IDT公司推出用于高端光網(wǎng)絡(luò)和通信應(yīng)用的低抖動電壓控制聲表面波振蕩器。新的VCSO時鐘發(fā)生器進一步擴展了IDT公司領(lǐng)先業(yè)界的時鐘和計時解決方案產(chǎn)品組合。
2011-09-01 09:02:581145 IDT公司 (Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI) 今天推出業(yè)界首款低功率DDR3 內(nèi)存緩沖芯片,可在高達 1866 兆/秒 (MT/s) 的傳輸速率下運行
2012-11-12 15:58:551613 IDT?公司 (Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI) 今日推出業(yè)界首款差異化 MEMS 振蕩器,具有100飛秒 (fs) 典型相位抖動
2013-03-27 13:40:331105 ,推出業(yè)界首款具備 JESD204B 高速串行接口的低功耗四通道 16 位數(shù)模轉(zhuǎn)換器(DAC)。IDT 全新四通道 DAC 在多載波寬帶無線應(yīng)用中支持高帶寬,并減輕電路板布線要求。
2013-05-23 13:42:241038 中并傳遞到輸出端,可能會給系統(tǒng)增加抖動和噪聲。 然而,集成振蕩器在諧振器和振蕩器 IC 之間沒有暴露的 PCB 連接,并且將 MEMS 諧振器連接到 IC 的鍵合線或焊球非常短。 這使得 MEMS 振蕩器對 EMI 不那么敏感。 如下表和圖表所示,SiTime 振蕩器的靈敏度比晶體諧振器低 11.3 dB
2021-11-04 17:08:003443 Arcadium?系列振蕩器(AS5001/02/03)——可兼容替換石英晶振或MEMS振蕩器的全新方案
2020-10-19 12:11:293034 74HC/HCT4538- -雙通道可再觸發(fā)精確單穩(wěn)態(tài)多頻振蕩器概述:74HC/HCT4538 雙通道可再觸發(fā)-再復(fù)位單觸發(fā)多頻振蕩器。每個振蕩器都有一個低電平有效的觸發(fā)/再觸發(fā)輸入端(nA0),一
2008-10-10 17:27:35
概述:74HC/HCT4538雙通道可再觸發(fā)-再復(fù)位單觸發(fā)多頻振蕩器。每個振蕩器都有一個低電平有效的觸發(fā)/再觸發(fā)輸入端(nA0),一個高電平有效的觸發(fā)/再觸發(fā)輸入端(nA1),一個低電平有效的直接復(fù)位輸入端(nRD)...
2021-04-13 07:09:06
基礎(chǔ)。一般而言,系統(tǒng)設(shè)計的參考頻率信號可由不同的頻率組件來產(chǎn)生,如諧振器(Resonator)、振蕩器(Oscillator)以及頻率產(chǎn)生器(Clock Generator),不同的系統(tǒng)設(shè)計會根據(jù)
2019-07-08 07:16:03
,這是修修補補的改造所不能實現(xiàn)的效果。由于MEMS振蕩器的實現(xiàn)原理完全不同于以往的石英晶振,因此它可以克服現(xiàn)有石英晶振的很多先天劣勢。具體總結(jié)如下:由采用全硅MEMS技術(shù)所帶來的優(yōu)勢,下面從體積到性能
2016-06-04 10:18:38
LPC11C00宣傳頁:業(yè)界首款集成CAN收發(fā)器微控制器解決方案
2022-12-08 07:07:09
概述:74HC453 雙通道可再觸發(fā)-再復(fù)位單觸發(fā)多頻振蕩器。每個振蕩器都有一個低電平有效的觸發(fā)/再觸發(fā)輸入端(nA0),一個高電平有效的觸發(fā)/再觸發(fā)輸入端(nA1),一個低電平有效的直接復(fù)位輸入端(nRD),...
2021-04-09 06:32:38
。晶體振蕩器(XO) 最受歡迎的振蕩器之一 利用晶體元件確定輸出頻率 具有固定頻率輸出MEMS振蕩器 在芯片中使用刻蝕硅片來充當(dāng)具有某一共振頻率的音叉 采用制造成本比石英晶體更低的硅技術(shù) 消耗的電流少于
2018-11-01 15:41:19
CEVA發(fā)布業(yè)界首個高性能傳感器中樞DSP架構(gòu)SensPro,設(shè)計用于處理情境感知設(shè)備中的多種傳感器處理和融合工作負(fù)載。SensPro專用處理器可以滿足業(yè)界對高效處理日益增多的各類傳感器的需求,這些
2020-06-04 15:20:55
近日,Keyssa和IDT聯(lián)合宣布,推出業(yè)界首個將高速非接觸“Kiss Connectivity連接”與無線充電相結(jié)合的演示方案,可支持真正的“無線纜”高性能充電和數(shù)據(jù)連接。 這次演示采用
2018-11-09 15:58:29
PIC系列單片機可工作于不同的振蕩器方式。用戶可以根據(jù)其系統(tǒng)設(shè)計的需要,選擇下述四種振蕩方式中的一種,其振蕩的頻率范圍在DC~20/25MHz之間?! ∮脩艨梢愿鶕?jù)不同的應(yīng)用場合,從表1所示的四
2020-08-03 15:56:16
Ω時,振蕩器易受到干擾。RC振蕩器產(chǎn)生的振蕩頻率fosc,經(jīng)內(nèi)部4分頻電路分頻后從OSC2/CLKOUT輸出fosc/4振蕩信號,此信號可以用作測試或作其它邏輯電路的同步信號?! ”?給出了使用陶瓷或晶體振蕩器時所需的電容器值。表4給出了使用RC振蕩器的電阻器和電容器的值。此數(shù)據(jù)供設(shè)計時參考。
2011-09-30 15:41:21
RF MEMS振蕩器介紹Vibrating RF MEMS for Timing and Frequency ReferencesThis paper presents recent
2009-12-12 17:43:18
SI50X-FPB1-CUST,用于Si502單頻,單線可編程CMEMS(CMOS + MEMS)振蕩器的CMEMS振蕩器評估板?,F(xiàn)場編程器板(FPB)可以在配備USB的PC上運行
2019-09-11 08:13:18
導(dǎo)讀:據(jù)報道,意法半導(dǎo)體(以下簡稱“ST”)近日新推出一款高性能MEMS加速度計“LIS2HH12”.“LIS2HH12”是針對最新智能手機等移動設(shè)備中愈發(fā)具有挑戰(zhàn)性的應(yīng)用環(huán)境而設(shè)計,在助力應(yīng)對
2018-11-06 15:04:38
模擬與混合信號IC廠商Silicon Laboratories (芯科實驗室)近日推出一款全CMOS振蕩器,并以此進入消費性定時市場。新推出的Si500硅振蕩器交貨時間短、成本低且可靠度高,成為一種
2019-06-27 06:51:52
SITIME支持所有業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)封裝 (7050, 5032, 3225, 2520),所有規(guī)格產(chǎn)品交貨期僅需 2~4周。5. SITIME全硅MEMS振蕩器封裝無密封問題,標(biāo)準(zhǔn) M CM封裝,防震性達
2011-07-26 14:42:54
請教有關(guān)振蕩器的知識?什么是對稱的?什么是非對稱的?什么是多諧的?
2009-04-23 18:49:10
如下圖所示,該電路由一塊雙時基電路556組成兩個同步的多諧振蕩器,可輸出同步的兩個時鐘脈沖信號,其間隔和振蕩頻率可通過調(diào)節(jié)時間常數(shù)來改變,靈活、方便。
2021-04-23 06:39:09
每個電子系統(tǒng)都需要一個計時裝置。 晶體 (XTAL) 諧振器通常是首選解決方案。 然而,與 XTAL 相比,將諧振器與振蕩器 IC 配對成一個完整的集成計時器件的振蕩器具有多項優(yōu)勢。 MEMS 計時
2021-11-11 08:00:00
5. MEMS 振蕩器對 EMI 的敏感度要低得多電磁能在大多數(shù)系統(tǒng)中很常見,可以通過將晶體諧振器連接到包含振蕩器電路的 IC 的暴露 PCB 走線接收。 這種噪聲可以耦合到振蕩器電路中并傳遞到輸出
2021-11-13 08:00:00
2. MEMS 振蕩器提供更好的質(zhì)量和可靠性質(zhì)量和可靠性至關(guān)重要 - 不僅公司聲譽受到威脅,而且返工成本高昂且耗時。 此外,部署在戶外并暴露于環(huán)境壓力下的系統(tǒng)必須特別堅固。 石英諧振器雖然是一項成熟
2021-11-12 08:00:00
簡單的晶體振蕩器電路圖大全(一) 如圖所示是由A1的三個門、四個電阻、調(diào)諧電容和一塊晶體所構(gòu)成簡單的晶體振蕩器電路。 晶體振蕩電路 在圖中,其中A1和晶體諧振子SJT及電容組成4069kHz
2019-03-09 07:00:00
德州儀器推出業(yè)界首款超低功耗 FRAM 微控制器開發(fā)人員藉此可讓世界變得更加智能MSP430FR57xx FRAM 微控制器系列可為開發(fā)人員帶來高達100倍的寫入速度增幅及250倍的功耗降幅,因而
2011-05-04 16:37:37
怎么實現(xiàn)基于業(yè)界首款Cortex-M33雙核微控制器LPC55S69的電路設(shè)計?
2021-06-15 09:14:03
2023年2月27日,中國上海 — 思特威(上海)電子科技股份有限公司,正式推出業(yè)界首顆5MP DSI-2技術(shù)全性能升級Pro系列安防應(yīng)用圖像傳感器新品SC5336P。新品擁有3K級的清晰畫質(zhì),既是
2023-02-28 09:24:04
新品發(fā)布|業(yè)界首款!潤開鴻最新推出RISC-V 高性能芯片? OpenHarmony標(biāo)準(zhǔn)系統(tǒng)的智能硬件開發(fā)平臺HH-SCDAYU800
2023-01-13 17:43:15
致力于豐富數(shù)字媒體體驗、提供領(lǐng)先的混合信號半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商 IDT 公司推出首款 Hollywood Quality Video? (HQV?)音頻處理產(chǎn)品線的最新產(chǎn)品。新型 IDT HQV
2019-08-26 07:02:18
時鐘方案的研究和開發(fā)。對于基于晶振和MEMS振蕩器的時鐘產(chǎn)品擁有多年的開發(fā)和技術(shù)支持經(jīng)驗。提問范圍:1.晶體振蕩器和MEMS振蕩器使用過稆問題解決2.IEEE1588系統(tǒng)級時鐘方案3.ITU,BELLCORE相關(guān)時鐘標(biāo)準(zhǔn)討論和測試4.下一代時鐘系統(tǒng)方案討論`
2017-09-21 17:03:50
怎樣去設(shè)計一款壓控振蕩器?壓控振蕩器在射頻通信電路中的應(yīng)用是什么?
2021-06-04 07:17:00
近來,Altera公司推出業(yè)界首款浮點FPGA,它集成了硬核IEEE754兼容浮點運算功能,提高了DSP性能、設(shè)計人員的效能和邏輯效率。據(jù)悉,硬核浮點DSP模塊集成在
2019-07-03 07:56:05
接近于教育處出的頻率和增益。設(shè)置增益的電阻RG成為第三個RC的負(fù)載,如果采用四運放中的第四個運算放大器對這個RC進行緩沖,則性能就變?yōu)槔硐氲?。可以從第三或者?b class="flag-6" style="color: red">四個移相振蕩器中獲得低失真的正弦波。而
2015-01-09 11:02:42
實際電路中多采用高輸入阻抗的場效應(yīng)管代替三極管VT1 接到RC 網(wǎng)絡(luò)的輸出端。4.雙T 選頻網(wǎng)絡(luò)振蕩器雙T 選頻網(wǎng)絡(luò)比RC 選頻網(wǎng)絡(luò)的選頻特性好。由于雙T 選頻網(wǎng)絡(luò)振蕩器輸出波形好,所以此類振蕩器
2019-06-04 21:18:05
VCO的工作原理與性能指標(biāo)分別是什么?如何去評價VCO的好壞?VCO主要有哪些特征?怎樣去設(shè)計VCO?影響壓控振蕩器性能的重要參數(shù)有哪些?怎樣去設(shè)計CMOS兩種多諧壓控振蕩器?
2021-04-14 06:47:01
石英晶體振蕩器所以能獲得比10^-5更高的頻率穩(wěn)定度是由于采用石英晶體諧振器,它具 有以下優(yōu)良性能: (1) 石英晶體振蕩器的振蕩頻率主要由石英晶體諧振器的諧振頻率fq決定,***要取 決于石英晶片
2018-07-13 03:51:10
` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:01 編輯
邏輯 - 多頻振蕩器> HCF4047M013TR產(chǎn)品描述:IC MULTIVIBRATOR LOW
2012-12-27 19:17:01
黎志遠_業(yè)界首款電流模式LLC AC-DC 控制器 NCP1399
2018-02-01 17:46:50
MEMS振蕩器技術(shù)設(shè)計大要
2009-11-16 11:14:3629 AD841SE/883B: 品質(zhì),高性能振蕩器的卓越之選在追求高性能振蕩的領(lǐng)域,一款穩(wěn)定、可靠的芯片是至關(guān)重要的。深圳市華灃恒霖電子科技有限公司為您推薦一款 品質(zhì)的高性能振蕩芯片——AD841SE
2024-01-19 18:51:03
----PXI Express特性帶來業(yè)界領(lǐng)先的同步性能和向后兼容性 新聞發(fā)布——2006年4月——美國國家儀器有限公司(National Instruments,簡稱NI)宣布推出業(yè)界首款基于PCI
2006-05-26 21:22:17748 同步馬達振蕩器
2008-02-25 21:42:08523 ADMP421/ADMP401 業(yè)界最高性能的MEMS麥克風(fēng)芯片
全球領(lǐng)先的高性能信號處理解決方案供應(yīng)商,最新推出MEMS麥克風(fēng)系列產(chǎn)品——
2008-10-08 11:28:071504
簡單的外同步CMOS振蕩器
2009-03-23 09:55:41362
輸出穩(wěn)定的雙T振蕩器
2009-04-08 09:13:02456 MEMS 振蕩器激勵新方法
研究MEMS/NEMS振蕩器諧振頻率的激勵和探測,其目的是完成超小力的探測、微機械混頻器和濾波器的制作等。使微
2009-06-08 13:53:09776 IDT推出業(yè)界首款首款采用智能電源技術(shù)的解決方案
致力于豐富數(shù)字媒體體驗、提供領(lǐng)先的混合信號半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商IDT公司推出首款采用智能電源技術(shù)的解決方案
2009-08-06 08:13:33508 Maxim推出結(jié)構(gòu)緊湊的雙輸出晶體振蕩器
日前,Maxim推出雙輸出LVPECL晶體振蕩器DS4625,設(shè)計用于要求苛刻的通信系統(tǒng)。該器件產(chǎn)生兩路100MHz至625MHz范
2009-11-12 16:43:16289 IDT推出業(yè)界首款高性能中繼器,專為6G SAS/SATA優(yōu)化
IDT 公司(Integrated Device Technology, Inc.)推出信號完整性產(chǎn)品系列的新成員。新系列中繼器器件支持計算、存儲和通信應(yīng)
2009-12-23 08:50:37662 MM8202和MM8102全硅CMOS振蕩器
IDT推出全硅CMOS振蕩器MM8202和MM8102,使IDT成為業(yè)界首家采用晶圓和封裝形式CMOS振蕩器提供石英晶體級性能的公司。這些集
2010-05-05 15:54:11907 IDT公司日前推出業(yè)界首款采用集成分辨率增強引擎的運動補償幀速率轉(zhuǎn)換處理器,可用于 120Hz 和 240Hz 電視和高清視頻投影儀。新的 IDT VHD1200 和 VHD2400 器件采用業(yè)界領(lǐng)先的 IDT HQV Motio
2010-07-28 08:48:46581 致力于豐富數(shù)字媒體體驗、提供領(lǐng)先的混合信號半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商IDT公司(Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI)宣布,推出業(yè)界精度最高的全硅
2010-11-09 09:27:01653 致力于豐富數(shù)字媒體體驗、提供領(lǐng)先的混合信號半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商 IDT® 公司(Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI)推出業(yè)界首款
2010-11-17 11:11:521196 ADI最近推出業(yè)界首款高性能 ADMP441 iMEMS麥克風(fēng),它能夠提供 I2S 數(shù)字輸出。ADMP441 還具有100 Hz至15 kHz 的擴展頻率響應(yīng)、61 dBA 的高信噪比(SNR)和80 dBFS 的高電源抑制比(PSRR)
2011-01-29 08:52:121273 IDT公司日前宣布,推出全球首個支持苛刻的5Gbps超高速控制器應(yīng)用要求的新器件系列,擴展了IDT在CrystalFree CMOS振蕩器產(chǎn)品線的產(chǎn)品組合。
2011-09-08 09:18:35771 模擬半導(dǎo)體公司SiTime Corporation今天推出業(yè)界性能最強的差分振蕩器,其頻率穩(wěn)定度達10PPM、相位抖動僅500飛秒(femtosecond),市面上目前僅SiTime實現(xiàn)了這兩項的完美結(jié)合。SiT9121和SiT9122系
2011-10-25 09:13:051315 石英晶體振蕩器(OCXO)一直在電子產(chǎn)品中扮演重要角色,不過,硅MEMS振蕩器憑借高性能、低成本和易用性的完美結(jié)合,正在強勢進入規(guī)模達50億美元的時鐘市場。
2011-11-22 09:36:381687 2011-11-25 09:46:471291 IDT? 公司 (Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI) 宣布,已推出新的低抖動硅鍺(SiGe)聲表面(SAW)壓控振蕩器(VCSO)產(chǎn)品系列。新的產(chǎn)品系列與 IDT 備受歡迎的 M675 系列和高性能計時
2012-02-29 09:11:321040 IDT 的 4M 系列 LVDS/LVPECL 振蕩器抖動低于 1 皮秒,成為傳統(tǒng)六管腳晶體振蕩器的理想替代
2012-05-11 09:02:06743 中心議題: MEMS振蕩器與傳統(tǒng)石英晶振的比較優(yōu)勢 Stime最新的MEMS晶振性能介紹 解決方案: MEMS振蕩器體積更小巧,厚度可低至0.25毫米 MEMS振蕩器的穩(wěn)固程度為傳統(tǒng)石英晶振的十倍 MEMS振
2012-09-14 23:09:332323 本內(nèi)容介紹了石英和全硅MEMS時鐘振蕩器,概述了兩者之間的區(qū)別與比較,性能優(yōu)勢分析等。
2012-12-10 14:15:241464 石英振蕩器與硅基MEMS技術(shù)(硅晶圓級封裝技術(shù))結(jié)合的時鐘器件,該方案利用硅基MEMS技術(shù)真空封裝石英振蕩器。
2013-02-25 14:52:361239 增長速度最快的半導(dǎo)體公司SiTime公司(SiTime Corporation)今天宣布,推出可替代傳統(tǒng)石英晶體諧振器的SiT15xx系列32 kHz MEMS振蕩器。
2013-03-27 22:06:131665 高性能模擬與混合信號IC領(lǐng)導(dǎo)廠商Silicon Labs (芯科實驗室有限公司, NASDAQ: SLAB)今日宣布推出業(yè)界最高集成度基于MEMS的Si50x振蕩器,旨在替代需要低成本、低功耗和批量生產(chǎn)的工業(yè)、嵌入式和消費類電子應(yīng)用中的通用型晶體振蕩器(XO)
2013-06-27 10:41:15704 All Programmable技術(shù)和器件的全球領(lǐng)先企業(yè)賽靈思公司 (NASDAQ: XLNX)今天宣布推出業(yè)界首款面向All Programmable UltraScale?器件的高性能DDR4內(nèi)存解決方案,每秒數(shù)據(jù)速率高達2400 Mb。
2014-03-11 10:47:291562 中國,北京-2017年6月29日-Silicon Labs(亦稱“芯科科技”,NASDAQ:SLAB)日前宣布推出全新的高性能晶體振蕩器(XO)系列產(chǎn)品,提供了業(yè)界最低抖動和最高靈活頻率的解決方案
2017-06-29 17:41:021446 本文講述了4M系列MEMS振蕩器的封裝、參數(shù)和應(yīng)用電路。4M系列MEMS振蕩器是TDI公司產(chǎn)品器件,詳細(xì)說了4M系列MEMS振蕩器參數(shù)資料,封裝類型和典型的應(yīng)用電路。
2017-09-11 15:28:5623 MEMS振蕩器的EMI抑制能力應(yīng)用
2018-03-20 11:35:503 MEMS振蕩器己得到了非常廣泛的使用,并在很多應(yīng)用中穩(wěn)步取代晶體振蕩器。MEMS振蕩器與晶體振蕩器相比具有諸多顯著的優(yōu)勢,例如提高了可靠性和對機械應(yīng)力的抗力,以及在寬溫度范圍內(nèi)保持平穩(wěn)的性能。MEMS振蕩器還具備一定的靈活性,可通過編程和配置生成多個輸出時鐘。
2018-03-21 11:41:300 MEMS 振蕩器已得到了非常廣泛的使用,并在很多應(yīng)用中穩(wěn)步取代晶體振蕩器。MEMS 振蕩器與晶體振蕩器相比具有諸多顯著的優(yōu)勢,例如提高了可靠性和對機械應(yīng)力的抗力,以及在寬溫度范圍內(nèi)保持平穩(wěn)的性能。MEMS 振蕩器還具備一定的靈活性,可通過編程和配置生成多個輸出時鐘。
2018-06-13 09:27:0022 Keyssa和IDT近日共同宣布:推出業(yè)界首個將高速非接觸“Kiss Connectivity連接”與相結(jié)合的演示,從而可支持真正的“無線纜” 高性能充電和數(shù)據(jù)連接。這次演示采用了一張完全密封的SSD存儲卡,將它放置在擴展板上時,既可以無線方式供電,同時能以每秒5 Gbps的速度傳輸數(shù)據(jù)。
2018-06-20 17:55:001008 近日,Keyssa和IDT聯(lián)合宣布,推出業(yè)界首個將高速非接觸“Kiss Connectivity連接”與無線充電相結(jié)合的演示方案,可支持真正的“無線纜”高性能充電和數(shù)據(jù)連接。
2018-06-08 10:08:375009 自從蘋果手機使用了MEMS器件以來,市場上掀起了一股MEMS熱,同時也激活了我們的全硅設(shè)計的MEMS振蕩器。MEMS振蕩器因其可以實現(xiàn)更小的體積,和較低的功耗,成本上跟石英晶振基本相當(dāng),所以有很多有這些相關(guān)要求的產(chǎn)品開始選用MEMS產(chǎn)品來替代石英晶振。
2020-04-20 16:58:042653 三級鐘MEMS振蕩器的問世,讓MEMS技術(shù)順利切入高端精密頻率組件市場,對石英振蕩器帶來全面性的威脅,原本石英晶體精準(zhǔn)、穩(wěn)定度高等特性固守高端頻率組件領(lǐng)域的優(yōu)勢已不復(fù)存在。
2020-05-04 17:41:002154 德州儀器推出了業(yè)內(nèi)具有集成壓控振蕩器(VCO)的最高性能鎖相環(huán)(PLLs)。
2020-05-18 10:41:41876 德州儀器(TI)日推出了業(yè)內(nèi)具有集成壓控振蕩器(VCO)的最高性能鎖相環(huán)(PLLs)。
2020-05-28 10:21:14742 自從蘋果手機使用了MEMS器件以來,市場上掀起了一股MEMS熱,同時也激活了我們的全硅設(shè)計的MEMS振蕩器。MEMS振蕩器因其可以實現(xiàn)更小的體積,和較低的功耗,成本上跟石英晶振基本相當(dāng),所以有很多
2020-06-19 09:49:061888 三級鐘MEMS振蕩器的問世,讓MEMS技術(shù)順利切入高端精密頻率組件市場,對石英振蕩器帶來全面性的威脅,原本石英晶體精準(zhǔn)、穩(wěn)定度高等特性固守高端頻率組件領(lǐng)域的優(yōu)勢已不復(fù)存在。
2020-06-19 09:49:082059 提供極佳的可靠性,非常穩(wěn)定,且抗沖擊和振蕩的性能也是最好的。MEMS振蕩器的新功能還在不斷增加。例如,MEMS振蕩器現(xiàn)已成為目前市場上同等價格下尺寸最小的高質(zhì)量因數(shù)(high-Q)振蕩器、最穩(wěn)定的高質(zhì)量因數(shù)振蕩器和尺寸最小的可編程振蕩器。
2020-07-26 11:56:35801 (Aeonsemi,以下簡稱益昂)今日宣布推出其Arcadium系列高性能全硅可編程振蕩器。該產(chǎn)品系列實現(xiàn)了在超寬工業(yè)溫度范圍內(nèi)頻率穩(wěn)定度優(yōu)于50 ppm,能產(chǎn)生10 kHz至350 MHz之間任意頻率且相位抖動
2020-10-21 16:47:112049 MEMS 振蕩器已得到了非常廣泛的使用,并在很多應(yīng)用中穩(wěn)步取代晶體振蕩器。MEMS 振蕩器與晶體振蕩器相比具有諸多顯著的優(yōu)勢,例如提高了可靠性和對機械應(yīng)力的抗力,以及在寬溫度范圍內(nèi)保持平穩(wěn)的性能。MEMS振蕩器還具備一定的靈活性,可通過編程和配置生成多個輸出時鐘。
2021-04-01 13:57:1310 220MHz高性能差分振蕩器SiT9121
2021-09-10 16:19:494 IQD Frequency Products 推出了四種新型號的 MEMS 振蕩器,涵蓋了封裝樣式、電源電壓和頻率范圍的變化。所有四個 MEMS 振蕩器都是工廠可編程的,這確保了設(shè)計投入量和全面生產(chǎn)的交貨時間非常短。
2022-08-10 16:20:03717 便攜式和可穿戴電子產(chǎn)品的興起,推動了降低包括振蕩器在內(nèi)的各類電子元件的能耗和占地面積的需求?;谖C電系統(tǒng)(MEMS)技術(shù)的振蕩器將精確的輸出頻率和低功耗相結(jié)合,在時鐘電路中被廣泛采納。
2023-05-08 09:27:561379 MEMS振蕩器的優(yōu)勢照比傳統(tǒng)OSC的主要優(yōu)勢
2022-02-08 17:08:36564 MEMS振蕩器的應(yīng)用大致分為7個大方向
2022-02-11 09:07:05628 近日,國內(nèi)首家專注于全硅MEMS振蕩器領(lǐng)域的科技企業(yè)——麥斯塔,發(fā)布首款自研MEMS振蕩器(MST8011和MST8121)。
2023-10-29 15:55:10256 瑞薩電子重磅發(fā)布了業(yè)界首款基于Arm Cortex-M85處理器的全新超高性能MCU:RA8M1系列微處理器。
RA8系列產(chǎn)品具備業(yè)界卓越的6.39 CoreMark/MHz測試分?jǐn)?shù),縮小了MCU與MPU之間的性能差距。
2023-11-10 09:44:20222 MEMS振蕩器與傳統(tǒng)振蕩器的比較
2023-12-13 16:14:22132 MEMS振蕩器是一種基于微機電系統(tǒng)(MEMS)技術(shù)的微型振蕩器,其設(shè)計旨在實現(xiàn)小型化、低功耗和高穩(wěn)定性。這種技術(shù)的成功應(yīng)用使得MEMS振蕩器在各個領(lǐng)域都發(fā)揮著重要作用。
2023-12-08 14:34:28308 MEMS差分振蕩器與傳統(tǒng)差分振蕩器的比較? MEMS(微機電系統(tǒng))差分振蕩器是一種基于微納米加工技術(shù)制造的振蕩器,相比于傳統(tǒng)的差分振蕩器,具有獨特的優(yōu)勢。傳統(tǒng)差分振蕩器通常采用晶體管或電容等元件
2024-01-26 14:20:52128
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