與雙極型晶體管相比,LDMOS管的增益更高,LDMOS管的增益可達(dá)14dB以上,而雙極型晶體管在5~6dB,采用LDMOS管的PA模塊的增益可達(dá)60dB左右。這表明對于相同的輸出功率需要更少的器件,從而增大功放的可靠性。
2020-04-07 09:00:33
晶體管在5~6dB,采用
LDMOS管的PA模塊的增益可達(dá)60dB左右。這表明對于相同的輸出
功率需要更少的器件,從而增
大功放的可靠性?! ?/div>
2019-06-26 07:33:30
功率晶體管(GTR)具有控制方便、開關(guān)時間短、通態(tài)壓降低、高頻特性好、安全工作區(qū)寬等優(yōu)點。但存在二次擊穿問題和耐壓難以提高的缺點,阻礙它的進(jìn)一步發(fā)展?!⒔Y(jié)構(gòu)特性1、結(jié)構(gòu)原理功率晶體管是雙極型大功率
2018-01-15 11:59:52
功率晶體管(GTR)具有控制方便、開關(guān)時間短、通態(tài)壓降低、高頻特性好、安全工作區(qū)寬等優(yōu)點。但存在二次擊穿問題和耐壓難以提高的缺點,阻礙它的進(jìn)一步發(fā)展?!?、結(jié)構(gòu)特性1、結(jié)構(gòu)原理功率晶體管是雙極型大功率
2018-01-25 11:27:53
大功率晶體三極管的檢測 利用萬用表檢測中、小功率三極管的極性、管型及性能的各種方法,對檢測大功率三極管來說基本上適用。但是,由于大功率三極管的工作電流比較大,因而其PN結(jié)的面積也較大。PN結(jié)較大
2012-06-04 10:58:28
按照大功率 igbt 驅(qū)動保護(hù)電路能夠完成的功能來分類,可以將大功率 igbt 驅(qū)動保護(hù)電 路分為以下三種類型:單一功能型,多功能型,全功能型。
2019-11-07 09:02:20
IGBT-1200A型測試儀可以測試大功率IGBT(雙極型晶體管),大功率MOS管的Vce-Ic特性曲線。在國內(nèi)電子市場上,魚目混珠的產(chǎn)品太多,特別是大功率的IGBT,全新的和翻新的很難分辨出真假
2015-03-11 13:51:32
通用型TVS管和專用型TVS管;按封裝和內(nèi)部結(jié)構(gòu),可分為軸向引線TVS管、雙列直插TVS管、貼片式TVS管、大功率TVS管、小功率TVS管等。目前,業(yè)內(nèi)普遍定義,3000W以上的TVS管均屬于大功率
2018-09-27 17:36:26
0.3pF以下;三、功率:小功率TVS性能測試用8/20us波形;大功率TVS性能測試用10/700us波形,其功率是小功率TVS管的7~10倍;四、響應(yīng)速度:小功率TVS的響應(yīng)速度ps級;大功率TVS一般為
2022-05-24 16:18:18
及制造工藝分類 晶體管按其結(jié)構(gòu)及制造工藝可分為擴(kuò)散型晶體管、合金型晶體管和平面型晶體管。 按電流容量分類 晶體管按電流容量可分為小功率晶體管、中功率晶體管和大功率晶體管按工作頻率分類 晶體管按
2010-08-12 13:59:33
的hFE檔測量。測量時,應(yīng)先將萬用表置于ADJ檔進(jìn)行調(diào)零后,再撥至hFE檔,將被測晶體管的C、B、E三個引腳分別插入相應(yīng)的測試插孔中(采用TO-3封裝的大功率晶體管,可將其3個電極接出3根引線后,再分
2012-04-26 17:06:32
供應(yīng)晶圓芯片,型號有: 可控硅, 中、大功率晶體管,13000系列晶體管,達(dá)林頓晶體管,高頻小信號晶體管,開關(guān)二極管,肖特基二極管,穩(wěn)壓二極管等。有意都請聯(lián)系:沈女士***
2020-02-17 16:24:13
不同分類角度,有幾種不同的分類方法。在這里,從結(jié)構(gòu)和工藝方面粗略地分類如下。其中,本篇的主題“功率類”加粗/涂色表示。雙極晶體管和MOSFET中,分功率型和小信號型,IGBT原本是為處理大功率而開發(fā)
2018-11-28 14:29:28
和小信號型,IGBT原本是為處理大功率而開發(fā)的晶體管,因此基本上僅有功率型。 順便提一下,MOSFET為Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
2020-06-09 07:34:33
控制大功率現(xiàn)在的功率晶體管能控制數(shù)百千瓦的功率,使用功率晶體管作為開關(guān)有很多優(yōu)點,主要是;(1)容易關(guān)斷,所需要的輔助元器件少,(2)開關(guān)迅速,能在很高的頻率下工作,(3)可得到的器件耐壓范圍從
2018-10-25 16:01:51
300V,一般可選用3DG182N、2SC2068、2SC2611、2SC2482等型號的晶體管。 3.行推動管的選用彩色電視機中使用的行推動管,應(yīng)選用中、大功率的高頻晶體管。其耗散功率應(yīng)大于或等于10W
2012-01-28 11:27:38
脈沖功率。 在沒有外部調(diào)諧的情況下,所有設(shè)備都在寬帶RF測試夾具中100%屏蔽了大信號RF參數(shù)。硅雙極匹配50歐姆210W輸出功率經(jīng)過100%大功率射頻測試C級操作IB0607S10功率晶體管
2021-04-01 10:07:29
匹配50歐姆600W輸出功率經(jīng)過100%大功率射頻測試C級操作IB0810M100功率晶體管IB0810M12功率晶體管IB0810M210功率晶體管IB0810M50功率晶體管IB0912L200功率
2021-04-01 09:41:49
匹配50歐姆600W輸出功率經(jīng)過100%大功率射頻測試C級操作IGN2731M180功率晶體管IGN2731M200功率晶體管IGN2731M250功率晶體管IGN2731M5功率晶體管
2021-04-01 10:29:42
`IB2729M170是專為S波段ATC雷達(dá)系統(tǒng)設(shè)計的大功率脈沖晶體管,該系統(tǒng)工作在2.7-2.9 GHz的瞬時帶寬上。 在C類模式下工作時,該通用基礎(chǔ)設(shè)備在100μs脈沖寬度和10%占空比的條件下
2021-04-01 09:48:36
650W輸出功率經(jīng)過100%大功率射頻測試C級操作IGN3135L115功率晶體管IGN3135L12功率晶體管IGN3135M135功率晶體管IGN3135M250功率晶體管IGN5259M80R2功率
2021-04-01 10:03:31
Technologies公司成立于1997年,是一家通過ISO 9001:2008認(rèn)證的射頻功率晶體管,托盤和高功率放大器(HPA)認(rèn)證的制造商。 這些產(chǎn)品基于GaN HEMT和Si LDMOS,VDMOS
2019-05-20 09:16:24
,裝在基于金屬的封裝中,并用陶瓷環(huán)氧樹脂蓋密封。GaN on SiC HEMT技術(shù)40W輸出功率AB類操作預(yù)先匹配的內(nèi)部阻抗經(jīng)過100%大功率射頻測試負(fù)柵極電壓/偏置排序IGN2731M5功率晶體管
2021-04-01 09:57:55
9001:2008認(rèn)證的射頻功率晶體管,托盤和高功率放大器(HPA)認(rèn)證的制造商。 這些產(chǎn)品基于GaN HEMT和Si LDMOS,VDMOS和雙極技術(shù)。相關(guān)
2018-11-12 10:26:20
眾所周知,像硅雙極晶體管等一些晶體管能夠在其中一些半導(dǎo)體單元因短路或負(fù)載失配等原因損壞時繼續(xù)工作。因此,將一個器件定義為“耐用晶體管”可能沒有清晰的界限。對硅LDMOS晶體管的耐用性測試通常是指器件
2019-06-26 07:11:37
工作電壓的極性而可分為NPN型或PNP型。雙極結(jié)型晶體管 雙極結(jié)型晶體管(Bipolar Junction Transistor—BJT)又稱為半導(dǎo)體三極管,它是通過一定的工藝將兩個PN結(jié)結(jié)
2010-08-13 11:36:51
的制造商生產(chǎn)半導(dǎo)體(晶體管是該設(shè)備家族的成員),因此有數(shù)千種不同的類型。有低功率、中功率和高功率晶體管,用于高頻和低頻工作,用于非常高電流和/或高電壓工作。本文概述了什么是晶體管、不同類型的晶體管
2023-08-02 12:26:53
大于5W的晶體管稱為大功率晶體管。4.4 特性頻率(fT)當(dāng)晶體管的工作頻率超過截止頻率fβ或fα?xí)r,電流放大因子β會隨著頻率的增加而降低。特征頻率是晶體管β值降低到1的頻率。特征頻率小于或等于
2023-02-03 09:36:05
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設(shè)計的器件可以承受嚴(yán)重的失配,即使在滿輸出電平時也是如此?,F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 08:14:59
PNP晶體管在哪里使用?放大電路采用PNP晶體管。達(dá)林頓對電路采用PNP晶體管。機器人應(yīng)用利用了PNP晶體管。PNP 晶體管用于控制大功率應(yīng)用中的電流。如何控制PNP晶體管?首先,為了接通PNP
2023-02-03 09:45:56
MOS場效應(yīng)晶體管。所選場效應(yīng)晶體管的主要參數(shù)應(yīng)符合應(yīng)用電路的具體要求。小功率場效應(yīng)晶體管應(yīng)注意輸入阻抗、低頻跨導(dǎo)、夾斷電壓(或開啟電壓)、擊穿電壓待參數(shù)。大功率場效應(yīng)晶體管應(yīng)注意擊穿電壓、耗散功率
2021-05-13 07:10:20
工藝可分為擴(kuò)散型晶體管、合金型晶體管和平面型晶體管。(三)按電流容量分類晶體管按電流容量可分為小功率晶體管、中功率晶體管和大功率晶體管。(四)按工作頻率分類晶體管按工作頻率可分為低頻晶體管、高頻晶體管
2012-07-11 11:36:52
情況下,在HF~VHF頻段設(shè)計的寬帶射頻功放,采用場效應(yīng)管(FET)設(shè)計要比使用常規(guī)功率晶體管設(shè)計方便簡單,正是基于場效應(yīng)管輸入阻抗比較高,且輸入阻抗相對頻率的變化不會有太大的偏差,易于阻抗匹配
2019-06-19 06:30:29
)需要幾毫安才能上電,并且可以由邏輯門輸出驅(qū)動。然而,螺線管、燈和電機等大功率電子設(shè)備比邏輯門電源需要更多的電力。輸入晶體管開關(guān)?! ?b class="flag-6" style="color: red">晶體管開關(guān)操作和操作區(qū)域 圖 1 中圖表上的藍(lán)色陰影區(qū)域表示飽和
2023-02-20 16:35:09
本文介紹的這款單顆LED大功率手電筒是以單顆發(fā)光二極管(LED)作為光源的一種新型照明工具,它具有省電、耐用、亮度強等優(yōu)點??捎糜谝剐?、登山、野營、醫(yī)用、維修等。且使用效果很不錯。
2021-04-26 06:29:55
IGBT是由哪些部分組成的?絕緣柵雙極型晶體管IGBT有哪些特點?如何去使用絕緣柵雙極型晶體管IGBT呢?
2021-11-02 06:01:06
什么是微波功率晶體管?如何提高微波功率晶體管可靠性?
2021-04-06 09:46:57
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設(shè)計的器件可以承受嚴(yán)重的失配,即使在滿輸出電平時也是如此?,F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 06:13:27
標(biāo)準(zhǔn)化的產(chǎn)物。4. 按形狀分類根據(jù)功率及安裝形態(tài),決定了晶體管的外形大小和形狀。大體分為引腳型和表面安裝型。
2019-05-05 01:31:57
求大佬分享一款適用于激光及MRI的寬帶LDMOS晶體管
2021-06-08 06:29:42
(MicrosemiCorporation)擴(kuò)展其基于碳化硅襯底氮化鎵(GaNonSiC)技術(shù)的射頻(RF)晶體管系列,推出新型S波段500WRF器件2729GN-500,新器件瞄準(zhǔn)大功率空中交通控制機場監(jiān)視雷達(dá)(ASR
2012-12-06 17:09:16
針對可靠的高功率和高頻率電子設(shè)備,制造商正在研究氮化鎵(GaN)來制造具有高開關(guān)頻率的場效應(yīng)晶體管(FET)由于硅正在接近其理論極限,制造商現(xiàn)在正在研究使用寬帶隙(WBG)材料來制造高效率的大功率
2022-06-15 11:43:25
進(jìn)一步減少所需的組件?! {借英飛凌50V LDMOS功率晶體管技術(shù),PTVA127002EV展現(xiàn)出了極高的能效:利用300微秒10%占空比脈沖進(jìn)行測量,在1200 MHz~1400 MHz波段下
2018-11-29 11:38:26
的晶體管”?! ∫了孤兔资怖菍Φ摹5壍膶拵叮ㄊ故`電子自由斷裂并有助于傳導(dǎo)的能量)和其他性質(zhì)讓我們能夠利用這種材料承受高電場的能力,制造性能空前的器件。 如今,氮化鎵是固態(tài)射頻功率應(yīng)用領(lǐng)域
2023-02-27 15:46:36
高頻中、大功率晶體管一般用于視頻放大電路、前置放大電路、互補驅(qū)動電路、高壓開關(guān)電路及行推動等電路。常用的國產(chǎn)高頻中、大功率晶體管有3DG41A~3DG41G、3DG83A~3DG83E、3DA87A
2013-08-17 14:26:19
大功率開關(guān)晶體管的重要任務(wù)
現(xiàn)在的功率晶體管能控制數(shù)百千瓦的功率,使用功率晶體管作為開關(guān)有很多優(yōu)點,主要是;
(1)容易關(guān)斷,所需要的輔
2010-02-06 10:23:4943 恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors)(由飛利浦創(chuàng)建的獨立半導(dǎo)體公司)日前推出了全球首款真正的300W超高頻( UHF)晶體管,即第六代高壓LDMOS晶體管BLF878。這一新的大功率晶體管是市場
2010-09-17 18:29:3120
大功率晶體管驅(qū)動電路的設(shè)計及其應(yīng)用
摘要:介紹了大功率晶體管(GTR)基極驅(qū)動電路的設(shè)計,分析了基極驅(qū)動電路的要求
2009-07-09 10:36:403188 大功率開關(guān)—晶體管的重要任務(wù)
(一)控制大功率
現(xiàn)在的功率晶體管能控制數(shù)百千瓦的功率,使用功率晶體管作為開關(guān)有很多優(yōu)點,主要是;
(1)容易關(guān)斷,
2009-07-29 16:09:521762
大功率晶體管的修理
2009-08-22 16:08:06349 TIP41C低頻大功率平面晶體管芯片設(shè)計
0 引言
TIP41C是一種中壓低頻大功率線性開關(guān)晶體管。該器件設(shè)計的重點是它的極限參數(shù)。設(shè)計反壓較高的大功率晶體管
2009-12-24 17:04:5610381 2011年9月9日,德克薩斯州奧斯汀市 – 飛思卡爾半導(dǎo)體 (NYSE:FSL)宣布推出高功率射頻LDMOS晶體管,該產(chǎn)品結(jié)合了業(yè)界最高的輸出功率、效率和其同類競爭器件中最強的耐用性,專門面向U
2011-09-13 18:25:061179 本報告將介紹一些最新的耐用型大功率LDMOS晶體管以及它們的電氣特性,并通過比較測試過程來判斷它們的耐用水平。
2012-05-28 11:42:271301 恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors N.V.)(納斯達(dá)克代碼:NXPI)今日推出BLF188XR – 其XR系列“超耐用” LDMOS 射頻功率晶體管的最新成員。BLF188XR專為最嚴(yán)酷的工程環(huán)境而設(shè)計,真實條件下耐用性更強, 能夠在5dB壓縮點承受超過65:1駐波比的嚴(yán)重負(fù)載失配。
2013-08-13 12:30:003966 晶體管,大功率,晶體管參數(shù)NPN型、大功率開關(guān)管、音頻功放開關(guān)、達(dá)林頓、音頻功放開關(guān)。
2015-11-09 16:22:150 本報告將介紹一些最新的耐用型大功率LDMOS晶體管以及它們的電氣特性,并通過比較測試過程來判斷它們的耐用水平。
2017-09-15 16:10:1515 ,這種產(chǎn)品能夠承受相當(dāng)于65.0:1的電壓駐波比(VSWR)的負(fù)載失配。但這些晶體管真的無懈可擊嗎?這種耐用性適用于哪些類型的應(yīng)用?本文將介紹一些最新的耐用型大功率LDMOS晶體管以及它們的電氣特性,并通過比較測試過程來判斷它們的耐用
2017-11-23 18:58:37377 )晶體管,這種產(chǎn)品能夠承受相當(dāng)于65.0:1的電壓駐波比(VSWR)的負(fù)載失配。但這些晶體管 真的無懈可擊嗎?這種耐用性適用于哪些類型的應(yīng)用?本報告將介紹一些最新的耐用型大功率LDMOS晶體管以及它們的電氣特性,并通過比較測試過程來判斷它 們的
2017-12-07 06:22:21461 ,這種產(chǎn)品能夠承受相當(dāng)于65.0:1的電壓駐波比(VSWR)的負(fù)載失配。但這些晶體管真的無懈可擊嗎?這種耐用性適用于哪些類型的應(yīng)用?本報告將介紹一些最新的耐用型大功率LDMOS晶體管以及它們的電氣特性,并通過比較測試過程來判斷它們的耐
2017-12-07 17:53:08355 ,這種產(chǎn)品能夠承受相當(dāng)于65.0:1的電壓駐波比(VSWR)的負(fù)載失配。但這些晶體管真的無懈可擊嗎?這種耐用性適用于哪些類型的應(yīng)用?本報告將介紹一些最新的耐用型大功率LDMOS晶體管以及它們的電氣特性,并通過比較測試過程來判斷它們的耐用水平。
2019-03-18 15:53:16948 ,這種產(chǎn)品能夠承受相當(dāng)于 65.0:1的電壓駐波比(VSWR)的負(fù)載失配。但這些晶體管真的無懈可擊嗎?這種耐用性適用于哪些類型的應(yīng)用?本文將介紹一些最新的耐用型大功率LDMOS晶體管以及它們的電氣特性,并通過比較測試過程來判斷它們的
2020-08-20 18:50:000 眾所周知,像硅雙極晶體管等一些晶體管能夠在其中一些半導(dǎo)體單元因短路或負(fù)載失配等原因損壞時繼續(xù)工作。因此,將一個器件定義為“耐用晶體管”可能沒有清晰的界限。對硅LDMOS晶體管的耐用性測試通常是指器件
2020-08-14 18:51:000 )晶體管,這種產(chǎn)品能夠承受相當(dāng)于65.0:1的電壓駐波比(VSWR)的負(fù)載失配。但這些晶體管真的無懈可擊嗎?這種耐用性適用于哪些類型的應(yīng)用?本報告將介紹一些最新的耐用型大功率LDMOS晶體管以及它們的電氣特性,并通過比較測試過程來判斷它們
2020-08-12 18:52:000 大功率NPN硅晶體管BUX98/BUX98A數(shù)據(jù)手冊
2021-08-11 14:14:110 100 V、6 A PNP 大功率雙極晶體管-MJD42C-Q
2023-02-16 20:10:150 100 V、3 A NPN 大功率雙極晶體管-MJD31CH-Q
2023-02-16 20:20:410 50 V、2 A NPN 大功率雙極晶體管-MJD2873-Q
2023-02-16 20:21:310 45 V、4 A NPN 大功率雙極晶體管-MJD148-Q
2023-02-16 20:21:420 100 V、6 A PNP 大功率雙極晶體管-MJD42C
2023-02-16 20:29:070 100 V、6 A NPN 大功率雙極晶體管-MJD41C
2023-02-16 20:29:210 50 V、2 A NPN 大功率雙極晶體管-MJD2873
2023-02-16 20:44:110 45 V、4 A NPN 大功率雙極晶體管-MJD148
2023-02-16 20:44:240 NPN/NPN大功率雙雙極晶體管-PHPT610035NK
2023-02-17 19:08:240 100 V、3 A PNP 大功率雙極晶體管-MJD32CA
2023-02-17 19:10:300 100 V、3 A NPN 大功率雙極晶體管-PHPT61003NY
2023-02-17 19:34:120 NPN/NPN大功率雙雙極晶體管-PHPT610030NK
2023-02-17 19:35:190 100 V、3 A PNP 大功率雙極晶體管-MJD32C
2023-02-20 19:35:381 80 V、8 A PNP 大功率雙極晶體管-MJD45H11
2023-02-20 19:37:390 80 V、8 A NPN 大功率雙極晶體管-MJD44H11
2023-02-20 19:38:021 60 V、10 A NPN 大功率雙極晶體管-PHPT60610NY
2023-02-21 18:19:170 40 V、15 A PNP 大功率雙極晶體管-PHPT60415PY
2023-02-21 18:19:410 100 V、2 A PNP 大功率雙極晶體管-PHPT61002PYCLH
2023-02-23 19:20:190 100V、2A NPN大功率雙極晶體管-PHPT61002NYC
2023-02-27 18:50:451 60 V、6 A PNP 大功率雙極晶體管-PHPT60606PY
2023-02-27 18:50:560 60 V、3 A PNP 大功率雙極晶體管-PHPT60603PY
2023-02-27 18:51:280 40 V、6 A NPN 大功率雙極晶體管-PHPT60406NY
2023-02-27 18:52:170 大功率晶體管是指在高電壓、大電流的條件下工作的晶體管。一般被稱為功率器件,屬于電力電子技術(shù)(功率電子技術(shù))領(lǐng)域研究范疇。其實質(zhì)就是要有效地控制功率電子器件合理工作,通過功率電子器件為負(fù)載提供大功率的輸出。
2023-03-01 09:39:241038 大功率晶體管的放大倍數(shù)取決于其特定的設(shè)計和工作條件,因此不能一概而論。晶體管的放大倍數(shù)(即電流增益)通常定義為晶體管輸出電流與輸入電流之比,用β表示。β的大小受到晶體管的結(jié)構(gòu)、工作電流、溫度等因素
2023-03-01 14:06:592058 100 V、10 A PNP 大功率雙極晶體管-PHPT61010PY
2023-03-02 23:13:570 100 V、6 A PNP 大功率雙極晶體管-PHPT61006PY
2023-03-02 23:14:270 40 V、10 A PNP 大功率雙極晶體管-PHPT60410PY
2023-03-02 23:14:570 40 V、10 A NPN 大功率雙極晶體管-PHPT60410NY
2023-03-02 23:15:140 100 V、2 A NPN 大功率雙極晶體管-PHPT61002NYCLH
2023-03-03 19:27:250 LFPAK56 中的 NXP 大功率雙極晶體管替代繼電器-AN11641
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