功率晶體管（GTR）具有控制方便、開關(guān)時間短、通態(tài)壓降低、高頻特性好、安全工作區(qū)寬等優(yōu)點。但存在二次擊穿問題和耐壓難以提高的缺點，阻礙它的進一步發(fā)展?！?、結(jié)構(gòu)特性1、結(jié)構(gòu)原理功率晶體管是雙極型大功率
2018-01-15 11:59:52
功率晶體管（GTR）具有控制方便、開關(guān)時間短、通態(tài)壓降低、高頻特性好、安全工作區(qū)寬等優(yōu)點。但存在二次擊穿問題和耐壓難以提高的缺點，阻礙它的進一步發(fā)展?！⒔Y(jié)構(gòu)特性1、結(jié)構(gòu)原理功率晶體管是雙極型大功率
2018-01-25 11:27:53
`功率場效應(yīng)晶體管(MOSFET)原理`
2012-08-20 09:10:49
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設(shè)計的器件可以承受嚴重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此。現(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 06:13:27
TR的情況，除此之外，還有5V以下(突破此耐壓范圍，會發(fā)生hFE低下等特性的劣化，請注意。)VCE(sat)及VBE(ON)的特性沒有太大的變化關(guān)于封裝功率容許功定義：是指由于輸入晶體管的電壓、電流
2019-04-09 21:27:24
是，最大輸出電流時產(chǎn)生0.2 V壓降。功率場效應(yīng)管可以無需任何外接元件而直接并聯(lián)，因為其漏極電流具有負溫度系數(shù)。
1、晶體管的Vbe擴散現(xiàn)象是什么原理，在此基礎(chǔ)上為什么要加電阻？
2、場效應(yīng)管無需任何外接
2024-01-26 23:07:21
及制造工藝分類 晶體管按其結(jié)構(gòu)及制造工藝可分為擴散型晶體管、合金型晶體管和平面型晶體管?！ “措娏魅萘糠诸悺 ?b class="flag-6" style="color: red">晶體管按電流容量可分為小功率晶體管、中功率晶體管和大功率晶體管按工作頻率分類 晶體管按
2010-08-12 13:59:33
` 《晶體管電路設(shè)計（下）》是“實用電子電路設(shè)計叢書”之一，共分上下二冊。本書作為下冊主要介紹晶體管／FET電路設(shè)計技術(shù)的基礎(chǔ)知識和基本實驗，內(nèi)容包括FET放大電路、源極跟隨器電路、功率
2019-03-06 17:29:48
，發(fā)射極E接紅表筆；PNP管的集電極C接紅表筆，發(fā)射極E接黑表筆。正常時，鍺材料的小功率晶體管和中功率晶體管的電阻值一般大于10Kω（用R×100檔測，電阻值大于2kΩ），鍺大功率晶體管的電阻值為1.5k
2012-04-26 17:06:32
供應(yīng)晶圓芯片，型號有： 可控硅， 中、大功率晶體管，13000系列晶體管，達林頓晶體管，高頻小信號晶體管，開關(guān)二極管，肖特基二極管，穩(wěn)壓二極管等。有意都請聯(lián)系：沈女士***
2020-02-17 16:24:13
從事電子設(shè)計7年了，發(fā)覺這兩本書挺好的，發(fā)上來給大家分享一下附件晶體管電路設(shè)計（上）放大電路技術(shù)的實驗解析.pdf42.5 MB晶體管電路設(shè)計（下）FET_功率MOS_開關(guān)電路的實驗解析.rar.zip47.2 MB
2018-12-13 09:04:31
的設(shè)計，運算放大電路的設(shè)計與制作。下冊則共分15章，主要介紹FET、功率MOS、開關(guān)電源電路等。本書面向?qū)嶋H需要，理論聯(lián)系實際，通過大量具體的實驗，通俗易懂地介紹晶體管電路設(shè)計的基礎(chǔ)知識。1．1 學習晶體管電路
2009-11-20 09:41:18
晶體管的主要參數(shù)有哪些？晶體管的開關(guān)電路是怎樣的？
2021-06-07 06:25:09
的IC。2. 按功率分類主要以最大額定值的集電極功率PC進行區(qū)分的方法。大體分為小信號晶體管和功率晶體管，一般功率晶體管的功率超過1W。ROHM的小信號晶體管可以說是業(yè)界第一的。小信號晶體管最大
2019-04-10 06:20:24
的電流、電壓和應(yīng)用進行分類。 下面以“功率元器件”為主題，從眾多晶體管中選取功率類元器件展開說明。其中，將以近年來控制大功率的應(yīng)用中廣為采用的MOSFET為主來展開。 先來看一下晶體管的分類與特征
2020-06-09 07:34:33
題，從眾多晶體管中選取功率類元器件展開說明。其中，將以近年來控制大功率的應(yīng)用中廣為采用的MOSFET為主來展開。首先是基礎(chǔ)性的內(nèi)容，來看一下晶體管的分類與特征。Si晶體管的分類Si晶體管的分類根據(jù)
2018-11-28 14:29:28
控制大功率現(xiàn)在的功率晶體管能控制數(shù)百千瓦的功率，使用功率晶體管作為開關(guān)有很多優(yōu)點，主要是；(1)容易關(guān)斷，所需要的輔助元器件少，(2)開關(guān)迅速，能在很高的頻率下工作，(3)可得到的器件耐壓范圍從
2018-10-25 16:01:51
晶體管概述的1. 1948年、在貝爾電話研究所誕生。1948年，晶體管的發(fā)明給當時的電子工業(yè)界來帶來了前所未有的沖擊。而且，正是這個時候成為了今日電子時代的開端。之后以計算機為首，電子技術(shù)取得急速
2019-05-05 00:52:40
、S9012、S9014、S9015、2N5551、2N5401、BC337、BC338、BC548、BC558等型號的小功率晶體管，可根據(jù)電路的要求選擇晶體管的材料與極性，還要考慮被選晶體管的耗散
2012-01-28 11:27:38
TR的情況，除此之外，還有5V以下(突破此耐壓范圍，會發(fā)生hFE低下等特性的劣化，請注意。)VCE(sat)及VBE(ON)的特性沒有太大的變化關(guān)于封裝功率容許功定義：是指由于輸入晶體管的電壓、電流
2019-05-09 23:12:18
之一，在重要性方面可以與印刷術(shù)，汽車和電話等的發(fā)明相提并論。晶體管實際上是所有現(xiàn)代電器的關(guān)鍵活動（active）元件。晶體管在當今社會的重要性主要是因為晶體管可以使用高度自動化的過程進行大規(guī)模生產(chǎn)的能力
2010-08-12 13:57:39
電子，雷達和微波應(yīng)用生產(chǎn)全系列AM晶體管。 這些AM晶體管最初由Microwave Semiconductor Corp.和S.T.制造。 ASI的AM晶體管覆蓋60 MHz至3.0 GHz的范圍，功率
2018-07-17 15:08:03
鎵技術(shù)的這類二極管。產(chǎn)品型號：DU2840S產(chǎn)品名稱：射頻晶體管DU2840S產(chǎn)品特性N溝道增強型器件比雙極器件低的噪聲系數(shù)高飽和輸出功率寬帶操作的低電容DMOS結(jié)構(gòu)?DU2840S產(chǎn)品詳情
2018-08-09 10:16:17
公司提供采用硅、砷化鎵或砷化鋁鎵技術(shù)的這類二極管。產(chǎn)品型號：DU2880V產(chǎn)品名稱：射頻晶體管DU2880V產(chǎn)品特性N溝道增強型器件比雙極器件低的噪聲系數(shù)高飽和輸出功率寬帶操作的低電容DMOS結(jié)構(gòu)
2018-08-08 11:48:47
脈沖功率。 在沒有外部調(diào)諧的情況下，所有設(shè)備都在寬帶RF測試夾具中100％屏蔽了大信號RF參數(shù)。硅雙極匹配50歐姆210W輸出功率經(jīng)過100％大功率射頻測試C級操作IB0607S10功率晶體管
2021-04-01 10:07:29
500W的峰值脈沖功率。 該雙極晶體管利用金金屬化系統(tǒng)來實現(xiàn)最大的可靠性。 發(fā)射極鎮(zhèn)流電阻集成在有源電池中，可實現(xiàn)最佳的熱分布和最大的可靠性。 所有設(shè)備都針對大信號RF參數(shù)進行了100％篩選。硅雙極
2021-04-01 09:41:49
500W的峰值脈沖功率。 該雙極晶體管利用金金屬化系統(tǒng)來實現(xiàn)最大的可靠性。 發(fā)射極鎮(zhèn)流電阻集成在有源電池中，可實現(xiàn)最佳的熱分布和最大的可靠性。 所有設(shè)備都針對大信號RF參數(shù)進行了100％篩選。硅雙極
2021-04-01 10:29:42
至少800W的峰值脈沖功率。 該雙極晶體管利用金金屬化系統(tǒng)來實現(xiàn)最大的可靠性。 發(fā)射極鎮(zhèn)流電阻集成在有源電池中，可實現(xiàn)最佳的熱分布和最大的可靠性。 所有設(shè)備都針對大信號RF參數(shù)進行了100％篩選。硅雙
2021-04-01 10:11:46
ILD2731M60功率晶體管ILD2735M120功率晶體管IB2856S250功率晶體管IB2856S30功率晶體管IB2856S65功率晶體管IB2931MH155功率晶體管深圳市立年電子科技有限公司 --射頻微波一站式采購產(chǎn)臺聯(lián)系人：王先生 ***QQ330538935`
2021-04-01 09:48:36
于1997年，是一家通過ISO 9001：2008認證的射頻功率晶體管，托盤和高功率放大器（HPA）認證的制造商。 這些產(chǎn)品基于GaN HEMT和Si LDMOS，VDMOS和雙極技術(shù)。產(chǎn)品型號
2019-05-14 11:00:13
和Si-VDMOS射頻和微波功率晶體管陣容包括各種傳統(tǒng)CW和脈沖雷達系統(tǒng)的難以找到的模型。 它們針對特定雷達應(yīng)用進行了優(yōu)化，其中需要對尺寸，重量，頻率和功率性能變量進行管理。 這些固態(tài)預(yù)匹配晶體管適用于高達
2019-04-15 15:12:37
650W輸出功率經(jīng)過100％大功率射頻測試C級操作IGN3135L115功率晶體管IGN3135L12功率晶體管IGN3135M135功率晶體管IGN3135M250功率晶體管IGN5259M80R2功率
2021-04-01 10:03:31
什么是IGBT(絕緣柵雙極晶體管)？IGBT是 "Insulated Gate Bipolar Transistor"的首字母縮寫，也被稱作絕緣柵雙極晶體管。IGBT被歸類為功率
2019-05-06 05:00:17
IGN1011L1000R2功率晶體管深圳市立年電子科技有限公司 --射頻微波一站式采購產(chǎn)臺聯(lián)系人：王先生 ***QQ330538935`
2021-04-01 10:35:32
Technologies公司成立于1997年，是一家通過ISO 9001：2008認證的射頻功率晶體管，托盤和高功率放大器（HPA）認證的制造商。 這些產(chǎn)品基于GaN HEMT和Si LDMOS，VDMOS
2019-05-20 09:16:24
Technologies公司成立于1997年，是一家通過ISO 9001：2008認證的射頻功率晶體管，托盤和高功率放大器（HPA）認證的制造商。 這些產(chǎn)品基于GaN HEMT和Si LDMOS，VDMOS
2018-11-12 11:14:03
，裝在基于金屬的封裝中，并用陶瓷環(huán)氧樹脂蓋密封。GaN on SiC HEMT技術(shù)40W輸出功率AB類操作預(yù)先匹配的內(nèi)部阻抗經(jīng)過100％大功率射頻測試負柵極電壓/偏置排序IGN2731M5功率晶體管
2021-04-01 09:57:55
IGT2731L120IGT2731L120現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質(zhì)誠科技有限公司,Integra Technologies公司成立于1997年，是一家通過ISO 9001：2008認證的射頻功率晶體管，托盤和高功率放大器（HPA
2018-11-12 10:26:20
、通訊、網(wǎng)絡(luò)、雷達、工業(yè)、科研、以及醫(yī)療領(lǐng)域。我們的全鍍金制造工藝確保了產(chǎn)品的高性能和長期可靠性。我們的雙極晶體管旨在為用戶嚴苛的應(yīng)用提供可靠的解決方案。射頻功率晶體管 - 硅MOSFETMACOM公司
2017-08-14 14:41:32
15989509955 深圳市首質(zhì)誠科技有限公司MAPRST0912-50一個射頻功率晶體管。這些高功率晶體管是理想的航空電子，通信，雷達，以及工業(yè)，科學和醫(yī)療應(yīng)用。優(yōu)勢產(chǎn)品:MACOM放大器/QORVO放大器濾波器
2018-08-09 09:57:23
商業(yè)和軍事應(yīng)用的頻率為175兆赫。該裝置的高功率、高增益和寬帶性能使得FM廣播或電視頻道頻帶的固態(tài)發(fā)射機成為可能。產(chǎn)品型號：MRF151G產(chǎn)品名稱：射頻晶體管MRF151G產(chǎn)品特性保證性能在175兆赫
2018-08-08 11:32:03
頻率范圍內(nèi)的線性大信號輸出級。產(chǎn)品型號：MRF154產(chǎn)品名稱：射頻晶體管MRF154產(chǎn)品特性N溝道增強型MOSFET指定的50伏特，30兆赫的特性-輸出功率＝600瓦，功率增益＝17分貝（Typ），效率
2018-08-07 17:17:34
NPT2020射頻晶體管產(chǎn)品介紹NPT2020報價NPT2020代理NPT2020咨詢熱線NPT2020現(xiàn)貨,王先生*** 深圳市首質(zhì)誠科技有限公司, MACOM公司的開關(guān)和衰減器專用PIN二極管
2018-09-26 09:04:23
NPT25100P射頻晶體管產(chǎn)品介紹NPT25100P報價NPT25100P代理NPT25100P咨詢熱線NPT25100P現(xiàn)貨,王先生*** 深圳市首質(zhì)誠科技有限公司, MACOM公司的開關(guān)
2018-09-26 08:54:30
NPTB00004D射頻晶體管產(chǎn)品介紹NPTB00004D報價NPTB00004D代理NPTB00004D咨詢熱線NPTB00004D現(xiàn)貨,王先生*** 深圳市首質(zhì)誠科技有限公司, MACOM公司
2018-09-26 09:31:14
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2018-09-26 09:31:14
`產(chǎn)品型號：NPTB00025B產(chǎn)品名稱: 射頻功率晶體管NPTB00025B 產(chǎn)品特性針對DC-4000MHz的寬帶運行進行了優(yōu)化散熱增強的行業(yè)標準包裝100％射頻測試具有高達32V的工作電壓
2019-11-01 10:46:19
和醫(yī)療應(yīng)用。 我們所有的金金屬化制造工藝都能確保高性能和長期可靠性。產(chǎn)品名稱: 雷達脈沖功率晶體管PH1214-220M產(chǎn)品特性NPN硅微波功率晶體管符合RoHS標準密封金屬/陶瓷封裝擴散發(fā)射器鎮(zhèn)流電
2018-05-21 15:49:50
和醫(yī)療應(yīng)用。 我們所有的金金屬化制造工藝都能確保高性能和長期可靠性。 產(chǎn)品名稱: 雷達脈沖功率晶體管PH1214-220M產(chǎn)品特性NPN硅微波功率晶體管符合RoHS標準密封金屬/陶瓷封裝擴散發(fā)射器鎮(zhèn)流電
2018-07-06 09:47:57
和醫(yī)療應(yīng)用。 我們所有的金金屬化制造工藝都能確保高性能和長期可靠性。產(chǎn)品名稱: 雷達脈沖功率晶體管PH1214-220M產(chǎn)品特性NPN硅微波功率晶體管符合RoHS標準密封金屬/陶瓷封裝擴散發(fā)射器鎮(zhèn)流電
2018-07-06 09:46:43
應(yīng)用。 我們所有的金金屬化制造工藝都能確保高性能和長期可靠性。產(chǎn)品名稱: 雷達脈沖功率晶體管PH1214-220M產(chǎn)品特性NPN硅微波功率晶體管符合RoHS標準密封金屬/陶瓷封裝擴散發(fā)射器鎮(zhèn)流電
2018-07-13 14:16:37
應(yīng)用。 我們所有的金金屬化制造工藝都能確保高性能和長期可靠性。產(chǎn)品名稱: 雷達脈沖功率晶體管PH1214-220M產(chǎn)品特性NPN硅微波功率晶體管符合RoHS標準密封金屬/陶瓷封裝擴散發(fā)射器鎮(zhèn)流電
2018-11-12 11:02:34
QPD1020射頻功率晶體管產(chǎn)品介紹QPD1020報價QPD1020代理QPD1020咨詢熱線QPD1020現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質(zhì)誠科技有限公司QPD1020是30 W（p3db），50歐姆輸入
2018-07-27 11:20:12
能夠在高輸出功率電平下承受嚴苛的負載失配狀況而不降低性能或造成器件故障。當晶體管工作在負載失配狀態(tài)下時，它的輸出功率有很大一部分會被反射進器件，此時功率必須在晶體管中耗散掉。但在比較不同耐用性的晶體管時，重要的是檢查不同器件制造商達到其耐用性結(jié)果的條件，因為不同制造商的測試條件可能有很大變化。
2019-06-26 07:11:37
電流和寬帶應(yīng)用。高壓操作：VDS = 50V高功率：47.5dBm（典型值）@Psat高效率：55％（典型值）@Psat線性增益：16.0dB（典型值）@ f = 2.2GHz經(jīng)驗證的可靠性頻率（GHz
2021-03-30 11:32:19
繼前篇內(nèi)容，繼續(xù)進行各功率晶體管的比較。本篇比較結(jié)構(gòu)和特征。功率晶體管的結(jié)構(gòu)與特征比較下圖是各功率晶體管的結(jié)構(gòu)、耐壓、導(dǎo)通電阻、開關(guān)速度的比較。使用的工藝技術(shù)不同結(jié)構(gòu)也不同，因而電氣特征也不同。補充
2018-11-30 11:35:30
T2G6003028-FS射頻功率晶體管產(chǎn)品介紹T2G6003028-FS報價T2G6003028-FS代理T2G6003028-FS現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質(zhì)誠科技有限公司T2G6003028-FS
2018-11-16 09:49:48
multisim仿真中高頻晶體管BFG35能用哪個晶體管來代替，MFR151管子能用哪個來代替？或是誰有這兩個高頻管子的原件庫？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
`內(nèi)容簡介《射頻微波功率場效應(yīng)管的建模與特征》首先回顧了一般商用微波射頻晶體管的種類和基本構(gòu)造，介紹了高功率場效應(yīng)管的集約模型的構(gòu)成；描述了功率管一般電氣參數(shù)的測量方法，著重討論對功率管的封裝法蘭
2017-09-07 18:09:11
`內(nèi)容簡介《射頻微波功率場效應(yīng)管的建模與特征》首先回顧了一般商用微波射頻晶體管的種類和基本構(gòu)造，介紹了高功率場效應(yīng)管的集約模型的構(gòu)成；描述了功率管一般電氣參數(shù)的測量方法，著重討論對功率管的封裝法蘭
2018-01-15 17:57:06
放大電路的設(shè)計與制作，下冊則共分15章，主要介紹FET、功率MOS、開關(guān)電源電路等?！?b class="flag-6" style="color: red">晶體管電路設(shè)計》(上)面向?qū)嶋H需要，理論聯(lián)系實際，通過大量具體的實驗，通俗易懂地介紹晶體管電路設(shè)計的基礎(chǔ)知識
2017-07-25 15:29:55
互補晶體管的匹配
2019-10-30 09:02:03
晶體管，鍺PNP晶體管，硅NPN晶體管和硅PNP晶體管。》技術(shù)根據(jù)其結(jié)構(gòu)和制造工藝，晶體管可分為擴散晶體管、合金晶體管和平面晶體管?！?當前容量根據(jù)目前的容量，晶體管可分為低功率晶體管、中功率晶體管和高
2023-02-03 09:36:05
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設(shè)計的器件可以承受嚴重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此?，F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 08:14:59
。達林頓通常用于需要低頻高增益的地方。常見應(yīng)用包括音頻放大器輸出級、功率調(diào)節(jié)器、電機控制器和顯示驅(qū)動器。 達林頓晶體管也被稱為達林頓對，由貝爾實驗室的西德尼達林頓于 1953 年發(fā)明。在 1950
2023-02-16 18:19:11
PNP晶體管在哪里使用？放大電路采用PNP晶體管。達林頓對電路采用PNP晶體管。機器人應(yīng)用利用了PNP晶體管。PNP 晶體管用于控制大功率應(yīng)用中的電流。如何控制PNP晶體管？首先，為了接通PNP
2023-02-03 09:45:56
各位高手，小弟正在學習單結(jié)晶體管，按照網(wǎng)上的電路圖做的關(guān)于單結(jié)晶體管的仿真，大多數(shù)都不成功，請問誰有成功的單結(jié)晶體管的仿真仿真啊，可以分享下嗎。
2016-03-04 09:15:06
）需要幾毫安才能上電，并且可以由邏輯門輸出驅(qū)動。然而，螺線管、燈和電機等大功率電子設(shè)備比邏輯門電源需要更多的電力。輸入晶體管開關(guān)?！ ?b class="flag-6" style="color: red">晶體管開關(guān)操作和操作區(qū)域 圖 1 中圖表上的藍色陰影區(qū)域表示飽和
2023-02-20 16:35:09
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
來至網(wǎng)友的提問：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
選定方法①使TR達到飽和的IC/IB的比率是IC/IB=20/1②輸入電阻：R1是±30% E-B間的電阻：R2/R1=±20%③VBE是0.55~0.75V數(shù)字晶體管具有下面的關(guān)系式?！鰯?shù)字晶體管
2019-04-22 05:39:52
選定方法數(shù)字晶體管的型號說明IO和IC的區(qū)別GI和hFE的區(qū)別VI(on)和VI(off)的區(qū)別關(guān)于數(shù)字晶體管的溫度特性關(guān)于輸出電壓 - 輸出電流特性的低電流領(lǐng)域（數(shù)字晶體管的情況）關(guān)于數(shù)字晶體管
2019-04-09 21:49:36
的IC。2. 按功率分類主要以最大額定值的集電極功率PC進行區(qū)分的方法。大體分為小信號晶體管和功率晶體管，一般功率晶體管的功率超過1W。ROHM的小信號晶體管可以說是業(yè)界第一的。小信號晶體管最大
2019-05-05 01:31:57
本文討論了商用氮化鎵功率晶體管與Si SJMOS和SiC MOS晶體管相比在軟開關(guān)LLC諧振轉(zhuǎn)換器方面的優(yōu)勢。介紹隨著更高功率、更小尺寸和更高效率的明顯趨勢，高頻 LLC 諧振轉(zhuǎn)換器是業(yè)內(nèi)隔離式
2023-02-27 09:37:29
我正在尋找摩托羅拉收音機 VHF 射頻末級中使用的這些舊射頻晶體管的數(shù)據(jù)表，有人可以幫我嗎？
2023-05-30 07:40:02
(MicrosemiCorporation)擴展其基于碳化硅襯底氮化鎵(GaNonSiC)技術(shù)的射頻(RF)晶體管系列，推出新型S波段500WRF器件2729GN-500，新器件瞄準大功率空中交通控制機場監(jiān)視雷達(ASR
2012-12-06 17:09:16
焊接后的晶振耐用性和靈活性為什么沒預(yù)期好?松季電子解答如下： 首先需經(jīng)檢查，進行原因分析：元器件自身質(zhì)量良好，其所在電路也一切正常，所以只能是焊接加工過程有問題，仔細觀察后發(fā)現(xiàn)受損晶體管
2014-03-17 15:15:06
的高可靠性，EPC 公司已經(jīng)宣布了其新的 EPC7019 eGaN 抗輻射功率晶體管器件。EGaN 晶體管采用鈍化模具形式，圖像由 EPC 提供新產(chǎn)品利用 GaN 白光柵材料實現(xiàn)高電子遷移率和低溫系數(shù)。該
2022-06-15 11:43:25
電子產(chǎn)品中，近年來逐漸被晶體管和集成電路所取代，但目前在一些高保真音響器材中，仍然使用電子管作為音頻功率放大器件?！ 《?b class="flag-6" style="color: red">晶體管是一種固體半導(dǎo)體器件，可以用于檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制和許多
2016-01-26 16:52:08
導(dǎo)讀：近日，英飛凌宣布推出700瓦L波段射頻功率晶體管。該晶體管具備業(yè)界最高的L波段輸出功率（700瓦），適用于工作頻率范圍為1200 MHz~1400 MHz的雷達系統(tǒng)。這種新型器件可通過減少
2018-11-29 11:38:26
你好。請問如何在ADS的庫中添加新的射頻晶體管（sp2和非線性模型）？編輯：vodepam2于2014年6月7日下午3:23 以上來自于谷歌翻譯 以下為原文Hi. Please how can i
2019-02-14 15:43:03
的晶體管”?！ ∫了孤兔资怖菍Φ?。氮化鎵的寬帶隙（使束縛電子自由斷裂并有助于傳導(dǎo)的能量）和其他性質(zhì)讓我們能夠利用這種材料承受高電場的能力，制造性能空前的器件?！ ∪缃?，氮化鎵是固態(tài)射頻功率應(yīng)用領(lǐng)域
2023-02-27 15:46:36
2011年9月9日，德克薩斯州奧斯汀市 – 飛思卡爾半導(dǎo)體 (NYSE:FSL)宣布推出高功率射頻LDMOS晶體管，該產(chǎn)品結(jié)合了業(yè)界最高的輸出功率、效率和其同類競爭器件中最強的耐用性，專門面向U
2011-09-13 18:25:06
1179 眾所周知，像硅雙極晶體管等一些晶體管能夠在其中一些半導(dǎo)體單元因短路或負載失配等原因損壞時繼續(xù)工作。因此，將一個器件定義為“耐用晶體管”可能沒有清晰的界限。對硅LDMO
2012-05-28 11:18:541774 本報告將介紹一些最新的耐用型大功率LDMOS晶體管以及它們的電氣特性，并通過比較測試過程來判斷它們的耐用水平。
2012-05-28 11:42:271301 本報告將介紹一些最新的耐用型大功率LDMOS晶體管以及它們的電氣特性，并通過比較測試過程來判斷它們的耐用水平。
2017-09-15 16:10:15
15 目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設(shè)計的器件可以承受嚴重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此。現(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2017-11-23 18:58:37377 目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設(shè)計的器件可以承受嚴重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此?，F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2017-12-07 17:53:08354 目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設(shè)計的器件可以承受嚴重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此?，F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2019-03-18 15:53:16947 
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設(shè)計的器件可以承受嚴重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此?，F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體（LDMOS）晶體管
2020-08-20 18:50:000 能夠在高輸出功率電平下承受嚴苛的負載失配狀況而不降低性能或造成器件故障。當晶體管工作在負載失配狀態(tài)下時，它的輸出功率有很大一部分會被反射進器件，此時功率必須在晶體管中耗散掉。但在比較不同耐用性的晶體管時，重要的是
2020-08-14 18:51:000 目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設(shè)計的器件可以承受嚴重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此?，F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體（LDMOS
2020-08-12 18:52:000 功率 MOSFET 單次和重復(fù)雪崩耐用性等級-AN10273
2023-02-09 19:23:422 MRF427 NPN硅射頻功率晶體管規(guī)格書
2023-07-24 14:27:530 MRF422射頻功率晶體管規(guī)格書
2023-07-24 14:24:070
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