Microchip Technology Inc.(美國(guó)微芯科技公司)宣布，推出全新電源轉(zhuǎn)換控制器系列及其首個(gè)功率MOSFET器件系列。
2012-11-19 17:28:11
1073 2013年7月23日，致力于亞太區(qū)市場(chǎng)的領(lǐng)先電子元器件分銷(xiāo)商---大聯(lián)大集團(tuán)宣布，其旗下品佳集團(tuán)推出一系列智能電網(wǎng)解決方案，包括Microchip 公司的單相及三相多功能智能電表方案、恩智浦在智能
2013-07-23 11:13:001099 
下工作，承受很高的漏極電流(ID)和漏源電壓 (VDS)，然后還需處理很高的功率。這些器件必須滿足一些技術(shù)要求才能提高耐用性，還必須符合熱管理限制，才能避免熱失控。 ? 意法半導(dǎo)體 (ST) 推出了一款采用
2022-05-24 16:45:005069 
恢復(fù)二極管兩種：采用先進(jìn)的擴(kuò)鉑工藝生產(chǎn)的具有極低反向漏電、極短反向恢復(fù)時(shí)間和--的抗反向浪涌沖擊能力的高可靠性的全系列（200V-1200V）FRD芯片及成品器件；采用SiC材料設(shè)計(jì)和生產(chǎn)的具有
2019-10-24 14:25:15
一樣，商用SiC功率器件的發(fā)展走過(guò)了一條喧囂的道路。本文旨在將SiC MOSFET的發(fā)展置于背景中，并且 - 以及器件技術(shù)進(jìn)步的簡(jiǎn)要?dú)v史 - 展示其技術(shù)優(yōu)勢(shì)及其未來(lái)的商業(yè)前景?！ √蓟杌蛱蓟璧臍v史
2023-02-27 13:48:12
器件。雪崩堅(jiān)固耐用評(píng)估SiC MOSFET的另一個(gè)重要參數(shù)是雪崩耐用性，通過(guò)非鉗位感應(yīng)開(kāi)關(guān)（UIS）測(cè)試進(jìn)行評(píng)估。雪崩能量顯示MOSFET能夠承受驅(qū)動(dòng)感性負(fù)載時(shí)有時(shí)會(huì)產(chǎn)生的瞬態(tài)。Littelfuse
2019-07-30 15:15:17
基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉(zhuǎn)換器SiC/GaN具有的優(yōu)勢(shì)
2021-03-10 08:26:03
新型和未來(lái)的 SiC/GaN 功率開(kāi)關(guān)將會(huì)給方方面面帶來(lái)巨大進(jìn)步，從新一代再生電力的大幅增加到電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)的迅速增長(zhǎng)。其巨大的優(yōu)勢(shì)——更高功率密度、更高工作頻率、更高電壓和更高效率，將有助于實(shí)現(xiàn)更緊
2018-10-30 11:48:08
另一方面，按照現(xiàn)在的技術(shù)水平，SiC-MOSFET的MOS溝道部分的遷移率比較低，所以溝道部的阻抗比Si器件要高。因此，越高的門(mén)極電壓，可以得到越低的導(dǎo)通電阻（VCS=20V以上則逐漸飽和）。如果
2019-05-07 06:21:55
1. SiC材料的物性和特征SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。不僅絕緣擊穿場(chǎng)強(qiáng)是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，而且在器件制作時(shí)可以在較寬范圍內(nèi)控制必要的p型、n型
2019-07-23 04:20:21
）工作頻率的高頻化，使周邊器件小型化（例：電抗器或電容等的小型化）主要應(yīng)用于工業(yè)機(jī)器的電源或光伏發(fā)電的功率調(diào)節(jié)器等。2. 電路構(gòu)成現(xiàn)在量產(chǎn)中的SiC功率模塊是一種以一個(gè)模塊構(gòu)成半橋電路的2in1類(lèi)型
2019-05-06 09:15:52
具有成本效益的大功率高溫半導(dǎo)體器件是應(yīng)用于微電子技術(shù)的基本元件。SiC是寬帶隙半導(dǎo)體材料，與Si相比，它在應(yīng)用中具有諸多優(yōu)勢(shì)。由于具有較寬的帶隙，SiC器件的工作溫度可高達(dá)600℃，而Si器件
2018-09-11 16:12:04
前面對(duì)SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征進(jìn)行了介紹。SiC功率元器件具有優(yōu)于Si功率元器件的更高耐壓、更低導(dǎo)通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來(lái)將針對(duì)SiC的開(kāi)發(fā)背景和具體優(yōu)點(diǎn)
2018-11-29 14:35:23
與硅相比，SiC有哪些優(yōu)勢(shì)？SiC器件與硅器件相比有哪些優(yōu)越的性能？碳化硅器件的缺點(diǎn)有哪些？
2021-07-12 08:07:35
隨著現(xiàn)代技術(shù)的發(fā)展， 功率放大器已成為無(wú)線通信系統(tǒng)中一個(gè)不可或缺的部分, 特別是寬帶大功率產(chǎn)生技術(shù)已成為現(xiàn)代通信對(duì)抗的關(guān)鍵技術(shù)。作為第三代半導(dǎo)體材料碳化硅（ SiC） , 具有寬禁帶、高熱導(dǎo)率、高
2019-08-12 06:59:10
深能級(jí)對(duì)溝道電流的影響，使用該工藝制備的小柵寬ＳｉＣＭＥＳＦＥＴ 具有１９５ ｍＡ ／ ｍｍ的飽和電流密度， － １５ Ｖ的夾斷電壓。初步測(cè)試該器件有一定的微波特性，２ ＧＨｚ下測(cè)試其最大輸出功率為
2009-10-06 09:48:48
，SiC和GaN需要高3倍的能量才能使電子開(kāi)始在材料中自由移動(dòng)。因而具有比硅更佳的特性和性能。一個(gè)主要優(yōu)勢(shì)是大大減少開(kāi)關(guān)損耗。首先，這意味著器件運(yùn)行更不易發(fā)熱。這有益于整個(gè)系統(tǒng)，因?yàn)榭蓽p少散熱器的大小
2020-10-27 09:33:16
寬帶隙器件的技術(shù)優(yōu)勢(shì)實(shí)際應(yīng)用中的寬帶隙功率轉(zhuǎn)換
2021-02-22 08:14:57
來(lái)說(shuō)具有高性能、低延遲、高靈活度（整合功能）的技術(shù)優(yōu)勢(shì)。
AGM32 103系列的最高主頻為168MHz; 407系列的最高主頻為248MHz，配備了1M的片上Flash和零等待指令執(zhí)行功能。所有
2023-12-29 10:52:29
功能。通過(guò)對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行一系列性能測(cè)試表明：器件所有參數(shù)分布均勻，導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）以及雪崩擊穿能量UIS明顯優(yōu)于同行廠家，這些優(yōu)異的性能能夠降低傳導(dǎo)損耗并延長(zhǎng)使用壽命，抗雪崩能力及抗峰值電流能力
2011-04-19 15:01:29
`AFT09MS007N專(zhuān)為頻率在136至941 MHz之間的雙向無(wú)線電應(yīng)用而設(shè)計(jì)。這些器件具有高增益，耐用性，寬帶性能，適用于移動(dòng)無(wú)線電中的大信號(hào)、共源放大器應(yīng)用。本文檔重點(diǎn)介紹面向?qū)I(yè)雙向移動(dòng)無(wú)線電的寬帶UHF功率放大器應(yīng)用。`
2015-01-29 00:23:06
半導(dǎo)體的關(guān)鍵特性是能帶隙，能帶動(dòng)電子進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)所需的能量。寬帶隙（WBG）可以實(shí)現(xiàn)更高功率，更高開(kāi)關(guān)速度的晶體管，WBG器件包括氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半導(dǎo)體。 GaN和SiC
2022-08-12 09:42:07
`IR推出一系列新型HEXFET?功率MOSFET,其中包括能夠提供業(yè)界最低導(dǎo)通電阻(RDS(on))的IRFH6200TRPbF。<br/>【關(guān)鍵詞】：功率損耗,導(dǎo)通電
2010-05-06 08:55:20
（DigitalInformationDisplay）面板特點(diǎn)：超高亮度、超高對(duì)比度、超耐用性以及超窄邊應(yīng)用，解決了液晶顯示應(yīng)用于公共顯示和數(shù)字廣告標(biāo)牌的技術(shù)障礙。繼液晶顯示在筆記本電腦、顯示器、電視的大規(guī)模應(yīng)用之后，這一
2012-12-12 15:52:05
MP6517有哪些核心技術(shù)優(yōu)勢(shì)？MP6517有哪些應(yīng)用實(shí)例？
2021-06-15 09:03:32
Maxim推出堅(jiān)固耐用的/PR系列塑封器件，適合軍用和航空設(shè)備Maxim推出堅(jiān)固耐用的/PR系列塑封器件，用于高可靠性的軍用和航空設(shè)備。/PR器件專(zhuān)為高溫和高可靠性應(yīng)用設(shè)計(jì)制造，在+135°C下經(jīng)過(guò)
2008-12-01 08:12:42
紐倫堡展覽中心舉行的PCIM上展示使用新封裝的SP6LI功率模塊，以及其它現(xiàn)有產(chǎn)品系列中的SiC功率模塊產(chǎn)品?！ ∶栏呱览^續(xù)擴(kuò)大其SiC解決方案的開(kāi)發(fā)工作，已經(jīng)成為向市場(chǎng)提供一系列Si / SiC
2018-10-23 16:22:24
NoC是什么？NoC有哪些技術(shù)優(yōu)勢(shì)？NoC有哪些關(guān)鍵技術(shù)難點(diǎn)？
2021-06-04 06:34:33
什么是OLED？OLED技術(shù)優(yōu)勢(shì)與劣勢(shì)是什么？
2021-06-02 06:37:04
什么是POE供電？POE供電的技術(shù)優(yōu)勢(shì)和拓展應(yīng)用POE以太網(wǎng)供電的關(guān)鍵技術(shù)
2020-12-24 07:00:59
能夠在高輸出功率電平下承受?chē)?yán)苛的負(fù)載失配狀況而不降低性能或造成器件故障。當(dāng)晶體管工作在負(fù)載失配狀態(tài)下時(shí)，它的輸出功率有很大一部分會(huì)被反射進(jìn)器件，此時(shí)功率必須在晶體管中耗散掉。但在比較不同耐用性的晶體管時(shí)，重要的是檢查不同器件制造商達(dá)到其耐用性結(jié)果的條件，因?yàn)椴煌圃焐痰臏y(cè)試條件可能有很大變化。
2019-06-26 07:11:37
實(shí)現(xiàn)了具有硅半導(dǎo)體無(wú)法得到的突破性特性的碳化硅半導(dǎo)體（SiC半導(dǎo)體）的量產(chǎn)。另外，在傳統(tǒng)的硅半導(dǎo)體功率元器件領(lǐng)域，實(shí)現(xiàn)了從分立式半導(dǎo)體到IC全覆蓋的融合了ROHM綜合實(shí)力的復(fù)合型產(chǎn)品群。下面介紹這些產(chǎn)品中的一部分。
2019-07-08 08:06:01
標(biāo)準(zhǔn)的產(chǎn)品，并與具有高技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)和高品質(zhì)要求的供應(yīng)商合作。在這過(guò)程中，ROHM作為ApexMicrotechnology的SiC功率元器件供應(yīng)商脫穎而出。ROHM的服務(wù)和技術(shù)支持都非常出色，使得我們能夠
2023-03-29 15:06:13
的。超寬帶技術(shù)開(kāi)發(fā)了一個(gè)具有大容量的無(wú)線信道，它還具有對(duì)信道衰落不敏感、發(fā)射信號(hào)功率譜低、測(cè)距精度高、系統(tǒng)成本低等優(yōu)點(diǎn)，受到了人們的普遍重視。利用上述這些優(yōu)點(diǎn)，超寬帶信號(hào)對(duì)障礙物具有良好的穿透性和精確測(cè)距
2018-11-06 16:14:08
UWB技術(shù)的家庭應(yīng)用有哪些？UWB的技術(shù)優(yōu)勢(shì)是什么？
2021-05-28 06:37:32
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:54 編輯
深圳矽普特科技最近推出一系統(tǒng)F類(lèi)立體聲功放ICF類(lèi)為功放IC為AB類(lèi)、D類(lèi)可選。F類(lèi)功放具有低FM干擾，高效率的優(yōu)點(diǎn)。本系統(tǒng)
2012-12-03 16:59:32
uWB定位技術(shù)優(yōu)勢(shì)是什么？具有哪些參數(shù)功能？
2022-02-11 07:46:22
，華潤(rùn)微電子在寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域匠心深耕，利用全產(chǎn)業(yè)鏈優(yōu)勢(shì)，從產(chǎn)品設(shè)計(jì)、制造工藝、封裝技術(shù)和系統(tǒng)應(yīng)用等方面大力推進(jìn)SiC器件產(chǎn)品產(chǎn)業(yè)化。華潤(rùn)微SiC SBD系列產(chǎn)品具有可媲美國(guó)際先進(jìn)水平的卓越產(chǎn)品性能，均已
2023-10-07 10:12:26
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對(duì)特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受?chē)?yán)重的失配，即使在滿輸出電平時(shí)也是如此?，F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 08:14:59
元件來(lái)適應(yīng)略微增加的開(kāi)關(guān)頻率，但由于無(wú)功能量循環(huán)而增加傳導(dǎo)損耗［2］。因此，開(kāi)關(guān)模式電源一直是向更高效率和高功率密度設(shè)計(jì)演進(jìn)的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力?！ 』?SiC 和 GaN 的功率半導(dǎo)體器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
重要考量是SiC二極管/ MOSFET的設(shè)計(jì)。SiC能夠應(yīng)對(duì)高場(chǎng)應(yīng)力，因此很多設(shè)計(jì)都是為了應(yīng)對(duì)這些高應(yīng)力條件。例如，終端結(jié)構(gòu)需要很多心思，才能確保器件的耐用性。利用寬帶隙（WBG）材料的獨(dú)特特性，SiC技術(shù)
2018-10-29 08:51:19
-SBD和Si-SBD均具有高速性的特征，SiC-SBD不僅擁有優(yōu)異的高速性且實(shí)現(xiàn)了高耐壓。Si-SBD的耐壓極限為200V，而SiC具有硅10倍的擊穿場(chǎng)強(qiáng)，故ROHM已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)1200V的產(chǎn)品，同時(shí)在推進(jìn)
2018-11-29 14:33:47
說(shuō)到功率轉(zhuǎn)換電子器件，每位設(shè)計(jì)師都希望用到損耗最小的完美半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)，而寬帶隙碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）器件通常被認(rèn)為是接近完美的器件。不過(guò)，想要達(dá)到“完美”，只靠低損耗是遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠的。開(kāi)關(guān)必須
2023-02-05 15:14:52
的IGBT模塊相比，具有1）可大大降低開(kāi)關(guān)損耗、2）開(kāi)關(guān)頻率越高總體損耗降低程度越顯著 這兩大優(yōu)勢(shì)。下圖是1200V/300A的全SiC功率模塊BSM300D12P2E001與同等IGBT的比較。左圖
2018-11-27 16:37:30
基于FD-SOI的FPGA芯片有哪些技術(shù)優(yōu)勢(shì)？基于FD-SOI的FPGA芯片有哪些主要應(yīng)用？
2021-06-26 07:14:03
如何將 CubeMX 項(xiàng)目從一系列 MCU 遷移到新系列的 MCU？
2023-01-16 07:02:24
技術(shù)優(yōu)勢(shì)予以介紹。如果你對(duì)藍(lán)牙具有興趣，不妨繼續(xù)往下閱讀哦。一、藍(lán)牙嗅探功能探討藍(lán)牙是一種支持設(shè)備短距離通信(一般10m內(nèi))的無(wú)線電技術(shù)，能在包括移動(dòng)電話、PDA、無(wú)線耳機(jī)、筆記本電腦、相關(guān)外設(shè)等眾多設(shè)備之間進(jìn)行無(wú)線信息交換。利用“藍(lán)牙”技術(shù)，能夠有效地簡(jiǎn)化移動(dòng)通信終端設(shè)備之間的通信，也能夠成功地簡(jiǎn)化
2021-11-15 09:22:05
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對(duì)特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受?chē)?yán)重的失配，即使在滿輸出電平時(shí)也是如此?，F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 06:13:27
摘要： 碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件，具有耐高壓、高溫，導(dǎo)通電阻低，開(kāi)關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)。如何充分發(fā)揮碳化硅器件的這些優(yōu)勢(shì)性能則給封裝技術(shù)帶來(lái)了新的挑戰(zhàn)
2023-02-22 16:06:08
隨著在晶體管制造中引入諸如氮化鎵 (GaN) 等新型寬帶隙材料，品質(zhì)因數(shù)的顯著改善轉(zhuǎn)化為電源的潛在改良。 在這篇包括兩個(gè)部分的博客系列中，我將討論這些新型寬帶隙材料是怎樣能讓新設(shè)計(jì)從中受益的。 采用
2018-08-30 14:43:17
概覽無(wú)線通信為測(cè)量應(yīng)用提供了許多技術(shù)優(yōu)勢(shì)，其中包括更低的布線成本和遠(yuǎn)程監(jiān)測(cè)功能。然而，如果不了解每項(xiàng)無(wú)線標(biāo)準(zhǔn)的技術(shù)優(yōu)勢(shì)和不足，選擇一項(xiàng)技術(shù)及其實(shí)現(xiàn)方法都會(huì)非常困難。該文檔討論了市場(chǎng)上可用的各項(xiàng)無(wú)線
2019-07-22 06:02:25
，損耗更低，高溫環(huán)境條件下工作特性?xún)?yōu)異，有望成為新一代低損耗元件。②SiC功率元器件SiC是在熱、化學(xué)、機(jī)械方面都非常穩(wěn)定的化合物半導(dǎo)體，對(duì)于功率元器件來(lái)說(shuō)的重要參數(shù)都非常優(yōu)異。作為元件，具有優(yōu)于Si
2017-07-22 14:12:43
你好，我需要一個(gè)峰值電壓采集保持器，來(lái)采集一系列脈沖的峰值，脈沖的電平為0-3.3v，求推薦。順便，還需要一個(gè)施密特特性的器件，把脈沖信號(hào)整形成一個(gè)方波，電平大于1v就判別為高，謝謝！
2018-08-24 11:28:34
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結(jié)
2019-05-07 06:21:51
焊接后的晶振耐用性和靈活性為什么沒(méi)預(yù)期好?松季電子解答如下： 首先需經(jīng)檢查，進(jìn)行原因分析：元器件自身質(zhì)量良好，其所在電路也一切正常，所以只能是焊接加工過(guò)程有問(wèn)題，仔細(xì)觀察后發(fā)現(xiàn)受損晶體管
2014-03-17 15:15:06
功率開(kāi)關(guān)技術(shù)也是如此，特別是用SiC和GaN制作的寬帶隙器件。SiC已經(jīng)從5年前的商業(yè)起步躍升到今天的第三代，價(jià)格已與硅開(kāi)關(guān)相當(dāng)，特別是在考慮到連鎖效益的情況下?！ ‰S著電動(dòng)汽車(chē)、可再生能源和5G等
2023-02-27 14:28:47
。 總結(jié) 與硅替代品相比，SiC MOSFET 具有一系列優(yōu)勢(shì)，再加上其在硬開(kāi)關(guān)應(yīng)用中的魯棒性，使其值得在最有效的功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中加以考慮。650 V CoolSiC 系列的推出使 SiC? MOSFET 技術(shù)在經(jīng)濟(jì)上更加可行，適合那些將功率轉(zhuǎn)換推向極限的用戶。
2023-02-23 17:11:32
(SiC)、氮鎵(GaN)為代表的寬禁帶功率管過(guò)渡。SiC、GaN材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場(chǎng)等突出優(yōu)點(diǎn)，與剛石等半導(dǎo)體材料一起，被譽(yù)為是繼第一代Ge、Si半導(dǎo)體材料、第二代GaAs
2017-06-16 10:37:22
請(qǐng)問(wèn)一下SiC和GaN具有的優(yōu)勢(shì)主要有哪些？
2021-08-03 07:34:15
請(qǐng)問(wèn)一下S32V234的核心技術(shù)優(yōu)勢(shì)有哪些？
2021-07-12 07:32:25
PXI Express的技術(shù)優(yōu)勢(shì)是什么？
2021-05-13 06:25:22
場(chǎng)所的高速無(wú)線接入。
超寬帶技術(shù)主要有以下特點(diǎn)：
1、超強(qiáng)的抗干擾性能
2、傳輸速率高
3、系統(tǒng)容量大
4、帶寬很寬
5、發(fā)射功率低且隱蔽性比較強(qiáng)，不太容易被發(fā)現(xiàn)和攔截，具有很高的保密性。
6、多勁分辨率
2023-05-08 17:09:04
在未來(lái)幾年投入使用SiC技術(shù)來(lái)應(yīng)對(duì)汽車(chē)電子技術(shù)挑戰(zhàn)是ECSEL JU的WInSiC4AP專(zhuān)案所要達(dá)成的目標(biāo)之一。ECSEL JU和ESI攜手為該專(zhuān)案提供資金支援，實(shí)現(xiàn)具有重大經(jīng)濟(jì)和社會(huì)影響的優(yōu)勢(shì)
2019-06-27 04:20:26
了當(dāng)時(shí)功率半導(dǎo)體界的一項(xiàng)大膽技術(shù)：氮化鎵（GaN）。對(duì)于強(qiáng)大耐用的射頻放大器在當(dāng)時(shí)新興的寬帶無(wú)線網(wǎng)絡(luò)、雷達(dá)以及電網(wǎng)功率切換應(yīng)用中的使用前景，他們表達(dá)了樂(lè)觀的看法。他們稱(chēng)氮化鎵器件為“迄今為止最堅(jiān)固耐用
2023-02-27 15:46:36
，寬帶隙器件的價(jià)格也降到常規(guī)器件的價(jià)格區(qū)間。在電機(jī)控制應(yīng)用的功率水平不斷提高的情況下，可以考慮使用寬帶隙器件，它比IGBT和硅MOSFET具有更低的傳導(dǎo)和開(kāi)關(guān)損耗。盡管單位成本與舊技術(shù)相比，還有一定差距
2023-02-05 15:16:14
SiC功率器件的封裝技術(shù)要點(diǎn)
具有成本效益的大功率高溫半導(dǎo)體器件是應(yīng)用于微電子技術(shù)的基本元件。SiC是寬帶隙半導(dǎo)體材料，與S
2009-11-19 08:48:432355 Aiconn 推出一系列WiFi / Bluetooth Module產(chǎn)品
世平集團(tuán)于近日正式代理Aiconn 的WiFi / Bluetooth module產(chǎn)品；產(chǎn)品以SiP module &
2010-01-08 17:07:11709 
IR推出一系列新型HEXFET功率MOSFET
國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出一系列新型HEXFET® 功率MOSFET，其中包括能夠提供業(yè)界最低導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) 的IRFH620
2010-03-12 10:28:391444 Microchip宣布將于在中國(guó)推出一系列技術(shù)培訓(xùn)研討會(huì)，研討會(huì)包括北京、重慶、東莞、貴陽(yáng)、杭州、合肥、濟(jì)南、沈陽(yáng)、深圳、西安、鄭州和珠海。
2012-02-07 09:28:28762 目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對(duì)特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受?chē)?yán)重的失配，即使在滿輸出電平時(shí)也是如此?，F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2017-11-23 18:58:37377 目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對(duì)特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受?chē)?yán)重的失配，即使在滿輸出電平時(shí)也是如此。現(xiàn)在多家制造 商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS
2017-12-07 06:22:21461 目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對(duì)特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受?chē)?yán)重的失配，即使在滿輸出電平時(shí)也是如此?，F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2017-12-07 17:53:08354 目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對(duì)特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受?chē)?yán)重的失配，即使在滿輸出電平時(shí)也是如此。現(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2019-03-18 15:53:16947 
邁來(lái)芯（Melexis）推出一系列新型磁性鎖存器和開(kāi)關(guān)傳感器，這些器件是世界上首批實(shí)現(xiàn)在同一個(gè)封裝內(nèi)集成兩個(gè)硅裸片。這些極可靠的器件旨在用于包括變速箱、動(dòng)力轉(zhuǎn)向、制動(dòng)和鎖/鎖存器在內(nèi)的汽車(chē)應(yīng)用，標(biāo)志著磁感應(yīng)技術(shù)的重大進(jìn)步。
2018-05-07 15:28:001247 Vicor 推出一系列支持 ±1% 穩(wěn)壓的器件，進(jìn)一步壯大其采用 ChiP 封裝的隔離穩(wěn)壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換器模塊 （DCM） 陣營(yíng)。最新系列產(chǎn)品具有無(wú)與倫比的功率密度，高達(dá) 1，032 W/in3
2018-05-21 10:47:001004 
汽車(chē)、工業(yè)、太空和國(guó)防領(lǐng)域越來(lái)越需要能提升系統(tǒng)效率、穩(wěn)健性和功率密度的SiC功率產(chǎn)品。
2019-08-08 10:04:354556 隨著現(xiàn)代技術(shù)的發(fā)展， 功率放大器已成為無(wú)線通信系統(tǒng)中一個(gè)不可或缺的部分， 特別是寬帶大功率產(chǎn)生技術(shù)已成為現(xiàn)代通信對(duì)抗的關(guān)鍵技術(shù)。作為第三代半導(dǎo)體材料碳化硅（ SiC） ， 具有寬禁帶、高熱
2020-01-19 17:22:001361 
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對(duì)特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受?chē)?yán)重的失配，即使在滿輸出電平時(shí)也是如此?，F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體（LDMOS）晶體管
2020-08-20 18:50:00
0 目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對(duì)特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受?chē)?yán)重的失配，即使在滿輸出電平時(shí)也是如此?，F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體（LDMOS
2020-08-12 18:52:000 談起電源轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)，諸如碳化硅（SiC）等寬禁帶（WBG）技術(shù)是當(dāng)今進(jìn)行器件選擇時(shí)的現(xiàn)實(shí)考慮。650V SiC MOSFET的推出使它們對(duì)于某些以前從沒(méi)有考慮過(guò)的應(yīng)用更具吸引力，這些器件在高效
2021-04-03 09:17:002135 
基面位錯(cuò)、可靠性和耐用性問(wèn)題以及需要對(duì)于熟練掌握 SiC 功率技術(shù)的勞動(dòng)力，以跟上不斷增長(zhǎng)的需求。為了實(shí)現(xiàn)具有成本效益的 SiC 制造，需要高產(chǎn)量的制造工藝。在我的 PowerUP 演講中，我將總結(jié) SiC 制造技術(shù)的關(guān)鍵方面，并概述非 CMOS 兼容工藝，這些工藝已經(jīng)
2022-07-30 16:11:17471 
考慮到SiC MOSFET在高壓應(yīng)用中 與IGBT相比的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，人們顯然會(huì)為新設(shè)計(jì)選擇寬帶隙組件，尤其是在應(yīng)用中驅(qū)動(dòng)高功率密度和低損耗的情況下。
2022-07-29 08:07:12437 
碳化硅（SiC）功率器件具有提高效率、動(dòng)態(tài)性能和可靠性的顯著優(yōu)勢(shì)電子和電氣系統(tǒng)。回顧了SiC功率器件發(fā)展的挑戰(zhàn)和前景
2022-11-11 11:06:141503 隨著硅接近其物理極限，電子制造商正在轉(zhuǎn)向非常規(guī)半導(dǎo)體材料，特別是寬帶隙（WBG）半導(dǎo)體，如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）。由于寬帶隙材料具有相對(duì)較寬的帶隙（與常用的硅相比），寬帶隙器件可以在高壓、高溫和高頻下工作。寬帶隙器件可以提高能效并延長(zhǎng)電池壽命，這有助于推動(dòng)寬帶隙半導(dǎo)體的市場(chǎng)。
2023-02-05 14:25:15676 功率 MOSFET 單次和重復(fù)雪崩耐用性等級(jí)-AN10273
2023-02-09 19:23:422 去年，功率 SiC 市場(chǎng)宣布了一系列具有影響力的合作，有趣的是，不僅是在之前看到的晶圓和材料層面，而是在整個(gè)功率 SiC 生態(tài)系統(tǒng)中。
2023-08-25 17:35:49984 
SiC器件的核心優(yōu)勢(shì)在于其寬禁帶、高熱導(dǎo)率、以及高擊穿電壓。具體來(lái)說(shuō)，SiC的禁帶寬度是硅的近3倍，這意味著在高溫下仍可保持良好的電性能；其熱導(dǎo)率是硅的3倍以上，有利于高功率應(yīng)用中的熱管理。
2024-03-08 10:27:1542 
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