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淺談三星SF1.4(1.4 納米級(jí))工藝技術(shù)

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2012-12-21 19:31:12

廣和通(Fibocom)與友尚、三星攜手共進(jìn)平板電腦市場

全球范圍內(nèi)成為可靠創(chuàng)新的技術(shù)伙伴,也促使三星更好得在中國以及全球市場推廣其AP方案。***友尚股份作為三星AP的代理商,目前已經(jīng)完成在三星AP V210與5250的平臺(tái)上對(duì)FIBOCOM H330
2012-12-21 19:32:32

手機(jī)進(jìn)水了怎么辦?三星手機(jī)

手機(jī)進(jìn)水了怎么辦?三星手機(jī)
2013-05-13 17:34:01

提高多層板層壓品質(zhì)工藝技術(shù)總結(jié),不看肯定后悔

如何提高多層板層壓品質(zhì)在工藝技術(shù)
2021-04-25 09:08:11

搞過三星產(chǎn)品的 MFC的進(jìn)來 可以有償

我們正在調(diào)試基于三星4412的MFC(視頻硬解碼)但是移植調(diào)試不出來如果哪位大俠成功調(diào)試過類似的產(chǎn)品(210或4412) 可以一起探討一下
2014-01-16 10:21:24

有沒有人使用過三星的flash芯片,問題請(qǐng)教

ID,但是也沒說針對(duì)這個(gè)OTP怎么操作。所以請(qǐng)教一下,有沒有使用過的大神幫忙指導(dǎo)一下,或者有三星flash芯片相關(guān)的技術(shù)支持的聯(lián)系方式,麻煩告知一下。謝謝!
2017-03-21 09:22:02

蘋果芯片供應(yīng)商名單曝光后 三星哭了!

和14nm芯片。當(dāng)時(shí)臺(tái)積電和三星各占40%、60%左右的訂單。臺(tái)積電獨(dú)得訂單,恐怕與去年的“芯片門事件”有關(guān)。去年剛上市的iPhone6s采用A9芯片,就是由臺(tái)積電(16nm制程工藝)和三星(14nm
2016-07-21 17:07:54

請(qǐng)問DNW只能用三星的ARM芯片嗎?

DNW軟件只能用于三星的ARM芯片嗎?
2019-08-05 22:52:59

高價(jià)回收三星芯片,專業(yè)收購三星芯片

高價(jià)回收三星芯片高價(jià)回收三星芯片,專業(yè)收購三星芯片。深圳帝歐專業(yè)電子回收,高價(jià)收購ic電子料。帝歐趙生***(同步微信),QQ:1816233102/764029970郵箱
2021-07-06 19:32:41

高價(jià)收購三星字庫

高價(jià)收購三星字庫深圳長期回收三星字庫,大量收購三星字庫。深圳帝歐長期求購三星字庫,帝歐趙生***QQ1816233102/879821252郵箱dealic@163.com。東莞回收三星字庫,重慶
2021-02-23 17:54:12

納米級(jí)熔融石英毛細(xì)管

納米級(jí)熔融石英毛細(xì)管 上海連艦光電提供Polymicro Technologies納米級(jí)熔融石英毛細(xì)管,擁有良好的熱穩(wěn)定性和強(qiáng)大的抗腐蝕性,提供多種尺寸定制加工服務(wù),適用于毛細(xì)管氣相色譜
2021-10-19 16:50:49

中芯國際將45納米工藝技術(shù)延伸至40納米以及55納米

中芯國際將45納米工藝技術(shù)延伸至40納米以及55納米 上海2009年10月14日電  -- 中芯國際集成電路制造有限公司(“中芯國際”,紐約
2009-10-15 08:22:44793

三星電子推出40納米級(jí)動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)芯片

三星電子推出40納米級(jí)動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)芯片       據(jù)韓國《中央日?qǐng)?bào)》報(bào)道,世界著名存儲(chǔ)芯片企業(yè)三星電子在全球率先推出40納米級(jí)32GB DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記
2010-04-07 12:36:05716

新型納米級(jí)電接觸電阻測量技術(shù)

新型納米級(jí)電接觸電阻測量技術(shù) 納米級(jí)電氣特性    研究納米級(jí)材料的電氣特性通常要綜合使用探測和顯微技術(shù)對(duì)感興趣的點(diǎn)進(jìn)行確定性測量。但是,必
2010-04-23 15:18:021436

納米級(jí)工藝對(duì)物理設(shè)計(jì)的影響

隨著微電子技術(shù)的進(jìn)步,超大規(guī)模集成電路(VLSI)的特征尺寸已經(jīng)步入納米范圍。納米級(jí)工藝存在著很多不同于以往微米、亞微米工藝的特點(diǎn),因此為制造和設(shè)計(jì)都帶來了很多難題,諸
2011-05-28 16:36:270

聯(lián)華電子與SuVolta宣布聯(lián)合開發(fā)28納米低功耗工藝技術(shù)

日前,聯(lián)華電子與SuVolta公司宣布聯(lián)合開發(fā)28納米工藝技術(shù),該工藝將SuVolta的SuVolta的Deeply Depleted Channel晶體管技術(shù)集成到聯(lián)華電子的28納米High-K/Metal Gate高效能移動(dòng)工藝
2013-07-25 10:10:521049

三星10nm工藝技術(shù)已經(jīng)在Galaxy S8上提供支持

三星10納米工藝技術(shù)公告:全球領(lǐng)先的三星電子先進(jìn)的半導(dǎo)體元器件技術(shù)正式宣布,其第二代10納米(nm)FinFET工藝技術(shù),10LPP(Low Power Plus)已經(jīng)合格并準(zhǔn)備就緒用于批量生產(chǎn)。
2017-05-03 01:00:11580

三星開始量產(chǎn)第二代10納米級(jí)制程工藝DRAM內(nèi)存芯片

據(jù)韓聯(lián)社北京時(shí)間12月20日?qǐng)?bào)道,三星電子今天宣布,已開始量產(chǎn)第二代10納米級(jí)制程工藝DRAM內(nèi)存芯片。
2017-12-29 11:15:416063

三星宣布已完成5納米FinFET工藝技術(shù)開發(fā)

4月16日,三星官網(wǎng)發(fā)布新聞稿,宣布已經(jīng)完成5納米FinFET工藝技術(shù)開發(fā),現(xiàn)已準(zhǔn)備好向客戶提供樣品。
2019-04-16 17:27:233008

英特爾未來十年制造工藝路線圖發(fā)布,1.4納米2029年推出

英特爾預(yù)計(jì)其制造工藝節(jié)點(diǎn)技術(shù)將保持2年一飛躍的節(jié)奏,從2019年的10納米工藝開始,到2021年轉(zhuǎn)向7納米EUV(極紫外光刻),然后在2023年采用5納米,2025年3納米,2027年2納米,最終到2029年的1.4納米。
2019-12-11 10:31:203165

英特爾發(fā)布未來十年制造工藝擴(kuò)展路線圖,2029年推1.4納米工藝

12月11日消息,據(jù)外媒報(bào)道,在今年的IEEE國際電子設(shè)備會(huì)議(IEDM)上,芯片巨頭英特爾發(fā)布了2019年到2029年未來十年制造工藝擴(kuò)展路線圖,包括2029年推出1.4納米制造工藝
2019-12-11 14:37:113202

英特爾發(fā)布未來十年制造工藝擴(kuò)展路線圖 2029年將推出1.4納米工藝

12月11日消息,據(jù)外媒報(bào)道,在今年的IEEE國際電子設(shè)備會(huì)議(IEDM)上,芯片巨頭英特爾發(fā)布了2019年到2029年未來十年制造工藝擴(kuò)展路線圖,包括2029年推出1.4納米制造工藝
2019-12-12 15:21:112686

三星3納米芯片面積比5納米縮小35%以上

三星電子副會(huì)長李在镕近日參觀正在開發(fā)“全球第一個(gè)3納米級(jí)半導(dǎo)體工藝”的韓國京畿道華城半導(dǎo)體工廠,并聽取了關(guān)于3納米工藝技術(shù)的報(bào)告,他還與三星電子半導(dǎo)體部門社長團(tuán)討論了新一代半導(dǎo)體戰(zhàn)略。
2020-01-06 10:42:584268

LT3508演示電路-雙單片1.4A降壓開關(guān)穩(wěn)壓器(12V至3.3V@1.4A和5V@1.4A)

LT3508演示電路-雙單片1.4A降壓開關(guān)穩(wěn)壓器(12V至3.3V@1.4A和5V@1.4A)
2021-05-30 15:56:351

HDMI1.4轉(zhuǎn)VGA

HDMI1.4轉(zhuǎn)VGA
2022-11-21 10:46:22614

三星電子首款12納米級(jí)DDR5 DRAM開發(fā)成功

出其首款采用12納米(nm)級(jí)工藝技術(shù)打造的16 Gb DDR5 DRAM,并與AMD一起完成了兼容性方面的產(chǎn)品評(píng)估。 三星電子首款12納米級(jí)DDR5 DRAM 三星電子高級(jí)副總裁兼DRAM產(chǎn)品與技術(shù)負(fù)責(zé)人
2022-12-21 21:19:54756

臺(tái)積電1.4納米用地計(jì)劃曝光 約2026年可提供建設(shè)用地

臺(tái)積電董事長魏哲家近日在股東大會(huì)上表示:“臺(tái)積電先進(jìn)工程在南京批量生產(chǎn)3納米工程后,將致力于擴(kuò)充生產(chǎn)能力。目前正在建設(shè)2納米工廠,預(yù)計(jì)2025年批量生產(chǎn)?!彼状伪硎?,1.4納米工程的下一代也將在
2023-06-27 09:36:58401

三星3納米良率不超過20% 將重新擬定制程工藝時(shí)間節(jié)點(diǎn)

三星最新公布的制程工藝技術(shù)路線圖顯示,該公司計(jì)劃在2025年開始量產(chǎn)2納米級(jí)SF2工藝,以滿足客戶對(duì)高性能處理器的需求。此前,三星已于今年公布,其3納米工藝已滿足大規(guī)模生產(chǎn)的標(biāo)準(zhǔn)。
2023-06-29 16:26:331270

三星分享2nm 1.4nm以及5nm射頻計(jì)劃

三星在2023年年度三星代工論壇 (SFF) 上公布了更新的制造技術(shù)路線圖。該公司有望分別于 2025年和 2027年在其 2納米1.4納米級(jí)節(jié)點(diǎn)上生產(chǎn)芯片。
2023-06-29 17:47:12445

三星1.4nm工藝有何不同之處?

英特爾和臺(tái)積電都打算分別于 2024 年和 2025 年開始使用 GAA 晶體管及其 20A 和 N2(2 納米級(jí)工藝技術(shù)。當(dāng)這些公司推出基于納米片的節(jié)點(diǎn)時(shí),三星將在環(huán)柵晶體管方面擁有豐富的經(jīng)驗(yàn),這可能對(duì)代工廠有利。
2023-11-02 09:25:2587

關(guān)于1.4nm,臺(tái)積電重申

首先看南韓三星電子,他們近期矢言要在2027年推出1.4納米芯片制造,超越臺(tái)積電和英特爾代工服務(wù),也對(duì)按計(jì)劃在2025年生產(chǎn)2納米芯片充滿信心。知名電子媒體EDN報(bào)導(dǎo),三星承諾量產(chǎn)1.4nm芯片大約需要4年時(shí)間,在此期間可能會(huì)發(fā)生很多事情。
2023-11-23 16:04:59272

臺(tái)積電首次提及 1.4nm 工藝技術(shù),2nm 工藝按計(jì)劃 2025 年量產(chǎn)

12 月 14 日消息,臺(tái)積電在近日舉辦的 IEEE 國際電子器件會(huì)議(IEDM)的小組研討會(huì)上透露,其 1.4nm 級(jí)工藝制程研發(fā)已經(jīng)全面展開。同時(shí),臺(tái)積電重申,2nm 級(jí)制程將按計(jì)劃于 2025
2023-12-18 15:13:18191

Samsung研發(fā)第二代3納米工藝 SF3

據(jù)報(bào)道,韓國三星代工廠已經(jīng)開始試制其第二代 3 納米級(jí)工藝技術(shù)的芯片,稱為 SF3。這一發(fā)展標(biāo)志著半導(dǎo)體行業(yè)的一個(gè)重要里程碑,因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">三星與臺(tái)積電競爭下一代先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)的量產(chǎn)主導(dǎo)權(quán)。韓國知名權(quán)威
2024-01-22 16:10:14456

英特爾宣布推進(jìn)1.4納米制程

,臺(tái)積電和三星已經(jīng)推出3納米制程芯片,而英特爾則剛剛實(shí)現(xiàn)了5納米制程。然而,這一決定表明英特爾有意在制程技術(shù)領(lǐng)域迎頭趕上,計(jì)劃在未來幾年內(nèi)推出更為先進(jìn)的1.4納米芯片。這一制程技術(shù)的推進(jìn)將是英特爾為實(shí)現(xiàn)2025年之前進(jìn)入2納米芯片生產(chǎn)
2024-02-23 11:23:04173

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