本文將介紹一種門極驅動器利用SiC-MOSFET的檢測端子為其提供全面保護的先進方法。所提供的測試結果包括了可調整過流和短路檢測以及軟關斷和有源鉗位（可在關斷時主動降低過壓尖峰）等功能。
2016-11-16 11:19:57
8316 功率轉換電路中的晶體管的作用非常重要，為進一步實現低損耗與應用尺寸小型化，一直在進行各種改良。SiC功率元器件半導體的優(yōu)勢前面已經介紹過，如低損耗、高速開關、高溫工作等，顯而易見這些優(yōu)勢是非常有用的。本章將通過其他功率晶體管的比較，進一步加深對SiC-MOSFET的理解。
2022-07-26 13:57:522075 SiC功率MOSFET內部晶胞單元的結構，主要有二種：平面結構和溝槽結構。平面SiC MOSFET的結構，如圖1所示。這種結構的特點是工藝簡單，單元的一致性較好，雪崩能量比較高。但是，這種結構
2023-02-12 16:03:093214 
當前量產主流SiC MOSFET芯片元胞結構有兩大類，是按照柵極溝道的形狀來區(qū)分的，平面型和溝槽型。
2023-06-07 10:32:074310 
三菱電機集團近日（2023年6月1日）宣布，其開發(fā)出一種集成SBD的SiC-MOSFET新型結構，并已將其應用于3.3kV全SiC功率模塊——FMF800DC-66BEW，適用于鐵路、電力系統(tǒng)等大型
2023-06-09 11:20:09366 
了市場上第一款SiC MOSFET，采用平面柵結構的CMF20120D。到了2015年，羅姆率先實現溝槽柵結構SiC MOSFET的量產，這種結構更能夠發(fā)揮
2023-03-18 00:07:003104 
有使用過SIC MOSFET 的大佬嗎 想請教一下驅動電路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
。如果是相同設計，則與芯片尺寸成反比，芯片越小柵極電阻越高。同等能力下，SiC-MOSFET的芯片尺寸比Si元器件的小，因此柵極電容小，但內部柵極電阻增大。例如，1200V 80mΩ產品（S2301為裸芯片
2018-11-30 11:34:24
SiC-MOSFET－溝槽結構SiC-MOSFET與實際產品SiC功率元器件基礎篇前言前言何謂SiC（碳化硅）？何謂碳化硅SiC功率元器件的開發(fā)背景和優(yōu)點SiC肖特基勢壘二極管所謂SiC-SBD－特征以及與Si
2018-11-27 16:40:24
”）應用越來越廣泛。關于SiC-MOSFET，這里給出了DMOS結構，不過目前ROHM已經開始量產特性更優(yōu)異的溝槽式結構的SiC-MOSFET。具體情況計劃后續(xù)進行介紹。在特征方面，Si-DMOS存在
2018-11-30 11:35:30
比Si器件低，不需要進行電導率調制就能夠以MOSFET實現高耐壓和低阻抗?！ 《?b class="flag-6" style="color: red">MOSFET原理上不產生尾電流，所以用SiC-MOSFET替代IGBT時，能夠明顯地減少開關損耗，并且實現散熱部件
2023-02-07 16:40:49
采用IGBT這種雙極型器件結構（導通電阻變低，則開關速度變慢），就可以實現低導通電阻、高耐壓、快速開關等各優(yōu)點兼?zhèn)涞钠骷?. VD - ID特性SiC-MOSFET與IGBT不同，不存在開啟電壓，所以
2019-04-09 04:58:00
確認現在的產品情況，請點擊這里聯(lián)系我們。ROHM SiC-MOSFET的可靠性柵極氧化膜ROHM針對SiC上形成的柵極氧化膜，通過工藝開發(fā)和元器件結構優(yōu)化，實現了與Si-MOSFET同等的可靠性
2018-11-30 11:30:41
SiC-MOSFET的有效性。所謂SiC-MOSFET－溝槽結構SiC-MOSFET與實際產品所謂SiC-MOSFET－SiC-MOSFET的可靠性SiC功率元器件基礎篇前言前言何謂SiC（碳化硅）？何謂碳化硅SiC
2018-11-27 16:38:39
專門的溝槽式柵極結構（即柵極是在芯片表面構建的一個凹槽的側壁上成形的），與平面式SiC MOSFET產品相比，輸入電容減小了35%，導通電阻減小了50%，性能更優(yōu)異。圖4 SCT3030KL的內部電路
2019-07-09 04:20:19
（MPS）結構，該結構保持最佳場分布，但通過結合真正的少數載流子注入也可以增強浪涌能力。如今，SiC二極管非常可靠，它們已經證明了比硅功率二極管更有利的FIT率?！ ?b class="flag-6" style="color: red">MOSFET替代品 2008年推出
2023-02-27 13:48:12
1. 器件結構和特征SiC能夠以高頻器件結構的SBD（肖特基勢壘二極管）結構得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現在主流產品快速PN結
2019-03-14 06:20:14
。本篇到此結束。關于SiC-MOSFET，將會借其他機會再提供數據。（截至2016年10月）關鍵要點:?ROHM針對SiC-SBD的可靠性，面向標準的半導體元器件，根據標準進行試驗與評估。＜ 相關產品信息 ＞SiC-SBDSiC-MOSFET
2018-11-30 11:50:49
采用IGBT這種雙極型器件結構（導通電阻變低，則開關速度變慢），就可以實現低導通電阻、高耐壓、快速開關等各優(yōu)點兼?zhèn)涞钠骷?. VD - ID特性SiC-MOSFET與IGBT不同，不存在開啟電壓，所以
2019-05-07 06:21:55
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-05-06 09:15:52
的不是全SiC功率模塊特有的評估事項，而是單個SiC-MOSFET的構成中也同樣需要探討的現象。在分立結構的設計中，該信息也非常有用?！皷艠O誤導通”是指在高邊SiC-MOSFET＋低邊
2018-11-30 11:31:17
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-25 06:20:09
采用雙溝槽結構的SiC-MOSFET，與正在量產中的第2代平面型（DMOS結構）SiC-MOSFET相比，導通電阻降低約50%，輸入電容降低約35%。實際的SiC-MOSFET產品下面是可供
2018-12-05 10:04:41
本文將開始AC/DC轉換器設計篇的新篇章：“使用SiC-MOSFET的隔離型準諧振轉換器的設計案例”。在本文中，繼此前提到的“反激式”和“正激式”之后，將介紹使用了“準諧振方式”電源IC的隔離型AC
2018-11-27 17:03:34
，SiC-MOSFET在25℃時的變動很小，在25℃環(huán)境下特性相近的產品，差距變大，溫度增高時SiC MOSFET的導通電阻變化較小。與IGBT的區(qū)別：關斷損耗特性前面多次提到過，SiC功率元器件的開關特性優(yōu)異，可處理
2018-12-03 14:29:26
` 首先萬分感謝羅姆及電子發(fā)燒友論壇給予此次羅姆SiC Mosfet試用機會。 第一次試用體驗，先利用晚上時間做單管SiC Mos的測試，由于沒有大功率電源，暫且只考察了Mos管的延時時間、上升時間
2020-05-21 15:24:22
失效模式等。項目計劃①根據文檔，快速認識評估板的電路結構和功能；②準備元器件，相同耐壓的Si-MOSFET和業(yè)內3家SiC-MOSFET③項目開展，按時間計劃實施，④項目調試，優(yōu)化，比較，分享。預計成果分享項目的開展，實施，結果過程，展示項目結果
2020-04-24 18:09:12
SiC Mosfet管組成上下橋臂電路，整個評估板提供了一個半橋電路，可以支持Buck，Boost和半橋開關電路的拓撲。SiC Mosfet的驅動電路主要有BM6101為主的芯片搭建而成，上下橋臂各有一塊
2020-06-07 15:46:23
是48*0.35 = 16.8V，負載我們設為0.9Ω的阻值，通過下圖來看實際的輸入和輸出情況：圖4 輸入和輸出通過電子負載示數，輸出電流達到了17A。下面使用示波器測試SIC-MOSFET管子的相關
2020-06-10 11:04:53
項目名稱：基于Sic MOSFET的直流微網雙向DC-DC變換器試用計劃：申請理由本人在電力電子領域（數字電源）有五年多的開發(fā)經驗，熟悉BUCK、BOOST、移相全橋、LLC和全橋逆變等電路拓撲。我
2020-04-24 18:08:05
``首先非常感謝羅姆公司開展的本次試用活動。做為一個從事電力電子，開關電源工作的“攻城獅”，一直以來都想使用新型器件SIC和GAN，奈何價格原因沒有用在產品上，所以一直沒有接觸過SIC。本次的活動
2020-05-09 11:59:07
`收到了羅姆的sic-mosfet評估板，感謝羅姆，感謝電子發(fā)燒友。先上幾張開箱圖，sic-mos有兩種封裝形式的，SCT3040KR，主要參數如下：SCT3040KL，主要參數如下：后續(xù)準備搭建一個DC-DC BUCK電路，然后給散熱器增加散熱片。`
2020-05-20 09:04:05
對比仿真結果，測試SiC功率管的實際工作狀態(tài)。本次報告主要是開箱拍的一些圖和介紹對于板子的學習情況。 包裝堅固嚴實的紙箱在海綿中保護的測試板和隨板附帶的安全注意事項 測試板的正面圖背面圖，高壓區(qū)域劃分
2020-05-19 16:03:51
項目名稱：微電網結構與控制研究試用計劃：本人從事電力電子開發(fā)與研究已有10年，目前在進行微電網結構與其控制相關項目，我們擁有兩電平和多電平并網逆變器，需要將逆變器功率器件全部更換為SiC MOS，以
2020-04-29 18:26:12
項目名稱：特種電源開發(fā)試用計劃：在I項目開發(fā)中，有一個關鍵電源，需要在有限空間，實現高壓、大電流脈沖輸出。對開關器件的開關特性和導通電阻都有嚴格要求。隨著SIC產品的技術成熟度越來越高，計劃把IGBT開關器件換成SIC器件。
2020-04-24 17:57:09
SiC模塊，對比相同充放電功率情況下SiC與MOSFET或者IGBT的溫升。預計成果：在性能滿足要求，價格可接受范圍內，后續(xù)適用到產品中
2020-04-24 18:09:35
;Reliability (可靠性) " ，始終堅持“品質第一”SiC元器有三個最重要的特性：第一個高壓特性，比硅更好一些；而是高頻特性；三是高溫特性。 羅姆第三代溝槽柵型SiC-MOSFET對應
2020-07-16 14:55:31
要充分認識 SiC MOSFET 的功能，一種有用的方法就是將它們與同等的硅器件進行比較。SiC 器件可以阻斷的電壓是硅器件的 10 倍，具有更高的電流密度，能夠以 10 倍的更快速度在導通和關斷
2017-12-18 13:58:36
的結構，使得trench柵氧的電場強度要高于平面型，這也是Infineon和Rohm要做單邊和雙溝槽的原因。SiC MOSFET平面柵則是最早也是應用最廣泛的結構，目前主流的產品均使用該結構。派恩杰
2022-03-29 10:58:06
的全SiC功率模塊最新的全SiC功率模塊采用最新的SiC-MOSFET-（即第三代溝槽結構SiC-MOSFET），以進一步降低損耗。以下為示例。下一次計劃詳細介紹全SiC功率模塊的特點和優(yōu)勢。關鍵要點
2018-11-27 16:38:04
SiC-MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管的相關內容，有許多與Si同等產品比較的文章可以查閱并參考。采用第三代SiC溝槽MOSFET，開關損耗進一步降低ROHM在行業(yè)中率先實現了溝槽結構
2018-11-27 16:37:30
生長。 3 溝槽雙擴散型場效應晶體管 從圖2的結構知道，對于單位面積的硅片，如果要減小功率MOSFET的導通電阻，就要提高晶胞單位密度，也就是要減小每個晶胞單元的尺寸，即要減小柵極的所占用的面積。如果采用圖
2016-10-10 10:58:30
ROHM一直專注于功率元器件的開發(fā)。最近推出并已投入量產的“SCT2H12NZ”，是實現1700V高耐壓的SiC-MOSFET。是在現有650V與1200V的產品陣容中新增的更高耐壓版本。不僅具備
2018-12-04 10:11:25
本文討論如何設計基于 SiC-MOSFET 的 6.6kW 雙向電動汽車車載充電器。介紹隨著世界轉向更清潔的燃料替代品，電動汽車運輸領域正在經歷快速增長。此外，配備足夠電池容量的電動汽車可用于支持
2023-02-27 09:44:36
損耗。最新的模塊中采用第3代SiC-MOSFET，損耗更低。全SiC功率模塊的結構現在正在量產的全SiC功率模塊有幾種類型，有可僅以1個模塊組成半橋電路的2in1型，也有可僅以1個模塊組成升壓電路的斬波型。有以
2018-12-04 10:14:32
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
兩種原子存在，需要非常特殊的柵介質生長方法。其溝槽星結構的優(yōu)勢如下（圖片來源網絡）：平面vs溝槽SiC-MOSFET采用溝槽結構可最大限度地發(fā)揮SiC的特性。相比GAN, 它的應用溫度可以更高。
2019-09-17 09:05:05
低，可靠性高，在各種應用中非常有助于設備實現更低功耗和小型化。本產品于世界首次※成功實現SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝。內部二極管的正向電壓（VF）降低70％以上，實現更低損耗的同時
2019-03-18 23:16:12
本文將從設計角度首先對在設計中使用的電源IC進行介紹。如“前言”中所述，本文中會涉及“準諧振轉換器”的設計和功率晶體管使用“SiC-MOSFET”這兩個新課題。因此，設計中所使用的電源IC，是可將
2018-11-27 16:54:24
肖特基二極管并聯(lián)的lGBT被認為可以代替CCM圖騰柱PFC和CLLC轉換器中的硅MOSFET [8]?？杀氖?，由于IGBT的高開關損耗，實際的開關頻率受到限制。進一步，由于SiC MOSFET的體二極管
2019-10-25 10:02:58
從本篇開始，介紹近年來MOSFET中的高耐壓MOSFET的代表超級結MOSFET。功率晶體管的特征與定位首先來看近年來的主要功率晶體管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的功率與頻率
2018-11-28 14:28:53
損耗。最新的模塊中采用第3代SiC-MOSFET，損耗更低。采用第3代SiC-MOSFET，損耗更低組成全SiC功率模塊的SiC-MOSFET在不斷更新?lián)Q代，現已推出新一代產品的定位–采用溝槽結構的第3代產品
2018-12-04 10:11:50
請問：驅動功率MOSFET，IBGT，SiC MOSFET的PCB布局需要考慮哪些因素？
2019-07-31 10:13:38
世界首家！ROHM開始量產采用溝槽結構的SiC-MOSFET，導通電阻大大降低，有助于工業(yè)設備等大功率設備的小型化與低功耗化
2015-06-25 14:26:461974 和MOSFET器件的同時，沒有出現基于SiC的類似器件。
SiC-MOSFET與IGBT有許多不同，但它們到底有什么區(qū)別呢？本文將針對與IGBT的區(qū)別進行介紹。
2017-12-21 09:07:0436486 
ROHM于2015年世界上第一家成功地實現了溝槽結構SiC MOSFET的量產，并一直致力于提高SiC功率元器件的性能。
2021-01-07 11:48:121754 ROHM 最近推出了 SiC MOSFET 的新系列產品“SCT3xxx xR 系列”。SCT3xxx xR 系列采用最新的溝槽柵極結構，進一步降低了導通電阻；同時通過采用單獨設置柵極驅動器
2020-11-25 10:56:00
30 具有驅動器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅動器源極引腳的TO-247N封裝產品相比，SiC MOSFET的柵-源電壓的行為不同。
2022-07-06 12:30:421114 功率轉換電路中的晶體管的作用非常重要，為進一步實現低損耗與應用尺寸小型化，一直在進行各種改良。SiC功率元器件半導體有如下優(yōu)勢，如低損耗、高速開關、高溫工作等，顯而易見這些優(yōu)勢是非常有用的。本章將通過其他功率晶體管的比較，進一步加深對SiC-MOSFET的理解。
2023-02-06 14:39:132876 
本章將介紹部分SiC-MOSFET的應用實例。其中也包括一些以前的信息和原型級別的內容，總之希望通過這些介紹能幫助大家認識采用SiC-MOSFET的好處以及可實現的新功能。另外，除了SiC-MOSFET，還可以從這里了解SiC-SBD、全SiC模塊的應用實例。
2023-02-06 14:39:51645 
繼前篇結束的SiC-SBD之后，本篇進入SiC-MOSFET相關的內容介紹。功率轉換電路中的晶體管的作用非常重要，為進一步實現低損耗與應用尺寸小型化，一直在進行各種改良。
2023-02-08 13:43:19211 
近年來超級結（Super Junction）結構的MOSFET（以下簡稱“SJ-MOSFET”）應用越來越廣泛。關于SiC-MOSFET，ROHM已經開始量產特性更優(yōu)異的溝槽式結構的SiC-MOSFET。
2023-02-08 13:43:19525 
從本文開始，將逐一進行SiC-MOSFET與其他功率晶體管的比較。本文將介紹與Si-MOSFET的區(qū)別。尚未使用過SiC-MOSFET的人，與其詳細研究每個參數，不如先弄清楚驅動方法等與Si-MOSFET有怎樣的區(qū)別。
2023-02-08 13:43:20644 
上一章針對與Si-MOSFET的區(qū)別，介紹了關于SiC-MOSFET驅動方法的兩個關鍵要點。本章將針對與IGBT的區(qū)別進行介紹。與IGBT的區(qū)別：Vd-Id特性，Vd-Id特性是晶體管最基本的特性之一。
2023-02-08 13:43:201722 
上一章介紹了與IGBT的區(qū)別。本章將對SiC-MOSFET的體二極管的正向特性與反向恢復特性進行說明。如圖所示，MOSFET（不局限于SiC-MOSFET）在漏極-源極間存在體二極管。
2023-02-08 13:43:20790 
在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進程中，ROHM于世界首家實現了溝槽柵極結構SiC-MOSFET的量產。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。溝槽結構在Si-MOSFET中已被廣為采用，在SiC-MOSFET中由于溝槽結構有利于降低導通電阻也備受關注。
2023-02-08 13:43:211381 
本章將介紹部分SiC-MOSFET的應用實例。其中也包括一些以前的信息和原型級別的內容，總之希望通過這些介紹能幫助大家認識采用SiC-MOSFET的好處以及可實現的新功能。
2023-02-08 13:43:21366 
本文就SiC-MOSFET的可靠性進行說明。這里使用的僅僅是ROHM的SiC-MOSFET產品相關的信息和數據。另外，包括MOSFET在內的SiC功率元器件的開發(fā)與發(fā)展日新月異，如果有不明之處或希望確認現在的產品情況，請點擊這里聯(lián)系我們。
2023-02-08 13:43:21860 
繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC功率模塊具體是什么樣的產品，都有哪些機型。
2023-02-08 13:43:21685 
從本文開始，我們將進入SiC功率元器件基礎知識應用篇的第一彈“SiC MOSFET：橋式結構中柵極－源極間電壓的動作”。前言：MOSFET和IGBT等電源開關元器件被廣泛應用于各種電源應用和電源線路中。
2023-02-08 13:43:22250 
在探討“SiC MOSFET：橋式結構中Gate-Source電壓的動作”時，本文先對SiC MOSFET的橋式結構和工作進行介紹，這也是這個主題的前提。
2023-02-08 13:43:23340 
ROHM在全球率先實現了搭載ROHM生產的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關并可大幅降低損耗。
2023-02-10 09:41:081333 
ROHM在全球率先實現了搭載ROHM生產的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關并可大幅降低損耗。
2023-02-13 09:30:04331 
SiC功率MOSFET內部晶胞單元的結構，主要有二種：平面結構和溝槽結構。平面SiC MOSFET的結構，
2023-02-16 09:40:102938 
SiC MOSFET溝槽結構將柵極埋入基體中形成垂直溝道，盡管其工藝復雜，單元一致性比平面結構差。但是，溝槽結構可以增加單元密度，沒有JFET效應，寄生電容更小，開關速度快，開關損耗非常低；而且
2023-02-16 09:43:011446 
上一篇文章對設計中使用的電源IC進行了介紹。本文將介紹設計案例的電路。準諧振方式：上一篇文章提到，電源IC使用的是SiC-MOSFET驅動用AC/DC轉換器控制IC“BD7682FJ-LB”。
2023-02-17 09:25:06380 
截至上一篇文章，結束了部件選型相關的內容，本文將對此前介紹過的PCB電路板布局示例進行總結。使用SiC-MOSFET的隔離型準諧振轉換器的PCB布局示例
2023-02-17 09:25:07397 
此前共用19個篇幅介紹了“使用SiC-MOSFET的隔離型準諧振轉換器的設計案例”，本文將作為該系列的最后一篇進行匯總。該設計案例中有兩個關鍵要點。一個是功率開關中使用了SiC-MOSFET。
2023-02-17 09:25:08480 功率轉換電路中的晶體管的作用非常重要，為進一步實現低損耗與應用尺寸小型化，一直在進行各種改良。SiC功率元器件半導體的優(yōu)勢前面已經介紹過，如低損耗、高速開關、高溫工作等，顯而易見這些優(yōu)勢是非常有用的。本章將通過其他功率晶體管的比較，進一步加深對SiC-MOSFET的理解。
2023-02-23 11:25:47203 
Junction）結構的MOSFET（以下簡稱“SJ-MOSFET”）應用越來越廣泛。關于SiC-MOSFET，這里給出了DMOS結構，不過目前ROHM已經開始量產特性更優(yōu)異的溝槽式結構的SiC-MOSFET。具體情況計劃后續(xù)進行介紹。
2023-02-23 11:26:58464 
本文將介紹與Si-MOSFET的區(qū)別。尚未使用過SiC-MOSFET的人，與其詳細研究每個參數，不如先弄清楚驅動方法等與Si-MOSFET有怎樣的區(qū)別。在這里介紹SiC-MOSFET的驅動與Si-MOSFET的比較中應該注意的兩個關鍵要點。
2023-02-23 11:27:57736 
如圖所示，MOSFET（不局限于SiC-MOSFET）在漏極-源極間存在體二極管。從MOSFET的結構上講，體二極管是由源極-漏極間的pn結形成的，也被稱為“寄生二極管”或“內部二極管”。對于MOSFET來說，體二極管的性能是重要的參數之一，在應用中使用時，其性能發(fā)揮著至關重要的作用。
2023-02-24 11:47:402315 
本章將介紹部分SiC-MOSFET的應用實例。其中也包括一些以前的信息和原型級別的內容，總之希望通過這些介紹能幫助大家認識采用SiC-MOSFET的好處以及可實現的新功能。
2023-02-24 11:49:19481 
ROHM針對SiC上形成的柵極氧化膜，通過工藝開發(fā)和元器件結構優(yōu)化，實現了與Si-MOSFET同等的可靠性。
2023-02-24 11:50:12784 
下面給出的電路圖是在橋式結構中使用SiC MOSFET時最簡單的同步式boost電路。該電路中使用的SiC MOSFET的高邊（HS）和低邊（LS）是交替導通的，為了防止HS和LS同時導通，設置了兩個SiC MOSFET均為OFF的死區(qū)時間。右下方的波形表示其門極信號（VG）時序。
2023-02-27 13:41:58737 
顯然特斯拉用的是意法半導體2018年的第二代SiC MOSFET產品，第四代產品目前還沒有推出。溝槽型是發(fā)展方向，但意法半導體要到2025年才開始推出。
2023-03-14 11:22:391450 SiC MOSFET溝槽結構將柵極埋入基體中形成垂直溝道，盡管其工藝復雜，單元一致性比平面結構差。
2023-04-01 09:37:171329 溝槽柵結構是一種改進的技術，指在芯片表面形成的凹槽的側壁上形成MOSFET柵極的一種結構。溝槽柵的特征電阻比平面柵要小，與平面柵相比，溝槽柵MOSFET消除了JFET區(qū)
2023-04-27 11:55:023037 
SiC功率MOSFET內部晶胞單元的結構，主要有二種：平面結構和溝槽結構。平面SiCMOSFET的結構，如圖1所示。這種結構的特點是工藝簡單，單元的一致性較好，雪崩能量比較高。但是，這種結構的中間
2023-06-19 16:39:467 眾所周知，“挖坑”是英飛凌的祖?zhèn)魇炙?。在硅?b class="flag-6" style="color: red">產品時代，英飛凌的溝槽型IGBT（例如TRENCHSTOP系列）和溝槽型的MOSFET就獨步天下。在碳化硅的時代，市面上大部分的SiCMOSFET都是平面型元胞，而英飛凌依然延續(xù)了溝槽路線。難道英飛凌除了“挖坑”，就不會干別的了嗎？非也。因為SiC材料獨有的特性，Si
2023-01-12 14:34:01630 
2023年8月1日，九峰山實驗室6寸碳化硅（SiC）中試線全面通線，首批溝槽型MOSFET器件晶圓下線。實驗室已具備碳化硅外延、工藝流程、測試等全流程技術服務能力。
2023-08-11 17:00:54226 相對于IGBT，SiC-MOSFET降低了開關關斷時的損耗，實現了高頻率工作，有助于應用的小型化。相對于同等耐壓的SJ-MOSFET，導通電阻較小，可減少相同導通電阻的芯片面積，并顯著降低恢復損耗。
2023-09-11 10:12:33566 
繼1200V/10A SiC-SBD（碳化硅-肖特基二極管）器件獲AEC-Q101車規(guī)級認證后，近日，國星光電開發(fā)的1200V/80mΩ SiC-MOSFET（碳化硅-場效應管）器件也成功獲得了
2023-10-24 15:52:32606 SiC MOSFET：橋式結構中柵極－源極間電壓的動作
2023-12-07 14:34:17223 
SiC MOSFET的橋式結構
2023-12-07 16:00:26157 SiC具有高效節(jié)能、穩(wěn)定性好、工作頻率高、能量密度高等優(yōu)勢，SiC溝槽MOSFET（UMOSFET）具有高溫工作能力、低開關損耗、低導通損耗、快速開關速度等特點
2023-12-27 09:34:56475 
英飛凌科技股份公司推出的新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術，無疑為功率系統(tǒng)和能量轉換領域帶來了革命性的進步。與上一代產品相比，全新的CoolSiC? MOSFET 650V和1200V
2024-03-20 10:32:36134
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工商網監(jiān)
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