中的高層對(duì)話、技術(shù)分享、投資人專家獻(xiàn)策、媒體分析師的產(chǎn)業(yè)分析環(huán)節(jié)，均為產(chǎn)業(yè)帶來(lái)了非常高的價(jià)值，現(xiàn)場(chǎng)交流也是難得的產(chǎn)業(yè)專業(yè)人士的對(duì)話交流。鑒于當(dāng)前特殊時(shí)期，2020中國(guó)模擬半導(dǎo)體大會(huì)將在線上舉辦，會(huì)繼續(xù)
2020-07-27 09:43:17
納米與傳感器等; 5、半導(dǎo)體終端及分立器件展區(qū)：集成電路應(yīng)用與解決方案、器件產(chǎn)品與應(yīng)用技術(shù)、IC以及商用信息終端的應(yīng)用、半導(dǎo)體分立器件、功率器件、傳感器件、射頻器件、GaN氮化鎵器件、快充芯片、USB
2019-12-10 18:20:16
半導(dǎo)體材料可分為單質(zhì)半導(dǎo)體及化合物半導(dǎo)體兩類，前者如硅（Si）、鍺(Ge）等所形成的半導(dǎo)體，后者為砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）等化合物形成。半導(dǎo)體在過(guò)去主要經(jīng)歷了三代變化
2019-05-06 10:04:10
，這一成果標(biāo)志著該校在超寬禁帶半導(dǎo)體研究上取得重要進(jìn)展。（圖片來(lái)源：西安郵電大學(xué)官網(wǎng)）近年來(lái)，我國(guó)在氧化鎵的制備上連續(xù)取得突破性進(jìn)展，從去年的2英寸到6英寸，再到最新的8英寸，氧化鎵制備技術(shù)越來(lái)越
2023-03-15 11:09:59
客聯(lián)盟/張飛實(shí)戰(zhàn)電子聯(lián)合主辦：中國(guó)電工技術(shù)學(xué)會(huì)協(xié)辦單位：江蘇捷捷微電子股份有限公司/捷捷半導(dǎo)體有限公司合作媒體：電子發(fā)燒友直播平臺(tái)：硬聲APP舉辦時(shí)間：2021年11月27日至28日舉辦地址：深圳機(jī)場(chǎng)
2021-11-12 11:42:08
請(qǐng)教下以前的[半導(dǎo)體技術(shù)天地]哪里去了
2020-08-04 17:03:41
半導(dǎo)體技術(shù)是如何變革汽車設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)的？
2021-02-22 09:07:43
）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、雙極硅、絕緣硅（SoI）和藍(lán)寶石硅（SoS）等工藝技術(shù)給業(yè)界提供了豐富的選擇。雖然半導(dǎo)體器件的集成度越來(lái)越高，但分立器件同樣在用這些工藝制造。隨著全球電信網(wǎng)絡(luò)向
2019-07-05 08:13:58
）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、雙極硅、絕緣硅（SoI）和藍(lán)寶石硅（SoS）等工藝技術(shù)給業(yè)界提供了豐富的選擇。雖然半導(dǎo)體器件的集成度越來(lái)越高，但分立器件同樣在用這些工藝制造。隨著全球電信網(wǎng)絡(luò)向長(zhǎng)期
2019-08-20 08:01:20
(86) ，因此在正常體溫下，它會(huì)在人的手中融化。
又過(guò)了65年，氮化鎵首次被人工合成。直到20世紀(jì)60年代，制造氮化鎵單晶薄膜的技術(shù)才得以出現(xiàn)。作為一種化合物，氮化鎵的熔點(diǎn)超過(guò)1600℃，比硅高
2023-06-15 15:50:54
從將PC適配器的尺寸減半，到為并網(wǎng)應(yīng)用創(chuàng)建高效、緊湊的10 kW轉(zhuǎn)換，德州儀器為您的設(shè)計(jì)提供了氮化鎵解決方案。LMG3410和LMG3411系列產(chǎn)品的額定電壓為600 V，提供從低功率適配器到超過(guò)2 kW設(shè)計(jì)的各類解決方案。
2019-08-01 07:38:40
封裝技術(shù)的效率。三維散熱是GaN封裝的一個(gè)很有前景的選擇。
生活更環(huán)保
為了打破成本和大規(guī)模采用周期，一種新型功率半導(dǎo)體技術(shù)需要解決最引人注目應(yīng)用中現(xiàn)有設(shè)備的一些缺點(diǎn)。氮化鎵為功率調(diào)節(jié)的發(fā)展創(chuàng)造了機(jī)會(huì)
2019-03-14 06:45:11
；這也說(shuō)明市場(chǎng)對(duì)于充電器功率的市場(chǎng)需求及用戶使用的范圍；隨著小米65W的充電器的發(fā)布，快速的走進(jìn)氮化鎵快充充電器時(shí)代。目前市面上已經(jīng)量產(chǎn)商用的氮化鎵方案主要來(lái)自PI和納微半導(dǎo)體兩家供應(yīng)商。其中PI
2020-03-18 22:34:23
的選擇?！ ∩罡h(huán)?！ 榱舜蚱瞥杀竞痛笠?guī)模采用周期，一種新型功率半導(dǎo)體技術(shù)需要解決最引人注目應(yīng)用中現(xiàn)有設(shè)備的一些缺點(diǎn)。氮化鎵為功率調(diào)節(jié)的發(fā)展創(chuàng)造了機(jī)會(huì)，使其在高電壓應(yīng)用中的貢獻(xiàn)遠(yuǎn)遠(yuǎn)超越硅材料。用于
2018-11-20 10:56:25
度大、擊穿電場(chǎng)高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、介電常數(shù)小等獨(dú)特的性能，被譽(yù)為第三代半導(dǎo)體材料。氮化鎵在光電器件、功率器件、射頻微波器件、激光器和探測(cè)器件等方面展現(xiàn)出巨大的潛力，甚至為該行業(yè)帶來(lái)跨越式
2022-06-14 11:11:16
是什么氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導(dǎo)體特性，早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點(diǎn)高穩(wěn)定性強(qiáng)。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導(dǎo)體材料，具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點(diǎn)，應(yīng)用在充電器方面，主要是集成氮化鎵MOS管，可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級(jí)模塊
2021-03-09 06:33:26
更?。篏aNFast? 功率芯片，可實(shí)現(xiàn)比傳統(tǒng)硅器件芯片 3 倍的充電速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量節(jié)約方面，它最高能節(jié)約 40% 的能量。
更快：氮化鎵電源 IC 的集成設(shè)計(jì)使其非常
2023-06-15 15:32:41
`從研發(fā)到商業(yè)化應(yīng)用，氮化鎵的發(fā)展是當(dāng)下的顛覆性技術(shù)創(chuàng)新，其影響波及了現(xiàn)今整個(gè)微波和射頻行業(yè)。氮化鎵對(duì)眾多射頻應(yīng)用的系統(tǒng)性能、尺寸及重量產(chǎn)生了明確而深刻的影響，并實(shí)現(xiàn)了利用傳統(tǒng)半導(dǎo)體技術(shù)無(wú)法實(shí)現(xiàn)
2017-08-15 17:47:34
射頻半導(dǎo)體技術(shù)的市場(chǎng)格局近年發(fā)生了顯著變化。
2019-09-02 06:41:17
激光器是20世紀(jì)四大發(fā)明之一，半導(dǎo)體激光器是采用半導(dǎo)體芯片加工工藝制備的激光器，具有體積小、成本低、壽命長(zhǎng)等優(yōu)勢(shì)，是應(yīng)用最多的激光器類別。氮化鎵激光器（LD）是重要的光電子器件，基于GaN材料
2020-11-27 16:32:53
射頻半導(dǎo)體技術(shù)的市場(chǎng)格局近年發(fā)生了顯著變化。 數(shù)十年來(lái)，橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導(dǎo)體市場(chǎng)領(lǐng)域起主導(dǎo)作用。如今，這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si
2018-08-17 09:49:42
氮化鎵 (GaN) 可為便攜式產(chǎn)品提供更小、更輕、更高效的桌面 AC-DC 電源。Keep Tops 氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料。 當(dāng)用于電源時(shí)，GaN 比傳統(tǒng)硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
納微集成氮化鎵電源解決方案及應(yīng)用
2023-06-19 11:10:07
深圳市尊信電子技術(shù)有限公司專業(yè)開(kāi)發(fā)設(shè)計(jì)電子產(chǎn)品方案鈺泰，智融，賽芯微一級(jí)代理吉娜：*** 微信：mphanfan歡迎行業(yè)客戶聯(lián)系，獲取datasheet、報(bào)價(jià)、樣片等更多產(chǎn)品信息氮化鎵技術(shù)的普及，使
2021-11-28 11:16:55
GaNFast功率半導(dǎo)體建模(氮化鎵)
2023-06-19 07:07:27
GaN功率半導(dǎo)體(氮化鎵)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢(shì)
2023-06-19 09:28:46
GaN功率半導(dǎo)體與高頻生態(tài)系統(tǒng)(氮化鎵)
2023-06-25 09:38:13
GaN功率半導(dǎo)體在快速充電市場(chǎng)的應(yīng)用(氮化鎵)
2023-06-19 11:00:42
GaN功率半導(dǎo)體帶來(lái)AC-DC適配器的革命(氮化鎵)
2023-06-19 11:41:21
寬禁帶半導(dǎo)體材料氮化鎵（GaN）以其良好的物理化學(xué)和電學(xué)性能成為繼第一代元素半導(dǎo)體硅（Si）和第二代化合物半導(dǎo)體砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）、磷化銦（InP）等之后迅速發(fā)展起來(lái)的第三代半導(dǎo)體
2019-06-25 07:41:00
功率氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開(kāi)關(guān)頻率、更低的導(dǎo)通電阻等優(yōu)勢(shì)，并可與成本極低、技術(shù)成熟度極高的硅基半導(dǎo)體集成電路工藝相兼容，在新一代高效率、小尺寸的電力轉(zhuǎn)換與管理系統(tǒng)、電動(dòng)機(jī)
2018-11-05 09:51:35
本帖最后由 kuailesuixing 于 2018-2-28 11:36 編輯
整合意法半導(dǎo)體的制造規(guī)模、供貨安全保障和電涌耐受能力與MACOM的硅上氮化鎵射頻功率技術(shù)，瞄準(zhǔn)主流消費(fèi)
2018-02-12 15:11:38
應(yīng)用。MACOM的氮化鎵可用于替代磁控管的產(chǎn)品，這顆功率為300瓦的硅基氮化鎵器件被用來(lái)作為微波爐里磁控管的替代。用氮化鎵器件來(lái)替代磁控管帶來(lái)好處很多：半導(dǎo)體器件可靠性更高，氮化鎵器件比磁控管驅(qū)動(dòng)電壓
2017-09-04 15:02:41
的優(yōu)勢(shì)，近年來(lái)在功率器件市場(chǎng)大受歡迎。然而，其居高不下的成本使得氮化鎵技術(shù)的應(yīng)用受到很多限制。 但是隨著硅基氮化鎵技術(shù)的深入研究，我們逐漸發(fā)現(xiàn)了一條完全不同的道路，甚至可以說(shuō)是顛覆性的半導(dǎo)體技術(shù)。這就
2017-07-18 16:38:20
測(cè)試背景地點(diǎn)：國(guó)外某知名品牌半導(dǎo)體企業(yè)，深圳氮化鎵實(shí)驗(yàn)室測(cè)試對(duì)象：氮化鎵半橋快充測(cè)試原因：因高壓差分探頭測(cè)試半橋上管Vgs時(shí)會(huì)炸管，需要對(duì)半橋上管控制信號(hào)的具體參數(shù)進(jìn)行摸底測(cè)試測(cè)試探頭：麥科信OIP
2023-01-12 09:54:23
書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：氮化鎵發(fā)展技術(shù)編號(hào)：JFSJ-21-041作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html 摘要：在單個(gè)芯片上集成多個(gè)
2021-07-06 09:38:20
鎵和碳化硅的各種蝕刻劑，包括水性無(wú)機(jī)酸和堿溶液以及熔融鹽。濕法刻蝕在寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)中有多種應(yīng)用，包括缺陷裝飾、通過(guò)產(chǎn)生特征凹坑或小丘識(shí)別極性和多型(用于碳化硅)以及在光滑表面上制造器件。對(duì)于氮化鎵
2021-10-14 11:48:31
的開(kāi)路條件下被光蝕刻。 介紹近年來(lái)，氮化鎵和相關(guān)氮化物半導(dǎo)體在藍(lán)綠色發(fā)光二極管、激光二極管和高溫大功率電子器件中的應(yīng)用備受關(guān)注。蝕刻組成材料的有效工藝的可用性因此非常重要。由于第三族氮化物不尋常的化學(xué)
2021-10-13 14:43:35
Canaccord Genuity預(yù)計(jì)，到2025年，電動(dòng)汽車解決方案中每臺(tái)汽車的半導(dǎo)體構(gòu)成部分將增加50％或更多。本文將探討氮化鎵（GaN）電子器件，也涉及到一點(diǎn)碳化硅（SiC），在不增加汽車成本的條件下
2018-07-19 16:30:38
的設(shè)計(jì)和集成度，已經(jīng)被證明可以成為充當(dāng)下一代功率半導(dǎo)體，其碳足跡比傳統(tǒng)的硅基器件要低10倍。據(jù)估計(jì)，如果全球采用硅芯片器件的數(shù)據(jù)中心，都升級(jí)為使用氮化鎵功率芯片器件，那全球的數(shù)據(jù)中心將減少30-40
2023-06-15 15:47:44
氮化鎵(GaN)是一種“寬禁帶”(WBG)材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離出來(lái)所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4ev，是硅的 3 倍多，所以說(shuō)氮化鎵擁有寬禁帶特性（WBG）。
硅的禁帶寬
2023-06-15 15:53:16
）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、雙極硅、絕緣硅（SoI）和藍(lán)寶石硅（SoS）等工藝技術(shù)給業(yè)界提供了豐富的選擇。雖然半導(dǎo)體器件的集成度越來(lái)越高，但分立器件同樣在用這些工藝制造。隨著全球電信網(wǎng)絡(luò)向
2019-08-02 08:23:59
目前，以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等“WBG（Wide Band Gap，寬禁帶，以下簡(jiǎn)稱為：WBG）”以及基于新型材料的電力半導(dǎo)體，其研究開(kāi)發(fā)技術(shù)備受矚目。根據(jù)日本環(huán)保部提出的“加快
2023-02-23 15:46:22
1、GaAs半導(dǎo)體材料可以分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類，元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。砷化鎵的電子遷移速率比硅高5.7 倍，非常適合
2019-07-29 07:16:49
兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設(shè)計(jì)，帶集成柵極驅(qū)動(dòng)和穩(wěn)健的器件保護(hù)。從那時(shí)起，我們就致力于利用這項(xiàng)尖端技術(shù)將功率級(jí)
2020-10-27 09:28:22
行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，成為落地量產(chǎn)設(shè)計(jì)的催化劑
氮化鎵芯片是提高整個(gè)系統(tǒng)性能的關(guān)鍵，是創(chuàng)造出接近“理想開(kāi)關(guān)”的電路構(gòu)件，即一個(gè)能將最小能量的數(shù)字信號(hào)，轉(zhuǎn)化為無(wú)損功率傳輸?shù)碾娐窐?gòu)件。
納微半導(dǎo)體利用橫向650V
2023-06-15 14:17:56
通過(guò)SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實(shí)現(xiàn)氮化鎵器件、驅(qū)動(dòng)、控制和保護(hù)集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
氮化鎵南征北戰(zhàn)縱橫半導(dǎo)體市場(chǎng)多年，無(wú)論是吊打碳化硅，還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強(qiáng)和良好的化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)越性質(zhì)，確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03
氮化鎵，由鎵（原子序數(shù) 31）和氮（原子序數(shù) 7）結(jié)合而來(lái)的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
=rgb(51, 51, 51) !important]射頻氮化鎵技術(shù)是5G的絕配，基站功放使用氮化鎵。氮化鎵（GaN）、砷化鎵（GaAs）和磷化銦（InP）是射頻應(yīng)用中常用的半導(dǎo)體材料。[color
2019-07-08 04:20:32
傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導(dǎo)體電力電子器件的誕生，以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導(dǎo)體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
客戶希望通過(guò)原廠FAE盡快找到解決方案，或者將遇到技術(shù)挫折歸咎為芯片本身設(shè)計(jì)問(wèn)題，盡管不排除芯片可能存在不適用的領(lǐng)域，但是大部分時(shí)候是應(yīng)用層面的問(wèn)題，和芯片沒(méi)有關(guān)系。這種情況對(duì)新興的第三代半導(dǎo)體氮化鎵
2023-02-01 14:52:03
類型包括硅鍺雙極互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體（BiCMOS）和硅鍺異質(zhì)結(jié)雙極晶體管（SiGe HBTs）。DTRA關(guān)注的其他設(shè)備類型還包括45納米絕緣硅（SOI）芯片、氮化鎵異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管（GaAn HFET）功率半導(dǎo)體和其他抗輻射微電子和光子器件，用于當(dāng)前和未來(lái)軍事系統(tǒng)，如衛(wèi)星和導(dǎo)彈。
2012-12-04 19:52:12
的測(cè)試，讓功率半導(dǎo)體設(shè)備更快上市并盡量減少設(shè)備現(xiàn)場(chǎng)出現(xiàn)的故障。為幫助設(shè)計(jì)工程師厘清設(shè)計(jì)過(guò)程中的諸多細(xì)節(jié)問(wèn)題，泰克與電源行業(yè)專家攜手推出“氮化鎵電源設(shè)計(jì)從入門(mén)到精通“8節(jié)系列直播課，氮化鎵電源設(shè)計(jì)從入門(mén)到
2020-11-18 06:30:50
如何實(shí)現(xiàn)小米氮化鎵充電器是一個(gè)c to c 的一個(gè)充電器拯救者Y7000提供了Type-c的端口，但這個(gè)口不可以充電，它是用來(lái)轉(zhuǎn)VGA,HDMI,DP之類了，可以外接顯示器，拓展塢之類的。要用氮化鎵
2021-09-14 06:06:21
如何設(shè)計(jì)GaN氮化鎵 PD充電器產(chǎn)品？
2021-06-15 06:30:55
文章主要介紹了當(dāng)前射頻集成電路研究中的半導(dǎo)體技術(shù)和CAD技術(shù)，并比較和討論了硅器件和砷化鎵器件、射頻集成電路CAD和傳統(tǒng)電路CAD的各自特點(diǎn)。近年來(lái)，無(wú)線通信市場(chǎng)的蓬勃發(fā)展，特別是移動(dòng)電話、無(wú)線
2019-07-05 06:53:04
帶半導(dǎo)體，相比常規(guī)的硅材料，開(kāi)關(guān)速度更快，具有更高的耐壓。在降低電阻的同時(shí)，還能提供更高的過(guò)電壓保護(hù)能力，防止過(guò)壓造成的損壞。OPPO使用一顆氮化鎵開(kāi)關(guān)管取代兩顆串聯(lián)的硅MOS，氮化鎵低阻抗優(yōu)勢(shì)可以
2023-02-21 16:13:41
這樣的領(lǐng)導(dǎo)者正在將氮化鎵和固態(tài)半導(dǎo)體技術(shù)與這些過(guò)程相結(jié)合，以更低的成本進(jìn)行廣泛使用，從而改變行業(yè)的基礎(chǔ)狀況。采油與傳統(tǒng)的干燥和加熱方法相比，射頻能量使用更少的能量，而且高精度可使每瓦都得到有效利用。從
2018-01-18 10:56:28
本帖最后由 kuailesuixing 于 2018-6-4 14:34 編輯
任命Jean-Marc Chery為意法半導(dǎo)體管理委員會(huì)唯一成員，出任總裁兼首席執(zhí)行官中國(guó)，2018年6月4日
2018-06-04 14:28:11
功率放大器以及商用和工業(yè)系統(tǒng)的功率放大器。意法半導(dǎo)體與遠(yuǎn)創(chuàng)達(dá)的合作協(xié)議將擴(kuò)大意法半導(dǎo)體LDMOS產(chǎn)品的應(yīng)用范圍。協(xié)議內(nèi)容保密，不對(duì)外披露。 相關(guān)新聞MACOM和意法半導(dǎo)體將硅上氮化鎵推入主流射頻市場(chǎng)
2018-02-28 11:44:56
，其中第一梯隊(duì)有英諾賽科、納微、EPC等代表企業(yè)。其中英諾賽科是目前全球首家采用8英寸增強(qiáng)型硅氮化鎵外延與芯片大規(guī)模量產(chǎn)的企業(yè)，也是躋身氮化鎵產(chǎn)業(yè)第一梯隊(duì)的國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體企業(yè)代表。
2019-07-05 04:20:06
兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設(shè)計(jì)，帶集成柵極驅(qū)動(dòng)和穩(wěn)健的器件保護(hù)。從那時(shí)起，我們就致力于利用這項(xiàng)尖端技術(shù)將功率級(jí)
2022-11-10 06:36:09
氮化鎵(GaN)是一種全新的使能技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)更高的效率、顯著減小系統(tǒng)尺寸、更輕和于應(yīng)用中取得硅器件無(wú)法實(shí)現(xiàn)的性能。那么，為什么關(guān)于氮化鎵半導(dǎo)體仍然有如此多的誤解？事實(shí)又是怎樣的呢？
關(guān)于氮化鎵技術(shù)
2023-06-25 14:17:47
射頻半導(dǎo)體技術(shù)的市場(chǎng)格局近年發(fā)生了顯著變化。數(shù)十年來(lái)，橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導(dǎo)體市場(chǎng)領(lǐng)域起主導(dǎo)作用。如今，這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術(shù)成為接替?zhèn)鹘y(tǒng)LDMOS技術(shù)的首選技術(shù)。
2019-09-02 07:16:34
?是提高性能和降低價(jià)值。硅襯底倒裝波LED芯片，效率會(huì)更高、工藝會(huì)更好。6英寸硅襯底上氮化鎵基大功率LED研發(fā)，有望降低成本50%以上。 目前已開(kāi)發(fā)出6寸硅襯底氮化鎵基LED的外延及先進(jìn)工藝技術(shù)，光效
2014-01-24 16:08:55
突破GaN功率半導(dǎo)體的速度限制
2023-06-25 07:17:49
GaN將在高功率、高頻率射頻市場(chǎng)及5G 基站PA的有力候選技術(shù)。未來(lái)預(yù)估5-10年內(nèi)GaN 新型材料將快速崛起并占有多半得半導(dǎo)體市場(chǎng)需求。。。以下內(nèi)容均摘自網(wǎng)絡(luò)媒體，如果不妥，請(qǐng)聯(lián)系站內(nèi)信進(jìn)行刪除
2019-04-13 22:28:48
。2.LED的發(fā)展使得中國(guó)具備了發(fā)展三代半導(dǎo)體，特別是氮化鎵的產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)。雖然LED和功率半導(dǎo)體隔著行，但是畢竟中國(guó)在這個(gè)領(lǐng)域里取得了驕人的戰(zhàn)績(jī)。全球主要的制造設(shè)備，產(chǎn)業(yè)鏈配套、技術(shù)人員都云集在中國(guó)。3.
2017-05-15 17:09:48
蘇州華林科納半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)有限公司成立于2008年3月，投資4500萬(wàn)元。主要從事半導(dǎo)體、太陽(yáng)能、FPD領(lǐng)域濕制程設(shè)備的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)及銷售；同時(shí)代理半導(dǎo)體、太陽(yáng)能、FPD領(lǐng)域其它國(guó)外設(shè)備，負(fù)責(zé)
2015-04-02 17:26:21
的固溶體（鎵鋁砷、鎵砷磷等）。除上述晶態(tài)半導(dǎo)體外，還有非晶態(tài)的玻璃半導(dǎo)體、有機(jī)半導(dǎo)體等?！ ?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體的分類，按照其制造技術(shù)可以分為：集成電路器件，分立器件、光電半導(dǎo)體、邏輯IC、模擬IC、儲(chǔ)存器等大類
2016-11-27 22:34:51
氮化鎵GaN是什么？
2021-06-16 08:03:56
雖然低電壓氮化鎵功率芯片的學(xué)術(shù)研究，始于 2009 年左右的香港科技大學(xué)，但強(qiáng)大的高壓氮化鎵功率芯片平臺(tái)的量產(chǎn)，則是由成立于 2014 年的納微半導(dǎo)體最早進(jìn)行研發(fā)的。納微半導(dǎo)體的三位聯(lián)合創(chuàng)始人
2023-06-15 15:28:08
了當(dāng)時(shí)功率半導(dǎo)體界的一項(xiàng)大膽技術(shù)：氮化鎵（GaN）。對(duì)于強(qiáng)大耐用的射頻放大器在當(dāng)時(shí)新興的寬帶無(wú)線網(wǎng)絡(luò)、雷達(dá)以及電網(wǎng)功率切換應(yīng)用中的使用前景，他們表達(dá)了樂(lè)觀的看法。他們稱氮化鎵器件為“迄今為止最堅(jiān)固耐用
2023-02-27 15:46:36
，元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。隨著無(wú)線通信的發(fā)展，高頻電路應(yīng)用越來(lái)越廣，今天我們來(lái)介紹適合用于射頻、微波等高頻電路的半導(dǎo)體材料及工藝情況。
2019-06-27 06:18:41
半導(dǎo)體（Navitas）今日市值也就9.4億美元，而且包括了第三代半導(dǎo)體的另一重要組成部分、收購(gòu)自GeneSiC的碳化硅業(yè)務(wù)（想要更多了解的讀者可以參考《從納微看半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)并購(gòu)》）。僅有氮化鎵業(yè)務(wù)
2023-03-03 16:48:40
會(huì)產(chǎn)生熱量。這些發(fā)熱限制了系統(tǒng)的性能。比如說(shuō)，當(dāng)你筆記本電腦的電源變熱時(shí)，其原因在于流經(jīng)電路開(kāi)關(guān)內(nèi)的電子會(huì)產(chǎn)生熱量，并且降低了它的效率。由于氮化鎵是一款更好、效率更高的半導(dǎo)體材料，它的發(fā)熱量更低，所以
2018-08-30 15:05:50
IIC-Taiwan/半導(dǎo)體商從基礎(chǔ)技術(shù)談節(jié)能設(shè)計(jì)
“除了100%符合歐盟對(duì)鉛、汞、鎘等物質(zhì)禁用指令外，我們2008年還要進(jìn)一步達(dá)到無(wú)鹵、無(wú)氧化銻的‘Dark Green’目標(biāo)，” 恩智浦(NXP)多
2008-09-19 10:06:27
443 美商賽靈思（Xilinx， Inc.） 宣布將出席SEMICON Taiwan 2012 國(guó)際半導(dǎo)體展舉辦的「SiP Global Summit 2012系統(tǒng)級(jí)封測(cè)國(guó)際高峰論壇—3D IC 技術(shù)趨勢(shì)論壇」。SEMICON Taiwan 2012國(guó)際半導(dǎo)體展于2012年9月5日
2012-09-04 09:17:11671 中國(guó)半導(dǎo)體技術(shù)大會(huì)CSTIC2018中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)大會(huì)（CSTIC），SEMI、IMEC、IEEE和中國(guó)高科技專家組聯(lián)合舉辦的亞洲最大的世界級(jí)半導(dǎo)體技術(shù)研討會(huì)。自2000年舉行以來(lái)，至今已經(jīng)成功
2017-12-14 16:26:3215453 在江南春雨綿綿中，一年一度的SEMICON China如期而至。走過(guò)疫情肆虐的2020年，業(yè)界對(duì)接下來(lái)半導(dǎo)體行情的發(fā)展寄予期望，然而一場(chǎng)由缺貨潮引發(fā)的蝴蝶效應(yīng)卻正在持續(xù)發(fā)酵，汽車缺芯，手機(jī)通訊缺芯，席卷全球的缺芯潮讓半導(dǎo)體發(fā)展成為業(yè)界熱議話題。
2021-03-19 14:05:222696 活動(dòng)簡(jiǎn)介 芯和半導(dǎo)體于2021年10月17-20日參加2021 EPEPS大會(huì)并發(fā)表技術(shù)演講。EPEPS大會(huì)是探討電氣建模、分析和電子互連、封裝和系統(tǒng)設(shè)計(jì)方面的熱門(mén)問(wèn)題的最重要的國(guó)際會(huì)議。它還側(cè)重于
2021-10-25 09:25:201596 氮化鎵（GaN）主要是指一種由人工合成的半導(dǎo)體材料，是第三代半導(dǎo)體材料的典型代表， 研制微電子器件、光電子器件的新型材料。氮化鎵技術(shù)及產(chǎn)業(yè)鏈已經(jīng)初步形成，相關(guān)器件快速發(fā)展。第三代半導(dǎo)體氮化鎵產(chǎn)業(yè)范圍涵蓋氮化鎵單晶襯底、半導(dǎo)體器件芯片設(shè)計(jì)、制造、封測(cè)以及芯片等主要應(yīng)用場(chǎng)景。
2023-02-07 09:36:56980 
進(jìn)程中的突出實(shí)力。業(yè)內(nèi)專家表示，三安技術(shù)創(chuàng)新將為可再生能源產(chǎn)業(yè)提供關(guān)鍵支持。 作為全球頂級(jí)半導(dǎo)體盛會(huì)之一，本屆SEMICON Taiwan云集850家企業(yè)，涵蓋3,000個(gè)展位，參展商和觀眾人數(shù)均創(chuàng)下歷史新高?，F(xiàn)場(chǎng)眾多業(yè)內(nèi)前端企業(yè)紛紛推出前沿技術(shù)與產(chǎn)品，展示行業(yè)最新動(dòng)向。
2023-09-06 18:45:03503 
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