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電子發(fā)燒友網>模擬技術>碳化硅SiC MOSFET器件的結構及特性

碳化硅SiC MOSFET器件的結構及特性

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2023-06-02 15:33:151182

6.3.6 不同晶面上的氧化硅/SiC 界面特性∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

6.3.6不同晶面上的氧化硅/SiC界面特性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:6.3.5.5界面的不穩(wěn)定性∈《碳化硅技術
2022-01-21 09:35:56706

6.3.3 熱氧化氧化硅結構和物理特性∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

6.3.3熱氧化氧化硅結構和物理特性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:6.3.2氧化硅的介電性能∈《碳化硅技術基本原理
2022-01-04 14:10:56564

6.4.1.2 SiC上的肖特基接觸∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

基本原理——生長、表征、器件和應用》6.3.7遷移率限制因素∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》6.3.6不同晶面上的氧化硅/SiC界面特性∈《碳化
2022-01-24 10:22:28480

6.3.4.1 SiC特有的基本現(xiàn)象∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

6.3.4.1SiC特有的基本現(xiàn)象6.3.4電學表征技術及其局限性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:6.3.3熱氧化氧化硅
2022-01-05 13:59:37493

6.4.2.2 n型SiC的歐姆接觸∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

6.4.2.2n型SiC的歐姆接觸6.4.2n型和p型SiC的歐姆接觸6.4金屬化第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:6.4.2.1基本原理∈《碳化硅技術
2022-01-25 09:18:08743

6.3.4.2 MOS電容等效電路∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

6.3.4.2MOS電容等效電路6.3.4電學表征技術及其局限性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:6.3.4.1SiC
2022-01-07 14:24:25420

6.4.2.3 p型SiC的歐姆接觸∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

6.4.2.3p型SiC的歐姆接觸6.4.2n型和p型SiC的歐姆接觸6.4金屬化第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:6.4.2.2n型SiC的歐姆接觸
2022-01-26 10:08:16636

5.2.3 擴展缺陷對SiC器件性能的影響∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

5.2.3擴展缺陷對SiC器件性能的影響5.2SiC的擴展缺陷第5章碳化硅的缺陷及表征技術《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:5.2.1SiC主要的擴展缺陷&5.2.2
2022-01-06 09:25:55621

學技術 | 碳化硅 SIC MOSFET 如何降低功率損耗

SICMOSFET作為第三代半導體器件,以其卓越的高頻高壓高結溫低阻特性,已經越來越多的應用于功率變換電路。那么,如何用最有效的方式驅動碳化硅MOSFET,發(fā)揮SICMOSFET的優(yōu)勢,盡可能
2022-11-30 15:28:282648

SiC MOSFET碳化硅芯片的設計和制造

來源:碳化硅芯觀察對于碳化硅MOSFET(SiCMOSFET)而言,高質量的襯底可以從外部購買得到,高質量的外延片也可以從外部購買到,可是這只是具備了獲得一個碳化硅器件的良好基礎,高性能的碳化硅器件
2023-04-07 11:16:201221

瞻芯電子正式開發(fā)第二代碳化硅(SiC)MOSFET產品

了堅實基礎,同時也標志著瞻芯電子碳化硅晶圓廠邁進新的階段。 產品特性 瞻芯電子開發(fā)的第二代SiC MOSFET產品驅動電壓(Vgs)為15-18V,
2023-08-21 09:42:121285

碳化硅SiC功率器件,全球市場總體規(guī)模,前三十大廠商排名及市場份額

本文研究SiC碳化硅功率模塊及分立器件,功率模塊主要包括碳化硅MOSFET模塊(SiC MOSFET Module),分立器件包括碳化硅MOSFET分立器件碳化硅二極管(主要是碳化硅肖特二極管)。
2023-09-08 11:30:451806

第三代寬禁帶半導體碳化硅功率器件的應用

SiC器件是一種新型的硅基MOSFET,特別是SiC功率器件具有更高的開關速度和更寬的輸出頻率。SiC功率芯片主要由MOSFET和PN結組成。 在眾多的半導體器件中,碳化硅材料具有低熱導率、高擊穿
2023-09-26 16:42:29342

安世半導體推出其首款碳化硅(SiC)MOSFET

基礎半導體器件領域的高產能生產專家 Nexperia(安世半導體)近日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET,并發(fā)布兩款采用 3 引腳 TO-247 封裝的 1200 V 分立器件,RDS(on) 分別為 40 mΩ 和 80 mΩ。
2023-12-04 10:39:50413

碳化硅的5大優(yōu)勢

碳化硅SiC),又名碳化硅,是一種硅和碳化合物。其材料特性使SiC器件具有高阻斷電壓能力和低比導通電阻。
2023-12-12 09:47:33456

碳化硅MOSFET在高頻開關電路中的應用優(yōu)勢

碳化硅MOSFET在高頻開關電路中的應用優(yōu)勢? 碳化硅MOSFET是一種新型的功率半導體器件,具有在高頻開關電路中廣泛應用的多個優(yōu)勢。 1. 高溫特性碳化硅MOSFET具有極低的本征載流子濃度
2023-12-21 10:51:03357

碳化硅功率器件簡介、優(yōu)勢和應用

碳化硅SiC)是一種優(yōu)良的寬禁帶半導體材料,具有高擊穿電場、高熱導率、低介電常數(shù)等特點,因此在高溫、高頻、大功率應用領域具有顯著優(yōu)勢。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的電力電子器件,主要包括
2024-01-09 09:26:49379

一文了解SiC碳化硅MOSFET的應用及性能優(yōu)勢

共讀好書 碳化硅是第三代半導體產業(yè)發(fā)展的重要基礎材料,碳化硅功率器件以其優(yōu)異的耐高壓、耐高溫、低損耗等性能,能夠有效滿足電力電子系統(tǒng)的高效率、小型化和輕量化要求。 碳化硅MOSFET具有高頻高效
2024-02-21 18:24:15412

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