電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《完整的DDR2、DDR3和DDR3L內(nèi)存電源解決方案同步降壓控制器TPS51216數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-13 13:58:120 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《適用于DDR2、DDR3、DDR3L和DDR4且具有VTTREF緩沖基準(zhǔn)的TPS51206 2A峰值灌電流/拉電流DDR終端穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-13 13:53:030 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有同步降壓控制器、2A LDO和緩沖基準(zhǔn)的TPS51916完整DDR2、DDR3、DDR3L和DDR4存儲(chǔ)器電源解決方案數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-13 11:24:340 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有同步降壓控制器、2A LDO和緩沖基準(zhǔn)的TPS51716完整DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR3和DDR4內(nèi)存電源解決方案數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-13 11:13:440 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《完整的DDR、DDR2和DDR3內(nèi)存電源解決方案同步降壓控制器數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-13 10:16:450 云塔科技(安努奇)發(fā)布世界首個(gè)LB/MB/HB/UHB四工器,基于云塔自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的SPD技術(shù),其芯片制程工藝實(shí)現(xiàn)100%國(guó)產(chǎn)化。
2024-03-11 11:33:39232 據(jù)介紹,這是業(yè)界首次將PCB熱涂層技術(shù)應(yīng)用于超頻內(nèi)存中。該技術(shù)能夠?qū)?b class="flag-6" style="color: red">內(nèi)存的運(yùn)行速率提升至每秒8000兆次以上,同時(shí)保持系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。
2024-03-07 14:21:35155 存儲(chǔ)器解決方案的全球領(lǐng)導(dǎo)者鎧俠株式會(huì)社宣布,該公司已開(kāi)始提供業(yè)界首款面向車(chē)載應(yīng)用的通用閃存(UFS)4.0版嵌入式閃存設(shè)備的樣品。
2024-02-22 16:21:51612 美光科技近日宣布推出業(yè)界首款標(biāo)準(zhǔn)低功耗壓縮附加內(nèi)存模塊(LPCAMM2),這款產(chǎn)品提供了從16GB至64GB的容量選項(xiàng),旨在為PC提供更高性能、更低功耗、更緊湊的設(shè)計(jì)空間及模塊化設(shè)計(jì)。
2024-01-19 16:20:47262 DDR6和DDR5內(nèi)存的區(qū)別有多大?怎么選擇更好? DDR6和DDR5是兩種不同的內(nèi)存技術(shù),它們各自在性能、功耗、帶寬等方面都有不同的特點(diǎn)。下面將詳細(xì)比較這兩種內(nèi)存技術(shù),以幫助你選擇更適合
2024-01-12 16:43:052850 DDR5已經(jīng)開(kāi)始商用,但是有的產(chǎn)品還才開(kāi)始使用DDR4。本文分享一些DDR4的測(cè)試內(nèi)容。DDR4 和前代的 DDR3 相比, 它的速度大幅提升,最高可以達(dá)到 3200Mb/s,這樣高速的信號(hào),對(duì)信號(hào)完整性的要求就更加嚴(yán)格,JESD79‐4 規(guī)范也對(duì) DDR4 信號(hào)的測(cè)量提出了一些要求。
2024-01-08 09:18:24463 近日,瀾起科技宣布推出DDR5第四子代寄存時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器芯片(DDR5 RCD04),該芯片支持高達(dá)7200 MT/s的數(shù)據(jù)速率,較DDR5第一子代RCD速率提升50%,
2024-01-04 09:26:58289 AWMF-0224 雙通道中頻收發(fā)器 IC 如有需求歡迎聯(lián)系A(chǔ)WMF-0224 是業(yè)界首款完全集成的雙通道 IF 上/下轉(zhuǎn)換器,帶有集成 PLL/VCO LO 合成器。該半雙工
2024-01-02 11:57:33
由于內(nèi)存接口芯片的大規(guī)模商用要經(jīng)過(guò)下游廠商的多重認(rèn)證,還要攻克低功耗內(nèi)存接口芯片的核心技術(shù)難關(guān),從 DDR4 世代開(kāi)始,全球內(nèi)存接口芯片廠商僅剩 Rambus、瀾起科技和瑞薩(原 IDT)三家廠商。
2024-01-02 10:36:52194 作為業(yè)界領(lǐng)先的芯片和半導(dǎo)體IP供應(yīng)商,致力于使數(shù)據(jù)傳輸更快更安全,Rambus Inc.(納斯達(dá)克股票代碼:RMBS)今日宣布推出最先進(jìn)的第四代?DDR5 寄存時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器 (RCD),并于 2023
2023-12-28 11:21:57211 )
DDR3內(nèi)存條,240引腳(120針對(duì)每側(cè))
DDR4內(nèi)存條,288引腳(144針對(duì)每側(cè))
DDR5內(nèi)存條,288引腳(144針對(duì)每側(cè))
DDR芯片引腳功能如下圖所示:
DDR數(shù)據(jù)線的分組
2023-12-25 14:02:58
)
DDR3內(nèi)存條,240引腳(120針對(duì)每側(cè))
DDR4內(nèi)存條,288引腳(144針對(duì)每側(cè))
DDR5內(nèi)存條,288引腳(144針對(duì)每側(cè))
DDR芯片引腳功能如下圖所示:
DDR數(shù)據(jù)線的分組
2023-12-25 13:58:55
日前,國(guó)科微正式發(fā)布基于8K超高清顯示芯片GK6780V100的OpenHarmony開(kāi)發(fā)平臺(tái),這也是業(yè)界首款支持TV及商顯的標(biāo)準(zhǔn)OpenHarmony平臺(tái),為OpenHarmony生態(tài)帶來(lái)全新的高性能SoC芯片支持。
2023-12-01 09:14:14203 法人方面解釋說(shuō):“標(biāo)準(zhǔn)型dram和nand目前由三星、sk hynix、美光等跨國(guó)企業(yè)主導(dǎo),因此,中臺(tái)灣企業(yè)在半導(dǎo)體制造方面無(wú)法與之抗衡?!痹?b class="flag-6" style="color: red">ddr3 ddr3的情況下,臺(tái)灣制造企業(yè)表現(xiàn)出強(qiáng)勢(shì)。ddr3的價(jià)格也隨之上漲,給臺(tái)灣半導(dǎo)體企業(yè)帶來(lái)了很大的幫助。
2023-11-14 11:29:36405 日本定制芯片開(kāi)發(fā)商 Socionext 發(fā)布了業(yè)界首款 32 核數(shù)據(jù)中心級(jí)芯片,該芯片將采用臺(tái)積電 2nm 級(jí)制造工藝制造。
2023-10-30 18:21:37487 DDR4和DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別? 隨著計(jì)算機(jī)的日益發(fā)展,內(nèi)存也越來(lái)越重要。DDR3和DDR4是兩種用于計(jì)算機(jī)內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)。隨著DDR4內(nèi)存的逐漸普及,更多的人開(kāi)始對(duì)兩者有了更多的關(guān)注。 DDR3
2023-10-30 09:22:003885 2023年10月27日,瀾起科技宣布在業(yè)界率先試產(chǎn)DDR5第三子代寄存時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器芯片M88DR5RCD03,該芯片應(yīng)用于DDR5 RDIMM內(nèi)存模組,旨在進(jìn)一步提升內(nèi)存數(shù)據(jù)訪問(wèn)的速度及穩(wěn)定性,滿足新一代服務(wù)器平臺(tái)對(duì)容量、帶寬、訪問(wèn)延遲等內(nèi)存性能的更高要求。
2023-10-27 11:30:41508 DDR3是2007年推出的,預(yù)計(jì)2022年DDR3的市場(chǎng)份額將降至8%或以下。但原理都是一樣的,DDR3的讀寫(xiě)分離作為DDR最基本也是最常用的部分,本文主要闡述DDR3讀寫(xiě)分離的方法。
2023-10-18 16:03:56516 來(lái)源:比科奇 PC802基帶解決方案可支持三個(gè)LTE小區(qū)或兩個(gè)5G小區(qū)在TDD和FDD不同雙工方式下的所有組合和最大吞吐 5G開(kāi)放式RAN基帶芯片和電信級(jí)軟件提供商比科奇(Picocom)今日宣布
2023-10-11 15:23:18456 香橙派是一款開(kāi)源的單板卡片電腦,新一代的 arm 開(kāi)發(fā)板,它可以運(yùn)行Android 4.4、Ubuntu、Debian 等操作系統(tǒng),兼容樹(shù)莓派。香橙派開(kāi)發(fā)板(Lite)使用全志 H3 系統(tǒng)級(jí)芯片,同時(shí)擁有 512MB DDR3 內(nèi)存。
2023-10-10 06:00:40
業(yè)界首款擁有硬核USB的人工智能&嵌入式視覺(jué)應(yīng)用FPGA,拓展小型、低功耗FPGA產(chǎn)品系列 — 中國(guó)上?!?2023 年 9 月 27 日 ——萊迪思半導(dǎo)體公司(NASDAQ: LSCC),低功耗
2023-10-08 14:39:07573 卡片電腦,它可以運(yùn)行Android 4.4、Ubuntu 和 Debian 等操作系統(tǒng)。悟空派開(kāi)發(fā)板使用全志 H3 系統(tǒng)級(jí)芯片,同時(shí)擁有 256MB/512MB DDR3 內(nèi)存。
上電測(cè)試:
找到一根
2023-09-30 19:03:11
摘要:本文將對(duì)DDR3和DDR4兩種內(nèi)存技術(shù)進(jìn)行詳細(xì)的比較,分析它們的技術(shù)特性、性能差異以及適用場(chǎng)景。通過(guò)對(duì)比這兩種內(nèi)存技術(shù),為讀者在購(gòu)買(mǎi)和使用內(nèi)存產(chǎn)品時(shí)提供參考依據(jù)。
2023-09-27 17:42:101088 我們?cè)谫I(mǎi)DDR內(nèi)存條的時(shí)候,經(jīng)常會(huì)看到這樣的標(biāo)簽DDR3-1066、DDR3-2400等,這些名稱都有什么含義嗎?請(qǐng)看下表。
2023-09-26 11:35:331922 時(shí),就需要外擴(kuò)DDR SRAM二級(jí)存儲(chǔ)來(lái)滿足需求。
本期的主角盤(pán)古PGL50H FPGA就貼心的在核心板上,為我們配備了兩片DDR3的芯片,來(lái)完成二級(jí)存儲(chǔ)的需求。
兩片DDR3組成32bit的總線數(shù)據(jù)
2023-09-21 23:37:30
相對(duì)于DDR3, DDR4首先在外表上就有一些變化,比如DDR4將內(nèi)存下部設(shè)計(jì)為中間稍微突出,邊緣變矮的形狀,在中央的高點(diǎn)和兩端的低點(diǎn)以平滑曲線過(guò)渡,這樣的設(shè)計(jì)可以保證金手指和內(nèi)存插槽有足夠的接觸面
2023-09-19 14:49:441481 以MT41J128M型號(hào)為舉例:128Mbit=16Mbit*8banks 該DDR是個(gè)8bit的DDR3,每個(gè)bank的大小為16Mbit,一共有8個(gè)bank。
2023-09-15 15:30:09629 DDR3帶寬計(jì)算之前,先弄清楚以下內(nèi)存指標(biāo)。
2023-09-15 14:49:462497 一看到DDR,聯(lián)想到的就是高速,一涉及到高速板有些人就比較茫然。高速板主要考慮兩個(gè)問(wèn)題點(diǎn),當(dāng)然其它3W,2H是基本點(diǎn)。
2023-09-15 11:42:37757 在全默認(rèn)設(shè)置的情況下,影馳HOF OC Lab幻跡S DDR5 8000內(nèi)存的工作速率為DDR5 4800,延遲設(shè)定為40-40-40-76,因此在這個(gè)設(shè)置下它的內(nèi)存性能并不突出,與普通的DDR5 4800內(nèi)存相當(dāng)。
2023-09-15 10:40:42750 內(nèi)置校準(zhǔn): DDR3和DDR4控制器通常具有內(nèi)置的校準(zhǔn)機(jī)制,如ODT (On-Die Termination)、ZQ校準(zhǔn)和DLL (Delay Locked Loop)。這些機(jī)制可以自動(dòng)調(diào)整驅(qū)動(dòng)和接收電路的特性,以優(yōu)化信號(hào)完整性和時(shí)序。
2023-09-11 09:14:34420 悟空派是一款開(kāi)源的單板卡片電腦,新一代的arm開(kāi)發(fā)板,它可以運(yùn)行Android 4.4、Ubuntu 和 Debian 等操作系統(tǒng)。悟空派開(kāi)發(fā)板 (悟空派H3 Zero) 使用全志 H3 系統(tǒng)級(jí)芯片,同時(shí)擁有 256MB/512MB DDR3 內(nèi)存。
2023-09-07 11:10:22
本文介紹一個(gè)FPGA開(kāi)源項(xiàng)目:DDR3讀寫(xiě)。該工程基于MIG控制器IP核對(duì)FPGA DDR3實(shí)現(xiàn)讀寫(xiě)操作。
2023-09-01 16:23:19741 本文開(kāi)源一個(gè)FPGA項(xiàng)目:基于AXI總線的DDR3讀寫(xiě)。之前的一篇文章介紹了DDR3簡(jiǎn)單用戶接口的讀寫(xiě)方式:《DDR3讀寫(xiě)測(cè)試》,如果在某些項(xiàng)目中,我們需要把DDR掛載到AXI總線上,那就要通過(guò)MIG IP核提供的AXI接口來(lái)讀寫(xiě)DDR。
2023-09-01 16:20:371887 MCU200T的DDR3在官方給的如下圖兩份文件中都沒(méi)有詳細(xì)的介紹。
在introduction文件中只有簡(jiǎn)略的如下圖的一句話的介紹
在schematic文件中也沒(méi)有明確表明每個(gè)接口的具體信息
2023-08-17 07:37:34
在配置DDR200T的DDR3時(shí),一些關(guān)鍵參數(shù)的選擇在手冊(cè)中并沒(méi)有給出,以及.ucf引腳約束文件也沒(méi)有提供,請(qǐng)問(wèn)這些信息應(yīng)該從哪里得到?
2023-08-16 07:02:57
復(fù)制Vivado工程路徑vivado_prj\at7.srcs\sources_1\ip\mig_7series_0下的mig_7series_0文件夾。粘貼到仿真路徑testbench\tb_ddr3_cache(新建用于DDR3仿真的文件夾)下。
2023-08-12 11:08:27735 PH1A100是否支持DDR3,DDR4
2023-08-11 06:47:32
DDR5的主板不支持使用DDR4內(nèi)存。DDR5(第五代雙倍數(shù)據(jù)率)和DDR4(第四代雙倍數(shù)據(jù)率)是兩種不同規(guī)格的內(nèi)存技術(shù),它們?cè)陔姎馓匦院鸵_布局上存在明顯差異。因此,DDR5內(nèi)存模塊無(wú)法插入DDR4主板插槽中,也不兼容DDR4內(nèi)存控制器。
2023-08-09 15:36:2512794 xilinx平臺(tái)DDR3設(shè)計(jì)教程之設(shè)計(jì)篇_中文版教程3
2023-08-05 18:39:58
以下內(nèi)存設(shè)備:
?雙倍數(shù)據(jù)速率3(DDR3)SDRAM。
?低壓DDR3 SDRAM。
?雙倍數(shù)據(jù)速率4(DDR4)SDRAM。
2023-08-02 11:55:49
內(nèi)存設(shè)備:
?雙倍數(shù)據(jù)速率3(DDR3)SDRAM。
?低壓DDR3 SDRAM。
?雙倍數(shù)據(jù)速率4(DDR4)SDRAM
2023-08-02 08:30:00
DDR是運(yùn)行內(nèi)存芯片,其運(yùn)行頻率主要有100MHz、133MHz、166MHz三種,由于DDR內(nèi)存具有雙倍速率傳輸數(shù)據(jù)的特性,因此在DDR內(nèi)存的標(biāo)識(shí)上采用了工作頻率×2的方法。 ? DDR芯片
2023-07-28 13:12:061877 Micron Technology Inc.(美光科技股份有限公司,納斯達(dá)克股票代碼:MU)今日宣布,公司已開(kāi)始出樣業(yè)界首款 8 層堆疊的 24GB 容量第二代 HBM3 內(nèi)存,其帶寬超過(guò)
2023-07-28 11:36:40535 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PI2DDR3212和PI3DDR4212在DDR3/DDR4中應(yīng)用.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-07-24 09:50:470 DDR是Double Data Rate的縮寫(xiě),即“雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器”。DDR是一種技術(shù),中國(guó)大陸工程師習(xí)慣用DDR稱呼用了DDR技術(shù)的SDRAM,而在中國(guó)臺(tái)灣以及歐美,工程師習(xí)慣用DRAM來(lái)稱呼。
2023-07-16 15:27:103362 DDR3的速度較高,如果控制芯片封裝較大,則不同pin腳對(duì)應(yīng)的時(shí)延差異較大,必須進(jìn)行pin delay時(shí)序補(bǔ)償。
2023-07-04 09:25:38312 包含關(guān)鍵的驅(qū)動(dòng)、邏輯、保護(hù)和電源功能,消除了傳統(tǒng)半橋解決方案中相關(guān)的能量損失、成本過(guò)高和設(shè)計(jì)復(fù)雜的問(wèn)題。
納微推出的世界上首款氮化鎵功率芯片同時(shí)能提供高頻率和高效率,實(shí)現(xiàn)了電力電子領(lǐng)域的高速革命
2023-06-15 14:17:56
一、實(shí)驗(yàn)要求
生成 DDR3 IP 官方例程,實(shí)現(xiàn) DDR3 的讀寫(xiě)控制,了解其工作原理和用戶接口。
二、DDR3 控制器簡(jiǎn)介
PGL50H 為用戶提供一套完整的 DDR memory 控制器
2023-05-31 17:45:39
我正在使用帶有 ECC 芯片的 4GB DDR3 RAM 連接到 T1040 處理器 DDR 控制器。
我嘗試了這個(gè)序列,但未能成功生成 DDR 地址奇偶校驗(yàn)錯(cuò)誤:
步驟1:
ERR_INT_EN
2023-05-31 06:13:03
和筆記本。內(nèi)存模組的類型決定了所需的內(nèi)存接口芯片和內(nèi)存模組配套芯片。 ? ? ? 內(nèi)存進(jìn)入 DDR5 新世代,標(biāo)準(zhǔn)升級(jí)拉動(dòng)相關(guān)芯片需求。與 DDR4 相比, DDR5 的優(yōu)勢(shì)可簡(jiǎn)單地概括為: ( 1)速度
2023-05-29 14:07:381359 S32G3開(kāi)發(fā)板上使用的ddr芯片是micro MT53E1G32D2FW-046 AUT: B
但是我們的開(kāi)發(fā)板使用的是三星的芯片(K4FBE3D4HM THCL)。
如何查看 S32G3 支持的 DDR 芯片?。以及如何支持新的DDR芯片?
2023-05-23 07:15:48
MES50HP 開(kāi)發(fā)板簡(jiǎn)介
MES50HP 開(kāi)發(fā)板集成兩顆 4Gbit(512MB)DDR3 芯片,型號(hào)為 MT41K256M16。DDR3 的總線寬度共為 32bit。DDR3 SDRAM 的最高
2023-05-19 14:28:45
問(wèn)題。
1) 這個(gè)128MB EIM 內(nèi)存的物理位置在哪里?
是imx6的內(nèi)存還是fpga的內(nèi)存?還是外接DDR內(nèi)存?
2) 我們將 CS0 用作單個(gè)緩沖區(qū)。
我想使用像環(huán)形緩沖區(qū)這樣的多緩沖區(qū)。
我如何開(kāi)始將其實(shí)現(xiàn)為環(huán)形緩沖區(qū)?
如果您能告訴我相關(guān)的應(yīng)用說(shuō)明或技術(shù)鏈接,我將不勝感激。
2023-05-19 08:50:45
你好 :
專家,我們想使用S32R45和DDR3,你能幫我在哪里找到示例項(xiàng)目或用例嗎?
2023-05-17 08:13:46
在 i.MX6 SOLO 中有沒(méi)有辦法讀取芯片 DDR3 的大???
2023-05-06 07:04:11
DDR3,數(shù)據(jù)速率1066Mbps,32bitPL端內(nèi)存:1GB DDR3,數(shù)據(jù)速率1600Mbps,32bitGTX收發(fā)器:16X速度等級(jí):對(duì)標(biāo)進(jìn)口-2芯片級(jí)別:工業(yè)級(jí)工作溫度:-40℃-100
2023-04-13 16:04:38
RF3518產(chǎn)品簡(jiǎn)介Qorvo 的 RF3518 單頻帶線性功率放大器在 3.4V、50 歐姆移動(dòng)設(shè)備中支持 B8 (880-915MHz),專為 3G UMTS 傳輸而設(shè)計(jì)。RF3518 滿足
2023-04-06 15:27:32
DDR內(nèi)存1代已經(jīng)淡出市場(chǎng),直接學(xué)習(xí)DDR3 SDRAM感覺(jué)有點(diǎn)跳躍;如下是DDR1、DDR2以及DDR3之間的對(duì)比。
2023-04-04 17:08:472867 技(Synopsys, Inc.,納斯達(dá)克股票代碼:SNPS)隆重推出了業(yè)界首款全棧式AI驅(qū)動(dòng)型EDA解決方案Synopsys.ai,覆蓋了先進(jìn)數(shù)字與模擬芯片的設(shè)計(jì)、驗(yàn)證、測(cè)試和制造環(huán)節(jié)?;诖耍_(kāi)發(fā)者第一次
2023-04-03 16:03:26
評(píng)論
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