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編輯：黃飛
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深度解析GaN功率晶體管技術(shù)及可靠性
- 晶體管(134507)
- GaN功率器件(5947)
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GaN FET在應(yīng)用中的可靠性
鑒于氮化鎵 (GaN) 場效應(yīng)晶體管 (FET) 能夠提高效率并縮小電源尺寸，其采用率正在迅速提高。但在投資這項技術(shù)之前，您可能仍然會好奇GaN 是否具有可靠性。令我驚訝的是，沒有人詢問硅是否具有可靠性。畢竟仍然有新的硅產(chǎn)品不斷問世，電源設(shè)計人員對硅功率器件的可靠性也很關(guān)心。
2022-07-18 10:06:19
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779基于GaN的功率晶體管和集成電路硅分立功率器件
基于GaN的功率晶體管和集成電路的早期成功最初源于GaN與硅相比的速度優(yōu)勢。GaN-on-Si晶體管的開關(guān)速度比MOSFET快10倍，比IGBT快100倍。
2021-04-23 11:27:113112
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GaN HEMT可靠性測試：為什么業(yè)界無法就一種測試標(biāo)準(zhǔn)達成共識
如果基于GaN的HEMT可靠性的標(biāo)準(zhǔn)化測試方法迫在眉睫，那么制造商在幫助同時提供高質(zhì)量GaN器件方面正在做什么？ GaN高電子遷移率晶體管（HEMT）由于其極高的耐高溫性和高功率密度而在半導(dǎo)體行業(yè)中
2020-09-23 10:46:20
GaN可靠性的測試
qualification recipe）即可。由于長期的業(yè)界經(jīng)驗和可靠性模型的驗證，人們現(xiàn)在可以接受將基于標(biāo)準(zhǔn)的測試用于硅材料的做法，不過也有例外的情況。功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管
2018-09-10 14:48:19
GaN晶體管與其驅(qū)動器的封裝集成實現(xiàn)高性能
極大地增加了GaN晶體管柵極的應(yīng)力。需要注意的一點是，任何FET的柵極上的過應(yīng)力都會對可靠性產(chǎn)生負(fù)面影響。柵極環(huán)路電感還會對關(guān)斷保持能力產(chǎn)生巨大影響。當(dāng)?shù)?b class="flag-6" style="color: red">管器件的柵極保持在關(guān)閉電壓時，并且高管器件接通
2018-08-30 15:28:30
可靠性是什么？
廠子，和用了5年后相比，它出故障的概率顯然小了很多?！ 耙?guī)定功能”是指產(chǎn)品規(guī)定了的必須具備的功能及其技術(shù)指標(biāo)。所要求產(chǎn)品功能的多少和其技術(shù)指標(biāo)的高低，直接影響到產(chǎn)品可靠性指標(biāo)的高低。例如，電風(fēng)扇的主要功能有轉(zhuǎn)
2015-08-04 11:04:27
可靠性檢技術(shù)及可靠性檢驗職業(yè)資格取證
中國電子電器可靠性工程協(xié)會 關(guān)于舉辦“可靠性檢技術(shù)及可靠性檢驗職業(yè)資格取證”培訓(xùn)班的通知各有關(guān)單位： 根據(jù)《中華人民共和國勞動法》勞動和社會保障部《招用技術(shù)
2010-08-27 08:25:03
晶體管參數(shù)測量技術(shù)報告
晶體管參數(shù)測量技術(shù)報告摘 要晶體管的參數(shù)是用來表征管子性能優(yōu)劣和適應(yīng)范圍的指標(biāo)，是選管的依據(jù)。為了使管子安全可靠的工作，必須注意它的參數(shù)。本文主要論述以AduC812為核心的晶體管參數(shù)測試系統(tǒng)，該系
2012-08-02 23:57:09
晶體管和FET實用設(shè)計教材《晶體管電路設(shè)計(下)》
` 《晶體管電路設(shè)計（下）》是“實用電子電路設(shè)計叢書”之一，共分上下二冊。本書作為下冊主要介紹晶體管／FET電路設(shè)計技術(shù)的基礎(chǔ)知識和基本實驗，內(nèi)容包括FET放大電路、源極跟隨器電路、功率
2019-03-06 17:29:48
晶體管電路設(shè)計
從事電子設(shè)計7年了，發(fā)覺這兩本書挺好的，發(fā)上來給大家分享一下附件晶體管電路設(shè)計（上）放大電路技術(shù)的實驗解析.pdf42.5 MB晶體管電路設(shè)計（下）FET_功率MOS_開關(guān)電路的實驗解析.rar.zip47.2 MB
2018-12-13 09:04:31
晶體管的代表形狀
的IC。2. 按功率分類主要以最大額定值的集電極功率PC進行區(qū)分的方法。大體分為小信號晶體管和功率晶體管，一般功率晶體管的功率超過1W。ROHM的小信號晶體管可以說是業(yè)界第一的。小信號晶體管最大
2019-04-10 06:20:24
晶體管的分類與特征
的電流、電壓和應(yīng)用進行分類。 下面以“功率元器件”為主題，從眾多晶體管中選取功率類元器件展開說明。其中，將以近年來控制大功率的應(yīng)用中廣為采用的MOSFET為主來展開。 先來看一下晶體管的分類與特征
2020-06-09 07:34:33
晶體管的分類與特征
題，從眾多晶體管中選取功率類元器件展開說明。其中，將以近年來控制大功率的應(yīng)用中廣為采用的MOSFET為主來展開。首先是基礎(chǔ)性的內(nèi)容，來看一下晶體管的分類與特征。Si晶體管的分類Si晶體管的分類根據(jù)
2018-11-28 14:29:28
晶體管的開關(guān)作用有哪些？
100V到700V，應(yīng)有盡有．幾年前，晶體管的開關(guān)能力還小于10kW。目前，它已能控制高達數(shù)百千瓦的功率。這主要歸功于物理學(xué)家、技術(shù)人員和電路設(shè)計人員的共同努力，改進了功率晶體管的性能。如(1)開關(guān)晶體管
2018-10-25 16:01:51
晶體管的選用經(jīng)驗
、S9012、S9014、S9015、2N5551、2N5401、BC337、BC338、BC548、BC558等型號的小功率晶體管，可根據(jù)電路的要求選擇晶體管的材料與極性，還要考慮被選晶體管的耗散
2012-01-28 11:27:38
CGHV96050F1衛(wèi)星通信氮化鎵高電子遷移率晶體管CREE
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類產(chǎn)品相比，這些GaN內(nèi)部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化鎵
2024-01-19 09:27:13
CGHV96100F2晶體管
是碳化硅（SiC）襯底上的氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。這種GaN內(nèi)匹配（IM）場效應(yīng)晶體管與其他技術(shù)相比，提供了優(yōu)異的功率附加效率。GaN與硅或砷化鎵相比具有更高的性能，包括更高
2018-08-13 10:58:03
CGHV96100F2氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 該GaN內(nèi)部匹配（IM）FET與其他技術(shù)相比，具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
CMPA801B025F氮化鎵（GaN）高電子遷移率 基于晶體管
和更高導(dǎo)熱系數(shù)。 GaN HEMT還提供更高的功率密度和更寬的功率范圍相較于Si和GaAs晶體管的帶寬。 此MMIC可用于10引線金屬/陶瓷法蘭封裝（CMPA801B025F）或小型藥丸包裝
2020-12-03 11:46:10
Diodes Inc MMBT39x車用晶體管
的NPN和PNP晶體管系列，符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)，具有高可靠性。 SOT23封裝尺寸適用于卷軸。推薦產(chǎn)品：MMBT3904T-7-F；MMBT3906-7-F；MMBT3904-7-FDiodes其它
2019-08-17 09:43:27
FHX35X高電子遷移率晶體管（HEMT）
金屬化技術(shù)，可靠性高噪聲系數(shù)NF典型值。（D b）1.2相關(guān)增益氣體典型值 （D b）10漏極電壓VDS（V）2個漏極電流lDS（mA）10頻率f（GHz）12應(yīng)用低噪聲放大器筆記Tc（op）= + 25
2021-03-30 11:21:24
GaAs和GaN寬帶功率放大器電路設(shè)計考慮因素
GaN設(shè)備的一個不太明顯的優(yōu)勢就是，能夠?qū)崿F(xiàn)給定RF功率水平，可能是4 W。晶體管尺寸將會更小，從而實現(xiàn)更高的每級增益。這將帶來更少的設(shè)計級，最終實現(xiàn)更高效率。這些級聯(lián)放大器技術(shù)的挑戰(zhàn)在于，在不顯著降低
2018-10-17 10:35:37
IB0810M210功率晶體管
脈沖功率。 在沒有外部調(diào)諧的情況下，所有設(shè)備都在寬帶RF測試夾具中100％屏蔽了大信號RF參數(shù)。硅雙極匹配50歐姆210W輸出功率經(jīng)過100％大功率射頻測試C級操作IB0607S10功率晶體管
2021-04-01 10:07:29
IB0912M600是一種高功率脈沖晶體管器件
500W的峰值脈沖功率。 該雙極晶體管利用金金屬化系統(tǒng)來實現(xiàn)最大的可靠性。 發(fā)射極鎮(zhèn)流電阻集成在有源電池中，可實現(xiàn)最佳的熱分布和最大的可靠性。 所有設(shè)備都針對大信號RF參數(shù)進行了100％篩選。硅雙極
2021-04-01 09:41:49
IB0912M600是一種高功率脈沖晶體管器件
500W的峰值脈沖功率。 該雙極晶體管利用金金屬化系統(tǒng)來實現(xiàn)最大的可靠性。 發(fā)射極鎮(zhèn)流電阻集成在有源電池中，可實現(xiàn)最佳的熱分布和最大的可靠性。 所有設(shè)備都針對大信號RF參數(shù)進行了100％篩選。硅雙極
2021-04-01 10:29:42
IB1011M800是高功率脈沖航空電子晶體管
至少800W的峰值脈沖功率。 該雙極晶體管利用金金屬化系統(tǒng)來實現(xiàn)最大的可靠性。 發(fā)射極鎮(zhèn)流電阻集成在有源電池中，可實現(xiàn)最佳的熱分布和最大的可靠性。 所有設(shè)備都針對大信號RF參數(shù)進行了100％篩選。硅雙
2021-04-01 10:11:46
IB3042-5晶體管
于1997年，是一家通過ISO 9001：2008認(rèn)證的射頻功率晶體管，托盤和高功率放大器（HPA）認(rèn)證的制造商。 這些產(chǎn)品基于GaN HEMT和Si LDMOS，VDMOS和雙極技術(shù)。產(chǎn)品型號
2019-05-14 11:00:13
IB3042-5晶體管
的高功率晶體管產(chǎn)品組合。我們目前的產(chǎn)品提供超過80％的效率，并利用GaN-on-SiC，Si-LDMOS和Si-VDMOS半導(dǎo)體技術(shù)。我們還致力于制造一些首批Si-bipolar器件，從而支持傳統(tǒng)方案
2019-04-15 15:12:37
IGN0450M250高功率GaN-on-SiC RF功率晶體管
基于SiC HEMT技術(shù)的GaN輸出功率> 250W預(yù)匹配的輸入阻抗極高的效率-高達80％在100ms，10％占空比脈沖條件下進行了100％RF測試IGN0450M250功率晶體管
2021-04-01 10:35:32
IGN1090M800雷達晶體管
Technologies公司成立于1997年，是一家通過ISO 9001：2008認(rèn)證的射頻功率晶體管，托盤和高功率放大器（HPA）認(rèn)證的制造商。 這些產(chǎn)品基于GaN HEMT和Si LDMOS，VDMOS
2019-05-20 09:16:24
IGN2856S40晶體管現(xiàn)貨
和雙極技術(shù)。產(chǎn)品型號：IGN2856S40產(chǎn)品名稱：晶體管IGN2856S40產(chǎn)品特性SiC HEMT技術(shù)中的GaN500瓦輸出功率AB類操作預(yù)匹配內(nèi)阻抗100%高功率射頻測試負(fù)柵電壓/偏置序列
2018-11-12 11:14:03
IGN2856S40是高功率脈沖晶體管
，裝在基于金屬的封裝中，并用陶瓷環(huán)氧樹脂蓋密封。GaN on SiC HEMT技術(shù)40W輸出功率AB類操作預(yù)先匹配的內(nèi)部阻抗經(jīng)過100％大功率射頻測試負(fù)柵極電壓/偏置排序IGN2731M5功率晶體管
2021-04-01 09:57:55
IGT2731L120雷達晶體管現(xiàn)貨
9001：2008認(rèn)證的射頻功率晶體管，托盤和高功率放大器（HPA）認(rèn)證的制造商。 這些產(chǎn)品基于GaN HEMT和Si LDMOS，VDMOS和雙極技術(shù)。相關(guān)
2018-11-12 10:26:20
MACOM射頻功率產(chǎn)品概覽
、通訊、網(wǎng)絡(luò)、雷達、工業(yè)、科研、以及醫(yī)療領(lǐng)域。我們的全鍍金制造工藝確保了產(chǎn)品的高性能和長期可靠性。我們的雙極晶體管旨在為用戶嚴(yán)苛的應(yīng)用提供可靠的解決方案。射頻功率晶體管 - 硅MOSFETMACOM公司
2017-08-14 14:41:32
NPT2020射頻晶體管
化鎵或砷化鋁鎵技術(shù)的這類二極管。產(chǎn)品型號：NPT2020產(chǎn)品名稱：射頻晶體管NPT2020產(chǎn)品特性GaN上硅HEMT耗盡型晶體管適合線性和飽和應(yīng)用從直流3.5 GHz調(diào)諧48 V操作3.5 GHz
2018-09-26 09:04:23
NPTB00025B射頻功率晶體管介紹
500-1000MHz的10W P3dB CW寬帶功率25W P3dB CW窄帶功率受EAR99出口管制無鉛高可靠性金金屬化工藝符合RoHS技術(shù)指標(biāo)電源電壓：28 VPSAT：25 W增益：13 dB測試
2019-11-01 10:46:19
PH1214-220M脈沖功率晶體管現(xiàn)貨
和醫(yī)療應(yīng)用。 我們所有的金金屬化制造工藝都能確保高性能和長期可靠性。產(chǎn)品名稱: 雷達脈沖功率晶體管PH1214-220M產(chǎn)品特性NPN硅微波功率晶體管符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)密封金屬/陶瓷封裝擴散發(fā)射器鎮(zhèn)流電
2018-05-21 15:49:50
PH1214-220M雷達脈沖功率晶體管
和醫(yī)療應(yīng)用。 我們所有的金金屬化制造工藝都能確保高性能和長期可靠性。 產(chǎn)品名稱: 雷達脈沖功率晶體管PH1214-220M產(chǎn)品特性NPN硅微波功率晶體管符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)密封金屬/陶瓷封裝擴散發(fā)射器鎮(zhèn)流電
2018-07-06 09:47:57
PH1214-220M雷達脈沖功率晶體管
和醫(yī)療應(yīng)用。 我們所有的金金屬化制造工藝都能確保高性能和長期可靠性。產(chǎn)品名稱: 雷達脈沖功率晶體管PH1214-220M產(chǎn)品特性NPN硅微波功率晶體管符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)密封金屬/陶瓷封裝擴散發(fā)射器鎮(zhèn)流電
2018-07-06 09:46:43
PH1214-220M雷達脈沖功率晶體管
應(yīng)用。 我們所有的金金屬化制造工藝都能確保高性能和長期可靠性。產(chǎn)品名稱: 雷達脈沖功率晶體管PH1214-220M產(chǎn)品特性NPN硅微波功率晶體管符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)密封金屬/陶瓷封裝擴散發(fā)射器鎮(zhèn)流電
2018-07-13 14:16:37
PH1214-220M雷達脈沖功率晶體管現(xiàn)貨
應(yīng)用。 我們所有的金金屬化制造工藝都能確保高性能和長期可靠性。產(chǎn)品名稱: 雷達脈沖功率晶體管PH1214-220M產(chǎn)品特性NPN硅微波功率晶體管符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)密封金屬/陶瓷封裝擴散發(fā)射器鎮(zhèn)流電
2018-11-12 11:02:34
QPD1020射頻功率晶體管
QPD1020射頻功率晶體管產(chǎn)品介紹QPD1020報價QPD1020代理QPD1020咨詢熱線QPD1020現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質(zhì)誠科技有限公司QPD1020是30 W（p3db），50歐姆輸入
2018-07-27 11:20:12
RF功率晶體管耐用性的三個電氣參數(shù)驗證
能夠在高輸出功率電平下承受嚴(yán)苛的負(fù)載失配狀況而不降低性能或造成器件故障。當(dāng)晶體管工作在負(fù)載失配狀態(tài)下時，它的輸出功率有很大一部分會被反射進器件，此時功率必須在晶體管中耗散掉。但在比較不同耐用性的晶體管時，重要的是檢查不同器件制造商達到其耐用性結(jié)果的條件，因為不同制造商的測試條件可能有很大變化。
2019-06-26 07:11:37
SGNE045MK晶體管
電流和寬帶應(yīng)用。高壓操作：VDS = 50V高功率：47.5dBm（典型值）@Psat高效率：55％（典型值）@Psat線性增益：16.0dB（典型值）@ f = 2.2GHz經(jīng)驗證的可靠性頻率（GHz
2021-03-30 11:32:19
SiC-MOSFET功率晶體管的結(jié)構(gòu)與特征比較
繼前篇內(nèi)容，繼續(xù)進行各功率晶體管的比較。本篇比較結(jié)構(gòu)和特征。功率晶體管的結(jié)構(gòu)與特征比較下圖是各功率晶體管的結(jié)構(gòu)、耐壓、導(dǎo)通電阻、開關(guān)速度的比較。使用的工藝技術(shù)不同結(jié)構(gòu)也不同，因而電氣特征也不同。補充
2018-11-30 11:35:30
【PCB】什么是高可靠性？
專業(yè)學(xué)術(shù)組織——可靠性技術(shù)組。1950年12月，美國成立了“電子設(shè)備可靠性專門委員會”，軍方、武器制造公司及學(xué)術(shù)界開始介入可靠性研究，到1952年3月便提出了具有深遠(yuǎn)影響的建議；研究成果首先應(yīng)用于航天
2020-07-03 11:09:11
【下載】《晶體管電路設(shè)計》——晶體管電路基礎(chǔ)知識匯總
放大電路的設(shè)計與制作，下冊則共分15章，主要介紹FET、功率MOS、開關(guān)電源電路等?！?b class="flag-6" style="color: red">晶體管電路設(shè)計》(上)面向?qū)嶋H需要，理論聯(lián)系實際，通過大量具體的實驗，通俗易懂地介紹晶體管電路設(shè)計的基礎(chǔ)知識
2017-07-25 15:29:55
什么是GaN透明晶體管？
晶體管通道完全閉合；二維過渡金屬二硫化物受損于其比透明導(dǎo)電氧化物還低的載流子遷移率?！ ≡谛录悠?麻省理工學(xué)院研究與技術(shù)聯(lián)盟，正在先行研發(fā)一種有前景的替代材料：GaN。從光學(xué)角度看，GaN的帶隙為
2020-11-27 16:30:52
什么是晶體管 晶體管的分類及主要參數(shù)
晶體管，鍺PNP晶體管，硅NPN晶體管和硅PNP晶體管。》技術(shù)根據(jù)其結(jié)構(gòu)和制造工藝，晶體管可分為擴散晶體管、合金晶體管和平面晶體管。》 當(dāng)前容量根據(jù)目前的容量，晶體管可分為低功率晶體管、中功率晶體管和高
2023-02-03 09:36:05
什么是RF功率晶體管耐用性驗證方案？
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設(shè)計的器件可以承受嚴(yán)重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此?，F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 08:14:59
什么是達林頓晶體管？
。達林頓通常用于需要低頻高增益的地方。常見應(yīng)用包括音頻放大器輸出級、功率調(diào)節(jié)器、電機控制器和顯示驅(qū)動器?！ ∵_林頓晶體管也被稱為達林頓對，由貝爾實驗室的西德尼達林頓于 1953 年發(fā)明。在 1950
2023-02-16 18:19:11
什么是高可靠性？
市場份額、提高經(jīng)濟效益。五、如何評估PCB是否具備高可靠性？高可靠性是結(jié)合“工程技術(shù)”與“管理藝術(shù)”的一種實踐科學(xué)，穩(wěn)健地產(chǎn)出高可靠PCB須建立一整套“規(guī)范、高效、協(xié)同、可控”的管理程序，要求工廠必須全方位管
2020-07-03 11:18:02
傳聲器管可靠性分析
:SUN:DSJS.0.2010-02-005【正文快照】：1可靠性概述長期以來,國內(nèi)生產(chǎn)的駐極體電容傳聲器(簡稱傳聲器),一直使用由結(jié)型場效應(yīng)晶體管(JFET)和正向箝位二極管D1組成的簡單組合件[1
2010-04-22 11:29:53
單片機應(yīng)用系統(tǒng)的可靠性特點
的可靠性設(shè)計技術(shù)和軟件系統(tǒng)的可靠性設(shè)計技術(shù)的解決方法?？晒﹩纹瑱C應(yīng)用系統(tǒng)的開發(fā)人員借鑒與參考。單片機應(yīng)用系統(tǒng)的設(shè)計包括功能性設(shè)計、可靠性設(shè)計和產(chǎn)品化設(shè)計。其中，功能性是基礎(chǔ)，可靠性是保障，產(chǎn)品化是前途。因此，從事單片機應(yīng)用系統(tǒng)開發(fā)工作的設(shè)計人員必須掌握可靠性設(shè)計。
2021-02-05 07:57:48
基本晶體管開關(guān)電路，使用晶體管開關(guān)的關(guān)鍵要點
）需要幾毫安才能上電，并且可以由邏輯門輸出驅(qū)動。然而，螺線管、燈和電機等大功率電子設(shè)備比邏輯門電源需要更多的電力。輸入晶體管開關(guān)?！ ?b class="flag-6" style="color: red">晶體管開關(guān)操作和操作區(qū)域 圖 1 中圖表上的藍色陰影區(qū)域表示飽和
2023-02-20 16:35:09
增強型GaN功率晶體管設(shè)計過程風(fēng)險的解決辦法
氮化鎵(GaN)是最接近理想的半導(dǎo)體開關(guān)的器件，能夠以非常高的能效和高功率密度實現(xiàn)電源轉(zhuǎn)換。但GaN器件在某些方面不如舊的硅技術(shù)強固，因此需謹(jǐn)慎應(yīng)用，集成正確的門極驅(qū)動對于實現(xiàn)最佳性能和可靠性至關(guān)重要。本文著眼于這些問題，給出一個驅(qū)動器方案，解決設(shè)計過程的風(fēng)險。
2020-10-28 06:59:27
大功率白光LED的應(yīng)用及其可靠性研究
。大功率白光LED作為半導(dǎo)體光源，相比傳統(tǒng)照明光源，有節(jié)能、壽命長、綠色環(huán)保、使用電壓低、開光時間短等特點。大功率白光LED技術(shù)迅速發(fā)展，有著極為廣闊的應(yīng)用前景，而器件的可靠性是實現(xiàn)其廣泛應(yīng)用的保證
2011-08-19 08:41:03
如何實現(xiàn)氮化鎵的可靠運行
幾個月前，我還沒發(fā)現(xiàn)這一點，因為我女兒問我GaN長什么樣子，我才意識到，在家中的節(jié)日彩燈中有數(shù)百個GaN?。耗鞘?b class="flag-6" style="color: red">GaN LED里使用的GaN。GaN可靠性是一個不錯的合作主題。即使GaN晶體管現(xiàn)在通過了
2022-11-16 06:43:23
如何實現(xiàn)高可靠性電源的半導(dǎo)體解決方案
高可靠性系統(tǒng)設(shè)計包括使用容錯設(shè)計方法和選擇適合的組件，以滿足預(yù)期環(huán)境條件并符合標(biāo)準(zhǔn)要求。本文專門探討實現(xiàn)高可靠性電源的半導(dǎo)體解決方案，這類電源提供冗余、電路保護和遠(yuǎn)程系統(tǒng)管理。本文將突出顯示，半導(dǎo)體技術(shù)的改進和新的安全功能怎樣簡化了設(shè)計，并提高了組件的可靠性。
2021-03-18 07:49:20
射頻功率晶體管究竟有多耐用？
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設(shè)計的器件可以承受嚴(yán)重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此。現(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 06:13:27
影響硬件可靠性的因素
一般來說，系統(tǒng)總是由多個子系統(tǒng)組成，而子系統(tǒng)又是由更小的子系統(tǒng)組成，直到細(xì)分到電阻器、電容器、電感、晶體管、集成電路、機械零件等小元件的復(fù)雜組合，其中任何一個元件發(fā)生故障都會成為系統(tǒng)出現(xiàn)故障的原因
2021-01-25 07:13:16
概述晶體管
的IC。2. 按功率分類主要以最大額定值的集電極功率PC進行區(qū)分的方法。大體分為小信號晶體管和功率晶體管，一般功率晶體管的功率超過1W。ROHM的小信號晶體管可以說是業(yè)界第一的。小信號晶體管最大
2019-05-05 01:31:57
氮化鎵功率晶體管與Si SJMOS和SiC MOS晶體管對分分析哪個好？
效率和功率密度。GaN功率晶體管作為一種成熟的晶體管技術(shù)在市場上確立了自己的地位，但在軟開關(guān)應(yīng)用中通常不被考慮使用。雖然在硬開關(guān)應(yīng)用中使用GaN可以顯著提高效率，但軟開關(guān)轉(zhuǎn)換器（如LLC）對效率和頻率
2023-02-27 09:37:29
氮化鎵晶體管GaN的概述和優(yōu)勢
引起的拉應(yīng)力，限制垂直漏極 - 基板泄漏電流并防止導(dǎo)電Si襯底中的深度擊穿路徑，在兩者之間插入晶格緩沖層（圖2）。硅體和晶體管的有源頂側(cè)?！ D2.格緩沖區(qū) 該緩沖器在確定晶體管的關(guān)鍵可靠性特性中起著
2023-02-27 15:53:50
氮化鎵晶體管電路的布局需要考慮哪些因素？
電壓過沖提高系統(tǒng)可靠性。討論了使用GaN晶體管時重要的布局寄生效應(yīng);即共源電感、高頻功率環(huán)路電感和柵極環(huán)路電感。
2023-02-24 15:15:04
用于大功率和頻率應(yīng)用的舍入 GaN 基晶體管
的高可靠性，EPC 公司已經(jīng)宣布了其新的 EPC7019 eGaN 抗輻射功率晶體管器件。EGaN 晶體管采用鈍化模具形式，圖像由 EPC 提供新產(chǎn)品利用 GaN 白光柵材料實現(xiàn)高電子遷移率和低溫系數(shù)。該
2022-06-15 11:43:25
電流旁路對GaN晶體管并聯(lián)配置的影響
將會導(dǎo)致高頻振蕩電壓。如果這些無法解決這些問題，將可能導(dǎo)致晶體管損壞?！ ”M管傳統(tǒng)硅晶體管的并聯(lián)配置技術(shù)已經(jīng)十分成熟，但對于GaN器件并聯(lián)技術(shù)研究還鮮有涉及。考慮到GaN器件驅(qū)動的特殊性以及其高速開關(guān)
2021-01-19 16:48:15
直接驅(qū)動GaN晶體管的優(yōu)點
受益于集成器件保護，直接驅(qū)動GaN器件可實現(xiàn)更高的開關(guān)電源效率和更佳的系統(tǒng)級可靠性。高電壓（600V）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的開關(guān)特性可實現(xiàn)提高開關(guān)模式電源效率和密度的新型
2020-10-27 06:43:42
英飛凌700瓦L波段射頻功率晶體管
所需的組件，降低系統(tǒng)成本，提高可靠性?！ ∮w凌新型功率晶體管PTVA127002EV非常適用于空中交通管制應(yīng)用和氣象觀察應(yīng)用的L波段雷達系統(tǒng)。雷達系統(tǒng)在特定頻率范圍內(nèi)發(fā)射高能電子脈沖，然后檢測脈沖
2018-11-29 11:38:26
飛思卡爾提供多款新型LDMOS和GaN功率晶體管
日前，射頻功率技術(shù)領(lǐng)先供應(yīng)商飛思卡爾宣布為其Airfast RF功率解決方案推出最新成員：包括三個LDMOS功率晶體管與一個氮化鎵（GaN）晶體管，所有產(chǎn)品均超越地面移動市場要求。
2013-06-09 10:18:371842
1842確定GaN產(chǎn)品可靠性的綜合方法
TI正在設(shè)計基于GaN原理的綜合質(zhì)量保證計劃和相關(guān)的應(yīng)用測試來提供可靠的GaN解決方案。氮化鎵（GaN）的材料屬性可使電源開關(guān)具有令人興奮且具有突破性的全新特性—功率GaN。高電子遷移晶體管（HEMT）。
2016-04-25 14:16:152683
2683GaN Systems即將要推出1美元以下的GaN晶體管？
GaN（氮化鎵）功率晶體管的全球領(lǐng)導(dǎo)者GaN Systems今天宣布，其低電流，大批量氮化鎵晶體管的價格已跌至1美元以下。
2021-03-13 11:38:46682
682如何為應(yīng)用的實用性測試GaN的可靠性
qualification recipe）即可。由于長期的業(yè)界經(jīng)驗和可靠性模型的驗證，人們現(xiàn)在可以接受將基于標(biāo)準(zhǔn)的測試用于硅材料的做法，不過也有例外的情況。功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管
2021-11-23 14:36:441419
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如何驗證GaN的可靠性
氮化鎵（GaN）場效應(yīng)晶體管（FET）正迅速獲得采用，因為它能夠提高效率并縮小電源供應(yīng)器尺寸。不過，在投資這個技術(shù)之前，您可能仍會問自己GaN是否可靠。但令我震驚的是，沒有人問硅（Si）是否可靠。其實仍然有新的硅產(chǎn)品持續(xù)上市，電源設(shè)計人員也同樣關(guān)注硅功率組件的可靠性。
2022-08-02 14:24:351307
1307高功率GaN HEMT的可靠性設(shè)計
，達 2,000 cm2/V·s 的 1.3 倍電子遷移率，這意味著與 RDS(ON) 和擊穿電壓相同的硅基器件相比，GaN RF 高電子遷移率晶體管（HEMT）的尺寸要小得多。因此，GaN RF HEMT 的應(yīng)用超出了蜂窩基站和國防雷達范疇，在所有 RF 細(xì)分市場中獲得應(yīng)用。
2022-09-19 09:33:211670
1670GaN的可靠性
鑒于氮化鎵 (GaN) 場效應(yīng)晶體管 (FET) 能夠提高效率并縮小電源尺寸，其采用率正在迅速提高。但在投資這項技術(shù)之前，您可能仍然會好奇GaN是否具有可靠性。令我驚訝的是，沒有人詢問硅是否具有可靠性。畢竟仍然有新的硅產(chǎn)品不斷問世，電源設(shè)計人員對硅功率器件的可靠性也很關(guān)心。
2022-09-20 08:48:00938
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GaN功率器件應(yīng)用可靠性增長研究
GaN功率器件是雷達T/R組件或發(fā)射功放組件中的核心元器件,隨著器件的輸出功率和功率密度越來越高,器件的長期可靠性成為瓶頸。文章對雷達脈沖工作條件下GaN功率器件的失效機理進行了分析和研究,指出
2023-03-03 14:04:051074
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如何驗證 GaN 的可靠性
鑒于氮化鎵 (GaN) 場效應(yīng)晶體管 (FET) 能夠提高效率并縮小電源尺寸，其采用率正在迅速提高。但在投資這項技術(shù)之前，您可能仍然會好奇GaN是否具有可靠性。
2023-07-13 15:34:27411
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工商網(wǎng)監(jiān)
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