ROHM針對(duì)這些挑戰(zhàn)，于2019年開始開發(fā)內(nèi)置高耐壓、低損耗SiC MOSFET的插裝型AC/DC轉(zhuǎn)換器IC，并一直致力于開發(fā)出能夠更大程度地發(fā)揮SiC功率半導(dǎo)體性能的IC，在行業(yè)中處于先進(jìn)地位。
2021-06-20 10:58:48
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AD8040AR-EBZ，14引腳SOIC評(píng)估板，旨在幫助用戶評(píng)估采用14引腳SOIC封裝的四通道，高速運(yùn)算放大器
2020-05-13 08:06:27
SI4836-DEMO，演示板采用16引腳SOIC封裝的Si4836芯片，革命性的單芯片AM / FM / SW接收器，集成了從天線輸入到音頻輸出的所有功能，并允許使用通用和經(jīng)濟(jì)的電位器進(jìn)行頻率調(diào)諧
2020-07-26 18:05:02
據(jù)我所知，本論壇部分所引用的系列中的大多數(shù)（也許全部）電源插腳都傾向于位于設(shè)備兩側(cè)的中間，或者位于頂端（缺口）兩側(cè)。搜索“帶有電源引腳10和20的20引腳PIC”不會(huì)得到很好的結(jié)果，這可能意味著沒有
2019-10-17 10:26:11
8引腳LLP封裝尺寸圖 [此貼子已經(jīng)被作者于2008-6-11 14:22:53編輯過]
2008-06-11 14:22:35
`全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開發(fā)出內(nèi)置有2枚耐壓±40V和±60V的MOSFET且支持24V輸入的雙極MOSFET*1“QH8Mx5/SH8Mx5系列（Nch+Pch*2
2021-07-14 15:17:34
V SiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的，采用ROHM的這些產(chǎn)品將有助于應(yīng)用的小型化并提高模塊的性能和可靠性。另外
2023-03-29 15:06:13
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開發(fā)的第3代SiC肖特基二極管（以下簡(jiǎn)稱“SBD”）成功應(yīng)用于Murata Power Solutions的產(chǎn)品上。Murata Power
2023-03-02 14:24:46
大家好，我打算在逆變器應(yīng)用中使用sic mosfets（2級(jí)或3級(jí)），我搜索了一些制造商和價(jià)格，我看到sct30n120和ST說'非?？焖俸蛷?qiáng)大的內(nèi)部體二極管（不需要外部續(xù)流二極管，因此，更緊
2019-05-29 06:12:00
有使用過SIC MOSFET 的大佬嗎 想請(qǐng)教一下驅(qū)動(dòng)電路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
從本文開始，將逐一進(jìn)行SiC-MOSFET與其他功率晶體管的比較。本文將介紹與Si-MOSFET的區(qū)別。尚未使用過SiC-MOSFET的人，與其詳細(xì)研究每個(gè)參數(shù)，不如先弄清楚驅(qū)動(dòng)方法等
2018-11-30 11:34:24
”）應(yīng)用越來越廣泛。關(guān)于SiC-MOSFET，這里給出了DMOS結(jié)構(gòu)，不過目前ROHM已經(jīng)開始量產(chǎn)特性更優(yōu)異的溝槽式結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET。具體情況計(jì)劃后續(xù)進(jìn)行介紹。在特征方面，Si-DMOS存在
2018-11-30 11:35:30
、SJ-MOSFET的10分之1，就可以實(shí)現(xiàn)相同的導(dǎo)通電阻。 不僅能夠以小封裝實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻，而且能夠使門極電荷量Qg、結(jié)電容也變小。 SJ-MOSFET只有900V的產(chǎn)品，但是SiC卻能夠以很低
2023-02-07 16:40:49
采用IGBT這種雙極型器件結(jié)構(gòu)（導(dǎo)通電阻變低，則開關(guān)速度變慢），就可以實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻、高耐壓、快速開關(guān)等各優(yōu)點(diǎn)兼?zhèn)涞钠骷?b class="flag-6" style="color: red">3. VD - ID特性SiC-MOSFET與IGBT不同，不存在開啟電壓，所以
2019-04-09 04:58:00
本文就SiC-MOSFET的可靠性進(jìn)行說明。這里使用的僅僅是ROHM的SiC-MOSFET產(chǎn)品相關(guān)的信息和數(shù)據(jù)。另外，包括MOSFET在內(nèi)的SiC功率元器件的開發(fā)與發(fā)展日新月異，如果有不明之處或希望
2018-11-30 11:30:41
，但由于第三代（3G）SiC-MOSFET導(dǎo)通電阻更低，晶體管數(shù)得以從8個(gè)減少到4個(gè)。關(guān)于效率，采用第三代（3G）SiC-MOSFET時(shí)的結(jié)果最理想，無論哪種SiC-MOSFET的效率均超過Si IGBT
2018-11-27 16:38:39
米勒箝位示意圖在高功率應(yīng)用中，對(duì)于SiC MOSFET的選取，本文推薦采用[color=#2655a5 !important]ROHM（羅姆）公司提供的新型SiC MOSFET解決方案——[color
2019-07-09 04:20:19
éveloppement2016年報(bào)告，展示了SiC模塊開發(fā)活動(dòng)的現(xiàn)狀。我們相信在分立封裝中SiC MOSFET的許多亮點(diǎn)仍然存在，因?yàn)榭刂坪碗娫措娐返淖罴巡季謱?shí)踐可以輕松地將分立解決方案的適用性擴(kuò)展到數(shù)十
2023-02-27 13:48:12
產(chǎn)品系列包括以下SiC MOSFET：1200V 80/120 /160mΩ和1700V750mΩ，均采用TO247-3L封裝。其他器件很快將在同一封裝中投入生產(chǎn)，加上類似器件將采用TO247-4
2019-07-30 15:15:17
采用IGBT這種雙極型器件結(jié)構(gòu)（導(dǎo)通電阻變低，則開關(guān)速度變慢），就可以實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻、高耐壓、快速開關(guān)等各優(yōu)點(diǎn)兼?zhèn)涞钠骷?b class="flag-6" style="color: red">3. VD - ID特性SiC-MOSFET與IGBT不同，不存在開啟電壓，所以
2019-05-07 06:21:55
Sic MOSFET 主要優(yōu)勢(shì).更小的尺寸及更輕的系統(tǒng).降低無源器件的尺寸/成本.更高的系統(tǒng)效率.降低的制冷需求和散熱器尺寸Sic MOSFET ，高壓開關(guān)的突破.SCT
2017-07-27 17:50:07
4引腳封裝的MOSFET 英飛凌已經(jīng)在CoolMOS系列器件中推出新的封裝概念“4引線封裝”,其中，通孔封裝名為“TO-247 4PIN”.如圖3中的虛線框內(nèi)所示，最新推出的TO-247 4引腳模型
2018-10-08 15:19:33
Si4827-DEMO，演示板采用16引腳SOIC封裝的Si4827芯片設(shè)計(jì)，革命性的單芯片AM / FM / SW接收器集成了從天線輸入到音頻輸出的所有功能，并允許使用通用和經(jīng)濟(jì)的電位器進(jìn)行
2020-08-10 09:40:04
CPC7582線路卡接入交換機(jī)的典型CPC7582應(yīng)用框圖。 CPC7582是采用16引腳SOIC或DFN表面貼裝封裝的單片固態(tài)開關(guān)
2020-07-30 10:21:46
SI4840-DEMO，SI4840 MCU演示板，數(shù)字無線電調(diào)諧器。 SI4840-DEMO板采用24引腳SSOP封裝的Si4840芯片設(shè)計(jì)，革命性的單芯片AM / FM / SW接收器集成了從天線輸出到音頻輸入的所有功能，并允許使用通用和經(jīng)濟(jì)的電位器進(jìn)行頻率調(diào)諧
2020-08-04 10:04:06
Fraunhofer ISE用ROHM SiC和柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)備開發(fā)了一款10kW的三相UPS逆變器，如圖4所示。100kHz的高開關(guān)頻率導(dǎo)致輸出端的無源濾波器組件和輸入電容小，從而使輸出電容器和輸入
2019-10-25 10:01:08
。與此同時(shí)，SiC模塊也已開發(fā)出采用第3代SiC-MOSFET的版本?！癇SM180D12P3C007”就是通過采用第3代SiC-MOSFET而促進(jìn)實(shí)現(xiàn)更低導(dǎo)通電阻和更大電流的、1200V/180A、Ron
2018-12-04 10:11:50
3引腳GND是給誰提供參考電平的？
在AD5445的datasheet中所有的3引腳連接到模擬部分，但是在AD5445開發(fā)板中，3引腳連接到數(shù)字部分，請(qǐng)問哪個(gè)正確？
2023-12-20 06:52:39
ADP5023CP-EVALZ，ADP5023微功率管理單元評(píng)估板。 ADP5023采用24引腳4 mm 4 mm LFCSP封裝。 ADP5023是三通道器件，共用一個(gè)通用PCB評(píng)估板
2019-08-05 08:39:27
ADP5024CP-EVALZ，ADP5024微功率管理單元評(píng)估板。 ADP5024采用24引腳4 mm 4 mm LFCSP封裝。 ADP5024是三通道器件，共用一塊通用PCB評(píng)估板
2019-07-31 07:40:10
ADP5034-1-EVALZ，ADP5034微功率管理單元評(píng)估板。 ADP5034采用24引腳4 mm 4 mm LFCSP封裝。 ADP5034是四通道器件，共用一個(gè)評(píng)估板
2019-08-01 06:59:57
ARDUINO UNO R3中的ATMEGA16U2-MU的33引腳是干嘛的，封裝不是只有32個(gè)嗎，該怎么畫封裝呢？
2016-08-29 18:06:40
EVAL-ADCMP551BRQ，評(píng)估板，采用ADCMP551，雙通道高速PECL比較器，提供16引腳QSOP封裝
2019-07-30 08:58:27
EVAL-PRAOPAMP-4RUZ，通用精密評(píng)估板，分別采用8引腳SOIC，MSOP和LFCSP封裝的ADA4077-2雙通道運(yùn)算放大器。用于LFCSP封裝的裸露焊盤連接。該P(yáng)RAOPAMP評(píng)估板
2019-11-01 09:06:39
JRC4558是一種常見的雙運(yùn)算放大器芯片，常用于音頻放大電路，他有兩種封裝形式，單列，和雙列方式，引腳布局分別見下圖 單列JRC4558引腳圖雙列JRC4558引腳圖4558引腳功能如下：（雙列
2020-07-17 18:24:30
用c8051f系列的單片機(jī)，c2口下載程序，封裝不知道怎么做。庫(kù)里面好像沒有10引腳的。
2012-07-09 16:09:44
) MOSFET功率模塊的極低電感封裝 這款全新封裝專為用于公司SP6LI 產(chǎn)品系列 而開發(fā)，經(jīng)設(shè)計(jì)提供適用于SiC MOSFET技術(shù)的2.9 nH雜散電感，同時(shí)實(shí)現(xiàn)高電流、高開關(guān)頻率以及高效率。美高森美將在德國(guó)
2018-10-23 16:22:24
運(yùn)放OPA2188引腳3 4短路，芯片壞了好幾個(gè)啥原因
2017-11-28 12:54:52
目前正在設(shè)計(jì)基于STM32F103的PCB。該封裝采用VFQFPN 36引腳封裝，并具有大型散熱墊。此部件的數(shù)據(jù)表似乎并未顯示此焊盤的引腳編號(hào)或功能。我是否認(rèn)為是：a）一個(gè)孤立的墊b）接地墊c）其他的東西
2018-09-17 15:00:39
1.TC397的VDDP3引腳的主要功能是什么？用來給類似外部FLASH供電使用的嗎？
2.我是否可以不使用VDDP3引腳，講VDDP3引腳串聯(lián)一個(gè)100nf電容到GND？
3.TC3X系列是否有硬件設(shè)計(jì)指導(dǎo)手冊(cè)？
2024-02-01 08:28:25
100引腳tqfp封裝下載 附件為.p文件，直接inport to your library.即可使用。
2008-06-11 14:52:58
特點(diǎn)3：功能豐富，支持智能耳戴式設(shè)備15 地磁傳感器面向停車場(chǎng)車輛管理系統(tǒng)的車輛檢測(cè)領(lǐng)域，開發(fā)出檢測(cè)地磁的MI傳感器"BM1422AGMV"。MI傳感器采用特殊非
2018-10-17 16:16:17
封裝的SIC MOSFET各兩片，分別是TO-247-4L的SCT3040KR，TO-247-3L的SCT3040KL，這兩款都是羅姆推出的SIC MOSFET。兩款SIC 的VDS都是1200V
2020-05-09 11:59:07
`收到了羅姆的sic-mosfet評(píng)估板，感謝羅姆，感謝電子發(fā)燒友。先上幾張開箱圖，sic-mos有兩種封裝形式的，SCT3040KR，主要參數(shù)如下：SCT3040KL，主要參數(shù)如下：后續(xù)準(zhǔn)備搭建一個(gè)DC-DC BUCK電路，然后給散熱器增加散熱片。`
2020-05-20 09:04:05
的比較明顯對(duì)應(yīng)TO-247-4L封裝的SCT3040KR，TO-247-3L封裝的SCT3040KL 1200V 40A插件首先在官網(wǎng)下載了開發(fā)板的user guide進(jìn)行學(xué)習(xí)，有個(gè)整體的了解，開發(fā)
2020-05-19 16:03:51
TO-247-4L封裝的SCT3040KR，TO-247-3L封裝的SCT3040KL 1200V 40A插件驅(qū)動(dòng)板Sic Mosfet驅(qū)動(dòng)電路要求1. 對(duì)于驅(qū)動(dòng)電路來講，最重要的參數(shù)是門極電荷
2020-07-16 14:55:31
如題，BMS電路板上有一個(gè)五引腳的芯片，SOT23-5封裝，其中2引腳和5引腳接地，4引腳接電源。絲印有點(diǎn)看不清，好像是B5JG或B5J0?？赡苁鞘裁葱酒?？
2015-04-29 21:00:34
°C 時(shí)典型值的兩倍。采用正確封裝時(shí)，SiC MOSFET 可獲得 200°C 甚至更高的額定溫度。SiC MOSFET 的超高工作溫度也簡(jiǎn)化了熱管理，從而減小了印刷電路板的外形尺寸，并提高了系統(tǒng)穩(wěn)定性
2017-12-18 13:58:36
業(yè)內(nèi)先進(jìn)的 AC/DC轉(zhuǎn)換器IC ，采用 一體化封裝 ，已將1700V耐壓的SiC MOSFET*和針對(duì)其驅(qū)動(dòng)而優(yōu)化的控制電路內(nèi)置于 小型表貼封裝 （TO263-7L）中。主要適用于需要處理大功率
2022-07-27 11:00:52
功率模塊具體是什么樣的產(chǎn)品，都有哪些機(jī)型。之后計(jì)劃依次介紹其特點(diǎn)、性能、應(yīng)用案例和使用方法。何謂全SiC功率模塊ROHM在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全
2018-11-27 16:38:04
ROHM一直專注于功率元器件的開發(fā)。最近推出并已投入量產(chǎn)的“SCT2H12NZ”，是實(shí)現(xiàn)1700V高耐壓的SiC-MOSFET。是在現(xiàn)有650V與1200V的產(chǎn)品陣容中新增的更高耐壓版本。不僅具備
2018-12-04 10:11:25
如何使用STM32L476G-DISCO開發(fā)板對(duì)UART4引腳做測(cè)試呢？有哪些操作步驟呢？
2021-11-17 07:01:36
我們目前正在努力禁用 SCT 輸入引腳上的內(nèi)部上拉電阻。我們使用的是 OM13084 板，我們使用的引腳是：表頭：J1.19引腳：P2_6功能：T3_CAP3 我們?cè)谀睦锟梢栽O(shè)置這個(gè)引腳的模式？根據(jù) UM10503 第 258 頁(yè)，該引腳的復(fù)位狀態(tài)可以是中性或上拉。
2023-03-29 08:58:55
ROHM一直專注于功率元器件的開發(fā)。最近推出并已投入量產(chǎn)的“SCT2H12NZ”，是實(shí)現(xiàn)1700V高耐壓的SiC-MOSFET。是在現(xiàn)有650V與1200V的產(chǎn)品陣容中新增的更高耐壓版本。不僅具備
2018-12-05 10:01:25
半導(dǎo)體制造商ROHM株式會(huì)社（總社設(shè)在京都市）最近開發(fā)出適合汽車駕駛導(dǎo)向系統(tǒng)、便攜式DVD機(jī)、筆記本電腦、游戲機(jī)等小型、薄型機(jī)器的電源開關(guān)和電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)器使用的MPT6 雙元件系列產(chǎn)品，這種產(chǎn)品采用
2018-08-24 16:56:26
概述：CX522-054是一款用作CRT彩電中的CPU芯片，早期用作于索尼KV-1882等系列彩電中。CX522-054采用42引腳DIP封裝工藝。
2021-04-13 06:27:05
ADA4853-3YRU-EBZ，通用評(píng)估板，提供采用14引腳TSSOP封裝的三路，高速運(yùn)算放大器
2020-05-13 06:08:14
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
求助自彈式Micro SD（小卡，8引腳）卡座封裝？
2014-05-26 09:14:02
應(yīng)的SiC-MOSFET一覽表。有SCT系列和SCH系列，SCH系列內(nèi)置SiC肖特基勢(shì)壘二極管，包括體二極管的反向恢復(fù)特性在內(nèi)，特性得到大幅提升。一覽表中的SCT3xxx型號(hào)即第三代溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET
2018-12-05 10:04:41
SiC-MOSFET 是碳化硅電力電子器件研究中最受關(guān)注的器件。成果比較突出的就是美國(guó)的Cree公司和日本的ROHM公司。在國(guó)內(nèi)雖有幾家在持續(xù)投入，但還處于開發(fā)階段, 且技術(shù)尚不完全成熟。從國(guó)內(nèi)
2019-09-17 09:05:05
測(cè)試，并觀察波形。在雙脈沖測(cè)試電路的高邊（HS）和低邊（LS）安裝ROHM的SiC MOSFET SCT3040KR，并使HS開關(guān)、LS始終OFF（柵極電壓=0V）。圖1所示的延長(zhǎng)電纜已經(jīng)直接焊接
2022-09-20 08:00:00
。 SCT63240提供輸入欠壓保護(hù)，過流保護(hù)，短路保護(hù)以及過溫等完善的芯片保護(hù)機(jī)制。該轉(zhuǎn)換器采用19引腳3mmx4mm的超扁平QFN封裝。特性? 寬范圍4.2V-17V輸入電壓? 支持20W功率輸出? 集成4
2020-01-03 15:29:19
本半導(dǎo)體制造商羅姆面向工業(yè)設(shè)備和太陽(yáng)能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器等的逆變器、轉(zhuǎn)換器，開發(fā)出耐壓高達(dá)1200V的第2代SiC（Silicon carbide：碳化硅）MOSFET“SCH2080KE”。此產(chǎn)品損耗
2019-03-18 23:16:12
理解了BD7682FJ-LB作為SiC-MOSFET用IC最重要的關(guān)鍵點(diǎn)，接下來介紹其概要和特點(diǎn)。＜特點(diǎn)＞小型8引腳SOP-J8封裝低EMI準(zhǔn)諧振方式降頻功能待機(jī)時(shí)消耗電流低：19uA無負(fù)載時(shí)消耗電流低
2018-11-27 16:54:24
3引腳GND是給誰提供參考電平的？在AD5445的datasheet中所有的3引腳連接到模擬部分，但是在AD5445開發(fā)板中，3引腳連接到數(shù)字部分，請(qǐng)問哪個(gè)正確？
2018-10-01 19:14:13
研發(fā)的SiC MOSFET為例，即使在攝氏200度以上時(shí)，SiC MOSFET也能保持高效能之特性。WInSiC4AP專案的SiC MOSFET開發(fā)主要在2018年進(jìn)行。圖3、圖4、圖5分別提供元件
2019-06-27 04:20:26
為RG_EXT＝10Ω、VDS＝800V，ID約為50A時(shí)的波形。紅色曲線的TO-247-4L為4引腳封裝，藍(lán)色的TO-247N為以往的3引腳封裝，其中的SiC MOSFET芯片是相同的。我們先來
2020-07-01 13:52:06
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM開發(fā)出在大功率（高電壓×大電流）逆變器和伺服等工業(yè)設(shè)備中日益廣泛應(yīng)用的SiC-MOSFET驅(qū)動(dòng)用AC/DC轉(zhuǎn)換器控制IC“BD7682FJ-LB”。
2015-04-10 09:53:192624 世界首家！ROHM開始量產(chǎn)采用溝槽結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET，導(dǎo)通電阻大大降低，有助于工業(yè)設(shè)備等大功率設(shè)備的小型化與低功耗化
2015-06-25 14:26:461974 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM開發(fā)出非常適用于服務(wù)器和高端計(jì)算機(jī)等的電源PFC電路※1的、第3代SiC（Silicon Carbide：碳化硅）肖特基勢(shì)壘二極管（以下稱“SiC-SBD”） “SCS3系列”。
2016-05-10 14:25:511837 對(duì)于功率半導(dǎo)體來說，當(dāng)導(dǎo)通電阻降低時(shí)短路耐受時(shí)間※2就會(huì)縮短，兩者之間存在著矛盾權(quán)衡關(guān)系，因此在降低SiC MOSFET的導(dǎo)通電阻時(shí)，如何兼顧短路耐受時(shí)間一直是一個(gè)挑戰(zhàn)。
2020-06-22 15:54:12771 ROHM于2015年世界上第一家成功地實(shí)現(xiàn)了溝槽結(jié)構(gòu)SiC MOSFET的量產(chǎn)，并一直致力于提高SiC功率元器件的性能。
2021-01-07 11:48:121754 ROHM 最近推出了 SiC MOSFET 的新系列產(chǎn)品“SCT3xxx xR 系列”。SCT3xxx xR 系列采用最新的溝槽柵極結(jié)構(gòu)，進(jìn)一步降低了導(dǎo)通電阻；同時(shí)通過采用單獨(dú)設(shè)置柵極驅(qū)動(dòng)器
2020-11-25 10:56:00
30 ROHM繼2020年年底發(fā)布的新一代Pch MOSFET*2之后，此次又開發(fā)出在Nch中融入新微細(xì)工藝的第6代40V和60V耐壓的MOSFET。
2021-11-30 14:48:02748 
。該晶體管滿足了對(duì)適合高功率密度設(shè)計(jì)的高性能開關(guān)器件迅速增長(zhǎng)的需求。直到最近，SiC器件一直采用明顯需要更大空間的D2PAK 7引腳封裝。
2022-05-11 11:29:332311 ROHM開發(fā)出具有絕緣構(gòu)造、小尺寸且超低功耗的MOSFET
2022-12-18 17:08:49626 
在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進(jìn)程中，ROHM于世界首家實(shí)現(xiàn)了溝槽柵極結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET的量產(chǎn)。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。溝槽結(jié)構(gòu)在Si-MOSFET中已被廣為采用，在SiC-MOSFET中由于溝槽結(jié)構(gòu)有利于降低導(dǎo)通電阻也備受關(guān)注。
2023-02-08 13:43:211381 
本文就SiC-MOSFET的可靠性進(jìn)行說明。這里使用的僅僅是ROHM的SiC-MOSFET產(chǎn)品相關(guān)的信息和數(shù)據(jù)。另外，包括MOSFET在內(nèi)的SiC功率元器件的開發(fā)與發(fā)展日新月異，如果有不明之處或希望確認(rèn)現(xiàn)在的產(chǎn)品情況，請(qǐng)點(diǎn)擊這里聯(lián)系我們。
2023-02-08 13:43:21860 
本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247N封裝SiC MOSFET產(chǎn)品相比，SiC MOSFET柵-源電壓的行為不同。
2023-02-09 10:19:20301 
通過驅(qū)動(dòng)器源極引腳改善開關(guān)損耗本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247N封裝產(chǎn)品相比，SiC MOSFET的柵-源電壓的...
2023-02-09 10:19:20335 
SiC MOSFET：SCT3xxx xR系列是面向服務(wù)器用電源、太陽(yáng)能逆變器和電動(dòng)汽車充電站等要求高效率的應(yīng)用開發(fā)而成的溝槽柵極結(jié)構(gòu)SiC MOSFET，采用4引腳封裝。此次共推出6款機(jī)型（650V耐壓和1200V耐壓）。
2023-02-09 10:19:221217 
ROHM在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低損耗。
2023-02-13 09:30:04331 
ROHM最近推出了SiC MOSFET的新系列產(chǎn)品“SCT3xxx xR系列”。
2023-02-16 09:55:04931 
在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進(jìn)程中，ROHM于世界首家實(shí)現(xiàn)了溝槽柵極結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET的量產(chǎn)。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。
2023-02-24 11:48:18426 
ROHM針對(duì)SiC上形成的柵極氧化膜，通過工藝開發(fā)和元器件結(jié)構(gòu)優(yōu)化，實(shí)現(xiàn)了與Si-MOSFET同等的可靠性。
2023-02-24 11:50:12784 
ROHM的1,200VSiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的，采用ROHM的這些產(chǎn)品將有助于應(yīng)用的小型化并提高模塊的性能和可靠性。
2023-04-10 09:34:29483 ROHM | 開發(fā)出具有業(yè)界超低導(dǎo)通電阻的Nch MOSFET
2023-05-03 11:31:44372 
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全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM的SiC MOSFET和SiC肖特基勢(shì)壘二極管(以下簡(jiǎn)稱“SiC SBD”)已被成功應(yīng)用于大功率模擬模塊制造商Apex?Microtechnology的功率模塊
2023-09-14 19:15:14353 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)開發(fā)出采用SOT-223-3小型封裝(6.50mm×7.00mm×1.66mm)的600V耐壓Super Junction MOSFET
2023-12-08 17:38:08243 
近日ROHM開發(fā)出車載一次側(cè)LDO“BD9xxM5-C”，是采用了ROHM高速負(fù)載響應(yīng)技術(shù)“QuiCur”的45V耐壓LDO穩(wěn)壓器，
2024-03-06 13:50:21132 
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