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電子發(fā)燒友網(wǎng)>新品快訊>IDT公司推出業(yè)界首款低功率DDR3內(nèi)存緩沖芯片MB3518

IDT公司推出業(yè)界首款低功率DDR3內(nèi)存緩沖芯片MB3518

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DDR3
充八萬(wàn)發(fā)布于 2023-08-19 13:56:54

47 29A DDR3原理與應(yīng)用簡(jiǎn)介 - 第2節(jié)

DDR3
充八萬(wàn)發(fā)布于 2023-08-19 13:52:43

68 第20.3講 DDR3實(shí)驗(yàn)-DDR3初始化 校準(zhǔn) 超頻測(cè)試 - 第7節(jié) #硬聲創(chuàng)作季

DDR3數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)程序函數(shù)
充八萬(wàn)發(fā)布于 2023-08-17 07:58:15

68 第20.3講 DDR3實(shí)驗(yàn)-DDR3初始化 校準(zhǔn) 超頻測(cè)試 - 第6節(jié) #硬聲創(chuàng)作季

DDR3數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)程序函數(shù)
充八萬(wàn)發(fā)布于 2023-08-17 07:57:25

68 第20.3講 DDR3實(shí)驗(yàn)-DDR3初始化 校準(zhǔn) 超頻測(cè)試 - 第5節(jié) #硬聲創(chuàng)作季

DDR3數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)程序函數(shù)
充八萬(wàn)發(fā)布于 2023-08-17 07:56:35

關(guān)于MCU200T的DDR3的配置和原理圖的問(wèn)題

MCU200T的DDR3在官方給的如下圖兩份文件中都沒(méi)有詳細(xì)的介紹。 在introduction文件中只有簡(jiǎn)略的如下圖的一句話的介紹 在schematic文件中也沒(méi)有明確表明每個(gè)接口的具體信息
2023-08-17 07:37:34

從里可以找到DDR200T的DDR3的配置和約束文件?

在配置DDR200T的DDR3時(shí),一些關(guān)鍵參數(shù)的選擇在手冊(cè)中并沒(méi)有給出,以及.ucf引腳約束文件也沒(méi)有提供,請(qǐng)問(wèn)這些信息應(yīng)該從哪里得到?
2023-08-16 07:02:57

DDR3緩存模塊仿真平臺(tái)構(gòu)建步驟

復(fù)制Vivado工程路徑vivado_prj\at7.srcs\sources_1\ip\mig_7series_0下的mig_7series_0文件夾。粘貼到仿真路徑testbench\tb_ddr3_cache(新建用于DDR3仿真的文件夾)下。
2023-08-12 11:08:27735

請(qǐng)問(wèn)PH1A100是否支持DDR3,DDR4?

PH1A100是否支持DDR3,DDR4
2023-08-11 06:47:32

ddr5的主板可以用ddr4內(nèi)存嗎 幾代CPU才能上DDR5

DDR5的主板不支持使用DDR4內(nèi)存DDR5(第五代雙倍數(shù)據(jù)率)和DDR4(第四代雙倍數(shù)據(jù)率)是兩種不同規(guī)格的內(nèi)存技術(shù),它們?cè)陔姎馓匦院鸵_布局上存在明顯差異。因此,DDR5內(nèi)存模塊無(wú)法插入DDR4主板插槽中,也不兼容DDR4內(nèi)存控制器。
2023-08-09 15:36:2512794

xilinx平臺(tái)DDR3設(shè)計(jì)教程之設(shè)計(jì)篇_中文版教程3

xilinx平臺(tái)DDR3設(shè)計(jì)教程之設(shè)計(jì)篇_中文版教程3
2023-08-05 18:39:58

Arm?CoreLink? DMC-620動(dòng)態(tài)內(nèi)存控制器技術(shù)參考手冊(cè)

以下內(nèi)存設(shè)備: ?雙倍數(shù)據(jù)速率3DDR3)SDRAM。 ?低壓DDR3 SDRAM。 ?雙倍數(shù)據(jù)速率4(DDR4)SDRAM。
2023-08-02 11:55:49

ARM CoreLink DMC-520動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器控制器技術(shù)參考手冊(cè)

內(nèi)存設(shè)備: ?雙倍數(shù)據(jù)速率3DDR3)SDRAM。 ?低壓DDR3 SDRAM。 ?雙倍數(shù)據(jù)速率4(DDR4)SDRAM
2023-08-02 08:30:00

可制造性案例│DDR內(nèi)存芯片的PCB設(shè)計(jì)

DDR是運(yùn)行內(nèi)存芯片,其運(yùn)行頻率主要有100MHz、133MHz、166MHz三種,由于DDR內(nèi)存具有雙倍速率傳輸數(shù)據(jù)的特性,因此在DDR內(nèi)存的標(biāo)識(shí)上采用了工作頻率×2的方法。 ? DDR芯片
2023-07-28 13:12:061877

美光推出業(yè)界首款8層堆疊的24GB容量第二代HBM3內(nèi)存

Micron Technology Inc.(美光科技股份有限公司,納斯達(dá)克股票代碼:MU)今日宣布,公司已開(kāi)始出樣業(yè)界首款 8 層堆疊的 24GB 容量第二代 HBM3 內(nèi)存,其帶寬超過(guò)
2023-07-28 11:36:40535

PI2DDR3212和PI3DDR4212在DDR3/DDR4中應(yīng)用

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PI2DDR3212和PI3DDR4212在DDR3/DDR4中應(yīng)用.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-07-24 09:50:470

DDR、DDR2、DDR3DDR4、LPDDR的區(qū)別

DDR是Double Data Rate的縮寫(xiě),即“雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器”。DDR是一種技術(shù),中國(guó)大陸工程師習(xí)慣用DDR稱呼用了DDR技術(shù)的SDRAM,而在中國(guó)臺(tái)灣以及歐美,工程師習(xí)慣用DRAM來(lái)稱呼。
2023-07-16 15:27:103362

關(guān)于DDR3設(shè)計(jì)思路分享

DDR3的速度較高,如果控制芯片封裝較大,則不同pin腳對(duì)應(yīng)的時(shí)延差異較大,必須進(jìn)行pin delay時(shí)序補(bǔ)償。
2023-07-04 09:25:38312

高速設(shè)計(jì):用于DDR3/DDR4的xSignal

DDR4
Altium發(fā)布于 2023-06-25 17:49:32

什么是氮化鎵功率芯片?

包含關(guān)鍵的驅(qū)動(dòng)、邏輯、保護(hù)和電源功能,消除了傳統(tǒng)半橋解決方案中相關(guān)的能量損失、成本過(guò)高和設(shè)計(jì)復(fù)雜的問(wèn)題。 納微推出的世界上首氮化鎵功率芯片同時(shí)能提供高頻率和高效率,實(shí)現(xiàn)了電力電子領(lǐng)域的高速革命
2023-06-15 14:17:56

紫光同創(chuàng)FPGA入門(mén)指導(dǎo):DDR3 讀寫(xiě)——紫光盤(pán)古系列50K開(kāi)發(fā)板實(shí)驗(yàn)教程

一、實(shí)驗(yàn)要求 生成 DDR3 IP 官方例程,實(shí)現(xiàn) DDR3 的讀寫(xiě)控制,了解其工作原理和用戶接口。 二、DDR3 控制器簡(jiǎn)介 PGL50H 為用戶提供一套完整的 DDR memory 控制器
2023-05-31 17:45:39

使用帶有ECC芯片的4GB DDR3 RAM連接到T1040處理器DDR控制器,未能成功生成DDR地址奇偶校驗(yàn)錯(cuò)誤的原因?

我正在使用帶有 ECC 芯片的 4GB DDR3 RAM 連接到 T1040 處理器 DDR 控制器。 我嘗試了這個(gè)序列,但未能成功生成 DDR 地址奇偶校驗(yàn)錯(cuò)誤: 步驟1: ERR_INT_EN
2023-05-31 06:13:03

內(nèi)存模組的類型

和筆記本。內(nèi)存模組的類型決定了所需的內(nèi)存接口芯片內(nèi)存模組配套芯片。 ? ? ? 內(nèi)存進(jìn)入 DDR5 新世代,標(biāo)準(zhǔn)升級(jí)拉動(dòng)相關(guān)芯片需求。與 DDR4 相比, DDR5 的優(yōu)勢(shì)可簡(jiǎn)單地概括為: ( 1)速度
2023-05-29 14:07:381359

如何查看S32G3支持的DDR芯片?

S32G3開(kāi)發(fā)板上使用的ddr芯片是micro MT53E1G32D2FW-046 AUT: B 但是我們的開(kāi)發(fā)板使用的是三星的芯片(K4FBE3D4HM THCL)。 如何查看 S32G3 支持的 DDR 芯片?。以及如何支持新的DDR芯片?
2023-05-23 07:15:48

紫光同創(chuàng)FPGA入門(mén)指導(dǎo):DDR3 讀寫(xiě)——紫光盤(pán)古系列50K開(kāi)發(fā)板實(shí)驗(yàn)教程

MES50HP 開(kāi)發(fā)板簡(jiǎn)介 MES50HP 開(kāi)發(fā)板集成兩顆 4Gbit(512MBDDR3 芯片,型號(hào)為 MT41K256M16。DDR3 的總線寬度共為 32bit。DDR3 SDRAM 的最高
2023-05-19 14:28:45

通過(guò)EIM總線連接的imx6和fpga, 這個(gè)128MB EIM內(nèi)存的物理位置在哪里?

問(wèn)題。 1) 這個(gè)128MB EIM 內(nèi)存的物理位置在哪里? 是imx6的內(nèi)存還是fpga的內(nèi)存?還是外接DDR內(nèi)存? 2) 我們將 CS0 用作單個(gè)緩沖區(qū)。 我想使用像環(huán)形緩沖區(qū)這樣的多緩沖區(qū)。 我如何開(kāi)始將其實(shí)現(xiàn)為環(huán)形緩沖區(qū)? 如果您能告訴我相關(guān)的應(yīng)用說(shuō)明或技術(shù)鏈接,我將不勝感激。
2023-05-19 08:50:45

想使用S32R45和DDR3,你能幫我在哪里找到示例項(xiàng)目或用例嗎?

你好 : 專家,我們想使用S32R45和DDR3,你能幫我在哪里找到示例項(xiàng)目或用例嗎?
2023-05-17 08:13:46

在i.MX6 SOLO中有沒(méi)有辦法讀取芯片DDR3的大?。?/a>

純國(guó)產(chǎn)化 復(fù)旦微FMQL45T900開(kāi)發(fā)板

DDR3,數(shù)據(jù)速率1066Mbps,32bitPL端內(nèi)存:1GB DDR3,數(shù)據(jù)速率1600Mbps,32bitGTX收發(fā)器:16X速度等級(jí):對(duì)標(biāo)進(jìn)口-2芯片級(jí)別:工業(yè)級(jí)工作溫度:-40℃-100
2023-04-13 16:04:38

RF3518 880 - 915 MHz、3 V WCDMA 頻段 8 功率放大器模塊

RF3518產(chǎn)品簡(jiǎn)介Qorvo 的 RF3518 單頻帶線性功率放大器在 3.4V、50 歐姆移動(dòng)設(shè)備中支持 B8 (880-915MHz),專為 3G UMTS 傳輸而設(shè)計(jì)。RF3518 滿足
2023-04-06 15:27:32

DDR SDRAM與SDRAM的區(qū)別

DDR內(nèi)存1代已經(jīng)淡出市場(chǎng),直接學(xué)習(xí)DDR3 SDRAM感覺(jué)有點(diǎn)跳躍;如下是DDR1、DDR2以及DDR3之間的對(duì)比。
2023-04-04 17:08:472867

新思科技發(fā)布業(yè)界首全棧式AI驅(qū)動(dòng)型EDA解決方案Synopsys.ai

技(Synopsys, Inc.,納斯達(dá)克股票代碼:SNPS)隆重推出業(yè)界首全棧式AI驅(qū)動(dòng)型EDA解決方案Synopsys.ai,覆蓋了先進(jìn)數(shù)字與模擬芯片的設(shè)計(jì)、驗(yàn)證、測(cè)試和制造環(huán)節(jié)?;诖耍_(kāi)發(fā)者第一次
2023-04-03 16:03:26

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