淺談SiC道變器技術特性及系統(tǒng)優(yōu)勢

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控制器(170263) 控制器(170263)
逆變器(200803) 逆變器(200803)
IGBT(242701) IGBT(242701)
SiC(61351) SiC(61351)

24Ghz微波-汽車盲區(qū)監(jiān)測/變道輔助系統(tǒng)的濾波放大電路圖

這是兩個用于24Ghz微波，汽車盲區(qū)監(jiān)測/變道輔助系統(tǒng)的濾波放大電路原理圖，如果需要更多詳盡的資料，可以跟聯(lián)系索要，希望對大家有幫助。

2014-09-22 14:21:59

600V碳化硅二極管SIC SBD選型

、液晶電視、通信電源、計算機電源、太陽能電池、逆變電源、逆變焊機、等離子切割機、電磁加熱、變頻器、不間斷電源、汽車電子、電動車控制器、充電器等領域，具有極其廣闊的市場應用前景。海飛樂技術有限公司研發(fā)銷售的快

2019-10-24 14:25:15

SiC MOSFET的器件演變與技術優(yōu)勢

MOSFET狀態(tài)表明了主要商業(yè)障礙的解決方案，包括價格，可靠性，堅固性和供應商的多樣化。盡管價格優(yōu)于Si IGBT，但由于成本抵消了系統(tǒng)級優(yōu)勢，SiC MOSFET已經(jīng)取得了成功。隨著材料成本的下降，這項技術

2023-02-27 13:48:12

SiC SBD的器件結構和特征

二極管（FRD:快速恢復二極管），能夠明顯減少恢復損耗。有利于電源的高效率化，并且通過高頻驅動實現(xiàn)電感等無源器件的小型化，而且可以降噪。廣泛應用于空調、電源、光伏發(fā)電系統(tǒng)中的功率調節(jié)器、電動汽車

2019-03-14 06:20:14

SiC SBD的正向特性

2019-04-22 06:20:22

SiC-MOSFET體二極管特性

二極管的比較所謂SiC-SBD－與Si-PND的反向恢復特性比較所謂SiC-SBD－與Si-PND的正向電壓比較所謂SiC-SBD－SiC-SBD的發(fā)展歷程所謂SiC-SBD－使用SiC-SBD的優(yōu)勢所謂

2018-11-27 16:40:24

SiC-MOSFET功率晶體管的結構與特征比較

”）應用越來越廣泛。關于SiC-MOSFET，這里給出了DMOS結構，不過目前ROHM已經(jīng)開始量產(chǎn)特性更優(yōu)異的溝槽式結構的SiC-MOSFET。具體情況計劃后續(xù)進行介紹。在特征方面，Si-DMOS存在

2018-11-30 11:35:30

SiC-MOSFET器件結構和特征

的小型化?！　×硗?，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅動，從而也可以實現(xiàn)無源器件的小型化?！　∨c600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優(yōu)勢在于芯片

2023-02-07 16:40:49

SiC-MOSFET有什么優(yōu)點

，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅動，從而也可以實現(xiàn)無源器件的小型化。與600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優(yōu)勢在于芯片面積?。蓪崿F(xiàn)小型封裝），而且體

2019-04-09 04:58:00

SiC-MOSFET的應用實例

。SiC-MOSFET應用實例2：脈沖電源脈沖電源是在短時間內瞬時供電的系統(tǒng)，應用例有氣體激光器、加速器、X射線、等離子電源等。作為現(xiàn)有的解決方案有晶閘管等真空管和Si開關，但市場需要更高耐壓更高

2018-11-27 16:38:39

SiC-SBD與Si-PND的反向恢復特性比較

面對SiC-SBD和Si-PND的特征進行了比較。接下來比較SiC-SBD和Si-PND的反向恢復特性。反向恢復特性是二極管、特別是高速型二極管的基本且重要的參數(shù)，所以不僅要比較trr的數(shù)值，還要

2018-11-29 14:34:32

SiC-SBD與Si-PND的正向電壓比較

電流IF的VF特性圖。是從25℃到200℃按8個級別的溫度條件測量的數(shù)據(jù)。SiC-SBD隨著溫度的上升，IF開始流動，VF有些下降，但因電阻上升，斜率變緩和，在正常使用范圍的IF下，VF上升

2018-11-30 11:52:08

SiC-SBD大幅降低開關損耗

時間trr快（可高速開關）?trr特性沒有溫度依賴性?低VF（第二代SBD）下面介紹這些特征在使用方面發(fā)揮的優(yōu)勢。大幅降低開關損耗SiC-SBD與Si二極管相比，大幅改善了反向恢復時間trr。右側的圖表為

2019-03-27 06:20:11

SiC-SBD的發(fā)展歷程

。希望下面給出的產(chǎn)品陣容能夠成為大家進行個別規(guī)格確認等的參考。各技術規(guī)格詳情可點擊這里。第2代 SiC-SBD第3代 SiC-SBD關鍵要點:?ROHMSiC-SBD已經(jīng)發(fā)展到第3代。?第3代產(chǎn)品的抗浪涌電流特性與漏電流特性得到改善，并進一步降低了第2代達成的低VF。＜相關產(chǎn)品信息＞SiC-SBD

2018-11-30 11:51:17

SiC-SBD的特征以及與Si二極管的比較

。SiC-SBD可同時實現(xiàn)高速性和高耐壓，與PND/FRD相比Err（恢復損耗）顯著降低，開關頻率也可提高，因此可使用小型變壓器和電容器，有助于設備小型化。以下是1200V耐壓SiC-SBD技術規(guī)格的一部分。后續(xù)將針對主要特性進行介紹。＜相關產(chǎn)品信息＞SiC-SBDSi-SBDFRD

2018-11-29 14:35:50

SiC/GaN具有什么優(yōu)勢？

基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉換器SiC/GaN具有的優(yōu)勢

2021-03-10 08:26:03

SiC/GaN功率開關有什么優(yōu)勢

的隔離柵是一個重大挑戰(zhàn)。ADuM4135 隔離式柵極驅動器采用 ADI 公司經(jīng)過驗證的 iCoupler?技術，可以給高電壓和高開關速度應用帶來諸多重要優(yōu)勢。 ADuM4135 是驅動 SiC/GaN

2018-10-30 11:48:08

SiC技術在WInSiC4AP中有什么應用？

WInSiC4AP的主要目標是什么？SiC技術在WInSiC4AP中有什么應用？

2021-07-15 07:18:06

SiC技術怎么應對汽車電子的挑戰(zhàn)

在未來幾年投入使用SiC技術來應對汽車電子技術挑戰(zhàn)是ECSEL JU 的WInSiC4AP項目所要達到的目標之一。ECSEL JU和ESI協(xié)同為該項目提供資金支持，實現(xiàn)具有重大經(jīng)濟和社會影響的優(yōu)勢互補的研發(fā)活動。

2019-07-30 06:18:11

SiC功率元器件的開發(fā)背景和優(yōu)點

前面對SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征進行了介紹。SiC功率元器件具有優(yōu)于Si功率元器件的更高耐壓、更低導通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對SiC的開發(fā)背景和具體優(yōu)點

2018-11-29 14:35:23

SiC功率器件SiC-MOSFET的特點

2019-05-07 06:21:55

SiC功率器件的封裝技術研究

　　具有成本效益的大功率高溫半導體器件是應用于微電子技術的基本元件。SiC是寬帶隙半導體材料，與Si相比，它在應用中具有諸多優(yōu)勢。由于具有較寬的帶隙，SiC器件的工作溫度可高達600℃，而Si器件

2018-09-11 16:12:04

SiC器件與硅器件相比有哪些優(yōu)越的性能？

與硅相比，SiC有哪些優(yōu)勢？SiC器件與硅器件相比有哪些優(yōu)越的性能？碳化硅器件的缺點有哪些？

2021-07-12 08:07:35

SiC器件在新能源電力系統(tǒng)中的發(fā)展分析和展望

代表，SiC材料、器件已經(jīng)列入國家“十四五”科技規(guī)劃，其具有電壓高、損耗低、耐高溫工作等優(yōu)勢，對于電力電子裝備高效化、小型化具有重要作用。　　SiC材料的這些優(yōu)良特性，需要通過封裝來實現(xiàn)功率和信號高效

2023-02-27 14:22:06

SiC整流器的特性和應用

。　　ST的1200V碳化硅（SiC）JBS（結型勢壘肖特基）二極管系列可滿足設計人員對面向性能應用的卓越效率、輕巧、小尺寸和改善的熱特性的需求?！　T的1200VSiC二極管具有出色的正向電壓（低

2020-06-30 16:26:30

淺談UWB與WMAN無線電系統(tǒng)的驗證

淺談UWB與WMAN無線電系統(tǒng)的驗證

2021-06-02 06:07:49

淺談大數(shù)據(jù)視頻圖像處理系統(tǒng)技術

淺談大數(shù)據(jù)視頻圖像處理系統(tǒng)技術近年來，隨著計算機、網(wǎng)絡以及圖像處理、傳輸技術的飛速發(fā)展，視頻監(jiān)控系統(tǒng)正向著高清化、智能化和網(wǎng)絡化方向發(fā)展。視頻監(jiān)控系統(tǒng)的高清化、智能化和網(wǎng)絡化為視頻監(jiān)控圖像處理技術

2013-09-24 15:22:25

淺談電機控制器逆變原理

淺談電機控制器逆變原理新能源汽車新能源汽車是指采用非常規(guī)的車用燃料作為動力來源（或使用常規(guī)的車用燃料、采用新型車載動力裝置），綜合車輛的動力控制和驅動方面的先進技術，形成的技術原理先進、具有新技術

2016-01-28 11:42:00

淺談電磁兼容技術在通信系統(tǒng)中的應用

本文淺談了在通信系統(tǒng)的電路設計中,如何降低EMI提高系統(tǒng)EMC能力的技術問題,從而進一步提高通信質量。【關鍵詞】：電磁干擾;;電磁兼容性;;輻射【DOI】：CNKI:SUN

2010-05-13 09:10:22

BAW諧振器技術的優(yōu)勢

什么是BAW技術？BAW諧振器技術的優(yōu)勢TI 突破性BAW技術芯片無外置石英晶振的無線MCU——CC2652RB網(wǎng)絡同步器時鐘——LMK05318

2021-01-25 06:59:25

CC2652RB無線MCU的主要特性和優(yōu)勢是什么？

CC2652RB無線MCU的主要特性和優(yōu)勢是什么？LMK05318網(wǎng)絡同步器時鐘的主要特性和優(yōu)勢是什么？

2021-07-21 08:40:06

GaN和SiC區(qū)別

。碳化硅與Si相比，SiC具有： 1.導通電阻降低兩個數(shù)量級2.電源轉換系統(tǒng)中的功率損耗較少3.更高的熱導率和更高的溫度工作能力4.由于其物理特性固有的材料優(yōu)勢而提高了性能 SiC在600 V和更高

2022-08-12 09:42:07

GeneSiC的1200V SiC肖特基二極管可實現(xiàn)更快的開關瞬變

二極管中觀察到的電容恢復特性為獨立于溫度，正向電流水平以及關斷dI/dt。在Si技術中，不切實際外延規(guī)范將肖特基二極管降級為< 600 V的應用。GeneSiC的1200 V SiC肖特基二極管是專門設計的，以盡量減少電容電荷，從而實現(xiàn)更快的開關瞬變。

2023-06-16 11:42:39

HELLA和寶馬合作的一款變道警示系統(tǒng)（轉載）

本帖最后由 24GHZ雷達傳感器于 2015-1-30 11:01 編輯汽車零部件供應商Hella KGaA(德國Lippstadt)公司聯(lián)合寶馬公司開發(fā)一款用于寶馬新7系轎車的變道警示

2015-01-28 15:42:10

LTCC技術是什么？應用LTCC的優(yōu)勢是什么？

LTCC技術是什么？LTCC工藝有哪些步驟？LTCC材料的特性有哪些？應用LTCC的優(yōu)勢是什么？

2021-05-26 06:17:32

Linux 2.6內核具有哪些特性優(yōu)勢？

本文著重介紹Linux 2.6內核的新特性及其嵌入式應用中的優(yōu)勢，并將其移植到嵌入式平臺中，成功支持H.264編解碼多媒體系統(tǒng)。

2021-04-25 08:18:49

McWiLL系統(tǒng)的關鍵技術/優(yōu)勢及應用

McWiLL系統(tǒng)概述McWiLL系統(tǒng)的關鍵技術McWiLL系統(tǒng)的優(yōu)勢McWiLL系統(tǒng)的應用

2020-11-24 06:57:16

Microsem美高森美用于SiC MOSFET技術的極低電感SP6LI封裝

的低電感封裝具有出色的開關特性，使客戶能夠開發(fā)更高性能的高可靠性系統(tǒng)，幫助他們從競爭中脫穎而出?！薄　∈袌鲅芯繖C構Technavio指出，面向全球半導體應用的SiC市場預計在2021年前達到大約

2018-10-23 16:22:24

ROHM的SiC MOSFET和SiC SBD成功應用于Apex Microtechnology的工業(yè)設備功率模塊系列

，很高興能與APEX Microtechnology開展合作。ROHM作為SiC功率元器件的先進企業(yè)，能夠提供與柵極驅動器IC相結合的功率系統(tǒng)解決方案，并且已經(jīng)在該領域取得了巨大的技術領先優(yōu)勢。我們將與

2023-03-29 15:06:13

SGM37603X 12位調光3通道WLED驅動器有哪些調光優(yōu)勢

為什么手機LCM需要1：1000亮度動態(tài)范圍？SGM37603X是什么？SGM37603X 12位調光3通道WLED驅動器有哪些調光優(yōu)勢？SGM37603X 12位調光3通道WLED驅動器有哪些應用？

2021-08-09 08:16:04

TMR磁傳感器的特性及應用

穿隧磁阻效應（TMR）的物理簡釋TMR磁阻傳感器的特性TMR技術在電流檢測領域的優(yōu)勢TMR磁傳感器產(chǎn)品在各個領域中的實際應用

2020-12-02 07:35:07

UWB的技術優(yōu)勢是什么？

UWB技術的家庭應用有哪些？UWB的技術優(yōu)勢是什么？

2021-05-28 06:37:32

WiMax技術有什么優(yōu)勢

　　WiMax技術的優(yōu)勢　　WiMax已經(jīng)從本質上改變了最初的應用方向，增加了移動通信方面的服務。通過加入移動特性，一方面，WiMax可以像原來設想的那樣，作為服務供應商和電信商最后一公里接入的技術手段，同時還可成為運營商們搭建語音和數(shù)據(jù)骨干網(wǎng)絡的主流技術?！　　　?/div>

2019-06-17 07:39:25

ZigBee技術有什么優(yōu)勢？

ZigBee技術有什么優(yōu)勢？

2021-05-21 06:23:12

ZigBee技術的優(yōu)勢是什么？ZigBee技術有哪些應用？

ZigBee技術的優(yōu)勢是什么？ZigBee技術有哪些應用？

2021-05-25 06:54:09

labview FPGA技術的優(yōu)勢

正在改變FPGA編程的方式，其中的新興技術能夠將圖形化程序框圖、甚至是C代碼轉換成數(shù)字硬件電路。各行各業(yè)紛紛采用FPGA芯片是源于FPGA融合了ASIC和基于處理器的系統(tǒng)的最大優(yōu)勢。 FPGA能夠提供

2019-04-28 10:04:13

【羅姆SiC-MOSFET 試用體驗連載】風電伺服驅動控制器SiC器件試用

項目名稱：風電伺服驅動控制器SiC器件試用試用計劃：申請理由本人在工業(yè)控制領域有十余年的產(chǎn)品開發(fā)經(jīng)驗，目前正在從事風電機組變槳控制系統(tǒng)伺服驅動器的開發(fā)，是一個國產(chǎn)化項目，也是SiC器件應用的領域

2020-04-24 18:03:59

【轉帖】華潤微碳化硅/SiC SBD的優(yōu)勢及其在Boost PFC中的應用

器件的溫升綜上，SiC SBD無反向恢復、能并聯(lián)使用等特性使其在替換Si FRD時具有明顯的優(yōu)勢。沒有反向恢復，減小反向恢復帶來的開關損耗從而提高系統(tǒng)效率，同時避免反向恢復引起的振蕩，改善系統(tǒng)

2023-10-07 10:12:26

一次泵變流量系統(tǒng)技術有何應用

一次泵變流量系統(tǒng)技術的應用研究一次泵變流量系統(tǒng)（Variable-Primary-Flow System，以下簡稱VPF系統(tǒng)）誕生的歷史并不長，空調行業(yè)人士針對該系統(tǒng)的認識存在一漸進接受的過程

2021-09-09 07:25:40

與傳統(tǒng)機架式測試系統(tǒng)相比，基于PXI技術的測試系統(tǒng)有什么優(yōu)勢？

與傳統(tǒng)機架式測試系統(tǒng)相比，基于PXI技術的測試系統(tǒng)有什么優(yōu)勢？PXI系統(tǒng)軟件未來發(fā)展趨勢是怎樣的？

2021-04-13 06:48:47

中頻逆變點焊機在控制系統(tǒng)部分表現(xiàn)出來的優(yōu)勢

中頻逆變點焊機之所以能夠實現(xiàn)優(yōu)化的應用，在進行焊接加工的時候，呈現(xiàn)出很高的焊接效率和非常好的焊接效果，除了因為其有非常強大的焊接功能，還因為其在控制系統(tǒng)部分具備著下面這些優(yōu)勢，下面斯特科技小編來具體

2023-03-02 10:46:50

為何使用 SiC MOSFET

°C 時典型值的兩倍。采用正確封裝時，SiC MOSFET 可獲得 200°C 甚至更高的額定溫度。SiC MOSFET 的超高工作溫度也簡化了熱管理，從而減小了印刷電路板的外形尺寸，并提高了系統(tǒng)穩(wěn)定性

2017-12-18 13:58:36

什么是基于SiC和GaN的功率半導體器件？

　　對市場驅動因素的分析表明，加速WBG設備實現(xiàn)的更有效方法的商業(yè)采用需要降低組件的成本。這導致了圍繞用于控制高效系統(tǒng)的廉價WBG晶體管策略的大量研究。提高轉換器工作頻率可以減小儲能元件的尺寸，這

2023-02-21 16:01:16

傳感器數(shù)字化技術的優(yōu)勢是什么？有什么應用？

傳感器數(shù)字化技術及其優(yōu)勢，有什么潛在的應用？

2021-04-13 07:02:39

低功耗SiC二極管實現(xiàn)最高功率密度

相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術，提供更出色的開關性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復電流，且具有不受溫度影響的開關特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導體。安森美半導體

2018-10-29 08:51:19

低功耗SiC二極管實現(xiàn)最高功率密度解析

相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術，提供更出色的開關性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復電流，且具有不受溫度影響的開關特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導體。

2020-07-30 07:14:58

使用SiC-SBD的優(yōu)勢

關于SiC-SBD，前面介紹了其特性、與Si二極管的比較、及當前可供應的產(chǎn)品。本篇將匯總之前的內容，并探討SiC-SBD的優(yōu)勢。SiC-SBD、Si?SBD、Si-PND的特征SiC-SBD為形成

2018-11-29 14:33:47

全SiC功率模塊的開關損耗

所增加，但其增加比例遠低于IGBT模塊。可以看出結論是：在30kHz條件下，總體損耗可降低約60%。這是前面提到的第二個優(yōu)勢?？梢娺@正如想象的一樣，開關損耗小是由組成全SiC模塊的SiC元件特性所帶來的。關于

2018-11-27 16:37:30

分析MOS變容管的特性，有哪些方法可以獲得MOS變容管單調的調諧特性？

有哪些方法可以獲得MOS變容管單調的調諧特性？MOS變容管反型與積累型MOS變容管

2021-04-07 06:24:34

在功率二極管中損耗最小的SiC-SBD

SiC-SBD的特征，下面將介紹一些其典型應用。主要是在電源系統(tǒng)應用中，將成為代替以往的Si二極管，解決當今的重要課題——系統(tǒng)效率提高與小型化的關鍵元器件之一。＜應用例＞PFC（功率因數(shù)改善）電路電機驅動器電路

2018-12-04 10:26:52

基于LTCC技術實現(xiàn)SIP的優(yōu)勢和特點討論

如電阻、電容、電感、濾波器、耦合器等集成到一個封裝體內，因而可以有效而又最便宜地使用各種工藝組合，實現(xiàn)整機系統(tǒng)的功能?！　TCC技術是近年來興起的一種令人矚目的整合組件技術，由于LTCC材料優(yōu)異

2019-07-29 06:16:56

基于低功耗SiC二極管的最高功率密度實現(xiàn)方案

2019-07-25 07:51:59

安捷倫PE7900蓄電池仿真系統(tǒng)的特性和優(yōu)勢是什么？

什么是安捷倫蓄電池仿真系統(tǒng)？安捷倫PE7900蓄電池仿真系統(tǒng)的特性和優(yōu)勢是什么？

2021-04-30 07:01:09

開關電源轉換器中如何充分利用SiC器件的性能優(yōu)勢？

在開關電源轉換器中,如何充分利用SiC器件的性能優(yōu)勢？

2021-02-22 07:16:36

報名 | 寬禁帶半導體(SiC、GaN)電力電子技術應用交流會

）③ SiC、GaN寬禁帶電力電子技術的機遇和挑戰(zhàn) ④ 針對寬禁帶電力電子技術特性的封裝技術 ⑤ SiC、GaN器件與Si器件的對比（優(yōu)勢、驅動上的區(qū)別、結構和成本的影響）五、活動報名電話：***微信：CampusXiaomeng`

2017-07-11 14:06:55

數(shù)碼調變技術與多工技術有何差異？

數(shù)碼調變技術是什么？什么是多工技術？數(shù)碼調變技術與多工技術有何差異？

2021-05-18 06:14:06

新型功率開關技術和隔離式柵極驅動器不斷變化的格局

將減小元件尺寸，從而減小成本、系統(tǒng)尺寸和重量；這些是汽車和能源等市場中的主要優(yōu)勢。新型功率開關還將促使其控制元件發(fā)生變化，其中包括柵極驅動器。本文將探討GaN和SiC開關與IGBT/MOSFET的一些

2018-10-16 06:20:46

新型功率開關技術和隔離式柵極驅動器不斷變化的格局

頻率將減小元件尺寸，從而減小成本、系統(tǒng)尺寸和重量；這些是汽車和能源等市場中的主要優(yōu)勢。新型功率開關還將促使其控制元件發(fā)生變化，其中包括柵極驅動器。本文將探討GaN和SiC開關與IGBT/MOSFET

2018-10-16 21:19:44

新型功率開關技術和隔離式柵極驅動器的趨勢和格局

減小元件尺寸，從而減小成本、系統(tǒng)尺寸和重量；這些是汽車和能源等市場中的主要優(yōu)勢。新型功率開關還將促使其控制元件發(fā)生變化，其中包括柵極驅動器。本文將探討GaN和SiC開關與IGBT/MOSFET的一些

2018-10-24 09:47:32

無線測量系統(tǒng)的技術優(yōu)勢

技術，并展示了如何利用NI測量硬件和NI LabVIEW發(fā)揮無線技術的技術優(yōu)勢。目錄面向測量與自動化的無線技術無線的技術優(yōu)勢將無線功能添加至測量系統(tǒng)總結相關資源

2019-07-22 06:02:25

有效實施更長距離電動汽車用SiC功率器件

雖然電動和混合動力電動汽車（EV]從作為功率控制器件的標準金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）到基于碳化硅（SiC）襯底和工藝技術的FET的轉變代表了提高EV的效率和整體系統(tǒng)級特性的重要步驟

2019-08-11 15:46:45

淺析SiC-MOSFET

應用看，未來非常廣泛且前景被看好。與圈內某知名公司了解到，一旦國內品牌誰先成功掌握這種技術，那它就會呈暴發(fā)式的增加。在Si材料已經(jīng)接近理論性能極限的今天，SiC功率器件因其高耐壓、低損耗、高效率等特性

2019-09-17 09:05:05

淺析SiC功率器件SiC SBD

2019-05-07 06:21:51

碳化硅SiC技術導入應用的最大痛點

的散熱尺寸和成本，以及更長的車輛里程。SiC-FET的特性也使其在其他應用領域，如家用和商用固態(tài)斷路器、電路保護甚至線性操作中具有理想的性能。所涉及的領域同樣廣泛，從航空航天到信息技術、工業(yè)、家庭

2023-02-27 14:28:47

碳化硅的物理特性和特征

碳化硅（SiC）是比較新的半導體材料。一開始，我們先來了解一下它的物理特性和特征。SiC的物理特性和特征SiC是由硅(Si)和碳(C)組成的化合物半導體材料。其結合力非常強，在熱、化學、機械方面都

2018-11-29 14:43:52

緯湃科技選擇羅姆為其SiC技術的首選供應商

緯湃科技選擇羅姆為其SiC技術的首選供應商

2021-03-11 08:01:56

羅姆SiC-SBD替代Si-PND/Si-FRD有什么優(yōu)勢

本文描述了ROHM推出的SiC-SBD其特性、與Si二極管的比較、及當前可供應的產(chǎn)品，并探討SiC-SBD的優(yōu)勢。ROHM的SiC-SBD已經(jīng)發(fā)展到第3代。第3代產(chǎn)品的抗浪涌電流特性與漏電流特性得到

2019-07-10 04:20:13

請問一下SiC和GaN具有的優(yōu)勢主要有哪些

請問一下SiC和GaN具有的優(yōu)勢主要有哪些？

2021-08-03 07:34:15

請問數(shù)字電位器的技術特性有哪些？

數(shù)字電位器的技術特性是應用技術中的關鍵，因此本文將對數(shù)字電位器的電阻特性和數(shù)字控制特性進行分析。

2021-04-12 06:34:17

調變技術與多任務技術有什么不同？

調變技術是什么？多任務技術是什么？調變技術與多任務技術有什么不同？

2021-05-19 07:17:23

車用SiC元件討論

在未來幾年投入使用SiC技術來應對汽車電子技術挑戰(zhàn)是ECSEL JU的WInSiC4AP專案所要達成的目標之一。ECSEL JU和ESI攜手為該專案提供資金支援，實現(xiàn)具有重大經(jīng)濟和社會影響的優(yōu)勢

2019-06-27 04:20:26

驅動新一代SiC/GaN功率轉換器的IC生態(tài)系統(tǒng)

。ADuM4135隔離式柵極驅動器采用ADI公司經(jīng)過驗證的iCoupler?技術，可以給高電壓和高開關速度應用帶來諸多重要優(yōu)勢。ADuM4135是驅動SiC/GaN MOS的最佳選擇，出色的傳播延遲優(yōu)于50 ns

2018-10-22 17:01:41

SiC半導體材料及其器件應用

分析了SiC半導體材料的結構類型和基本特性，介紹了SiC 單晶材料的生長技術及器件工藝技術，簡要討論了SiC 器件的主要應用領域和優(yōu)勢

2011-11-01 17:23:20

SiC MOSFET的特性及使用的好處

電力電子產(chǎn)業(yè)未來的發(fā)展趨勢之一便是使用更高的開關頻率以獲得更緊密的系統(tǒng)設計，而在高開關頻率高功率的應用中，SiC器件優(yōu)勢明顯，這就使得SiC MOSFET在5G基站、工業(yè)電源、光伏、充電

2021-08-13 18:16:27

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SiC MOSFET單管的并聯(lián)均流特性

關于SiC MOSFET的并聯(lián)問題，英飛凌已陸續(xù)推出了很多技術資料，幫助大家更好的理解與應用。此文章將借助器件SPICE模型與Simetrix仿真環(huán)境，分析SiC MOSFET單管在并聯(lián)條件下的均流特性。

2022-08-01 09:51:15

1687

SiC MOSFET 的優(yōu)勢和用例是什么？

SiC MOSFET 的優(yōu)勢和用例是什么？

2022-12-28 09:51:20

1034

SiC-SBD、Si?SBD、Si-PND的特征及優(yōu)勢

關于SiC-SBD，前面介紹了其特性、與Si二極管的比較、及當前可供應的產(chǎn)品。本篇將匯總之前的內容，并探討SiC-SBD的優(yōu)勢。

2023-02-08 13:43:18

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SiC和Si的應用各種SiC功率器件的特性

碳化硅（SiC）器件是一種新興的技術，具有傳統(tǒng)硅所缺乏的多種特性。SiC具有比Si更寬的帶隙，允許更高的電壓阻斷，并使其適用于高功率和高電壓應用。此外，SiC還具有比Si更低的熱阻，這意味著它可以更有效地散熱，具有更高的可靠性。

2023-04-13 11:01:16

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探究快速開關應用中SiC MOSFET體二極管的關斷特性

SiC MOSFET體二極管的關斷特性與IGBT電路中硅基PN二極管不同，這是因為SiC MOSFET體二極管具有獨特的特性。對于1200V SiC MOSFET來說，輸出電容的影響較大，而PN

2023-01-04 10:02:07

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SiC應用優(yōu)勢及趨勢

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SiC應用優(yōu)勢及趨勢.pdf》資料免費下載

2023-08-29 16:24:51

碳化硅（SiC）相較于硅（Si）有哪些優(yōu)勢！

硅碳化物(SiC)技術已經(jīng)達到了臨界點，即無可否認的優(yōu)勢推動一項技術快速被采用的狀態(tài)。

2023-09-07 16:13:00

661

SiC相對于傳統(tǒng)Si的優(yōu)勢如何

碳化硅(SiC)技術已達到臨界點，即不可否認的優(yōu)勢推動技術快速采用的狀態(tài)。如今，出于多種原因，希望保持競爭力并降低長期系統(tǒng)成本的設計人員正在轉向基于SiC的技術，其中包括：降低總擁有

2023-10-13 09:24:17

824

還沒使用SiC FET？快來看看本文，秒懂SiC FET性能和優(yōu)勢！

還沒使用SiC FET？快來看看本文，秒懂SiC FET性能和優(yōu)勢！

2023-11-29 16:49:23

277

SiC SBD的高耐壓（反壓）特性

SiC SBD的高耐壓（反壓）特性

2023-12-13 15:27:55

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淺談SiC道變器技術特性及系統(tǒng)優(yōu)勢

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