總的來(lái)說(shuō)，場(chǎng)效應(yīng)晶體管可區(qū)分為耗盡型和增強(qiáng)型兩種。耗盡型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(D-FET)就是在0柵偏壓時(shí)存在溝道、能夠?qū)щ姷腇ET;增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(E-FET)就是在0柵偏壓時(shí)不存在溝道、不能
2012-02-02 11:55:20
20788 場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源極、漏極和柵極分別相當(dāng)于晶體管的發(fā)射極、集電極和基極。對(duì)應(yīng)于晶體管放大電路，場(chǎng)效應(yīng)晶體管放大電路也有三種組態(tài)：共源極放大電路、共漏極放大電路和共柵極放大電路，其特點(diǎn)分別和晶體管放大電路中的共射極、共集電極、共基極放大電路類似。
2022-11-30 09:30:002409 MOSFET是金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Metallic Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）的簡(jiǎn)稱，有時(shí)候我們也會(huì)簡(jiǎn)寫成MOS。下面是一個(gè)典型的MOSFET結(jié)構(gòu)。
2023-07-11 10:56:241290 
在半導(dǎo)體器件的講解中，場(chǎng)效應(yīng)晶體管應(yīng)該說(shuō)最值得拿來(lái)詳細(xì)介紹一番的。
2023-09-28 09:31:04947 
繼電器通過(guò)通斷線圈產(chǎn)生磁場(chǎng)來(lái)控制機(jī)械開(kāi)關(guān)，實(shí)現(xiàn)對(duì)電路的控制。而場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOS管）是一種基于半導(dǎo)體材料工作的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，通過(guò)柵極施加正負(fù)偏壓來(lái)控制漏極與源極之間的通斷狀態(tài)。
2024-02-18 10:16:41555 
本帖最后由 godiszc 于 2012-8-3 21:54 編輯
場(chǎng)效應(yīng)晶體管是一種改變電場(chǎng)來(lái)控制固體材料導(dǎo)電能力的有源器件，屬于電壓控制性半導(dǎo)體器件，具有輸入電阻高，噪聲小，功耗低，沒(méi)有
2012-08-03 21:44:34
場(chǎng)效應(yīng)晶體管的K值得問(wèn)題：在研究學(xué)習(xí)楊建國(guó)老師的負(fù)反饋和運(yùn)算放大器基礎(chǔ)這本書的時(shí)候，發(fā)現(xiàn)有一道題的一個(gè)參數(shù)不知道什么意思，請(qǐng)大咖們幫忙解惑...Page65 ： K=0.0502A/V*V 這個(gè)參數(shù)是什么意思呢？多謝！~
2019-04-04 11:47:20
MOS管在絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管中，目前常用二氧化硅作金屬鋁（Al）柵極和半導(dǎo)體之間的絕緣層，稱為金屬一氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡(jiǎn)稱為MOSFET或者M(jìn)OS管。電路符號(hào)G,D,S極怎么區(qū)分G極是比較好
2023-02-10 16:27:24
（1）場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源極S、柵極G、漏極D分別對(duì)應(yīng)于三極管的發(fā)射極e、基極b、集電極c，它們的作用相似，圖1-6-A所示是N溝道MOS管和NPN型晶體三極管引腳，圖1-6-B所示是P溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管
2019-03-28 11:37:20
我們常接觸到晶體三級(jí)管，對(duì)它的使用也比較熟悉，相對(duì)來(lái)說(shuō)對(duì)晶體場(chǎng)效應(yīng)管就陌生一點(diǎn)，但是，由于場(chǎng)效應(yīng)管有其獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn)，例輸入阻抗高，噪聲低，熱穩(wěn)定性好等，在我們的使用中也是屢見(jiàn)不鮮。我們知道場(chǎng)效應(yīng)晶體管
2018-03-17 14:19:05
場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數(shù)載流子和反極性的少數(shù)載流子參與導(dǎo)電,因此稱為雙極型晶體管,而FET
2011-12-19 16:30:31
曲同工之妙。下面列舉場(chǎng)效應(yīng)晶體管在電路中常用的五大作用：二、場(chǎng)效應(yīng)晶體管五大作用：1、放大作用場(chǎng)效應(yīng)晶體管可應(yīng)用于放大。由于場(chǎng)效應(yīng)晶體管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。2
2019-03-25 16:16:06
`在電子元器件行業(yè)，場(chǎng)效應(yīng)晶體管一直被譽(yù)為開(kāi)關(guān)電路的“神器”，那是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">場(chǎng)效應(yīng)晶體管具有噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成等優(yōu)點(diǎn)，所以在開(kāi)關(guān)電路中迅速走紅， 可是一提起場(chǎng)效應(yīng)晶體管在電路中的有何特別
2019-04-16 11:22:48
我們常接觸到晶體三級(jí)管，對(duì)它的使用也比較熟悉，相對(duì)來(lái)說(shuō)對(duì)晶體場(chǎng)效應(yīng)管就陌生一點(diǎn)，但是，由于場(chǎng)效應(yīng)管有其獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn)，例輸入阻抗高，噪聲低，熱穩(wěn)定性好等，在我們的使用中也是屢見(jiàn)不鮮。我們知道場(chǎng)效應(yīng)晶體管
2019-06-18 04:21:57
。場(chǎng)效應(yīng)晶體管有時(shí)被稱為單極性晶體管，以它的單載流子型作用對(duì)比雙極性晶體管（bipolar juncTIon transistors，縮寫：BJT）。盡管由于半導(dǎo)體材料的限制，以及曾經(jīng)雙極性晶體管比
2019-05-08 09:26:37
`場(chǎng)效應(yīng)晶體管在運(yùn)用時(shí)除了留意不要使主要參數(shù)超越允許值外，對(duì)于絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)晶體管還應(yīng)特別留意由于感應(yīng)電壓過(guò)高而形成的擊穿因素。場(chǎng)效應(yīng)晶體管在運(yùn)用時(shí)應(yīng)留意以下幾點(diǎn)：1、場(chǎng)效應(yīng)晶體管在運(yùn)用時(shí)要留意
2019-03-22 11:43:43
音頻放大器的差分輸入電路及調(diào)制、較大、阻抗變換、穩(wěn)流、限流、自動(dòng)保護(hù)等電路，可選用結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管。音頻功率放大、開(kāi)關(guān)電源、逆變器、電源轉(zhuǎn)換器、鎮(zhèn)流器、充電器、電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)、繼電器驅(qū)動(dòng)等電路，可選
2021-05-13 07:10:20
場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數(shù)載流子和反極性的少數(shù)載流子參與導(dǎo)電,因此稱為雙極型晶體管,而FET
2021-05-24 06:27:18
如何搞定恒流電源電路設(shè)計(jì).doc第15章_基本放大電路.ppt基于較大功率的直流電機(jī)H橋驅(qū)動(dòng)電路方案.doc詳細(xì)講解MOSFET管驅(qū)動(dòng)電路.doc場(chǎng)效應(yīng)晶體管的幾點(diǎn)使用知識(shí).doc全系列場(chǎng)效應(yīng)管
2019-08-11 22:46:35
載流子導(dǎo)電并在側(cè)向電場(chǎng)控制下通斷的晶體管稱為場(chǎng)效應(yīng)晶體管,場(chǎng)效應(yīng)晶體管可以按結(jié)構(gòu)分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管和MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管；按MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管中空穴、電子參與導(dǎo)電分別將兩類MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管稱為PMOS
2012-07-11 11:42:48
在場(chǎng)效應(yīng)管對(duì)照表中，收編了美國(guó)、日本及歐洲等近百家半導(dǎo)體廠家生產(chǎn)的結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（JFET）、金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)次晶體管（MOSFET）、肖特基勢(shì)壘控制柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（SB）、金屬半導(dǎo)體
2021-05-11 06:19:48
材料的不同，結(jié)型和絕緣柵型各分溝道和P溝道兩種。若按導(dǎo)電方式來(lái)劃分，場(chǎng)效應(yīng)管又可分成耗盡型與增強(qiáng)型。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管均為耗盡型，絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管既有耗盡型的，也有增強(qiáng)型的。 場(chǎng)效應(yīng)晶體管可分為結(jié)
2009-04-25 15:38:10
向各位大神求助，我想仿真“用石墨烯代替硅制作的場(chǎng)效應(yīng)晶體管的特性測(cè)量”。電路和普通的測(cè)量場(chǎng)效應(yīng)晶體管特性的電路基本一樣，只是需要能夠調(diào)整晶體管的遷移率等特性，想問(wèn)下LABVIEW能實(shí)現(xiàn)這種仿真嗎？我在庫(kù)里沒(méi)找到晶體管，能幫忙指出在哪可以找到嗎？謝謝！實(shí)在是太菜鳥(niǎo)了，請(qǐng)見(jiàn)諒。能建立下圖這種電路就行。
2014-04-11 12:06:22
MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管
2012-08-20 08:51:08
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:53 編輯
MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)_工作原理
2012-08-20 08:22:32
MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)_工作原理
2012-08-20 07:46:37
的不同，結(jié)型和絕緣柵型各分溝道和P溝道兩種。若按導(dǎo)電方式來(lái)劃分，場(chǎng)效應(yīng)管又可分紅耗盡型與加強(qiáng)型。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管均為耗盡型，絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管既有耗盡型的，也有加強(qiáng)型的。場(chǎng)效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管和MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管。而MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管又分為N溝耗盡型和加強(qiáng)型；P溝耗盡型和加強(qiáng)型四大類。見(jiàn)下圖。
2018-10-29 22:20:31
`電子元器件行業(yè)有今天的成就，那絕離不開(kāi)MOS管與場(chǎng)效應(yīng)晶體管的鼎力相助，但是一些剛?cè)腚娮有袠I(yè)的常常把MOS管與場(chǎng)效應(yīng)晶體管混為一談，到底MOS管和場(chǎng)效應(yīng)晶體管兩者背后到底有何聯(lián)系？這對(duì)于初學(xué)者來(lái)說(shuō)
2019-04-15 12:04:44
MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-EffectTransistor）是金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的縮寫，也叫場(chǎng)效應(yīng)管，是一種由運(yùn)算器的基礎(chǔ)構(gòu)成
2023-03-08 14:13:33
在本文中，我們將探討 MOSFET 和鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的不同器件配置及其演變。我們還看到 3D 配置如何允許每個(gè)集成電路使用更多晶體管?！ ∑矫媾c三維 （3D） 平面MOSFET（圖1）在Lg
2023-02-24 15:20:59
MOS_場(chǎng)效應(yīng)晶體管
2012-08-20 08:21:29
,和場(chǎng)效應(yīng)晶體管一樣，具有放大作用和開(kāi)關(guān)特性的，是電子設(shè)備中的核心器件之- -，應(yīng)用十分廣泛。三極管和場(chǎng)效應(yīng)晶體管雖然特性，外形相同，但是工作原理卻大不-樣，普通三極管是電流控制器件，二場(chǎng)效應(yīng)晶體管是電壓
2019-04-09 11:37:36
`電子元器件市場(chǎng)中，以場(chǎng)效應(yīng)晶體管最受電子工程師的青睞與喜愛(ài)，可是對(duì)于場(chǎng)效應(yīng)晶體管的參數(shù)，大家都是一籌莫展，因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">場(chǎng)效應(yīng)晶體管的參數(shù)有很多，其中包括直流參數(shù)、交流參數(shù)和極限參數(shù)等，但普通運(yùn)用時(shí)只需關(guān)注
2019-04-04 10:59:27
)和場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)都有信號(hào)放大的作用，也都有3個(gè)管腳，且封裝大小兩者都類似，然而這么如此相似的兩種管，無(wú)論是材質(zhì)組成、工作原理、使用方式，它們都不一樣，但是究竟兩者之間有何區(qū)別，到底誰(shuí)才可以被稱為電子
2019-04-08 13:46:25
本文探討了鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)、它們?cè)诟鞣N應(yīng)用中的用途，以及它們相對(duì)于 MOSFET 的優(yōu)缺點(diǎn)?！ ∈裁词泅捠?b class="flag-6" style="color: red">場(chǎng)效應(yīng)晶體管？ 鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管是一種晶體管。作為晶體管，它是一個(gè)放大器和一個(gè)
2023-02-24 15:25:29
的使用中也是必不可少的。我們知道場(chǎng)效應(yīng)晶體管的種類很多，根據(jù)結(jié)構(gòu)不同分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管;絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管又稱為金屬氧化物導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管，或簡(jiǎn)稱MOS場(chǎng)效應(yīng)管. 1、如何防止絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管
2016-01-26 10:19:09
對(duì)芯片作底層支撐的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，一款能起良好穩(wěn)壓作用的芯片非常重要。因此在進(jìn)行開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)時(shí)，工程師會(huì)更多地考慮使用更優(yōu)質(zhì)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管來(lái)支持電源芯片，這需要考慮場(chǎng)效應(yīng)晶體管的什么性能呢？應(yīng)從
2019-04-01 11:54:28
`功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)原理`
2012-08-20 09:10:49
）。2. 場(chǎng)效應(yīng)晶體管的隔離作用場(chǎng)效應(yīng)晶體管實(shí)現(xiàn)電壓隔離的作用是另外一個(gè)非常重要且常見(jiàn)的功能，隔離的重要性在于：擔(dān)心前一極的電流漏到后面的電路中，對(duì)電路系統(tǒng)的上電時(shí)序，處理器或邏輯器件的工作造成誤判，最終
2019-03-29 12:02:16
如何挑選出好的場(chǎng)效應(yīng)晶體管？晶體三極管選用技巧有哪些？
2021-06-18 06:50:42
的感應(yīng)電壓作爲(wèi)輸入信號(hào)加到柵極上，由于場(chǎng)效應(yīng)晶體管的減少作用，Uds和Id都將發(fā)作變化，也相當(dāng)于D-S極間電阻發(fā)作變化，可以觀測(cè)到表針有較大幅度的擺動(dòng).假設(shè)手捏柵極表針擺動(dòng)很小，說(shuō)明場(chǎng)效應(yīng)晶體管的減少才干
2019-03-21 16:48:50
本文展示氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管并配合LM5113半橋驅(qū)動(dòng)器可容易地實(shí)現(xiàn)的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
`晶體三極管簡(jiǎn)稱三極管，和場(chǎng)效應(yīng)晶體管一樣，具有放大作用和開(kāi)關(guān)特性的，是電子設(shè)備中的核心器件之一，應(yīng)用十分廣泛。三極管和場(chǎng)效應(yīng)晶體管雖然特性，外形相同，但是工作原理卻大不一樣，普通三極管是電流控制器
2019-03-27 11:36:30
壓作為輸入信號(hào)加到柵極上.由于場(chǎng)效應(yīng)管的放大作用，Uds和Id都將發(fā)生變化，也相當(dāng)于D-S極間電阻發(fā)生變化，可以觀測(cè)到表針有較大幅度的擺動(dòng).如果手捏柵極表針擺動(dòng)很小，說(shuō)明場(chǎng)效應(yīng)晶體管的放大能力較弱，若
2019-03-26 11:53:04
`一、場(chǎng)效應(yīng)晶體管選擇的重要性隨著電子產(chǎn)品更新?lián)Q代的速度，我們對(duì)電子產(chǎn)品性能的要求也越來(lái)越高，在一些電子產(chǎn)品的電路設(shè)計(jì)與研發(fā)中，不光是開(kāi)關(guān)電源電路中，還有在便攜式電子產(chǎn)品的電路中都會(huì)用到場(chǎng)效應(yīng)晶體管
2019-04-02 11:32:36
`在傳統(tǒng)MOSFET中，載流子從源極越過(guò)pn結(jié)勢(shì)壘熱注入到溝道中。而隧穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Tunneling Field-Effect Transistor或者TFET）的工作原理是帶間隧穿
2018-10-19 11:08:33
場(chǎng)效應(yīng)晶體管的分類及使用
場(chǎng)效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管和MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管。而MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管又分為N溝耗盡型和增強(qiáng)型；P溝耗盡型和增強(qiáng)型四大類。
2010-01-13 16:01:59
133 雙極結(jié)型晶體管/絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管/PN結(jié)晶體管習(xí)題集:第二章 PN結(jié)填空題1、若某硅突變PN結(jié)的P型區(qū)的摻雜濃度為NA=1.5×1016cm-3，則室溫下該區(qū)的平衡多子濃度pp0與平衡少子
2010-06-05 10:30:2613 場(chǎng)效應(yīng)晶體管放大電路的動(dòng)態(tài)分析
共源組態(tài)基本放大電路的動(dòng)態(tài)分析
共漏組態(tài)基本放大電路的動(dòng)態(tài)分析
2010-09-25 16:21:2574 MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管使用注意事項(xiàng): MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管在使用時(shí)應(yīng)注意分類，不能隨意互換。MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管由于輸入阻抗高（包括MOS集成電路）極易被靜電擊穿，使用時(shí)應(yīng)注意以下
2009-03-11 22:22:50915
結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管采樣與保持電路圖
2009-04-09 09:28:07733 
場(chǎng)效應(yīng)晶體管電壓表電路圖
2009-04-15 09:24:03801 
功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)原理
功率場(chǎng)效應(yīng)管(Power MOSFET)也叫電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是一種單極型的電壓控制器件，不但有自關(guān)斷能力,而且有驅(qū)動(dòng)功率小
2009-04-25 16:05:109126 
場(chǎng)效應(yīng)晶體管
場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FieldEffectTransistor縮寫(FET)）簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子，即
2009-05-24 23:11:156578 場(chǎng)效應(yīng)晶體管氣敏差分電路圖
2009-06-08 09:43:22743 
場(chǎng)效應(yīng)晶體管TVS保護(hù)電路圖
2009-06-08 14:53:551064 
新型高耐壓功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管
摘要：分析了常規(guī)高壓MOSFET的耐壓與導(dǎo)通電阻間的矛盾，介紹了內(nèi)建橫向電場(chǎng)的高壓MOSFE
2009-07-16 09:01:321457 
MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管高阻抗偏置方法
該N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)
2009-09-05 15:17:18839 
結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（JFET）電壓表
這個(gè)非常簡(jiǎn)單的
2009-09-24 14:45:47835 
結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管是什么?
結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管 利用場(chǎng)效應(yīng)原理工作的晶體管，簡(jiǎn)稱FET。場(chǎng)效應(yīng)就是改變外加垂直于半導(dǎo)體表面上電場(chǎng)的方向或大小，
2010-03-04 15:58:133672 薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管液晶顯示器(TFT-LCD)
TFT(Thin Film Transistor)LCD即薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管LCD，是有源矩陣類型液晶顯示器(AM-LCD)中的一種。
和TN技術(shù)不
2010-03-26 17:22:234824 絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管長(zhǎng)延時(shí)電路圖
2010-03-30 14:45:531496 
場(chǎng)效應(yīng)晶體管放大器
場(chǎng)效應(yīng)晶體管放大器是電壓控制器件，具有輸入阻抗高、噪聲低的優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)
2010-04-16 10:08:574970 
場(chǎng)效應(yīng)晶體管開(kāi)關(guān)電路
場(chǎng)效應(yīng)晶體管（簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管）有結(jié)型（J-FET）和絕緣柵型（MOS-FET）兩類。
場(chǎng)效應(yīng)管作為開(kāi)關(guān)器件應(yīng)用類似
2010-05-24 15:26:0611673 本文用標(biāo)準(zhǔn)的松弛方法研究了結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的霍耳效應(yīng)。利用準(zhǔn)平面拉普拉斯方程及有限差分法計(jì)算了不同的霍爾電勢(shì)分布與磁靈敏度
2011-09-15 14:53:20107 電子專業(yè)單片機(jī)相關(guān)知識(shí)學(xué)習(xí)教材資料——場(chǎng)效應(yīng)晶體管介紹
2016-08-22 16:18:030 電子專業(yè)單片機(jī)相關(guān)知識(shí)學(xué)習(xí)教材資料——場(chǎng)效應(yīng)晶體管的分類及使用
2016-08-22 16:18:030 VMOS功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其應(yīng)用
2017-09-21 11:21:2429 場(chǎng)效應(yīng)晶體管（英語(yǔ)：field-effecttransistor，縮寫：FET）是一種通過(guò)電場(chǎng)效應(yīng)控制電流的電子元件。它依靠電場(chǎng)去控制導(dǎo)電溝道形狀，因此能控制半導(dǎo)體材料中某種類型載流子的溝道的導(dǎo)電性。
2017-12-20 17:54:5813555 本文從基本結(jié)構(gòu)、工作原理、應(yīng)用研究三個(gè)方面介紹了有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
2018-01-03 14:20:4424659 
隧穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Tunneling Field-Effect Transistor或者TFET）的工作原理是帶間隧穿（Band-to-band tunneling或者BTBT）。
2018-01-03 15:32:4527183 
隨著電子設(shè)備升級(jí)換代的速度，大家對(duì)于電子設(shè)備性能的標(biāo)準(zhǔn)也愈來(lái)愈高，在某些電子設(shè)備的電路設(shè)計(jì)與研發(fā)中，不僅是開(kāi)關(guān)電源電路中，也有在攜帶式電子設(shè)備的電路中都是會(huì)運(yùn)用到性能更好的電子元器件——場(chǎng)效應(yīng)晶體管
2019-08-18 10:07:525086 判別結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管DS2Y-S-DC5V的管腳。用萬(wàn)用表的R×lk擋，用兩表筆分別測(cè)量每?jī)蓚€(gè)管腳間的正、反向電阻。當(dāng)某兩個(gè)管腳間的正、反向電阻相等，則這兩個(gè)管腳為漏極和源極，余下的一個(gè)管腳即為柵極。
2019-08-18 10:32:064178 
功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管，即MOSFET，其原意是：MOS（MetalOxideSemiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體），F(xiàn)ET（FieldEffectTransistor場(chǎng)效應(yīng)晶體管），即以金屬層（M）的柵極隔著氧化層（O）利用電場(chǎng)的效應(yīng)來(lái)控制半導(dǎo)體（S）的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
2019-10-11 10:26:319865 
MOSFET的類型很多，按導(dǎo)電溝道可分為P溝道和N溝道；根據(jù)柵極電壓與導(dǎo)電溝道出現(xiàn)的關(guān)系可分為耗盡型和增強(qiáng)型。功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管一般為N溝道增強(qiáng)型。
2019-10-11 10:33:297965 
功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管（VF）又稱VMOS場(chǎng)效應(yīng)管。在實(shí)際應(yīng)用中，它有著比晶體管和MOS場(chǎng)效應(yīng)管更好的特性。
2019-10-11 10:51:0926486 
電路中C1和C2分別是輸入端耦合電容和輸出端耦合電容。電路中的正極性電源通過(guò)漏極負(fù)載電阻R2，把電壓加在了場(chǎng)效應(yīng)晶體管的漏極，而負(fù)極性電源通過(guò)柵極偏置電阻R1，把電壓加在了場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極。
2019-10-13 15:33:005256 
一、什么是FET FET是Field Effect Transistor的縮寫，稱為場(chǎng)效應(yīng)晶體管。它是晶體管的一種。通常所說(shuō)的晶體管是指雙極晶體管。 場(chǎng)效應(yīng)晶體管的工作方式是溝道中的多數(shù)載流子在電場(chǎng)
2020-03-23 11:03:188778 
場(chǎng)效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管和MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管。而MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管又分為N溝耗盡型和增強(qiáng)型；P溝耗盡型和增強(qiáng)型四大類。
2020-07-02 17:19:0520 場(chǎng)效應(yīng)晶體管根據(jù)其結(jié)構(gòu)的不同分類，體管（金屬氧化物半導(dǎo)體型）兩大類?？煞譃橐韵?種?？煞譃榻Y(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管與絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
2020-09-18 14:08:447386 MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管在使用時(shí)應(yīng)注意分類，不能隨意互換。MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管由于輸入阻抗高（包括MOS集成電路）極易被靜電擊穿，使用時(shí)應(yīng)注意以下規(guī)則。
2020-10-02 18:06:007604 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管原理與應(yīng)用。
2021-03-19 16:11:1727 GaAsFET（砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是高頻、超高頻、微波無(wú)線電頻下功放電路的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。GaAsFET憑借其靈敏性而舉世聞名，其形成的內(nèi)部噪聲極少。這主要是由于砷化鎵擁有與眾不同的載流子遷移率
2021-09-13 17:23:423271 場(chǎng)效應(yīng)晶體管是一種利用控制輸入電路的電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制輸出電路電流的半導(dǎo)體器件，并以此命名。因?yàn)樗灰揽堪雽?dǎo)體中的多數(shù)載流子來(lái)導(dǎo)電，所以又稱為單極晶體管。場(chǎng)效應(yīng)晶體管英文是Field Effect Transistor，縮寫為FET。
2023-05-16 15:02:23698 場(chǎng)效應(yīng)晶體管是依靠一塊薄層半導(dǎo)體受橫向電場(chǎng)影響而改變其電阻（簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)），使具有放大信號(hào)的功能。這薄層半導(dǎo)體的兩端接兩個(gè)電極稱為源和漏。控制橫向電場(chǎng)的電極稱為柵。
2023-05-16 15:14:081512 
場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor，簡(jiǎn)稱FET)是一種半導(dǎo)體器件，它是一種基于電場(chǎng)效應(yīng)的三極管。與普通的三極管相比，場(chǎng)效應(yīng)晶體管的控制電流非常小，因此具有高輸入阻抗和低噪聲等優(yōu)點(diǎn)。
2023-05-17 15:15:374166 
功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管電參數(shù)指標(biāo)中規(guī)定的電參數(shù)一般分為三大類：直流參數(shù)、交流參數(shù)和極限參數(shù)。
2023-07-05 14:57:19336 
場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor，簡(jiǎn)稱FET）是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件。它的主要特點(diǎn)是具有輸入電阻高、噪聲低、功耗低等優(yōu)點(diǎn)。場(chǎng)效應(yīng)晶體管的工作原理是基于電場(chǎng)效應(yīng)，即在柵極和源極之間施加一個(gè)控制電壓，使得溝道區(qū)域的載流子發(fā)生漂移，從而改變電流的導(dǎo)通狀態(tài)。
2023-09-28 17:10:46800 AGM408M 40V12A mos場(chǎng)效應(yīng)晶體管
2021-11-24 15:47:260 選擇場(chǎng)效應(yīng)晶體管的六大訣竅
2023-12-05 15:51:38165 【科普小貼士】什么是結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（JFET）
2023-12-13 14:36:44354 
場(chǎng)效應(yīng)晶體管柵極電流是多大 場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor，F(xiàn)ET）是一種基于電場(chǎng)控制的電子器件，常用于放大、開(kāi)關(guān)和調(diào)制等電子電路中。在FET中，柵極電流是其關(guān)鍵特性
2023-12-08 10:27:08655 場(chǎng)效應(yīng)晶體管是一種常用的半導(dǎo)體器件，用于控制電流的流動(dòng)。
2024-02-22 18:16:54833
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