0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

6.3.6 不同晶面上的氧化硅/SiC 界面特性∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

深圳市致知行科技有限公司 ? 2022-01-21 09:35 ? 次閱讀

6.3.6 不同晶面上的氧化硅/SiC 界面特性

6.3 氧化及氧化硅/SiC 界面特性

第6章碳化硅器件工藝

《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

cf9a59d2-7a15-11ec-bcb6-dac502259ad0.jpg

cfaa3bc2-7a15-11ec-bcb6-dac502259ad0.jpg

cfbbd148-7a15-11ec-bcb6-dac502259ad0.jpg

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • SiC
    SiC
    +關(guān)注

    關(guān)注

    29

    文章

    2730

    瀏覽量

    62360
收藏 人收藏

    評論

    相關(guān)推薦

    碳化硅功率器件在能源轉(zhuǎn)換中的應(yīng)用

    碳化硅SiC)功率器件作為一種新興的能源轉(zhuǎn)換技術(shù),因其優(yōu)異的性能在能源領(lǐng)域受到了廣泛的關(guān)注。本文將介紹碳化硅功率
    的頭像 發(fā)表于 10-30 15:04 ?97次閱讀

    碳化硅功率器件的工作原理和應(yīng)用

    碳化硅SiC)功率器件近年來在電力電子領(lǐng)域取得了顯著的關(guān)注和發(fā)展。相比傳統(tǒng)的硅(Si)基功率器件,碳化硅具有許多獨特的優(yōu)點,使其在高效能、
    的頭像 發(fā)表于 09-13 11:00 ?401次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>功率<b class='flag-5'>器件</b>的工作原理和應(yīng)用

    碳化硅功率器件的優(yōu)點和應(yīng)用

    碳化硅(SiliconCarbide,簡稱SiC)功率器件是近年來電力電子領(lǐng)域的一項革命性技術(shù)。與傳統(tǒng)的硅基功率器件相比,
    的頭像 發(fā)表于 09-11 10:44 ?354次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>功率<b class='flag-5'>器件</b>的優(yōu)點和應(yīng)用

    碳化硅功率器件的優(yōu)勢和分類

    碳化硅SiC)功率器件是利用碳化硅材料制造的半導(dǎo)體器件,主要用于高頻、高溫、高壓和高功率的電子應(yīng)用。相比傳統(tǒng)的硅(Si)基功率
    的頭像 發(fā)表于 08-07 16:22 ?436次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>功率<b class='flag-5'>器件</b>的優(yōu)勢和分類

    碳化硅(SiC)功率器件的開關(guān)性能比較

    過去十年,碳化硅(SiC)功率器件因其在功率轉(zhuǎn)換器中的高功率密度和高效率而備受關(guān)注。制造商們已經(jīng)開始采用碳化硅技術(shù)來開發(fā)基于各種半導(dǎo)體
    的頭像 發(fā)表于 05-30 11:23 ?562次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>(<b class='flag-5'>SiC</b>)功率<b class='flag-5'>器件</b>的開關(guān)性能比較

    碳化硅器件的基本特性都有哪些?

    碳化硅(SiliconCarbide,SiC器件作為第三代半導(dǎo)體材料的重要代表,近年來在電子器件領(lǐng)域中備受關(guān)注。
    的頭像 發(fā)表于 05-27 18:04 ?1181次閱讀

    SIC 碳化硅認(rèn)識

    好,硬度大(莫氏硬度為9.5級,僅次于世界上最硬的金剛石(10級))、導(dǎo)熱性能優(yōu)良、高溫抗氧化能力強(qiáng)等。由于天然含量甚少,碳化硅主要多為人造。 第三代半導(dǎo)體指的是SiC、GaN、ZnO、金剛石(C)、AlN等具有寬禁帶(Eg>2
    的頭像 發(fā)表于 04-01 10:09 ?859次閱讀
    <b class='flag-5'>SIC</b> <b class='flag-5'>碳化硅</b>認(rèn)識

    碳化硅壓敏電阻 - 氧化鋅 MOV

    碳化硅圓盤壓敏電阻 |碳化硅棒和管壓敏電阻 | MOV / 氧化鋅 (ZnO) 壓敏電阻 |帶引線的碳化硅壓敏電阻 | 硅金屬陶瓷復(fù)合電阻器 |ZnO 塊壓敏電阻 關(guān)于EAK
    發(fā)表于 03-08 08:37

    碳化硅功率器件基本原理、性能優(yōu)勢、應(yīng)用領(lǐng)域

    碳化硅功率器件主要包括碳化硅二極管(SiC Diode)、碳化硅晶體管(SiC Transist
    發(fā)表于 02-29 14:23 ?1529次閱讀

    簡單認(rèn)識碳化硅功率器件

    隨著能源危機(jī)和環(huán)境污染日益加劇,電力電子技術(shù)在能源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛。碳化硅SiC)功率器件作為第三代半導(dǎo)體材料的代表,具有高溫、高速、高效、高可靠性等優(yōu)點
    的頭像 發(fā)表于 02-21 09:27 ?1052次閱讀

    碳化硅功率器件簡介、優(yōu)勢和應(yīng)用

    碳化硅SiC)是一種優(yōu)良的寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有高擊穿電場、高熱導(dǎo)率、低介電常數(shù)等特點,因此在高溫、高頻、大功率應(yīng)用領(lǐng)域具有顯著優(yōu)勢。碳化硅功率器件是利用
    的頭像 發(fā)表于 01-09 09:26 ?2684次閱讀

    碳化硅功率器件基本原理、應(yīng)用領(lǐng)域及發(fā)展前景

    隨著電力電子技術(shù)的不斷發(fā)展,碳化硅SiC)功率器件作為一種新型的半導(dǎo)體材料,逐漸在電力電子領(lǐng)域嶄露頭角。與傳統(tǒng)的硅功率器件相比,
    的頭像 發(fā)表于 12-21 09:43 ?776次閱讀

    碳化硅功率器件的原理和應(yīng)用

    隨著科技的快速發(fā)展,碳化硅SiC)功率器件作為一種先進(jìn)的電力電子設(shè)備,已經(jīng)廣泛應(yīng)用于能源轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、電網(wǎng)保護(hù)等多個領(lǐng)域。本文將詳細(xì)介紹碳化硅功率
    的頭像 發(fā)表于 12-16 10:29 ?1208次閱讀

    三種碳化硅外延生長爐的差異

    碳化硅襯底有諸多缺陷無法直接加工,需要在其上經(jīng)過外延工藝生長出特定單晶薄膜才能制作芯片晶圓,這層薄膜便是外延層。幾乎所有的碳化硅器件均在外延材料上實現(xiàn),高質(zhì)量的
    的頭像 發(fā)表于 12-15 09:45 ?2817次閱讀
    三種<b class='flag-5'>碳化硅</b>外延<b class='flag-5'>生長</b>爐的差異

    碳化硅的5大優(yōu)勢

    碳化硅SiC),又名碳化硅,是一種硅和碳化合物。其材料特性使SiC
    的頭像 發(fā)表于 12-12 09:47 ?1638次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>的5大優(yōu)勢