本文將介紹一種門極驅(qū)動器利用SiC-MOSFET的檢測端子為其提供全面保護的先進方法。所提供的測試結(jié)果包括了可調(diào)整過流和短路檢測以及軟關(guān)斷和有源鉗位（可在關(guān)斷時主動降低過壓尖峰）等功能。
2016-11-16 11:19:57
8316 功率轉(zhuǎn)換電路中的晶體管的作用非常重要，為進一步實現(xiàn)低損耗與應(yīng)用尺寸小型化，一直在進行各種改良。SiC功率元器件半導(dǎo)體的優(yōu)勢前面已經(jīng)介紹過，如低損耗、高速開關(guān)、高溫工作等，顯而易見這些優(yōu)勢是非常有用的。本章將通過其他功率晶體管的比較，進一步加深對SiC-MOSFET的理解。
2022-07-26 13:57:522075 三菱電機集團近日（2023年6月1日）宣布，其開發(fā)出一種集成SBD的SiC-MOSFET新型結(jié)構(gòu)，并已將其應(yīng)用于3.3kV全SiC功率模塊——FMF800DC-66BEW，適用于鐵路、電力系統(tǒng)等大型
2023-06-09 11:20:09366 
SiC MOSFET并聯(lián)的動態(tài)均流與IGBT類似，只是SiC MOSFET開關(guān)速度更快，對一些并聯(lián)參數(shù)會更為敏感。
2021-09-06 11:06:233813 
，商品化的基于SiC-MOSFET的變換器已經(jīng)投入市場了。當(dāng)然，理論上碳化硅材料和IGBT結(jié)構(gòu)也是可以結(jié)合的，其電壓、電流也會上升一個等級。原作者：金譽半導(dǎo)體
2023-02-16 15:36:56
封裝內(nèi)的二極管與特定應(yīng)用匹配，極佳的軟恢復(fù)二極管可與更高速的SMPS器件相配合。后語：MOSFE和IGBT是沒有本質(zhì)區(qū)別的，人們常問的“是MOSFET好還是IGBT好”這個問題本身就是錯誤的。至于
2018-08-27 20:50:45
MOSFET和IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)不同,于是也決定了其應(yīng)用領(lǐng)域的不同，今天就讓小編帶大家一起來了解一下MOSFET與IGBT的本質(zhì)區(qū)別吧~1、由于MOSFET的結(jié)構(gòu)，通常它可以做到電流很大，可以到上KA
2021-06-16 09:21:55
有使用過SIC MOSFET 的大佬嗎 想請教一下驅(qū)動電路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
最小值。一般的IGBT和Si-MOSFET的驅(qū)動電壓為Vgs=10～15V，而SiC-MOSFET建議在Vgs=18V前后驅(qū)動，以充分獲得低導(dǎo)通電阻。也就是說，兩者的區(qū)別之一是驅(qū)動電壓要比
2018-11-30 11:34:24
上一章介紹了與IGBT的區(qū)別。本章將對SiC-MOSFET的體二極管的正向特性與反向恢復(fù)特性進行說明。如圖所示，MOSFET（不局限于SiC-MOSFET）在漏極-源極間存在體二極管。從MOSFET
2018-11-27 16:40:24
”）應(yīng)用越來越廣泛。關(guān)于SiC-MOSFET，這里給出了DMOS結(jié)構(gòu)，不過目前ROHM已經(jīng)開始量產(chǎn)特性更優(yōu)異的溝槽式結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET。具體情況計劃后續(xù)進行介紹。在特征方面，Si-DMOS存在
2018-11-30 11:35:30
比Si器件低，不需要進行電導(dǎo)率調(diào)制就能夠以MOSFET實現(xiàn)高耐壓和低阻抗?！ 《?b class="flag-6" style="color: red">MOSFET原理上不產(chǎn)生尾電流，所以用SiC-MOSFET替代IGBT時，能夠明顯地減少開關(guān)損耗，并且實現(xiàn)散熱部件
2023-02-07 16:40:49
，不需要進行電導(dǎo)率調(diào)制就能夠以MOSFET實現(xiàn)高耐壓和低阻抗。而且MOSFET原理上不產(chǎn)生尾電流，所以用SiC-MOSFET替代IGBT時，能夠明顯地減少開關(guān)損耗，并且實現(xiàn)散熱部件的小型化。另外
2019-04-09 04:58:00
本文就SiC-MOSFET的可靠性進行說明。這里使用的僅僅是ROHM的SiC-MOSFET產(chǎn)品相關(guān)的信息和數(shù)據(jù)。另外，包括MOSFET在內(nèi)的SiC功率元器件的開發(fā)與發(fā)展日新月異，如果有不明之處或希望
2018-11-30 11:30:41
晶體管的結(jié)構(gòu)與特征比較所謂SiC-MOSFET－與Si-MOSFET的區(qū)別與IGBT的區(qū)別所謂SiC-MOSFET－體二極管的特性所謂SiC-MOSFET－溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET與實際產(chǎn)品所謂
2018-11-27 16:38:39
與IGBT相比，SiC MOSFET具備更快的開關(guān)速度、更高的電流密度以及更低的導(dǎo)通電阻，非常適用于電網(wǎng)轉(zhuǎn)換、電動汽車、家用電器等高功率應(yīng)用。但是，在實際應(yīng)用中，工程師需要考慮SiC MOSFET
2019-07-09 04:20:19
MOSFET ，是許多應(yīng)用的優(yōu)雅解決方案。然而，SiC功率器件的圣杯一直是MOSFET，因為它與硅IGBT的控制相似 - 但具有前述的性能和系統(tǒng)優(yōu)勢?！ ?b class="flag-6" style="color: red">SiC MOSFET的演變 SiC MOSFET存在
2023-02-27 13:48:12
，不需要進行電導(dǎo)率調(diào)制就能夠以MOSFET實現(xiàn)高耐壓和低阻抗。而且MOSFET原理上不產(chǎn)生尾電流，所以用SiC-MOSFET替代IGBT時，能夠明顯地減少開關(guān)損耗，并且實現(xiàn)散熱部件的小型化。另外
2019-05-07 06:21:55
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-05-06 09:15:52
通時產(chǎn)生的Vd振鈴、和低邊SiC-MOSFET的寄生柵極寄生電容引起的。全SiC功率模塊的開關(guān)速度與寄生電容下面通過與現(xiàn)有IGBT功率模塊進行比較來了解與柵極電壓的振鈴和升高有關(guān)的全SiC功率模塊的開關(guān)
2018-11-30 11:31:17
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-25 06:20:09
上一章針對與Si-MOSFET的區(qū)別，介紹了關(guān)于SiC-MOSFET驅(qū)動方法的兩個關(guān)鍵要點。本章將針對與IGBT的區(qū)別進行介紹。與IGBT的區(qū)別：Vd-Id特性Vd-Id特性是晶體管最基本的特性之一
2018-12-03 14:29:26
本質(zhì)區(qū)別的，人們常問的“是MOSFET好還是IGBT好”這個問題本身就是錯誤的。至于我們?yōu)楹斡袝r用MOSFET，有時又不用MOSFET而采用IGBT，不能簡單的用好和壞來區(qū)分，來判定，需要用辯證的方法來考慮這個問題。
2017-04-15 15:48:51
` 首先萬分感謝羅姆及電子發(fā)燒友論壇給予此次羅姆SiC Mosfet試用機會。 第一次試用體驗，先利用晚上時間做單管SiC Mos的測試，由于沒有大功率電源，暫且只考察了Mos管的延時時間、上升時間
2020-05-21 15:24:22
失效模式等。項目計劃①根據(jù)文檔，快速認識評估板的電路結(jié)構(gòu)和功能；②準(zhǔn)備元器件，相同耐壓的Si-MOSFET和業(yè)內(nèi)3家SiC-MOSFET③項目開展，按時間計劃實施，④項目調(diào)試，優(yōu)化，比較，分享。預(yù)計成果分享項目的開展，實施，結(jié)果過程，展示項目結(jié)果
2020-04-24 18:09:12
SiC Mosfet管組成上下橋臂電路，整個評估板提供了一個半橋電路，可以支持Buck，Boost和半橋開關(guān)電路的拓撲。SiC Mosfet的驅(qū)動電路主要有BM6101為主的芯片搭建而成，上下橋臂各有一塊
2020-06-07 15:46:23
是48*0.35 = 16.8V，負載我們設(shè)為0.9Ω的阻值，通過下圖來看實際的輸入和輸出情況：圖4 輸入和輸出通過電子負載示數(shù)，輸出電流達到了17A。下面使用示波器測試SIC-MOSFET管子的相關(guān)
2020-06-10 11:04:53
項目名稱：基于Sic MOSFET的直流微網(wǎng)雙向DC-DC變換器試用計劃：申請理由本人在電力電子領(lǐng)域（數(shù)字電源）有五年多的開發(fā)經(jīng)驗，熟悉BUCK、BOOST、移相全橋、LLC和全橋逆變等電路拓撲。我
2020-04-24 18:08:05
`收到了羅姆的sic-mosfet評估板，感謝羅姆，感謝電子發(fā)燒友。先上幾張開箱圖，sic-mos有兩種封裝形式的，SCT3040KR，主要參數(shù)如下：SCT3040KL，主要參數(shù)如下：后續(xù)準(zhǔn)備搭建一個DC-DC BUCK電路，然后給散熱器增加散熱片。`
2020-05-20 09:04:05
封裝的SIC MOSFET各兩片，分別是TO-247-4L的SCT3040KR，TO-247-3L的SCT3040KL，這兩款都是羅姆推出的SIC MOSFET。兩款SIC 的VDS都是1200V
2020-05-09 11:59:07
項目名稱：特種電源開發(fā)試用計劃：在I項目開發(fā)中，有一個關(guān)鍵電源，需要在有限空間，實現(xiàn)高壓、大電流脈沖輸出。對開關(guān)器件的開關(guān)特性和導(dǎo)通電阻都有嚴格要求。隨著SIC產(chǎn)品的技術(shù)成熟度越來越高，計劃把IGBT開關(guān)器件換成SIC器件。
2020-04-24 17:57:09
SiC模塊，對比相同充放電功率情況下SiC與MOSFET或者IGBT的溫升。預(yù)計成果：在性能滿足要求，價格可接受范圍內(nèi)，后續(xù)適用到產(chǎn)品中
2020-04-24 18:09:35
;Reliability (可靠性) " ，始終堅持“品質(zhì)第一”SiC元器有三個最重要的特性：第一個高壓特性，比硅更好一些；而是高頻特性；三是高溫特性。 羅姆第三代溝槽柵型SiC-MOSFET對應(yīng)
2020-07-16 14:55:31
的軟恢復(fù)二極管可與更高速的SMPS器件相配合。后語：MOSFE和IGBT是沒有本質(zhì)區(qū)別的，人們常問的“是MOSFET好還是IGBT好”這個問題本身就是錯誤的。至于我們?yōu)楹斡袝r用MOSFET，有時又不用MOSFET而采用IGBT，不能簡單的用好和壞來區(qū)分，來判定，需要用辯證的方法來考慮這個問題。
2019-03-06 06:30:00
和更快的切換速度與傳統(tǒng)的硅mosfet和絕緣柵雙極晶體管(igbt)相比，SiC mosfet柵極驅(qū)動在設(shè)計過程中必須仔細考慮需求。本應(yīng)用程序說明涵蓋為SiC mosfet選擇柵極驅(qū)動IC時的關(guān)鍵參數(shù)。
2023-06-16 06:04:07
要充分認識 SiC MOSFET 的功能，一種有用的方法就是將它們與同等的硅器件進行比較。SiC 器件可以阻斷的電壓是硅器件的 10 倍，具有更高的電流密度，能夠以 10 倍的更快速度在導(dǎo)通和關(guān)斷
2017-12-18 13:58:36
SiC功率模塊”量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低損耗。關(guān)于這一點，根據(jù)這之前介紹過的SiC-SBD和SiC-MOSFET的特點與性能，可以很容易理解
2018-11-27 16:38:04
SiC-MOSFET的量產(chǎn)。SiC功率模塊已經(jīng)采用了這種溝槽結(jié)構(gòu)的MOSFET，使開關(guān)損耗在以往SiC功率模塊的基礎(chǔ)上進一步得以降低。右圖是基于技術(shù)規(guī)格書的規(guī)格值，對1200V/180A的IGBT模塊、采用第二代
2018-11-27 16:37:30
內(nèi)置SiC肖特基勢壘二極管的IGBT：RGWxx65C系列內(nèi)置SiC SBD的Hybrid IGBT在FRD＋IGBT的車載充電器案例中開關(guān)損耗降低67%關(guān)鍵詞* ? SiC肖特基勢壘二極管（SiC
2022-07-27 10:27:04
ROHM一直專注于功率元器件的開發(fā)。最近推出并已投入量產(chǎn)的“SCT2H12NZ”，是實現(xiàn)1700V高耐壓的SiC-MOSFET。是在現(xiàn)有650V與1200V的產(chǎn)品陣容中新增的更高耐壓版本。不僅具備
2018-12-04 10:11:25
極驅(qū)動器的優(yōu)勢和期望，開發(fā)了一種測試板，其中測試了分立式IGBT和SiC-MOSFET。標(biāo)準(zhǔn)電壓源驅(qū)動器也在另一塊板上實現(xiàn)，見圖3?！ D3.帶電壓源驅(qū)動器（頂部）和電流源驅(qū)動器（底部）的半橋
2023-02-21 16:36:47
對于高壓開關(guān)電源應(yīng)用，碳化硅或SiC MOSFET帶來比傳統(tǒng)硅MOSFET和IGBT明顯的優(yōu)勢。在這里我們看看在設(shè)計高性能門極驅(qū)動電路時使用SiC MOSFET的好處。
2018-08-27 13:47:31
本文討論如何設(shè)計基于 SiC-MOSFET 的 6.6kW 雙向電動汽車車載充電器。介紹隨著世界轉(zhuǎn)向更清潔的燃料替代品，電動汽車運輸領(lǐng)域正在經(jīng)歷快速增長。此外，配備足夠電池容量的電動汽車可用于支持
2023-02-27 09:44:36
ROHM在全球率先實現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低
2018-12-04 10:14:32
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
本章將介紹最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供應(yīng)的SiC-MOSFET的相關(guān)信息。獨有的雙溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進程中，ROHM于世界首家實現(xiàn)了溝槽柵極
2018-12-05 10:04:41
SiC-MOSFET 是碳化硅電力電子器件研究中最受關(guān)注的器件。成果比較突出的就是美國的Cree公司和日本的ROHM公司。在國內(nèi)雖有幾家在持續(xù)投入，但還處于開發(fā)階段, 且技術(shù)尚不完全成熟。從國內(nèi)
2019-09-17 09:05:05
的逆變器和轉(zhuǎn)變器中一般使用Si-IGBT，但尾電流和外置FRD的恢復(fù)導(dǎo)致的功率轉(zhuǎn)換損耗較大，因此，更低損耗、可高頻動作的SiC-MOSFET的開發(fā)備受期待。但是，傳統(tǒng)的SiC-MOSFET，體二極管通電
2019-03-18 23:16:12
絕大多數(shù)情況下都取決于IC的規(guī)格，因此雖然不是沒有方法，但選用專為SiC-MOSFET用而優(yōu)化的電源IC應(yīng)該是上策。具體一點來講，在規(guī)格方面，一般的IGBT或Si-MOSFET的驅(qū)動電壓為VGS
2018-11-27 16:54:24
肖特基二極管并聯(lián)的lGBT被認為可以代替CCM圖騰柱PFC和CLLC轉(zhuǎn)換器中的硅MOSFET [8]?？杀氖?，由于IGBT的高開關(guān)損耗，實際的開關(guān)頻率受到限制。進一步，由于SiC MOSFET的體二極管
2019-10-25 10:02:58
從本篇開始，介紹近年來MOSFET中的高耐壓MOSFET的代表超級結(jié)MOSFET。功率晶體管的特征與定位首先來看近年來的主要功率晶體管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的功率與頻率
2018-11-28 14:28:53
ROHM在全球率先實現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低
2018-12-04 10:11:50
請問：驅(qū)動功率MOSFET，IBGT，SiC MOSFET的PCB布局需要考慮哪些因素？
2019-07-31 10:13:38
世界首家！ROHM開始量產(chǎn)采用溝槽結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET，導(dǎo)通電阻大大降低，有助于工業(yè)設(shè)備等大功率設(shè)備的小型化與低功耗化
2015-06-25 14:26:461974 和MOSFET器件的同時，沒有出現(xiàn)基于SiC的類似器件。
SiC-MOSFET與IGBT有許多不同，但它們到底有什么區(qū)別呢？本文將針對與IGBT的區(qū)別進行介紹。
2017-12-21 09:07:0436486 
羅姆在全球率先實現(xiàn)了搭載羅姆生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC功率模塊”量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低損耗。
2018-05-17 09:33:1313514 由于MOSFET的結(jié)構(gòu)，通常它可以做到電流很大，可以到上KA，但是前提耐壓能力沒有IGBT強。
2018-07-24 10:25:2616247 
由于MOSFET的結(jié)構(gòu)，通常它可以做到電流很大，可以到上KA，但耐壓能力沒有IGBT強。
2018-12-03 11:21:2021158 
受惠于電動車市場需求提升，為因應(yīng)高電壓、高頻率及低耗損的技術(shù)需求，SiC（碳化硅）功率元件被視為接替高電壓IGBT的產(chǎn)品，可分為：SiC-SBD（SiC-蕭特基二極管）、SiC-MOSFET
2019-05-22 17:29:121512 ,MOSFET)是一種可以廣泛使用在類比電路與數(shù)位電路的場效晶體管(field-effecttransistor)。MOSFET依照其“通道”的極性不同,可分為n-type與p-type的MOSFET,通常
2023-01-31 18:05:071068 ，硅基 IGBT 廣泛用于大功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計。表 1 提供了基于 Si 的模塊和基于 SiC-MOSFET 的模塊之間基于其開關(guān)速度的比較。
2022-07-26 08:02:531062 
功率轉(zhuǎn)換電路中的晶體管的作用非常重要，為進一步實現(xiàn)低損耗與應(yīng)用尺寸小型化，一直在進行各種改良。SiC功率元器件半導(dǎo)體有如下優(yōu)勢，如低損耗、高速開關(guān)、高溫工作等，顯而易見這些優(yōu)勢是非常有用的。本章將通過其他功率晶體管的比較，進一步加深對SiC-MOSFET的理解。
2023-02-06 14:39:132876 
本章將介紹部分SiC-MOSFET的應(yīng)用實例。其中也包括一些以前的信息和原型級別的內(nèi)容，總之希望通過這些介紹能幫助大家認識采用SiC-MOSFET的好處以及可實現(xiàn)的新功能。另外，除了SiC-MOSFET，還可以從這里了解SiC-SBD、全SiC模塊的應(yīng)用實例。
2023-02-06 14:39:51645 
繼前篇結(jié)束的SiC-SBD之后，本篇進入SiC-MOSFET相關(guān)的內(nèi)容介紹。功率轉(zhuǎn)換電路中的晶體管的作用非常重要，為進一步實現(xiàn)低損耗與應(yīng)用尺寸小型化，一直在進行各種改良。
2023-02-08 13:43:19211 
近年來超級結(jié)（Super Junction）結(jié)構(gòu)的MOSFET（以下簡稱“SJ-MOSFET”）應(yīng)用越來越廣泛。關(guān)于SiC-MOSFET，ROHM已經(jīng)開始量產(chǎn)特性更優(yōu)異的溝槽式結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET。
2023-02-08 13:43:19525 
從本文開始，將逐一進行SiC-MOSFET與其他功率晶體管的比較。本文將介紹與Si-MOSFET的區(qū)別。尚未使用過SiC-MOSFET的人，與其詳細研究每個參數(shù)，不如先弄清楚驅(qū)動方法等與Si-MOSFET有怎樣的區(qū)別。
2023-02-08 13:43:20644 
上一章針對與Si-MOSFET的區(qū)別，介紹了關(guān)于SiC-MOSFET驅(qū)動方法的兩個關(guān)鍵要點。本章將針對與IGBT的區(qū)別進行介紹。與IGBT的區(qū)別：Vd-Id特性，Vd-Id特性是晶體管最基本的特性之一。
2023-02-08 13:43:201722 
上一章介紹了與IGBT的區(qū)別。本章將對SiC-MOSFET的體二極管的正向特性與反向恢復(fù)特性進行說明。如圖所示，MOSFET（不局限于SiC-MOSFET）在漏極-源極間存在體二極管。
2023-02-08 13:43:20790 
在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進程中，ROHM于世界首家實現(xiàn)了溝槽柵極結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET的量產(chǎn)。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。溝槽結(jié)構(gòu)在Si-MOSFET中已被廣為采用，在SiC-MOSFET中由于溝槽結(jié)構(gòu)有利于降低導(dǎo)通電阻也備受關(guān)注。
2023-02-08 13:43:211381 
本章將介紹部分SiC-MOSFET的應(yīng)用實例。其中也包括一些以前的信息和原型級別的內(nèi)容，總之希望通過這些介紹能幫助大家認識采用SiC-MOSFET的好處以及可實現(xiàn)的新功能。
2023-02-08 13:43:21366 
本文就SiC-MOSFET的可靠性進行說明。這里使用的僅僅是ROHM的SiC-MOSFET產(chǎn)品相關(guān)的信息和數(shù)據(jù)。另外，包括MOSFET在內(nèi)的SiC功率元器件的開發(fā)與發(fā)展日新月異，如果有不明之處或希望確認現(xiàn)在的產(chǎn)品情況，請點擊這里聯(lián)系我們。
2023-02-08 13:43:21860 
上一篇介紹了近年來的主要功率晶體管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的產(chǎn)品定位，以及近年來的高耐壓Si-MOSFET的代表超級結(jié)MOSFET（以下簡稱“SJ-MOSFET”）的概要。
2023-02-10 09:41:011301 
ROHM在全球率先實現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低損耗。
2023-02-10 09:41:081333 
在SiC MOSFET的開發(fā)與應(yīng)用方面，與相同功率等級的Si MOSFET相比，SiC MOSFET導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗大幅降低，適用于更高的工作頻率，另由于其高溫工作特性，大大提高了高溫穩(wěn)定性。
2023-02-12 15:29:032102 
ROHM在全球率先實現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低損耗。
2023-02-13 09:30:04331 
上一篇文章對設(shè)計中使用的電源IC進行了介紹。本文將介紹設(shè)計案例的電路。準(zhǔn)諧振方式：上一篇文章提到，電源IC使用的是SiC-MOSFET驅(qū)動用AC/DC轉(zhuǎn)換器控制IC“BD7682FJ-LB”。
2023-02-17 09:25:06380 
截至上一篇文章，結(jié)束了部件選型相關(guān)的內(nèi)容，本文將對此前介紹過的PCB電路板布局示例進行總結(jié)。使用SiC-MOSFET的隔離型準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換器的PCB布局示例
2023-02-17 09:25:07397 
此前共用19個篇幅介紹了“使用SiC-MOSFET的隔離型準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換器的設(shè)計案例”，本文將作為該系列的最后一篇進行匯總。該設(shè)計案例中有兩個關(guān)鍵要點。一個是功率開關(guān)中使用了SiC-MOSFET。
2023-02-17 09:25:08480 EN-1230A可對各類型Si·二極管、Si·MOSFET、Si·IGBT和SiC·二極管、SiC·MOSFET、SiC·IGBT等分立器件的各項動態(tài)參數(shù)如開通時間、關(guān)斷時間、上升時間、下降時間
2023-02-23 09:20:46
2 功率轉(zhuǎn)換電路中的晶體管的作用非常重要，為進一步實現(xiàn)低損耗與應(yīng)用尺寸小型化，一直在進行各種改良。SiC功率元器件半導(dǎo)體的優(yōu)勢前面已經(jīng)介紹過，如低損耗、高速開關(guān)、高溫工作等，顯而易見這些優(yōu)勢是非常有用的。本章將通過其他功率晶體管的比較，進一步加深對SiC-MOSFET的理解。
2023-02-23 11:25:47203 
本文將介紹與Si-MOSFET的區(qū)別。尚未使用過SiC-MOSFET的人，與其詳細研究每個參數(shù)，不如先弄清楚驅(qū)動方法等與Si-MOSFET有怎樣的區(qū)別。在這里介紹SiC-MOSFET的驅(qū)動與Si-MOSFET的比較中應(yīng)該注意的兩個關(guān)鍵要點。
2023-02-23 11:27:57736 
IGBT的低Vd（或低Id）范圍（在本例中是Vd到1V左右的范圍），在IGBT中是可忽略不計的范圍。這在高電壓大電流應(yīng)用中不會構(gòu)成問題，但當(dāng)用電設(shè)備的電力需求從低功率到高功率范圍較寬時，低功率范圍的效率并不高。
2023-02-23 11:29:47684 
如圖所示，MOSFET（不局限于SiC-MOSFET）在漏極-源極間存在體二極管。從MOSFET的結(jié)構(gòu)上講，體二極管是由源極-漏極間的pn結(jié)形成的，也被稱為“寄生二極管”或“內(nèi)部二極管”。對于MOSFET來說，體二極管的性能是重要的參數(shù)之一，在應(yīng)用中使用時，其性能發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。
2023-02-24 11:47:402315 
在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進程中，ROHM于世界首家實現(xiàn)了溝槽柵極結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET的量產(chǎn)。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。
2023-02-24 11:48:18426 
本章將介紹部分SiC-MOSFET的應(yīng)用實例。其中也包括一些以前的信息和原型級別的內(nèi)容，總之希望通過這些介紹能幫助大家認識采用SiC-MOSFET的好處以及可實現(xiàn)的新功能。
2023-02-24 11:49:19481 
ROHM針對SiC上形成的柵極氧化膜，通過工藝開發(fā)和元器件結(jié)構(gòu)優(yōu)化，實現(xiàn)了與Si-MOSFET同等的可靠性。
2023-02-24 11:50:12784 
如何為SiC MOSFET選擇合適的驅(qū)動芯片？（英飛凌官方） 由于SiC產(chǎn)品與傳統(tǒng)硅IGBT或者MOSFET參數(shù)特性上有所不同，并且其通常工作在高頻應(yīng)用環(huán)境中， 為SiC MOSFET選擇合適的柵極
2023-02-27 14:42:0479 IGBT、MCU、以及SIC會是接下來新能源汽車智能化比較長期的需求點，根據(jù)特斯拉Model3的車型用量來看，單車使用IGBT是84顆，或者48顆Sic MOsfet（技術(shù)更優(yōu)），MCU的供應(yīng)商是意法半導(dǎo)體，基本可以結(jié)論，Sic和IGBT會是未來的重點方向。
2023-03-24 10:18:36630 在高壓開關(guān)電源應(yīng)用中,相較傳統(tǒng)的硅 MOSFET 和 IGBT,碳化硅（以下簡稱“SiC”）MOSFET 有明 顯的優(yōu)勢。
2023-05-26 09:52:33462 
率轉(zhuǎn)換電路中的晶體管的作用非常重要，對其改良可以實現(xiàn)低損耗與應(yīng)用尺寸小型化。SiC 功率元器件半導(dǎo)體具有低損耗、高速開關(guān)、高溫工作等優(yōu)勢。
2023-08-23 12:48:23368 
igbt和igct的區(qū)別是啥？ IGBT和IGCT是兩種不同類型的高壓開關(guān)裝置，用于電力電子應(yīng)用中。IGBT是導(dǎo)電型場效應(yīng)晶體管集成電路，而IGCT是絕緣柵控雙極型晶閘管。 IGBT是一種壓降低
2023-08-25 14:57:342926 晶閘管和igbt的區(qū)別是什么？ 晶閘管（Thyristor）和IGBT（Insulated-gate bipolar transistor）都是常見的半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于各種電力電子設(shè)備中。二者
2023-08-25 15:47:433689 Si IGBT和SiC MOSFET之間的主要區(qū)別在于它們可以處理的電流類型。一般來說，MOSFET更適合高頻開關(guān)應(yīng)用，而IGBT更適合高功率應(yīng)用。
2023-10-17 14:46:401040 
igbt芯片、igbt單管、igbt模塊、igbt器件等這些的區(qū)別是什么？ IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種高壓、高電流功率半導(dǎo)體器件，常被用于
2023-11-10 14:26:281270 MOSFET與IGBT的區(qū)別
2023-11-27 15:36:45369 
樁中決定充電效率和能量轉(zhuǎn)化的關(guān)鍵元件是IGBT和MOSFET。在各類半導(dǎo)體功率器件中，未來增長最強勁的產(chǎn)品將是MOSFET與IGBT模塊。MOSFET和IGBT區(qū)別以
2024-02-19 12:28:04192 
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