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電子發(fā)燒友網(wǎng)>測(cè)量?jī)x表>基于頻譜遷移紅外探測(cè)的基本原理和最新研究進(jìn)展

基于頻譜遷移紅外探測(cè)的基本原理和最新研究進(jìn)展

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詳述多維度紅外光電探測(cè)

這項(xiàng)研究面向多維度紅外探測(cè)發(fā)展需求,聚焦波長(zhǎng)、偏振、光程和相位四個(gè)方面的特征,從新原理、新材料、新結(jié)構(gòu)等方面綜述了近年來多維度紅外光電探測(cè)器的研究進(jìn)展,進(jìn)而提出對(duì)多維度紅外探測(cè)器發(fā)展方向的思考和展望。
2022-03-12 09:48:002083

詳解頻譜分析儀的基本原理

本文的目的是為您提供關(guān)于頻譜儀或信號(hào)分析儀的基本概述。您或許想要進(jìn)一步了解與頻譜分析相關(guān)的更多其他話題,您可訪問頻譜分析儀網(wǎng)頁(yè)。這里將重點(diǎn)介紹頻譜分析儀工作的基本原理。雖然今天的技術(shù)使得現(xiàn)代數(shù)字實(shí)現(xiàn)
2022-04-28 10:18:434493

PbS膠體量子點(diǎn)穩(wěn)定性研究進(jìn)展

據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道,近期,昆明理工大學(xué)吳楨芬副教授課題組在《紅外技術(shù)》期刊上發(fā)表了以“PbS膠體量子點(diǎn)穩(wěn)定性研究進(jìn)展”為主題的綜述文章。吳楨芬副教授主要從事化學(xué)與電路方面的研究工作。
2022-07-13 15:38:511671

利用稀土摻雜UCNCs作為光活性材料用于NIR PDs的研究進(jìn)展

本文綜述了近年來利用稀土摻雜UCNCs作為光活性材料用于NIR PDs的研究進(jìn)展,主要包括:提高UCNCs發(fā)光效率/發(fā)光強(qiáng)度以實(shí)現(xiàn)窄帶NIR探測(cè)的幾種主要策略;UCNCs與鈣鈦礦、石墨烯、MoS2結(jié)合應(yīng)用于NIR PDs的研究現(xiàn)狀;稀土摻雜上轉(zhuǎn)換鈣鈦礦基NIR PDs的最新研究進(jìn)展
2022-11-17 10:23:31945

綜述:銦砷銻(InAsSb)紅外探測(cè)器的研究進(jìn)展

應(yīng)用前景的紅外光電材料。探測(cè)器可以在150K甚至近室溫下工作,具有較高的靈敏度和探測(cè)率,是低功耗、小型化、高靈敏度和快響應(yīng)中長(zhǎng)波紅外探測(cè)系統(tǒng)的良好選擇,InAsSb中長(zhǎng)波紅外探測(cè)器受到廣泛的關(guān)注和研究
2022-12-02 15:40:321414

勢(shì)壘型InAs/InAsSb T2SLs紅外探測(cè)研究進(jìn)展

紅外探測(cè)技術(shù)在衛(wèi)星偵察、軍事制導(dǎo)、天文觀測(cè)、醫(yī)療檢測(cè)、現(xiàn)代通信等重要領(lǐng)域發(fā)揮著關(guān)鍵作用。
2023-01-12 14:25:27717

綜述:硅基BIB紅外探測(cè)研究進(jìn)展

據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道,近期,昆明物理研究所、云南大學(xué)和云南省先進(jìn)光電材料與器件重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室的聯(lián)合科研團(tuán)隊(duì)在《紅外技術(shù)》期刊上發(fā)表了以“硅基BIB紅外探測(cè)研究進(jìn)展”為主題的綜述文章。該文章通訊作者為唐利斌正高級(jí)工程師,主要從事光電材料與器件的研究工作。
2023-02-07 13:51:291253

高幀頻中紅外單光子上轉(zhuǎn)換光譜儀研究進(jìn)展

頻率上轉(zhuǎn)換技術(shù)為紅外靈敏探測(cè)提供了一種有效方案。該技術(shù)通過非線性過程將中紅外波段轉(zhuǎn)換到可見光或近紅外波段,進(jìn)而利用高性能硅基探測(cè)器實(shí)現(xiàn)信號(hào)的靈敏捕獲。
2023-05-31 11:09:05178

8.2.10.3 4H-SiC反型層遷移率的實(shí)驗(yàn)結(jié)果∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

8.2.10.34H-SiC反型層遷移率的實(shí)驗(yàn)結(jié)果8.2.10反型層電子遷移率8.2金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)第8章單極型功率開關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件
2022-03-05 10:43:22266

6.3.7 遷移率限制因素∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

6.3.7遷移率限制因素6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容:6.3.6不同晶面上的氧化硅/SiC界面特性∈《碳化硅技術(shù)
2022-01-21 09:37:00736

8.2.10.1 影響反型層遷移率的機(jī)理∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

8.2.10.1影響反型層遷移率的機(jī)理8.2.10反型層電子遷移率8.2金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)第8章單極型功率開關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)
2022-03-03 09:46:19354

6.4.1.1 基本原理∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

6.1.1.1基本原理6.4.1n型和p型SiC的肖特基接觸6.4金屬化第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容:6.3.7遷移率限制因素∈《碳化硅技術(shù)基本原理
2022-01-24 14:08:51807

8.2.10.2 反型層遷移率的器件相關(guān)定義∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

8.2.10.2反型層遷移率的器件相關(guān)定義8.2.10反型層電子遷移率8.2金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)第8章單極型功率開關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件
2022-03-04 10:19:46275

6.4.2.1 基本原理∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》6.4.1.1基本原理∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》6.3.7遷移率限制因素∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、
2022-01-24 10:09:121034

紅外探測(cè)器選型指南:讓您輕松選擇最佳方案

紅外探測(cè)器的奧秘要選購(gòu)合適的紅外探測(cè)器,首先需要了解其基本原理和分類。1.基本原理紅外探測(cè)器是探測(cè)物體發(fā)出的紅外輻射從而成像,進(jìn)而獲取物體溫度、距離、運(yùn)動(dòng)等信息的
2023-06-15 11:23:14723

湖南先進(jìn)傳感與信息技術(shù)創(chuàng)新研究院:在微納近紅外探測(cè)器領(lǐng)域取得重要研究進(jìn)展

傳感新品 【湖南先進(jìn)傳感與信息技術(shù)創(chuàng)新研究院:在微納近紅外探測(cè)器領(lǐng)域取得重要研究進(jìn)展】 近日,湘潭大學(xué)湖南先進(jìn)傳感與信息技術(shù)創(chuàng)新研究院曹覺先教授和黃凱教授團(tuán)隊(duì)在納米材料領(lǐng)域國(guó)際著名期刊《美國(guó)化學(xué)
2023-06-20 08:47:58605

昆明物理研究所碲鎘汞紅外探測(cè)研究進(jìn)展

碲鎘汞是一種近乎理想的紅外探測(cè)器材料,吸收系數(shù)高、量子效率高、載流子壽命長(zhǎng)、工作溫度高,而且通過調(diào)整組分能夠覆蓋1 μm ~ 30 μm波段的紅外輻射。
2023-08-07 11:03:15567

超結(jié)IGBT的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)及研究進(jìn)展

超結(jié)IGBT的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)及研究進(jìn)展
2023-08-08 10:11:410

天線多模諧振技術(shù)的基本原理是什么

多模諧振(MMR)技術(shù)是天線實(shí)現(xiàn)高性能、多功能、多通道的重要方法之一。本文揭示了天線多模諧振技術(shù)的基本原理,闡述了多模諧振技術(shù)在天線阻抗特性調(diào)控與輻射特性調(diào)控等方面的研究進(jìn)展,介紹了多模諧振技術(shù)在可穿戴通信、無線能量傳輸、多端口輸入輸出等系統(tǒng)中的應(yīng)用與推廣,旨在為天線行業(yè)發(fā)展提供新技術(shù)與新思路。
2023-08-24 10:36:281110

先進(jìn)封裝中硅通孔(TSV)銅互連電鍍研究進(jìn)展

先進(jìn)封裝中硅通孔(TSV)銅互連電鍍研究進(jìn)展
2023-09-06 11:16:42536

InAs/GaSb Ⅱ類超晶格長(zhǎng)波紅外探測(cè)研究進(jìn)展

隨著材料技術(shù)的發(fā)展,InAs/GaSbⅡ類超晶格(T2SLs)的優(yōu)越性日益凸顯,特別適用于中長(zhǎng)波紅外(MLWIR)和甚長(zhǎng)波紅外(VLWIR)探測(cè)?;贗nAs/GaSb T2SLs的光電探測(cè)器因具有
2023-09-09 11:34:36602

紅外隱身材料的應(yīng)用及其研究進(jìn)展綜述

隨著紅外探測(cè)技術(shù)的飛速發(fā)展,紅外隱身材料的開發(fā)已成為一個(gè)迫切的需求。紅外隱身效果受溫度和紅外發(fā)射率的共同影響,但以往的研究大多集中在單一因素上,從而限制了紅外隱身產(chǎn)品的有效性。
2023-10-07 15:28:42678

先進(jìn)激光雷達(dá)探測(cè)技術(shù)研究進(jìn)展

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《先進(jìn)激光雷達(dá)探測(cè)技術(shù)研究進(jìn)展.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-10-31 11:10:490

基于范德瓦爾斯材料的紅外光電探測(cè)器的光電響應(yīng)機(jī)制、性能優(yōu)化方法研究

近年來,基于二維范德瓦爾斯材料的本征吸收、能帶調(diào)制、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)以及新原理的紅外光電探測(cè)器展現(xiàn)了巨大的潛力,并取得了突出的研究成果。對(duì)該領(lǐng)域的研究進(jìn)展進(jìn)行系統(tǒng)總結(jié)和分析,有助于進(jìn)一步促進(jìn)范德瓦爾斯材料
2023-12-03 14:35:37294

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