LTE與LTE-A大幅采用多重輸入多重輸出（MIMO）技術(shù)，為相關(guān)裝置和設(shè)備開發(fā)商帶來(lái)艱鉅的天線設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)；特別是要在有限配置空間內(nèi)，達(dá)到每支天線所收到的訊號(hào)之間具有極低的相關(guān)性極為不易，十分考驗(yàn)工程師的實(shí)作經(jīng)驗(yàn)與研發(fā)能力。##上述結(jié)論提供了設(shè)計(jì)者兩個(gè)非常明確的目標(biāo)去降低訊號(hào)的相關(guān)性。
2014-11-17 15:48:02
3614 ，會(huì)使電介質(zhì)溫度升高，促使絕緣材料老化。如果電介質(zhì)溫度不斷上升，將會(huì)把電介質(zhì)熔化、燒焦，使其喪失絕緣能力，最終被擊穿。因此，介質(zhì)損耗是反映絕緣介質(zhì)電性能優(yōu)質(zhì)程度的一項(xiàng)重要指標(biāo)。 2、 介質(zhì)損耗與外加電壓、電源頻率
2023-09-24 15:14:40697 
！檢查晶閘管KK KP沒有擊穿！(用萬(wàn)用表通斷測(cè)量陰陽(yáng)極！)技術(shù)有限換塊板子檢查菜鳥排除法別人從二廠帶過(guò)來(lái)的主控電路板。換上了現(xiàn)象差不多 但會(huì)穩(wěn)定一會(huì) 自己看過(guò)點(diǎn)資料調(diào)一下角度但從現(xiàn)象中發(fā)現(xiàn)中頻電壓
2013-09-17 09:36:46
時(shí),靈敏度較低,難以發(fā)現(xiàn)缺陷,因此對(duì)大型電力變壓器測(cè)量整體介質(zhì)損耗因數(shù)以后,還應(yīng)單獨(dú)測(cè)量電容型套管的介質(zhì)損耗因數(shù)。 3.介質(zhì)損耗因數(shù)試驗(yàn)應(yīng)用按照電力設(shè)備預(yù)防性試驗(yàn)規(guī)程的規(guī)定，對(duì)多種電力設(shè)備(如電力
2020-09-21 21:55:48
定義變量假設(shè)介質(zhì)的相對(duì)電介質(zhì)常數(shù)和相對(duì)磁導(dǎo)率分別為：Epslr = 4 - 0.3 iMiur = 1.2 - 0.6i則有：材料 1 復(fù)數(shù)介電常數(shù)-實(shí)部：epsr1_r = 4材料 1 復(fù)數(shù)
2019-05-21 06:06:05
測(cè)量不同黏度介質(zhì)對(duì)渦輪流量計(jì)有什么影響渦輪流量計(jì)是吸取了國(guó)內(nèi)外流量?jī)x表先進(jìn)技術(shù)經(jīng)過(guò)優(yōu)化設(shè)計(jì),具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、輕巧、精度高、復(fù)現(xiàn)性好、反應(yīng)靈敏,安裝維護(hù)使用方便等特點(diǎn)的新一代渦輪流量計(jì),廣泛用于測(cè)量封閉
2015-04-24 01:12:45
`相關(guān)性用彩色圖來(lái)表示的程序 誰(shuí)能幫助一下 `
2017-10-23 10:23:10
For multi-gigahertz serial data link.
2019-09-17 08:14:53
高壓電技術(shù)應(yīng)用于電力傳輸中，采用高壓電技術(shù)是因?yàn)樵谕旊姽β实那闆r下，電壓越高電流就越小，這樣高壓輸電就能減少輸電時(shí)的電流從而降低因電流產(chǎn)生的熱損耗和降低遠(yuǎn)距離輸電的材料成本。研究電介質(zhì)在各種作用電壓下的絕緣特性、介電強(qiáng)度和放電機(jī)理，以便合理解決電工設(shè)備的絕緣結(jié)構(gòu)問(wèn)題是高電壓技術(shù)的重要內(nèi)容。
2020-01-05 11:40:41
全球定位系統(tǒng)（GPS）中采用擴(kuò)頻通信技術(shù)來(lái)抗干擾。本文首先介紹了C/A碼的產(chǎn)生原理，然后給出了基于FPGA的C/A碼硬件實(shí)現(xiàn)方法，最后闡述了C/A碼相關(guān)特性在GPS中的重要性，同時(shí)給出了用FPGA來(lái)進(jìn)行C/A碼相關(guān)性運(yùn)算的方法。attach://178479.caj
2014-01-14 12:46:30
的中頻輸出。且都包括了可變?cè)鲆嫔漕l前端，噪聲系數(shù)僅為.雙頻合成器產(chǎn)生兩個(gè)本振（LO） 頻率，提供優(yōu)異的相位噪聲性能，在10kHz頻偏時(shí)相位噪聲為-86dBc/Hz.集成的高中頻（HI-IF ）濾波器有55dBc（典型值）的鏡像抑制。
2021-04-22 06:42:41
。且都包括了可變?cè)鲆嫔漕l前端，噪聲系數(shù)僅為.雙頻合成器產(chǎn)生兩個(gè)本振（LO） 頻率，提供優(yōu)異的相位噪聲性能，在10kHz頻偏時(shí)相位噪聲為-86dBc/Hz.集成的高中頻（HI-IF ）濾波器有55dBc
2021-05-18 06:29:15
。都包括了可變?cè)鲆嫔漕l前端，噪聲系數(shù)僅為.雙頻合成器產(chǎn)生兩個(gè)本振（LO）頻率，提供優(yōu)異的相位噪聲性能，在10kHz頻偏時(shí)相位噪聲為-86dBc/Hz.集成的高中頻（HI-IF ）濾波器有55dBc
2021-05-18 07:16:24
。在文檔檢索模塊中，提交關(guān)鍵詞組成的查詢，調(diào)整提交查詢個(gè)數(shù)的閾值、返回相關(guān)文檔數(shù)的閾值等。關(guān)鍵詞相關(guān)性是相對(duì)創(chuàng)意而言的。百度SEO為了更好的匹配：關(guān)鍵詞-創(chuàng)意-著陸頁(yè)面，而提出了組里面的詞最好相關(guān)
2016-01-26 10:38:19
。為了減少數(shù)字圖像相關(guān)方法的測(cè)量誤差(系統(tǒng)誤差和偶然誤差) , 提高測(cè)試的可靠性, 對(duì)于數(shù)字圖像相關(guān)方法的實(shí)驗(yàn)技術(shù)分析和研究是必要的, 也是重要的。 <br/>1、抑制環(huán)境
2009-06-24 16:04:25
?！鶄鲗?dǎo)性泄漏電流傳導(dǎo)性泄漏電流是指流過(guò)導(dǎo)線絕緣層的量很小的正常電流。傳導(dǎo)性泄漏電流從導(dǎo)線流入到導(dǎo)線，或者從火線流到地。傳導(dǎo)性泄漏電流可以根據(jù)歐姆定律利用公式確定，或者利用兆歐表進(jìn)行泄漏電流測(cè)量。傳導(dǎo)性
2019-10-24 08:00:00
testability information model)模型,該模型在表示方法上與EDA軟件相兼容,可結(jié)合功能相關(guān)性和故障模式相關(guān)性方便地對(duì)電子系統(tǒng)進(jìn)行測(cè)試性分析。【關(guān)鍵詞】：測(cè)試性;;試性建模;;ESTIM
2010-04-22 11:28:58
`三維快速建模技術(shù)與三維掃描建模的應(yīng)用隨著數(shù)字化測(cè)量的發(fā)展，三維激光掃描儀能夠快速地以多角度、高效、高精度方式獲取物體的表面三維數(shù)據(jù)，可以用于物體的三維建模。首先采用中科院廣州電子
2018-08-07 11:14:41
由於AI已具有強(qiáng)大的瞬間探索復(fù)雜現(xiàn)況下的相關(guān)性及其規(guī)律，善于應(yīng)用AI這種遠(yuǎn)遠(yuǎn)超越人類的能力，可讓個(gè)人、企業(yè)獲得超前部署、捷足先登的好處。無(wú)論是趨吉或避兇都比別人快一步，發(fā)財(cái)更容易。但是AI所掌握
2020-11-26 10:21:45
必須使用特殊技術(shù)來(lái)獲得準(zhǔn)確的相位測(cè)量。示波器的時(shí)序標(biāo)記（圖1）提供了測(cè)量兩個(gè)信號(hào)之間相位的最簡(jiǎn)單技術(shù)。信號(hào)上兩個(gè)對(duì)應(yīng)點(diǎn)之間的時(shí)間差表示以時(shí)間為單位的相位。將此值與信號(hào)周期的比率相乘可計(jì)算出以度為單位
2018-09-14 21:03:28
嗨，我正在嘗試使用兩種材料定義基板，如附圖所示，用于ADS EM仿真。據(jù)我所知，我需要為此定義電介質(zhì)通路，但我想知道是否有人可以建議如何完成。非常感謝，Mojtaba編輯：Mojtaba77于
2018-12-24 16:46:36
電容，體積盡可能的小”。這就需要使每層電介質(zhì)越來(lái)越薄，使介電常數(shù)提高，增加疊層數(shù)，從而需要高超的材料技術(shù)與制造技術(shù)。－當(dāng)談及疊層陶瓷電容器，印象里其并未能發(fā)展到較大容量，那么當(dāng)前的發(fā)展情況如何呢？當(dāng)然是
2018-12-03 14:35:18
信道模型。LTE-R是當(dāng)前對(duì)下一代高速鐵路無(wú)線通信系統(tǒng)技術(shù)規(guī)范研究關(guān)注的熱點(diǎn)[7,8]。未來(lái)高鐵無(wú)線通信系統(tǒng)采用MIMO-OFDM 作為物理層技術(shù)的可能性極大，因此建立一個(gè)基于完全三維的信道特征的空間
2018-03-23 11:08:29
如何使用相關(guān)技術(shù)測(cè)量相位差？
2021-05-07 06:34:19
精度，測(cè)量精度保持恒定，不隨所測(cè)信號(hào)的變化而變化；并且結(jié)合現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列FPGA（Field Programmable Gate Array）具有集成度高、高速和高可靠性的特點(diǎn)，使頻率的測(cè)頻范圍可達(dá)到0.1Hz～100MHz，測(cè)頻全域相對(duì)誤差恒為1/1 000 000，
2019-10-23 06:43:01
應(yīng)變測(cè)量領(lǐng)域內(nèi)，人們采用傳感器方式、全息干涉技術(shù)、剪切散斑技術(shù)及數(shù)字相關(guān)性技術(shù)進(jìn)行應(yīng)變測(cè)量。傳感器方式，屬于接觸式的測(cè)量，主要是使用阻抗式傳感器測(cè)量的，例如載荷傳感器、引伸儀和線性位移傳感器LVDT等
2009-05-20 17:17:45
kHz的數(shù)字濾波器下降了 -24.1 dB。由于數(shù)字濾波器具備這種優(yōu)良的選擇性，它更能分辨出頻率非常接近的信號(hào)。全數(shù)字中頻Keysight X 系列等頻譜分析儀首次將多項(xiàng)數(shù)字技術(shù)結(jié)合從而實(shí)現(xiàn)了全數(shù)字中頻
2018-05-21 10:18:04
超導(dǎo)到1014Ω，溫度從接近絕對(duì)零度到1010℃。如測(cè)量準(zhǔn)確度，時(shí)間測(cè)量從30萬(wàn)年不差1秒提高到600萬(wàn)年不差1秒。追求高穩(wěn)定性和高可靠性隨著儀器儀表和測(cè)控系統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域的不斷擴(kuò)大，可靠性技術(shù)在航天航空
2018-03-22 09:55:45
的陶瓷材料。電容器使用的環(huán)境溫度、工作電壓和頻率、以及工作的時(shí)間(長(zhǎng)期工作的穩(wěn)定性)等對(duì)不同的介質(zhì)會(huì)有不同的影響。通常介電常數(shù)(K值)越大，穩(wěn)定性、可靠性和耐用性能越差?！稏|莞市平尚電子科技》編輯——（版權(quán)所有）轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處！
2018-08-06 17:33:24
電磁流量計(jì)是一種測(cè)量導(dǎo)電介質(zhì)體積流量的計(jì)量?jī)x表，具有測(cè)量精度高、穩(wěn)定性好、可靠性高等特點(diǎn)。電磁流量計(jì)除可測(cè)量一般導(dǎo)電液體的流量外，還可測(cè)量液固兩相液體、高粘度液體及鹽類、強(qiáng)酸、強(qiáng)堿液體的體積流量
2019-11-01 07:25:12
。在該低壓應(yīng)用中，對(duì)被測(cè)試器件進(jìn)行電介質(zhì)內(nèi)的無(wú)效局部放電監(jiān)控。這些無(wú)效會(huì)導(dǎo)致整個(gè)電介質(zhì)的最終擊穿。 3.5 瞬態(tài)抗擾度 高轉(zhuǎn)換率(高頻率)瞬態(tài)可以破壞一個(gè)隔離層上的數(shù)據(jù)傳輸。該隔離層電容提供了一個(gè)如圖
2012-07-09 15:51:36
技術(shù)在通信領(lǐng)域的應(yīng)用與當(dāng)今比較成熟的微波通信和光纖通信相比，具有更多的優(yōu)點(diǎn)，比如說(shuō)，傳輸速率高，方向性好，安全性高，散射小，以及穿透性好等。之前的文章《詳解IEEE 802.11ad（60 GHz
2019-06-17 06:24:28
系統(tǒng)，使系統(tǒng)兼具低頻可穿透性和高頻良好的距離、速度、抗沖突性等方面的優(yōu)勢(shì)。鑒于目前國(guó)內(nèi)市場(chǎng)上應(yīng)用最為廣泛的射頻卡和讀寫器實(shí)現(xiàn)方法，本文采用ARM 嵌入式系統(tǒng)作為微控制器，設(shè)計(jì)了能對(duì)低頻125KHz 和高頻13.56MHz 的二種頻率RFID 卡操作的讀寫模塊，實(shí)現(xiàn)了的雙頻RFID 讀寫系統(tǒng)。
2019-07-29 06:04:33
低功率不確定度：±2.5%低偏振相關(guān)性：
2022-09-27 13:40:04
雙頻率、雙調(diào)諧電路原理及其應(yīng)用:摘要：簡(jiǎn)要解釋雙頻率、雙調(diào)諧電路的工作原理，重點(diǎn)分析它的中和和隔離作用， 除了作為金屬探測(cè)電路以外，希望它能有更廣泛地應(yīng)用．
2009-10-26 09:23:13
47 空間相關(guān)性是實(shí)際的多入多出無(wú)線通信系統(tǒng)必須要解決的損傷之一。多入多出系統(tǒng)的信能受空間相關(guān)性的影響非常大，有必要對(duì)天線的空間相關(guān)性進(jìn)行深入研究。利用數(shù)學(xué)分析,介紹
2009-11-27 11:38:0319 提出了一種基于層內(nèi)鄰域相關(guān)性的正交小波變換紅外圖像去噪算法。首先對(duì)紅外圖像進(jìn)行離散小波變換,分別對(duì)各個(gè)分解層的高頻子帶進(jìn)行處理；考慮到小波系數(shù)的層內(nèi)鄰域相關(guān)性
2010-01-07 15:20:0019 什么是零中頻技術(shù)
首先明確，零中頻可以說(shuō)是一種技術(shù)，引申出來(lái)零中頻電路，再引零中頻電路出來(lái)的信號(hào)（零中頻信號(hào)I，Q） 1. 零中頻技術(shù)的發(fā)展
2008-06-16 13:39:484146 基于比時(shí)法的晶振頻率測(cè)量建模與分析李二鵬，文開章，汪為偉(西北核技術(shù)研究所陜西 西安710024)0 引言石英晶體振蕩器受制造工藝、器件老化以及外部
2010-03-27 08:45:461115 
設(shè)計(jì)了一種應(yīng)用于2．4 GHz和5．8 GHz無(wú)線局域網(wǎng)的雙頻天線。天線由4個(gè)印刷偶極子分別組成兩對(duì)陣列而成，每一對(duì)陣列分別工作在各自的諧振頻率上，從而實(shí)現(xiàn)雙頻。介質(zhì)板背面印刷有巴
2011-09-20 15:53:464627 
高介電常數(shù)柵電介質(zhì)和金屬柵極技術(shù)(以下簡(jiǎn)稱HKMG)使摩爾定律在45/32納米節(jié)點(diǎn)得以延續(xù)。目前的HKMG工藝有兩種主流整合方案，分別是先柵極和后柵極。后柵極又稱為可替換柵極(以下簡(jiǎn)稱
2012-05-04 17:11:516392 
比利時(shí)微電子研究中心IMEC的研究人員們已經(jīng)開發(fā)出一種納米級(jí)的氧化鋁鉿電介質(zhì)（HfAlO/Al2O3/HfAlO）堆迭，這種具氮化硅/氮化鈦混合浮閘的閘間電介質(zhì)可用于平面 NAND Flash 結(jié)構(gòu)中，并可望推動(dòng)NAND flash在20nm及其以下先進(jìn)制程進(jìn)一步微縮。
2013-06-26 09:37:041010 測(cè)量與仿真的相關(guān)性：分析結(jié)果與實(shí)際非常吻合
2016-01-06 14:36:080 插補(bǔ)測(cè)風(fēng)塔缺測(cè)數(shù)據(jù)的相關(guān)性計(jì)算方法討論_劉志遠(yuǎn)
2016-12-30 15:05:070 基于綜合Copula函數(shù)的風(fēng)電出力相關(guān)性建模_王精衛(wèi)
2016-12-31 14:44:291 基于信道相關(guān)性的半盲信道辨識(shí)算法_白曜銘
2017-01-08 11:13:290 GOLD碼相關(guān)性及可編程實(shí)現(xiàn)_蔣強(qiáng)
2017-03-19 11:26:541 1.頻率穩(wěn)定度要求與計(jì)算測(cè)量，
2.頻率穩(wěn)定度的測(cè)試方法與精度分析，
3.頻率穩(wěn)定度對(duì)雷達(dá)性能的影響，
4.雷達(dá)頻率源相噪性能表征，
5.雷達(dá)頻率源分類及性能指標(biāo)。
2017-08-28 17:09:093 在二維的時(shí)頻域網(wǎng)格結(jié)構(gòu)中，相鄰點(diǎn)上語(yǔ)音信號(hào)的存在與否是相關(guān)的，傳統(tǒng)的馬爾可夫鏈不能對(duì)二維的時(shí)頻相關(guān)性進(jìn)行自適應(yīng)的建模．基于語(yǔ)音信號(hào)在時(shí)頻域中的相關(guān)性，提出了一種利用二維的相關(guān)模型估計(jì)語(yǔ)音掩模的方法
2018-01-03 14:58:360 為解決多維風(fēng)光聯(lián)合發(fā)電相關(guān)性建模問(wèn)題，提出結(jié)合K-means聚類和藤結(jié)構(gòu)原理建立混合藤Copula模型?？紤]光伏出力晝夜周期性，利用混合藤Copula模型重點(diǎn)分析風(fēng)光聯(lián)合出力在日間的相關(guān)性，并在
2018-01-05 10:36:1411 本文將介紹MDTV用變頻芯片電介質(zhì)天線的電感器選定示例。變頻芯片電介質(zhì)天線改變天線的諧振頻率，涵蓋了超過(guò)相對(duì)帶寬50%的470-800MHz頻段。采用變?nèi)荻O管來(lái)改變頻率，按頻道切換頻率。由于本天線實(shí)現(xiàn)了小型化，因此可以采用LQW系列，內(nèi)置于手機(jī)終端內(nèi)。
2018-01-13 09:34:089236 耐高溫聚合物電介質(zhì)材料以其優(yōu)良的耐高溫穩(wěn)定性、優(yōu)異的介電性能以及良好的耐環(huán)境穩(wěn)定性等在電工絕緣領(lǐng)域中具有廣闊的應(yīng)用前景。系統(tǒng)綜述了國(guó)內(nèi)外近年來(lái)在耐高溫聚合物電介質(zhì)材料基礎(chǔ)與應(yīng)用領(lǐng)域的最新研究進(jìn)展
2018-01-15 11:31:350 統(tǒng)計(jì)分析風(fēng)電機(jī)組間的風(fēng)速相關(guān)性對(duì)風(fēng)電場(chǎng)的等值建模、風(fēng)速／風(fēng)功率預(yù)測(cè)及機(jī)組集群控制優(yōu)化均具有指導(dǎo)意義。鑒于風(fēng)電機(jī)組間的風(fēng)速相關(guān)性研究工作開展較少，首先構(gòu)建基于風(fēng)電機(jī)組輸出功率為索引的風(fēng)電機(jī)組實(shí)際運(yùn)行
2018-01-16 18:25:470 微波壓控振蕩器（VCO）是頻率產(chǎn)生源的關(guān)鍵部件，其指標(biāo)直接決定著整個(gè)頻率源的性能。在C波段以上的窄帶頻率源中，基于電介質(zhì)的DRO由于其很高的頻率穩(wěn)定度、較低的相位噪聲而獲得了廣泛的運(yùn)用。但是DRO
2018-04-13 12:20:001581 
了基于熵權(quán)屬性識(shí)別理論的最優(yōu)模型選取方法。然后，給出了基于蒙特卡洛抽樣和Copula聯(lián)合分布的風(fēng)電場(chǎng)出力相關(guān)性場(chǎng)景在電力系統(tǒng)經(jīng)濟(jì)調(diào)度中的應(yīng)用。最后，以美國(guó)加州沿海風(fēng)電場(chǎng)出力歷史同步數(shù)據(jù)為樣本驗(yàn)證Copula建模的有效性，結(jié)果表明
2018-02-27 11:47:317 介電常數(shù)是電介質(zhì)物理里面常見的一物理概念，但是物理意義不是十分清楚，是些書本上說(shuō)，介電常數(shù)表征的是電介質(zhì)的束縛電荷的能力，也可表征材料的絕緣性能，介電常數(shù)越大，束縛電荷的能力越強(qiáng)，材料的絕緣性能越好，既然介電常數(shù)越大。
2018-03-07 16:16:33296845 
下，電介質(zhì)要消耗部分電能，這部分電能將轉(zhuǎn)變?yōu)闊崮墚a(chǎn)生損耗。這種能量損耗叫做電介質(zhì)的損耗。當(dāng)電介質(zhì)上施加交流電壓時(shí)，電介質(zhì)中的電壓和電流間存在相角差Ψ，Ψ的余角δ稱為介質(zhì)損耗角，δ的正切tgδ稱為介質(zhì)損耗角正切。tgδ值是用來(lái)衡量電介質(zhì)損耗的參數(shù)。儀器測(cè)量線路包括一標(biāo)準(zhǔn)回路（Cn）和一被試回路（Cx）。
2018-03-20 10:24:041780 本文主要介紹了介質(zhì)損耗測(cè)試儀工作原理。介質(zhì)損耗測(cè)試儀測(cè)量方式及原理、介質(zhì)損耗計(jì)算公式。在交流電壓作用下，電介質(zhì)要消耗部分電能，這部分電能將轉(zhuǎn)變?yōu)闊崮墚a(chǎn)生損耗。這種能量損耗叫做電介質(zhì)的損耗。當(dāng)電介質(zhì)
2018-03-20 11:08:2920028 高儲(chǔ)能密度和高可靠性電介質(zhì)儲(chǔ)能材料在各種電力、電子系統(tǒng)中扮演著越來(lái)越重要的角色，特別是在高能脈沖功率技術(shù)領(lǐng)域有著不可替代的應(yīng)用。
2018-07-16 11:02:044075 固體介質(zhì)廣泛用作電氣設(shè)備的內(nèi)絕緣，常見的有絕緣紙、紙板、云母、塑料等。高壓導(dǎo)體總是需要用固體絕緣材料來(lái)支持或懸掛，這種固體絕緣稱為絕緣子，而用于制造絕緣子的固體介質(zhì)有電瓷、玻璃、硅橡膠等。
2019-11-30 16:31:3012819 本文首先闡述了中頻變壓器諧振頻率的調(diào)整方法，另外還介紹了中頻變壓器的調(diào)試。
2020-01-14 09:07:284888 電介質(zhì)物理學(xué)的相關(guān)知識(shí)，這是做電介質(zhì)材料的基礎(chǔ)，它對(duì)各章節(jié)的內(nèi)容根據(jù)教學(xué)經(jīng)驗(yàn)進(jìn)行了精選，物理圖象和基本概念解釋的清晰透徹。而且內(nèi)容中涉及到了量子力學(xué)，統(tǒng)計(jì)物理學(xué)，熱力學(xué)，電動(dòng)力學(xué)，固體物理和半導(dǎo)體科學(xué)等.
2020-05-28 08:00:0045 平時(shí)所看到的電容器，雖然外表體型很小，但是內(nèi)部卻另有乾坤，現(xiàn)在市場(chǎng)的電容器，大多數(shù)規(guī)格和尺寸都是差不多的，所以更多是比拼的是內(nèi)部質(zhì)量，而電介質(zhì)作為核心產(chǎn)品原料，它的質(zhì)量和發(fā)揮會(huì)直接影響到電容的優(yōu)劣勢(shì)。很負(fù)責(zé)任的告訴各位，對(duì)于電介質(zhì)的了解很重要，尤其是注意電介質(zhì)的意外和相關(guān)處理方法。
2021-06-17 14:34:13625 與發(fā)展現(xiàn)狀，重點(diǎn)討論了導(dǎo)熱填料、界面相容、成型工藝對(duì)材料導(dǎo)熱系數(shù)的影響，最后結(jié)合導(dǎo)熱聚酰亞胺復(fù)合電介質(zhì)材料未來(lái)發(fā)展的需要，對(duì)研究中存在的一些關(guān)鍵科學(xué)技術(shù)問(wèn)題進(jìn)行了總結(jié)與展望。
2022-11-11 15:13:571391 由于中頻濾波要求，某些雙頻手機(jī)需要單獨(dú)的中頻頻率。當(dāng)使用具有共享混頻IF輸出的雙頻段LNA/混頻器前端IC時(shí)，通過(guò)使用開關(guān)生成分離的IF路徑。圖1顯示了兩個(gè)SPDT開關(guān)，它們?cè)诟哳l段或低頻段IF SAW濾波器之間進(jìn)行選擇。
2023-01-12 14:47:04470 
電介質(zhì)材料快速且高效的導(dǎo)熱散熱已成為影響電子設(shè)備發(fā)展的關(guān)鍵問(wèn)題。傳統(tǒng)聚酰亞胺本征導(dǎo)熱系數(shù)較低，限制了在電氣設(shè)備、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域中的應(yīng)用，發(fā)展新型高導(dǎo)熱聚酰亞胺電介質(zhì)
2022-09-15 10:26:332256 
雙頻RTK（Real-Time Kinematic）定位技術(shù)是一種利用衛(wèi)星導(dǎo)航系統(tǒng)進(jìn)行高精度實(shí)時(shí)定位的方法，它通過(guò)同時(shí)使用兩個(gè)不同頻率的載波信號(hào)來(lái)測(cè)量載波相位差，從而提高定位精度和抗干擾能力。以下
2023-08-25 18:19:21515 ，而是用電介質(zhì)中流過(guò)電流的有功分量和無(wú)功分量的比值來(lái)表示，即tanδ。tanδ與絕緣材料的性質(zhì)有關(guān)，而與其結(jié)構(gòu)、形狀、幾何尺寸等無(wú)關(guān)。介質(zhì)損耗的功率P與外加電壓的平方和電源頻率成正比。介質(zhì)損耗有電導(dǎo)損耗、游離損耗、極化損
2023-09-24 16:08:312295 一、電介質(zhì)的電導(dǎo) 電介質(zhì)的電導(dǎo)可分為離子電導(dǎo)和電子電導(dǎo)，離子電導(dǎo)以離子為載流體，電子電導(dǎo)以自由電子為載流體。 1、離子電導(dǎo) 實(shí)際工程上所用的電介質(zhì)多少含有一些雜質(zhì)離子，這些離子與電介質(zhì)分子聯(lián)系非常
2023-09-26 16:47:53808 電介質(zhì)是能夠被電極化的絕緣體。電介質(zhì)的帶電粒子是被原子、分子的內(nèi)力或分子間的力緊密束縛著，因此這些粒子的電荷為束縛電荷。
2023-11-10 09:33:03282 
在電子測(cè)量領(lǐng)域，互相關(guān)技術(shù)指的是分離不相關(guān)( No-Correlation)的信號(hào)，留下有“理想的”相關(guān)性的(Ideal Perfect Correlation)信號(hào)，在寬帶解調(diào)應(yīng)用中，射頻工程師
2023-11-15 07:40:03217 
信號(hào)如何在無(wú)限大的導(dǎo)電介質(zhì)中傳播
2023-11-24 16:06:16168 
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