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功率MOSFET并聯(lián)均流問題研究

對頻率為MHz級情況下功率MOSFET并聯(lián)均流問題進(jìn)行了研究，詳細(xì)分析了影響功率MOSFET并聯(lián)均流諸因素。通過Q軌跡把器件參數(shù)和外圍電路聯(lián)系起來，得出較大的Q值和適當(dāng)?shù)腖s/Lx有利于并聯(lián)均流。大量的仿真和小功率實驗結(jié)果均表明該方法的正確性。

關(guān)鍵詞：功率MOSFETS；多管并聯(lián)；高頻；Q軌跡

引言

1 影響功率MOSFET并聯(lián)均流的因素

??? 1.1 內(nèi)部參數(shù)對并聯(lián)均流的影響

圖2

2 Q值對并聯(lián)均流的影響

??? 從圖1中實線可以看出，Q值越大，換向時間越短，開通損耗越低但關(guān)斷損耗增大；從圖1中虛線可以看出在線路中引入源極電感，器件的開關(guān)軌跡發(fā)生很大變化，開通損耗增加而關(guān)斷損耗減小。在高頻情況下，器件的開關(guān)時間和開關(guān)損耗對整個系統(tǒng)效率的提高至關(guān)重要。從上面的分析可知器件理想的工作條件應(yīng)該是在相對較高的Q值下。以下基于不同Q值，通過仿真軟件PSPICE分析外圍線路中各種寄生參數(shù)對并聯(lián)均流的影響。

圖3

??? 2.2 Q值對雙管并聯(lián)均流影響的仿真分析

??? 從圖4可以看出，引入源極電感Ls，并聯(lián)不均流得到改善，但Ls越大器件關(guān)斷時間越長。在設(shè)計中，并聯(lián)器件源極電感保持一致是必須的，尋找最優(yōu)的Ls（即Ls/Lx）使得并聯(lián)均流特性最好。表1為閾值電壓Vth相差10％，其它參數(shù)均一致情況下，分別取不同Q和Ls/Lx，器件開通和關(guān)斷過程中電流不均衡的仿真分析結(jié)果。其中Δi=iD1－iD2，為并聯(lián)兩管漏電流相差最大處的差值。

表1 內(nèi)部特性參數(shù)不一致下，Q和Ls/Lx不同對器件動態(tài)電流分布的影響

3 實驗驗證

??? 2）使Rg=10.0Ω，其它條件不變，漏極電流iD波形如圖6所示。

4 結(jié)語

??? 3）電路布局對稱并盡可能緊湊，連線長度相同且減短加粗并使用雙股絞線；

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功率MOSFET(21639) 功率MOSFET(21639)

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IGBT并聯(lián)設(shè)計參考

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LTC3779并聯(lián)均流問題如何解決？

都只能做到500W，假如先做4路并聯(lián)，均流問題有什么好的方案可以推薦嗎？如果后面再采用三個2KW并聯(lián)，這個并聯(lián)均流問題如何解決，能推薦一下嗎？謝謝！

2024-01-08 07:21:12

MOS、三極管并聯(lián)使用時的均流電阻選??？

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MOS管并聯(lián)均流技術(shù)分析

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2015-07-24 14:24:26

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2021-10-29 07:04:37

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2009-11-20 08:50:51

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[原創(chuàng)]功率MOSFET管

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2010-08-12 13:58:43

dcdc電源模塊均流的方法與作用

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2018-07-28 14:13:50

dcdc電源模塊并聯(lián)均流

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2018-10-23 15:58:49

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申請理由：四臺380V輔助逆變器并聯(lián)運行，運行過程中需要高速采集自身的運行狀態(tài)數(shù)據(jù)并共享給其他三臺輔助逆變器，用于四臺逆變器的均流控制以及相關(guān)的故障保護(hù)，由于C6748具有高達(dá)456MHz的主頻

2015-11-06 09:54:12

【原創(chuàng)文章】均流電路的講解

100KW要容易的多。所以就需要應(yīng)用到并聯(lián)，電壓源并聯(lián)就需要均流技術(shù)，大家想為什么需要均流，比如我們都是5v輸出的電源直接并起來不就好了嗎，理論是可以的，但是我們實際中的開關(guān)電源總是有誤差范圍的，比如

2021-08-05 10:11:22

三相全橋逆變器的并聯(lián)均流設(shè)計方案

的差異，導(dǎo)致IGBT并聯(lián)時電流不均衡。本文分析了帶輸出電抗器均流的三相三相全橋逆變器的并聯(lián)均流特性，設(shè)計了輸出電抗器參數(shù)，給出了仿真和試驗結(jié)果，試驗結(jié)果表明了對并聯(lián)特性分析的合理性及有效性。

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兩個開關(guān)電源可以并聯(lián)使用嗎時間:2018-08-07 08:46 來源:電工之家兩個開關(guān)電源可以并聯(lián)使用嗎開關(guān)電源并聯(lián)使用，就是我們常說的開關(guān)電源有均流功能，只有開關(guān)電源有均流功能的才可以并聯(lián)

2021-11-12 08:37:34

幾個鋰電池并聯(lián)做大電流放電用不用均流？

準(zhǔn)備用幾個鋰電池并聯(lián)做大電流放電(2.5A峰值)用不用均流？有專門的IC賣嗎？求解答謝謝~

2016-01-05 17:50:04

升壓大功率LED照明方案

；輸出恒流驅(qū)動 LED 的功率從 0.1W~50W 全系列；LED 模組可以串聯(lián)，并聯(lián)，串并聯(lián)結(jié)合等多種連接方式；電路拓樸支持降壓，升壓，升降壓等多種結(jié)構(gòu)；可以實現(xiàn)多領(lǐng)域多條件下的 LED恒流

2016-05-26 14:36:49

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基于AVR單片機的開關(guān)電源均流技術(shù)

本文首先分析了電源的并聯(lián)特性及均流的一般原理,又詳細(xì)分析了幾種電源并聯(lián)均流的技術(shù),最后提出了基于AVR單片機為控制核心,附帶有RS485通信協(xié)議、電壓電流采集和顯示以及調(diào)節(jié)電源的輸出電壓和實現(xiàn)各路電源的異常工作的聲光報警的計算機均流技術(shù)方案,實現(xiàn)了數(shù)字均流的智能化控制。

2011-03-09 12:20:43

基于STM32的大功率數(shù)字式電鍍電源并聯(lián)均流系統(tǒng)設(shè)計

"并聯(lián)均流系統(tǒng)")，給出了系統(tǒng)主要軟硬件的詳細(xì)設(shè)計方案?？傮w設(shè)計并聯(lián)均流系統(tǒng)由主控模塊和功率模塊組成，如圖1所示。主控模塊和功率模塊間以高效和高可靠性的CAN總線為通信媒介。主控模塊

2018-08-20 10:08:28

基于STM32的大功率數(shù)字式電鍍電源并聯(lián)均流系統(tǒng)設(shè)計

集成度、豐富且性能出眾的片上外設(shè)、編程復(fù)雜度低等優(yōu)點。數(shù)字式電鍍電源并聯(lián)均流系統(tǒng)以數(shù)字通信和控制的方式實現(xiàn)多個電源模塊的并聯(lián)工作，提供更大的輸出功率，具有組合靈活、可靠性高、人機接口友善、工作模式多樣等

2018-08-30 14:00:49

基于UPS逆變器并聯(lián)控制技術(shù)分析

的進(jìn)步，成為未來UPS發(fā)展的一個重要方向。實現(xiàn)模塊化的關(guān)鍵是逆變模塊之間的并聯(lián)均流控制，要求各個模塊同步輸出，即同幅、同頻、同相，否則在逆變器間將會產(chǎn)生很大的環(huán)流，對并聯(lián)系統(tǒng)造成不良影響甚至崩潰

2018-09-28 16:23:25

基于數(shù)字式電鍍電源并聯(lián)均流系統(tǒng)設(shè)計方案

　　導(dǎo)讀：本文為了實現(xiàn)大功率數(shù)字式電鍍電源,提出了一種基于ARM芯片STM32F103的數(shù)字式電鍍電源并聯(lián)均流系統(tǒng)設(shè)計方案，并完成系統(tǒng)的軟硬件設(shè)計。該系統(tǒng)采用STM32F103作為主控芯片，通過

2018-11-29 17:10:58

多路LED如何實現(xiàn)均流

多路LED如何實現(xiàn)均流，比如我恒流總輸出5A，5路每路要1A；總輸出10A，10路，每路1A網(wǎng)上查的方案不是很清楚，精度5%以內(nèi)吧越高越好方案盡量簡單易于實現(xiàn)

2018-01-04 15:44:05

多顆MOS管的并聯(lián)應(yīng)用研究

某顆MOS管的電流比較大，這顆MOS管會發(fā)熱比較嚴(yán)重，內(nèi)阻會升高比較多，電流就會降下來，由此可以分析出MOS管有自動均流的特性而易于并聯(lián)?！　?.MOS管的并聯(lián)電路　　理論上MOS管可以由N顆并聯(lián)

2018-10-12 16:47:54

大功率開關(guān)電源并聯(lián)均流為什么越來越流行？

在電源的設(shè)計開發(fā)中，對于大功率電源的使用范圍也是越來越廣泛，此類電源是開關(guān)電源的一種，比較廣泛的應(yīng)用與電力通訊行業(yè)。大功率開關(guān)電源也同樣在近來幾年中開端盛行并聯(lián)均流的供電規(guī)劃。如今這樣的并聯(lián)均流

2016-04-07 11:40:06

如何實現(xiàn)均流呢？？求助?

兩相交錯并聯(lián)Boost電路，當(dāng)兩支路的電感大小不同，而引起兩支路電流不相等時，應(yīng)該如何調(diào)節(jié)？？如何實現(xiàn)均流呢？？求助

2016-11-27 14:01:01

如何實現(xiàn)CV電子負(fù)載并聯(lián)均流？

并聯(lián)的話，多個負(fù)載間電流差異可能比較大。在網(wǎng)上也查了些資料，大部分是講恒流負(fù)載功率擴展并聯(lián)的，但是恒壓負(fù)載并聯(lián)使用的基本沒找到什么資料？請教高手指點一下，不甚感激?。?！

2018-10-11 17:56:37

如何對功率MOSFET進(jìn)行準(zhǔn)確的電流檢測？

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2021-04-21 07:16:38

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過程詳述于圖1）?！　⊥秸髌鞯墓摹　〕钶p負(fù)載以外，各種情況下同步整流器MOSFET的漏-源電壓在打開和關(guān)閉過程中都會被續(xù)流二極管鉗位。因此，同步整流器幾乎沒有開關(guān)損耗，它的功率消耗很容易計算

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如何選型—功率 MOSFET 的選型？

使用功率 MOSFET 也有兩年多時間了，這方面的技術(shù)文章看了不少，但實際應(yīng)用選型方面的文章不是很多。在此，根據(jù)學(xué)到的理論知識和實際經(jīng)驗，和廣大同行一起分享、探討交流下功率 MOSFET 的選型

2019-11-17 08:00:00

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經(jīng)常使用的均流技術(shù)有6種

2021-03-16 06:59:35

開關(guān)轉(zhuǎn)換器并聯(lián)系統(tǒng)的均流技術(shù)

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怎樣解決MOSFET并聯(lián)工作時出現(xiàn)的問題？來糾正傳統(tǒng)認(rèn)識的局限性和片面性。

2021-04-07 07:05:04

有關(guān)buck并聯(lián)供電系統(tǒng)中均流方案怎么弄

2017-04-17 23:59:52

橋式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)功率MOSFET驅(qū)動電路設(shè)計

摘要：針對橋式拓?fù)?b class="flag-6" style="color: red">功率MOSFET因柵極驅(qū)動信號振蕩產(chǎn)生的橋臂直通問題，給出了計及各寄生參數(shù)的驅(qū)動電路等效模型，對柵極驅(qū)動信號振蕩的機理進(jìn)行了深入研究，分析了驅(qū)動電路各參數(shù)與振蕩的關(guān)系，并以此為依據(jù)

2018-08-27 16:00:08

理解功率MOSFET的RDS(ON)負(fù)溫度系數(shù)特性

，溫度降低，從而實現(xiàn)自動的均流達(dá)到平衡，這也是功率MOSFET相對于晶體管最具有優(yōu)勢的一個特性。同樣對于一個功率MOSFET器件的內(nèi)部也是有許多小晶胞并聯(lián)而成，晶胞的導(dǎo)通電阻具有正的溫度系數(shù)，因此并聯(lián)工作

2016-09-26 15:28:01

理解功率MOSFET的開關(guān)過程

動態(tài)恒流區(qū)、一段穩(wěn)定時間的米勒平臺恒流區(qū)，此時MOSFET均工作于放大狀態(tài)，這也可以理解：MOSFET在開關(guān)過程中，跨越恒流區(qū)（放大區(qū)），是MOSFET產(chǎn)生開關(guān)損耗的直接原因。

2016-11-29 14:36:06

理解功率MOSFET管的電流

MOSFET工作也可以工作在飽和區(qū)，即放大區(qū)恒流狀態(tài)，此時，電流受到溝道內(nèi)電子數(shù)量的限制，改變漏極電壓不能增加流通電流。功率MOSFET從放大區(qū)進(jìn)入穩(wěn)態(tài)工作可變電阻區(qū)，此時，VGS驅(qū)動電壓對應(yīng)的的放大恒流狀態(tài)

2016-08-15 14:31:59

電源并聯(lián)：電源簡化設(shè)計

，直接并聯(lián)這種電源的效果更糟糕。單象限電源只有負(fù)載均流誤差，但雙象限電源的調(diào)節(jié)會產(chǎn)生競爭性輸出電壓控制。這將導(dǎo)致超過負(fù)載電流的大電流在陣列中的電源間循環(huán)流動，并可能立即導(dǎo)致一個或多個電源過載。此外

2018-10-19 16:48:21

電源模塊并聯(lián)失效的原因和解決方法

技術(shù)發(fā)展的趨勢之一，是實現(xiàn)組合大功率電源系統(tǒng)的重點。1.不能并聯(lián)的根源很多工程師剛接觸電路系統(tǒng)設(shè)計時，總會把多個電源模塊并聯(lián)一起使用，導(dǎo)致模塊輸出無法均流，使得模塊輸出短路、啟動異常、損壞等現(xiàn)象。要

2015-09-25 09:52:58

自動負(fù)載均流法和電流自動均流在電源系統(tǒng)中應(yīng)用

和可靠運行。均流技術(shù)就是對系統(tǒng)中各并聯(lián)電源的輸出電流加以控制，盡可能均分系統(tǒng)輸入總電流，確保多臺電源可靠運行的一種特殊措施。圖1所示為多臺開關(guān)電源并聯(lián)均流實現(xiàn)大功率電源系統(tǒng)的示意圖。本文就自動均流技術(shù)

2011-07-13 15:19:57

請教LTC3779電源均流設(shè)計問題

2018-07-27 08:56:50

請問并聯(lián)均流有何優(yōu)缺點？

模塊電源市場日趨成熟，并聯(lián)均流有何優(yōu)缺點？

2021-03-16 09:24:11

采用LTC4350實現(xiàn)并聯(lián)均流

基于LTC4350的并聯(lián)均流技術(shù)應(yīng)用研究(2)

2019-04-22 11:40:09

驅(qū)動功率MOSFET，IBGT，SiC MOSFET的PCB布局需要考慮哪些因素？

請問：驅(qū)動功率MOSFET，IBGT，SiC MOSFET的PCB布局需要考慮哪些因素？

2019-07-31 10:13:38

功率MOSFET并聯(lián)應(yīng)用

從線路布線和參數(shù)配置等方面分析了導(dǎo)致MOSFET并聯(lián)時電壓和電流不均衡的原因，并聯(lián)MOSFET易產(chǎn)生振蕩的原因作了詳細(xì)的分析，并輔以仿真說明振蕩產(chǎn)生的原因。

2010-09-30 16:29:30

高頻功率MOSFET驅(qū)動電路及并聯(lián)特性研究

本文主要研究高頻功率MOSFET的驅(qū)動電路和在動態(tài)開關(guān)模式下的并聯(lián)均流特性。首先簡要介紹功率MOSFET的基本工作原理及靜態(tài)及動態(tài)特性，然后根據(jù)功率MOSFET對驅(qū)動電路的要求，

2010-11-11 15:34:22

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基于移相控制的大功率并聯(lián)軟開關(guān)電源的研究

摘要：采用AVR單片機實現(xiàn)了大功率并聯(lián)軟開關(guān)電源的數(shù)字化控制，并設(shè)計了主電路系統(tǒng)，研究了移相全橋變換器的工作原理。電源采用模塊并聯(lián)技術(shù)和主從控制方式，構(gòu)成了N+1冗

2010-12-14 15:43:03

MOSFET管并聯(lián)應(yīng)用時電流分配不均問題探究

MOSFET管并聯(lián)應(yīng)用時電流分配不均問題探究 1 引言 MOSFET管的導(dǎo)通電阻具有正的溫度特性，可自動調(diào)節(jié)電流，因而易于并聯(lián)應(yīng)用。但由于器件自身參數(shù)(柵

2009-11-02 10:04:00

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理解功率MOSFET的RDS(ON)溫度系數(shù)特性

理解功率MOSFET的RDS(ON)溫度系數(shù)特性通常，許多資料和教材都認(rèn)為，MOSFET的導(dǎo)通電阻具有正的溫度系數(shù)，因此可以并聯(lián)工作。當(dāng)其中一個并聯(lián)的MOSFET的溫度上升時，具有

2009-11-10 10:53:13

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MOSFET高頻感應(yīng)加熱電源的研究

以功率MOSFET 、為開關(guān)元件．采用多管井聯(lián)的方式研制出1。kw 高頻感應(yīng)加熱電源．對該電源的逆變電路、控制電路、多管并聯(lián)驅(qū)動等問題做研究和實驗實驗結(jié)果表明：采用MOSFE]、多管并

2011-08-11 14:18:51

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大功率開關(guān)電源中功率MOSFET的驅(qū)動技術(shù)

關(guān)于大功率開關(guān)電源中功率MOSFET的驅(qū)動技術(shù)的研究

2011-10-11 19:27:56

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基于移相控制的大功率并聯(lián)軟開關(guān)電源的研究

采用AVR單片機實現(xiàn)了大功率并聯(lián)軟開關(guān)電源的數(shù)字化控制，并設(shè)計了主電路系統(tǒng)，研究了移相全橋變換器的工作原理。電源采用模塊并聯(lián)技術(shù)和主從控制方式，構(gòu)成了N+1冗余結(jié)構(gòu)，并研

2011-10-21 18:12:48

基于平均功率控制的中頻逆變器主從并聯(lián)系統(tǒng)研究_龍江濤

基于平均功率控制的中頻逆變器主從并聯(lián)系統(tǒng)研究_龍江濤

2017-01-08 10:11:41

SiC MOSFET單管在并聯(lián)條件下的均流特性分析

SiC MOSFET單管在并聯(lián)條件下的均流特性。仿真只是工具，仿真無法替代實驗，仿真只供參考，切勿癡迷迷信。以上寒暄既畢，我們直奔主題： 1、選取仿真研究對象 SiC MOSFET

2021-03-11 09:22:05

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功率MOSFET應(yīng)用研究及主電路設(shè)計

功率MOSFET應(yīng)用研究及主電路設(shè)計。

2021-03-22 17:23:16

功率MOSFET，為什么要在柵極和源極間并聯(lián)一個電阻?資料下載

電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供功率MOSFET，為什么要在柵極和源極間并聯(lián)一個電阻?資料下載的電子資料下載，更有其他相關(guān)的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設(shè)計、用戶指南、解決方案等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。

2021-03-29 16:49:37

電容應(yīng)用：MOSFET的門源極并聯(lián)電容

2022-01-10 10:14:09

SiC MOSFET單管的并聯(lián)均流特性

關(guān)于SiC MOSFET的并聯(lián)問題，英飛凌已陸續(xù)推出了很多技術(shù)資料，幫助大家更好的理解與應(yīng)用。此文章將借助器件SPICE模型與Simetrix仿真環(huán)境，分析SiC MOSFET單管在并聯(lián)條件下的均流特性。

2022-08-01 09:51:15

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并聯(lián)MOSFET應(yīng)用中的均流技術(shù)

為了實現(xiàn)良好的并聯(lián)設(shè)計，傳統(tǒng)上選擇 MOSFET——通過篩選——基于它們的閾值電壓相似，以確保它們同時導(dǎo)通。然而，屏蔽 MOSFET 會增加成本和復(fù)雜性，并且仍然容易受到溫度不穩(wěn)定性的影響。因此，考慮到上述問題，專用 MOSFET 技術(shù)可以在并聯(lián)應(yīng)用中提供更好的解決方案，而無需額外的篩選過程。

2022-08-04 08:59:51

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