現(xiàn)代生活中,人們已被各種電子設(shè)備圍繞,
那么,這些電子設(shè)備是靠什么運(yùn)作的呢?
答案就是芯片!
簡單來說,芯片之于電子設(shè)備的地位等同于發(fā)動(dòng)機(jī)之于汽車,而制備芯片的原材料,就是最普通不過的石英砂。
沙子與芯片含量最多的元素都是硅,一噸沙不過幾十元,一顆幾十克的CPU芯片往往能賣到數(shù)千塊,價(jià)格千差萬別,這就是沙的逆襲。
在實(shí)際的生產(chǎn)中,我們通常將二氧化硅還原成單晶硅,但是這個(gè)過程難度很高,因?yàn)閷?shí)際用到的晶圓純度很高,然后拉出單晶硅晶棒,再到最后切割成一片薄薄的晶圓。再經(jīng)過晶圓涂膜、光刻顯影蝕刻、離子注入、晶圓測試、封裝等流程,芯片就制作完成了。
在整個(gè)芯片產(chǎn)業(yè)中,石英砂是最基礎(chǔ)的原料,石英砂中的硅在地球表面儲量約為28%(僅次于氧),硅在自然界并不稀缺,但硅的制成品芯片價(jià)值卻堪比黃金。如果了解石英砂到芯片的整個(gè)過程,或許會(huì)明白它確實(shí)值這個(gè)價(jià)了。
芯片的制作
01石英砂
硅是地殼內(nèi)第二豐富的元素,也是半導(dǎo)體制造產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)。
02硅熔煉
12英寸/300毫米晶圓級,通過多步凈化得到可用于半導(dǎo)體知道質(zhì)量的硅,學(xué)名電子級硅(EGS),平均每一百萬個(gè)硅原子中最多只有一個(gè)雜質(zhì)原子。下圖展示的是如何通過硅凈化熔煉得到大晶體的,最后得到的就是硅錠(ingot)。
03單晶硅錠
整體基本呈圓柱形,重約100千克,硅純度 99.9999%。
04硅錠切割
橫向切割成圓形的單個(gè)硅片,也就是我們常說的晶圓 (Wafer)。
05晶圓
切割出的是晶圓經(jīng)過拋光后變得幾乎完美無瑕,表面甚至可以當(dāng)鏡子。事實(shí)上,intel自己并不生產(chǎn)這種晶圓,而是從第三方半導(dǎo)體企業(yè)那里直接購買成品,然后利用直接的生產(chǎn)線進(jìn)一步加工。
06光刻膠(Photo Resist)
下圖中藍(lán)色部分就是在晶圓旋轉(zhuǎn)過程中澆上去的光刻膠液體,類似制作傳統(tǒng)膠片的那種。晶圓旋轉(zhuǎn)可以讓光刻膠鋪的非常薄、非常平。
01光刻一:
光刻膠層隨后透過掩模(Mask)被曝光在紫外線(UV)之下,變得可溶,期間發(fā)生的化學(xué)反應(yīng)類似按下機(jī)械相機(jī)快門那一刻膠片的變化。掩模上印著預(yù)先設(shè)計(jì)好的電路圖案,紫外線透過它照在光刻膠層上,就會(huì)形成微處理器的每一層電路圖案。一般來說,在晶圓上得到的電路圖案是掩模上圖案的四分之一。
02光刻二:
由此進(jìn)入納米尺寸的晶體管級別。一塊晶圓上可以切割出數(shù)百個(gè)處理器,不過從這里開始把視野縮小到其中一個(gè)上,展示如何制作晶體管等部件。晶體管相當(dāng)于開關(guān),控制著電流的方向?,F(xiàn)在的晶體管已經(jīng)如此之小,一個(gè)針頭上就能放下大約3000萬個(gè)。
07溶解光刻膠
光刻過程中曝光在紫外線下的光刻膠被溶解掉,清除后留下的圖案和掩模上的一致。
08蝕刻
使用化學(xué)物質(zhì)溶解掉暴露出來的晶圓部分,而剩下的光刻膠保護(hù)著不應(yīng)該蝕刻的部分。
09清除光刻膠
蝕刻完成后,光刻膠的使命宣告完成,全部清除后就可以看到設(shè)計(jì)好的電路圖案。
10光刻膠
再次澆上光刻膠(藍(lán)色部分),然后光刻,并洗掉曝光的部分,剩下的光刻膠還是用來保護(hù)不會(huì)離子注入的那部分材料。
11離子注入(ion implantation)
在真空系統(tǒng)中,用經(jīng)過加速的,要摻雜的院子的離子照射(注入)固體材料,從而在被注入的區(qū)域形成特殊的注入層,并改變這些區(qū)域的硅的導(dǎo)電性。經(jīng)過電場加速后,注入的離子流的速度可以超過30萬千米每小時(shí)。
12清除光刻膠
離子注入完成后,光刻膠也被清除,而注入?yún)^(qū)域(綠色部分)也已摻雜,注入了不同的原子。注意這時(shí)候的綠色和之前已經(jīng)有所不同。
13晶體管就緒
至此,晶體管已經(jīng)基本完成。在絕緣材(品紅色)上蝕刻出三個(gè)孔洞,并填充銅,以便和其它晶體管互連。
14電鍍
在晶圓上電鍍一層硫酸銅,將銅離子沉淀到晶體管上。銅離子會(huì)從正極走向負(fù)極。
15銅層
電鍍完成后,銅離子沉積在晶圓表面,形成一個(gè)薄薄的銅層。
16拋光
將多余的銅拋光掉,也就是磨光晶圓表面。
17金屬層
晶體管級別,留個(gè)晶體管的組合,大約500納米。在不同晶體管之間形成復(fù)合互連金屬層,具體布局取決于相應(yīng)處理器所需要的不同功能性。芯片表面看起來異常平滑,但事實(shí)上可能包含20多層復(fù)雜的電路,放大之后可以看到極其復(fù)雜的電路網(wǎng)絡(luò),形如未來派的多層高速公路系統(tǒng)。
18溶解光刻膠
內(nèi)核級別,大約10毫米/0.5英寸。圖中是晶圓的局部,正在接受第一次功能性測試,使用參考電路圖案和每一塊芯片進(jìn)行對比。
19晶圓切片(Slicing)
晶圓級別,300毫米/12英寸。將晶圓切割成塊,每一塊就是一個(gè)處理器的內(nèi)核(Die)。
20丟棄瑕疵內(nèi)核
晶圓級別。測試過程中發(fā)現(xiàn)的有瑕疵的內(nèi)核被拋棄,留下完好的準(zhǔn)備進(jìn)入下一步。
21單個(gè)內(nèi)核
內(nèi)核級別,從晶圓上切割下來的單個(gè)內(nèi)核。
22封裝
封裝級別,20毫米/1英寸。襯底、內(nèi)核、散熱片堆疊在一起,就形成了我們看到的處理器的樣子。襯底相當(dāng)于一個(gè)底座,并為處理器內(nèi)核提供電氣與機(jī)械界面,便于與PC系統(tǒng)的其它部分交互。散熱片就是負(fù)責(zé)內(nèi)核散熱的了。
23等級測試
在芯片完成整個(gè)封裝流程之后,封裝廠會(huì)對其產(chǎn)品進(jìn)行質(zhì)量和可靠性兩方面的檢測。
質(zhì)量檢測主要檢測封裝后芯片的可用性,封裝后的質(zhì)量和性能情況,而可靠性則是對封裝的可靠性相關(guān)參數(shù)的測試。經(jīng)過測試才算制造完成。
24裝箱
測試完畢后,就可以包裝銷售了。
至此,一塊真正的芯片就這么誕生了。
制造好的芯片被廣泛應(yīng)用于
汽車、電腦、手機(jī)甚至小家電內(nèi)部都有一顆芯片
當(dāng)我們打開手機(jī)
從開機(jī)的那一刻起
芯片就開始不停運(yùn)轉(zhuǎn),接受各種指令
手機(jī)拉近了人與人的距離
提高了溝通效率
也實(shí)現(xiàn)了看視頻、聽音樂、打游戲等很多功能
豐富了人們的生活
大部分功能的實(shí)現(xiàn)都要?dú)w功于
內(nèi)部這顆小小的芯片。
石英向芯片的逆襲也已完成,
石英與沙子,本是同根生
但最終在人類的極致熔煉、提純,精雕細(xì)刻下
改變了命運(yùn)。
審核編輯:湯梓紅
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