正負半周兩個可控硅觸發(fā)電路原理圖

正負半周兩個可控硅觸發(fā)電路原理圖

電路主要由一個同步變壓套器B1 、兩個脈沖變壓器B2 、B3 ,兩個雙電壓比較器LM393 (或一個四電壓比
較器LM339) 和兩個三極管( T1 、T2) 組成,如圖1 所示.

同步變壓器B1 副邊的同名端和異名端分別接電壓比較器IC1 、IC2 的同相輸入端. 副邊的中性點接電
壓比較器IC1 、IC2 反相輸入端,電壓如圖2 (Va) . 因而,兩電壓比較器分別在正、負半周輸入正向電壓,電壓
比較器LM393的特性是,當V+ - V- > 0. 5mv 時,輸出端即為高電平,因此,每當電源電壓過零后以微秒計
的時間內(nèi),輸出端電位由低電平躍變?yōu)楦唠娖? 兩電壓比較器IC1 、IC2 的輸出端分別經(jīng)電阻R1 、R2 與電容
器C1 、C2 相聯(lián)接,并通過R3 、R4 與9V 電源相聯(lián)接,當b 點電位為低電平時,電容器C1 通過R1 和電壓比較
器IC1 放電(LM393可吸入< 16mA 的電流) . 當b 點電位為高電平時,電源通過R3 對電容C1 充電. b 點b′
2004 年9 月
第19 卷第5 期　　　　　　　　　　
渭南師范學院學報
Journal of Weinan Teachers College
　　　　　　　　　　
Sept . 2004
Vol. 19 　No. 5
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點和C1 上的電壓如圖2 (Vb) 、(Vc)

電容器C1 與電壓比較器IC3 的正端相接、IC3 的負端與隨溫度變化的電壓控制器相接. 當電容器C1
上的電壓低于溫控電壓Vt 時, IC3 輸出低電平,當電容器C1 上的電壓高于溫控電壓Vt 時, IC3 輸出高電
平. 即IC3 輸出的矩形波寬度隨溫度變化而變化,溫度越高矩形波越窄,或說溫度越高IC3 輸出高電平時
間越推遲,矩形波如圖2 (Vd) .
電壓比較器IC3 輸出端通過R7 接三極管T1 的基極,當IC3 輸出為低電平時,三極管的基極電位不能
使三極管導通,T1 處于截止狀態(tài),當IC3 輸出為高電平時,T1 的基極電位提高,使T1 由截止狀態(tài)變?yōu)閷?br>狀態(tài),Ve 波形如圖2 (Ve) . T1 導通后,電容器C3 通過T1 集電極放電;并與經(jīng)R8 的電源電流共同組成集電
極一發(fā)射極電流,這一電流通過脈沖變壓器B2 初級,在B2 次級產(chǎn)生感應電勢,Vg 波形如圖2 (Vg) . 此感應
電勢使可控硅觸發(fā)導通,達到控溫目的. 同理,在電源負半周三極管T2 導通,電容器C4 通過T2 集電極放
電;并與經(jīng)R11的電源電流共同組成集電極一發(fā)射極電流,這一電流通過脈沖變壓器B3 初級,在B3 次級產(chǎn)
生感應電勢,從而可達到與B2 工作相同的效果.