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絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管長(zhǎng)延時(shí)電路圖

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2023-09-28 17:10:46177

一文詳解場(chǎng)效應(yīng)晶體管

在半導(dǎo)體器件的講解中,場(chǎng)效應(yīng)晶體管應(yīng)該說(shuō)最值得拿來(lái)詳細(xì)介紹一番的。
2023-09-28 09:31:04205

絕緣雙極晶體管——IGBT,認(rèn)識(shí)其原理及其應(yīng)用

絕緣雙極晶體管也簡(jiǎn)稱為IGBT ,是傳統(tǒng)雙極結(jié)型晶體管(BJT) 和場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)的交叉體,使其成為理想的半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件。
2023-09-06 15:12:29612

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功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管設(shè)計(jì)過(guò)程

功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管電參數(shù)指標(biāo)中規(guī)定的電參數(shù)一般分為三大類:直流參數(shù)、交流參數(shù)和極限參數(shù)。
2023-07-05 14:57:19185

場(chǎng)效應(yīng)晶體管的工作原理和結(jié)構(gòu)

  場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor,簡(jiǎn)稱FET)是一種半導(dǎo)體器件,它是一種基于電場(chǎng)效應(yīng)的三極。與普通的三極相比,場(chǎng)效應(yīng)晶體管的控制電流非常小,因此具有高輸入阻抗和低噪聲等優(yōu)點(diǎn)。
2023-05-17 15:15:372186

場(chǎng)效應(yīng)晶體管的作用

場(chǎng)效應(yīng)晶體管是電壓控制元件,因此和普通雙極型晶體管相比,場(chǎng)效應(yīng)晶體管具有輸入阻抗高、噪聲低、動(dòng)態(tài)范圍大、功耗小、易于集成等特點(diǎn),這就決定了場(chǎng)效應(yīng)晶體管與其它電子元件有異曲同工之妙。
2023-05-16 15:20:04769

場(chǎng)效應(yīng)晶體管的分類

場(chǎng)效應(yīng)晶體管是依靠一塊薄層半導(dǎo)體受橫向電場(chǎng)影響而改變其電阻(簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)),使具有放大信號(hào)的功能。這薄層半導(dǎo)體的兩端接兩個(gè)電極稱為源和漏??刂茩M向電場(chǎng)的電極稱為。
2023-05-16 15:14:08669

場(chǎng)效應(yīng)晶體管工作原理

場(chǎng)效應(yīng)晶體管是一種利用控制輸入電路的電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制輸出電路電流的半導(dǎo)體器件,并以此命名。因?yàn)樗灰揽堪雽?dǎo)體中的多數(shù)載流子來(lái)導(dǎo)電,所以又稱為單極晶體管。場(chǎng)效應(yīng)晶體管英文是Field Effect Transistor,縮寫為FET。
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場(chǎng)效應(yīng)管的分類

材料的不同,結(jié)型和絕緣型各分溝道和P溝道兩種。若按導(dǎo)電方式來(lái)劃分,場(chǎng)效應(yīng)管又可分成耗盡型與增強(qiáng)型。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管均為耗盡型,絕緣場(chǎng)效應(yīng)管既有耗盡型的,也有增強(qiáng)型的?! ?b style="color: red">場(chǎng)效應(yīng)晶體管可分為結(jié)
2009-04-25 15:38:10

場(chǎng)效應(yīng)晶體管放大電路詳解

場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源極、漏極和柵極分別相當(dāng)于晶體管的發(fā)射極、集電極和基極。對(duì)應(yīng)于晶體管放大電路,場(chǎng)效應(yīng)晶體管放大電路也有三種組態(tài):共源極放大電路、共漏極放大電路和共柵極放大電路,其特點(diǎn)分別和晶體管放大電路中的共射極、共集電極、共基極放大電路類似。
2022-11-30 09:30:001635

結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管原理與應(yīng)用

結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管原理與應(yīng)用。
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MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管使用注意事項(xiàng)_MOS場(chǎng)效應(yīng)管安裝及拆卸流程

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2020-10-02 18:06:006720

場(chǎng)效應(yīng)晶體管的分類說(shuō)明

場(chǎng)效應(yīng)晶體管根據(jù)其結(jié)構(gòu)的不同分類,體(金屬氧化物半導(dǎo)體型)兩大類??煞譃橐韵?種??煞譃榻Y(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管絕緣場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
2020-09-18 14:08:446615

如何進(jìn)行場(chǎng)效應(yīng)晶體管的分類和使用

場(chǎng)效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管和MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管。而MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管又分為N溝耗盡型和增強(qiáng)型;P溝耗盡型和增強(qiáng)型四大類。
2020-07-02 17:19:0520

場(chǎng)效應(yīng)晶體管的簡(jiǎn)單介紹

場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管,它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件,具有輸入電阻高(108~109Ω)、噪聲小、功耗低、沒(méi)有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn),現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)者。
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FET場(chǎng)效應(yīng)晶體管掃盲

一、什么是FET FET是Field Effect Transistor的縮寫,稱為場(chǎng)效應(yīng)晶體管。它是晶體管的一種。通常所說(shuō)的晶體管是指雙極晶體管。 場(chǎng)效應(yīng)晶體管的工作方式是溝道中的多數(shù)載流子在電場(chǎng)
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2019-10-11 10:51:0924617

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2019-10-11 10:26:319321

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隧穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Tunneling Field-Effect Transistor或者TFET)的工作原理是帶間隧穿(Band-to-band tunneling或者BTBT)。
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有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管是什么_有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管介紹

本文從基本結(jié)構(gòu)、工作原理、應(yīng)用研究三個(gè)方面介紹了有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
2018-01-03 14:20:4423458

VMOS功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其應(yīng)用

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