì)五十年代后半期，才被納入到固體器件的研究中來(lái)。二十世紀(jì)九十年代，碳化硅技術(shù)才真正意義上得到了迅速發(fā)展。SiC材料與目前應(yīng)該廣泛的Si材料相比，較高的熱導(dǎo)率決定了其高電流密度的特性，較高的禁帶寬
2021-03-25 14:09:37
哪位大神知道CISSOID碳化硅驅(qū)動(dòng)芯片有幾款,型號(hào)是什么
2020-03-05 09:30:32
SIC碳化硅二極管
2016-11-04 15:50:11
對(duì)比 我們采用雙脈沖的方法來(lái)比較一下基本半導(dǎo)體1200V 80mΩ 的碳化硅MOSFET的兩種封裝B1M080120HC（TO-247-3）和B1M080120HK（TO-247-4）在相同條件下
2023-02-27 16:14:19
應(yīng)用范圍也越來(lái)越廣。據(jù)報(bào)道，美國(guó)特斯拉公司的馬達(dá)驅(qū)動(dòng)逆變器使用的是碳化硅半導(dǎo)體。另外，很多讀者都已經(jīng)在電器市場(chǎng)上看到了使用了氮化鎵半導(dǎo)體的微型 AC轉(zhuǎn)換器。采用寬禁帶材料制作的電力半導(dǎo)體，其內(nèi)部電路在高壓
2023-02-23 15:46:22
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的？
2021-06-18 08:32:43
應(yīng)用的企圖心。到2020年時(shí)，氮化鎵組件將進(jìn)軍600～900伏特市場(chǎng)，與碳化硅組件的競(jìng)爭(zhēng)關(guān)系升溫。問(wèn)題：1.碳化硅(Sic)、氮化鎵(GaN)、都是一種新型的材料。那COOLMOS又是啥？（這幾年也很熱門(mén)）2.
2021-09-23 15:02:11
電機(jī)驅(qū)動(dòng)。碳化硅器件和碳化硅模組可用于太陽(yáng)能發(fā)電、風(fēng)力發(fā)電、電焊機(jī)、電力機(jī)車(chē)、遠(yuǎn)距離輸電、服務(wù)器、家電、電動(dòng)汽車(chē)、充電樁等用途。創(chuàng)能動(dòng)力于2015年在國(guó)內(nèi)開(kāi)發(fā)出6英寸SiC制造技術(shù)，2017年推出基于6
2023-02-22 15:27:51
復(fù)雜的設(shè)計(jì)，功率模塊的集成能力使其成為首選。但是哪些封裝適用于快速開(kāi)關(guān)碳化硅器件？ 當(dāng)傳統(tǒng)硅器件在功率損耗和開(kāi)關(guān)頻率方面達(dá)到極限時(shí)，碳化硅可能是合適的半導(dǎo)體選擇。高達(dá) 30 至 40kHz，最新一代
2023-02-20 16:29:54
一步提升電源效率。針對(duì)上述情況，解決方案有以下兩種。 方案一：將IGBT單管上反并聯(lián)的快速恢復(fù)二極管換成基本半導(dǎo)體的“零反向恢復(fù)”的碳化硅肖特基二極管（碳化硅 SBD），這種組合起來(lái)封裝的器件，稱(chēng)之為
2023-02-28 16:48:24
員要求的更低的寄生參數(shù)滿(mǎn)足開(kāi)關(guān)電源（SMPS）的設(shè)計(jì)要求。650V碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管器件在推出之后，可以補(bǔ)充之前只有1200V碳化硅場(chǎng)效應(yīng)器件設(shè)計(jì)需求，碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管（SiC MOSFET）由于能夠?qū)崿F(xiàn)硅
2023-03-14 14:05:02
本方案利用新一代1000V、65毫歐4腳TO247封裝碳化硅(SiC)MOSFET(C3M0065100K)實(shí)現(xiàn)了高頻LLC諧振全橋隔離變換器，如圖所示。由于碳化硅的高阻斷電壓, 快速開(kāi)關(guān)及低損耗等
2016-08-05 14:32:43
用碳化硅MOSFET設(shè)計(jì)一個(gè)雙向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器
2021-02-22 07:32:40
碳化硅器件快速開(kāi)關(guān)過(guò)程中造成嚴(yán)重電壓過(guò)沖，也導(dǎo)致?lián)p耗增加及電磁干擾等問(wèn)題。而雜散電感的大小與開(kāi)關(guān)換流回路的面積相關(guān)。其中，金屬鍵合連接方式、元件引腳和多個(gè)芯片的平面布局是造成傳統(tǒng)封裝換流回路面積較大的關(guān)鍵
2023-02-22 16:06:08
新型材料鋁碳化硅解決了封裝中的散熱問(wèn)題，解決各行業(yè)遇到的各種芯片散熱問(wèn)題，如果你有類(lèi)似的困惑，歡迎前來(lái)探討，鋁碳化硅做封裝材料的優(yōu)勢(shì)它有高導(dǎo)熱，高剛度，高耐磨，低膨脹，低密度，低成本，適合各種產(chǎn)品的IGBT。我西安明科微電子材料有限公司的趙昕。歡迎大家有問(wèn)題及時(shí)交流，謝謝各位！
2016-10-19 10:45:41
范圍-5V~-15V，客戶(hù)根據(jù)需求選擇合適值，常用值有-8V、-10V、-15V； · 優(yōu)先穩(wěn)定正電壓，保證開(kāi)通穩(wěn)定。 2）碳化硅MOSFET：不同廠(chǎng)家碳化硅MOSFET對(duì)開(kāi)關(guān)電壓要求不盡相同
2023-02-27 16:03:36
面向電動(dòng)汽車(chē)的全新碳化硅功率模塊 碳化硅在電動(dòng)汽車(chē)應(yīng)用中代表著更高的效率、更高的功率密度和更優(yōu)的性能，特別是在800 V 電池系統(tǒng)和大電池容量中，它可提高逆變器的效率，從而延長(zhǎng)續(xù)航里程或降低電池成本
2021-03-27 19:40:16
LED襯底目前主要是藍(lán)寶石、碳化硅、硅襯底三種。大多數(shù)都采用藍(lán)寶石襯底技術(shù)。碳化硅是科銳的專(zhuān)利，只有科銳一家使用，成本等核心數(shù)據(jù)不得而知。硅襯底成本低，但目前技術(shù)還不完善?！ 腖ED成本上來(lái)看，用
2012-03-15 10:20:43
）和發(fā)射極可關(guān)斷晶閘管（ETO）等。1、SiC 肖特基二極管肖特基二極管最顯著的特點(diǎn)是反向恢復(fù)時(shí)間短，但是就傳統(tǒng)的肖特基二極管它的耐壓一般不超過(guò)200V，但是碳化硅肖特基二極管能擁有較短恢復(fù)時(shí)間實(shí)踐
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蝕技術(shù)去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設(shè)備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒(méi)有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達(dá)到表面改性的效果。但是實(shí)際刻蝕過(guò)程中總是會(huì)在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
越長(zhǎng)，損失的功率就越多。圖 2：MOSFET 導(dǎo)通特性和米勒高原當(dāng)碳化硅MOSFET開(kāi)關(guān)時(shí)，柵源電壓（V 一般事務(wù)人員 ） 通過(guò)門(mén)到源閾值 （V 總金 ），鉗位在米勒平臺(tái)電壓（V PLT ），并且停留在
2022-11-02 12:02:05
碳化硅市場(chǎng)，X—Fab、日本羅姆等企業(yè)早些時(shí)候也相繼宣布將擴(kuò)大碳化硅產(chǎn)能，碳化硅產(chǎn)業(yè)海外重要玩家已開(kāi)始備戰(zhàn)。從產(chǎn)業(yè)鏈角度看，碳化硅包括單晶襯底、外延片、器件設(shè)計(jì)、器件制造等環(huán)節(jié)，但目前全球碳化硅市場(chǎng)基本被在國(guó)外企業(yè)所壟斷。
2018-12-06 16:08:00
138137 國(guó)投創(chuàng)業(yè)官方消息顯示，第三代半導(dǎo)體碳化硅單晶襯底企業(yè)河北同光晶體有限公司（簡(jiǎn)稱(chēng)“同光晶體”）完成A輪融資，投資方包括：國(guó)投創(chuàng)業(yè)等。本輪融資助力同光晶體實(shí)現(xiàn)淶源基地6英寸碳化硅襯底項(xiàng)目快速擴(kuò)產(chǎn)和現(xiàn)有產(chǎn)品優(yōu)化提升。
2020-12-03 11:05:153054 隨著下游新能源汽車(chē)、充電樁、光伏、5G基站等領(lǐng)域的爆發(fā)，引爆了對(duì)第三代半導(dǎo)體——碳化硅材料襯底、外延與器件方面的巨大市場(chǎng)需求，國(guó)內(nèi)眾多企業(yè)紛紛通過(guò)加強(qiáng)技術(shù)研發(fā)與資本投入布局碳化硅產(chǎn)業(yè)，今天我們首先
2021-07-29 11:01:184375 前言 碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈包含碳化硅粉末、碳化硅晶錠、碳化硅襯底、碳化硅外延、碳化硅晶圓、碳化硅芯片和碳化硅器件封裝環(huán)節(jié)。其中襯底、外延片、晶圓、器件封測(cè)是碳化硅價(jià)值鏈中最為關(guān)鍵的四個(gè)環(huán)節(jié)，襯底成本占到
2021-08-16 10:46:405267 新能源汽車(chē)800V時(shí)代的超強(qiáng)風(fēng)口到來(lái) 碳化硅器件市場(chǎng)需求上量“雙碳”成為各個(gè)國(guó)家的主要發(fā)展戰(zhàn)略，新能源汽車(chē)的節(jié)能減排成為落實(shí)“雙碳”的主要抓手之一，因此，“雙碳”戰(zhàn)略的實(shí)施有力推進(jìn)新能源汽車(chē)的加速發(fā)展。
2022-09-02 09:48:381223 來(lái)源：中國(guó)電子報(bào) 日前，國(guó)際碳化硅大廠(chǎng)安森美宣布，其在捷克Roznov擴(kuò)建的碳化硅工廠(chǎng)落成，未來(lái)兩年內(nèi)產(chǎn)能將逐步提升。另一家碳化硅大廠(chǎng)Wolfspeed也表示將在美國(guó)北卡羅來(lái)納州建造一座價(jià)值數(shù)十
2022-10-08 17:02:25872 意法半導(dǎo)體將于意大利興建一座整合式碳化硅（Silicon Carbide；SiC）襯底制造廠(chǎng)，以支持意法半導(dǎo)體客戶(hù)對(duì)汽車(chē)及工業(yè)碳化硅組件與日俱增的需求，協(xié)助其向電氣化邁進(jìn)并達(dá)到更高效率。新廠(chǎng)預(yù)計(jì)2023年開(kāi)始投產(chǎn)，以實(shí)現(xiàn)碳化硅襯底的供應(yīng)在對(duì)內(nèi)采購(gòu)及行業(yè)供貨間達(dá)到平衡。
2022-10-08 17:04:031349 意法半導(dǎo)體將于意大利興建一座整合式碳化硅(Silicon Carbide;SiC)襯底制造廠(chǎng)，以支持意法半導(dǎo)體客戶(hù)對(duì)汽車(chē)及工業(yè)碳化硅組件與日俱增的需求，協(xié)助其向電氣化邁進(jìn)并達(dá)到更高效率。新廠(chǎng)預(yù)計(jì)2023年開(kāi)始投產(chǎn)，以實(shí)現(xiàn)碳化硅襯底的供應(yīng)在對(duì)內(nèi)采購(gòu)及行業(yè)供貨間達(dá)到平衡。
2022-10-09 09:10:55741 作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的襯底材料，碳化硅單晶具有優(yōu)異的熱、電性能，在高溫、高頻、大功率、抗輻射集成電子器件領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用前景。碳化硅襯底加工精度直接影響器件性能，因此外延應(yīng)用對(duì)碳化硅晶片表面質(zhì)量的要求
2022-10-11 16:01:043658 雙方同意對(duì)Soitec技術(shù)進(jìn)行產(chǎn)前驗(yàn)證， 以面向未來(lái)的8寸碳化硅襯底制造 提供關(guān)鍵半導(dǎo)體賦能技術(shù)，支持汽車(chē)電動(dòng)化和工業(yè)系統(tǒng)能效提升等轉(zhuǎn)型目標(biāo) 意法半導(dǎo)體(簡(jiǎn)稱(chēng)ST)和世界先驅(qū)的創(chuàng)新半導(dǎo)體材料設(shè)計(jì)制造
2022-12-08 12:22:48616 前言：碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈包含碳化硅粉末、碳化硅晶錠、碳化硅襯底、碳化硅外延、碳化硅晶圓、碳化硅芯片和碳化硅器件封裝環(huán)節(jié)。其中襯底、外延片、晶圓、器件封測(cè)是碳化硅價(jià)值鏈中最為關(guān)鍵的四個(gè)環(huán)節(jié)，襯底成本占到
2023-01-05 11:23:191191 ，莫桑石。在C、N、B等非氧化物高技術(shù)耐火原料中，碳化硅為應(yīng)用最廣泛、最經(jīng)濟(jì)的一種，可以稱(chēng)為金鋼砂或耐火砂。 中國(guó)工業(yè)生產(chǎn)的碳化硅分為黑色碳化硅和綠色碳化硅兩種，均為六方晶體，比重為3.20～3.25，顯微硬度為2840～3320kg/mm。 碳化硅也可以通過(guò)使
2023-02-02 14:50:021981 碳化硅技術(shù)龍頭企業(yè) 碳化硅市場(chǎng)格局 碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈分為SiC襯底、EPI外延片、器件、模組等環(huán)節(jié)，目前全球碳化硅市場(chǎng)基本被國(guó)外壟斷，根據(jù)Yole數(shù)據(jù)顯示，Cree、英飛凌、羅姆約占據(jù)了90％的SiC
2023-02-02 15:02:543931 高技術(shù)耐火原料中，碳化硅為應(yīng)用最廣泛、最經(jīng)濟(jì)的一種，可以稱(chēng)為金鋼砂或耐火砂。中國(guó)工業(yè)生產(chǎn)的碳化硅分為黑色碳化硅和綠色碳化硅兩種，均為六方晶體，比重為3.20～3.25。
2023-02-03 16:11:352997 碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈分為襯底材料制備、外延層生長(zhǎng)、器件制造以及下游應(yīng)用。通常采用物理氣相傳輸法（PVT法）制備碳化硅單晶，再在襯底上使用化學(xué)氣相沉積法（CVD法）等生成外延片，最后制成相關(guān)器件。在SiC器件的產(chǎn)業(yè)鏈中，由于襯底制造工藝難度大，產(chǎn)業(yè)鏈價(jià)值量主要集中于上游襯底環(huán)節(jié)。
2023-02-03 16:30:133953 碳化硅在半導(dǎo)體芯片中的主要形式為襯底。半導(dǎo)體芯片分為集成電路和分立器件，但不論是集成電路還是分立器件，其基本結(jié)構(gòu)都可劃分為“襯底-外延-器件”結(jié)構(gòu)。碳化硅在半導(dǎo)體中存在的主要形式是作為襯底材料。
2023-02-19 10:18:481086 晶錠進(jìn)過(guò)晶圓切磨拋就變成碳化硅二極管和碳化硅MOSFET的晶片的碳化硅襯底；再經(jīng)過(guò)外延生長(zhǎng)就變成碳化硅外延片，也就是雛形的芯片。碳化硅外延片經(jīng)過(guò)光刻、刻蝕、離子注入、CVD、PVD背面減薄、退火變成碳化硅
2023-02-21 10:04:111693 
全球碳化硅產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)明顯的行業(yè)上下游收購(gòu)兼并、大廠(chǎng)積極布局的特征。襯底作為碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中的核心環(huán)節(jié)，已成為兵家必爭(zhēng)之地。
2023-03-23 10:30:041284 按照電學(xué)性能的不同，碳化硅材料制成的器件分為導(dǎo)電型碳化硅功率器件和半絕緣型碳化硅射頻器件，兩種類(lèi)型碳化硅器件的終端應(yīng)用領(lǐng)域不同。導(dǎo)電型碳化硅功率器件是通過(guò)在低電阻率的導(dǎo)電型襯底上生長(zhǎng)碳化硅外延層后進(jìn)一步加工制成
2023-04-21 14:14:372437 碳化硅襯底 產(chǎn)業(yè)鏈核心材料，制備難度大碳化硅襯底制備環(huán)節(jié)主要包括原料合成、碳化硅晶體生長(zhǎng)、晶錠加工、晶棒切割、切割片研磨、研磨片拋光、拋光片清洗等環(huán)節(jié)。
2023-05-09 09:36:483430 
碳化硅功率模組有哪些 碳化硅功率器件系列研報(bào)深受眾多專(zhuān)業(yè)讀者喜愛(ài)，本期為番外篇，前五期主要介紹了碳化硅功率器件產(chǎn)業(yè)鏈的上中下游，本篇將深入了解碳化硅功率器件的應(yīng)用市場(chǎng)，以及未來(lái)的發(fā)展趨勢(shì)，感謝各位
2023-05-31 09:43:20390 碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈主要分為襯底、外延、器件和應(yīng)用四大環(huán)節(jié)，襯底與外延占據(jù) 70%的碳 化硅器件成本。根據(jù)中商產(chǎn)業(yè)研究院數(shù)據(jù)，碳化硅器件的成本構(gòu)成中，襯底、外延、前段、 研發(fā)費(fèi)用和其他分別占比為 47%，23%，19%，6%，5%，襯底+外延合計(jì)約 70%
2023-06-26 11:30:56733 
電動(dòng)汽車(chē)（EV）電池系統(tǒng)從400V到800V的轉(zhuǎn)變使碳化硅（SiC）半導(dǎo)體在牽引逆變器、車(chē)載充電器（OBC）和DC/DC轉(zhuǎn)換器中脫穎而出。
2023-07-25 09:50:15418 前來(lái)看，在未來(lái)一段時(shí)間內(nèi)，6英寸導(dǎo)電型產(chǎn)品將作為主流尺寸，但隨著技術(shù)的進(jìn)步、基于成本和下游應(yīng)用領(lǐng)域等因素考慮，8英寸導(dǎo)電型碳化硅產(chǎn)品將是碳化硅襯底行業(yè)的發(fā)展趨勢(shì)。最終的周期將取決于技術(shù)的進(jìn)度、下游市場(chǎng)的發(fā)展情況等多方面因素。
2023-09-12 09:27:35234 碳化硅襯底是新近發(fā)展的寬禁帶半導(dǎo)體的核心材料，碳化硅襯底主要用于微波電子、電力電子等領(lǐng)域，處于寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的前端，是前沿、基礎(chǔ)的核心關(guān)鍵材料。
2023-10-09 16:38:06529 
2023年9月，科友半導(dǎo)體自產(chǎn)首批8英寸碳化硅襯底成功下線(xiàn)。
2023-10-18 09:17:46404 科友半導(dǎo)體8英寸碳化硅（SiC）中試線(xiàn)在2023年4月正式貫通后，同步推進(jìn)晶體生長(zhǎng)厚度、良率提升和襯底加工產(chǎn)線(xiàn)建設(shè)，加快襯底加工設(shè)備調(diào)試與工藝參數(shù)優(yōu)化。
2023-10-18 17:43:40724 在碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中，碳化硅襯底制造是碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈技術(shù)壁壘最高、價(jià)值量最大的環(huán)節(jié)，是未來(lái)碳化硅大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化推進(jìn)的核心環(huán)節(jié)。
碳化硅襯底的生產(chǎn)流程包括長(zhǎng)晶、切片、研磨和拋光四個(gè)環(huán)節(jié)。
2023-10-27 09:35:57931 碳化硅襯底，新能源與5G的基石
2023-01-13 09:07:40
3 天岳先進(jìn)、天科合達(dá)、三安光電等公司紛紛增加碳化硅晶圓/襯底的產(chǎn)能。目前，這些中國(guó)企業(yè)的總產(chǎn)能約為每月6萬(wàn)片。隨著各公司產(chǎn)能的逐步釋放，預(yù)計(jì)到2024年，每月產(chǎn)能將達(dá)到12萬(wàn)片，年產(chǎn)能將達(dá)到150萬(wàn)片。
2023-11-20 10:59:33872 天岳先進(jìn)、天科合達(dá)、三安光電等公司均斥資提高碳化硅晶圓/襯底產(chǎn)能，目前這些中國(guó)企業(yè)每月的總產(chǎn)能約為6萬(wàn)片。隨著各公司產(chǎn)能釋放，預(yù)計(jì)2024年月產(chǎn)能將達(dá)到12萬(wàn)片，年產(chǎn)能150萬(wàn)。
2023-11-24 15:59:231078 
單晶生長(zhǎng)，以高純硅粉和高純碳粉作為原材料形成碳化硅晶體；2）襯底環(huán)節(jié)，碳化硅晶體經(jīng)過(guò)切割、研磨、拋光、清洗等工序加工形成單晶薄片，也即半導(dǎo)體襯底材料；
2023-12-05 15:26:53561 
碳化硅襯底有諸多缺陷無(wú)法直接加工，需要在其上經(jīng)過(guò)外延工藝生長(zhǎng)出特定單晶薄膜才能制作芯片晶圓，這層薄膜便是外延層。幾乎所有的碳化硅器件均在外延材料上實(shí)現(xiàn)，高質(zhì)量的碳化硅同質(zhì)外延材料是碳化硅器件研制的基礎(chǔ)，外延材料的性能直接決定了碳化硅器件性能的實(shí)現(xiàn)。
2023-12-15 09:45:53607 
當(dāng)前，大尺寸襯底成為碳化硅襯底制備技術(shù)的重要發(fā)展方向。
2023-12-24 14:18:08616 
小米自研小米800V碳化硅高壓平臺(tái)：871V
2023-12-28 14:19:11272 
國(guó)內(nèi)主要的碳化硅襯底供應(yīng)商包括天岳先進(jìn)、天科合達(dá)、爍科晶體、東尼電子和河北同光等。三安光電走IDM路線(xiàn)，覆蓋襯底、外延、芯片、封裝等環(huán)節(jié)。部分廠(chǎng)商還自研單晶爐設(shè)備及外延片等產(chǎn)品。
2024-01-12 11:37:03864 
中國(guó)在碳化硅襯底領(lǐng)域的布局顯示出了其對(duì)半導(dǎo)體材料自主供應(yīng)鏈建設(shè)的重視。隨著全球?qū)Ω咝?、高耐用性電子器件需求的增加?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅襯底由于其在高溫、高電壓和高頻率應(yīng)用中的優(yōu)異性能而變得越來(lái)越重要。
2024-02-27 10:28:51188 
春節(jié)過(guò)后，800V碳化硅汽車(chē)?yán)^續(xù)火爆，新增了15款車(chē)型（回顧點(diǎn)這里），同時(shí)也迎來(lái)了一波降價(jià)潮——先有極氪007降至20萬(wàn)級(jí)（回顧點(diǎn)這里），昨天小鵬汽車(chē)G6全系降至18萬(wàn)級(jí)；照目前趨勢(shì)，后續(xù)或有更多的碳化硅車(chē)型跟上降價(jià)大潮，市場(chǎng)需求也會(huì)隨之上升。
2024-03-05 11:25:431035 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）在過(guò)去的2023年里，國(guó)內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了可能是發(fā)展速度最快的一年。首先是碳化硅襯底取得突破，8英寸進(jìn)展神速，同時(shí)三安和天岳先進(jìn)、天科合達(dá)等獲得海外芯片巨頭的認(rèn)可，簽下
2024-01-08 08:25:342171 
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