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電子發(fā)燒友網(wǎng)>制造/封裝>半導(dǎo)體技術(shù)>半導(dǎo)體新聞>新思科技與中芯國際合作推出用于中芯65納米低漏電工藝技術(shù)的、

新思科技與中芯國際合作推出用于中芯65納米低漏電工藝技術(shù)的、

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2015-12-26 16:59:42

環(huán)保納米新材料

,7項(xiàng)專利已經(jīng)受理,5項(xiàng)專利正在申請(qǐng)。目前擁有國內(nèi)領(lǐng)先、部分產(chǎn)品國際領(lǐng)先的生產(chǎn)工藝,高純超細(xì)氧化鋁、5n氧化鋁、超活性高純納米二氧化鈦、納米氧化鈦、高純納米氧化鋯、納米氧化鋁、納米氧化鋅、納米氧化鈰
2011-11-12 09:57:00

電源的高頻變壓器的磁斷裂了,電源可以繼續(xù)使用嗎?

電源的高頻變壓器的磁斷裂了,但輸出,帶載都正常,電源可以繼續(xù)使用不?
2023-07-31 17:25:59

石墨烯技術(shù)取得重大突破:能應(yīng)用于納米電子元件

的方法已經(jīng)研究出來了,既能應(yīng)用于半導(dǎo)體制造,也能進(jìn)一步制成導(dǎo)體。  而現(xiàn)在,石墨烯納米帶已經(jīng)能夠批量生產(chǎn)并應(yīng)用在電子元件上。而且,日本東北大學(xué)先進(jìn)材料研究所里的一個(gè)國際研究小組已經(jīng)證明,石墨烯納米帶之間
2016-01-15 10:46:25

的一個(gè)特殊氣隙設(shè)計(jì)問題

`需要設(shè)計(jì)的一個(gè)磁如圖,這個(gè)磁主要是用于檢測漏電流的,但是這個(gè)氣隙不知道怎么去計(jì)算對(duì)線圈電感,和初級(jí)電流1A 產(chǎn)生的磁場量大小的影響`
2018-09-11 08:27:31

的辨認(rèn)方法有哪些?

、光滑、有油光、相反劣質(zhì)的磁表面暗淡無光,表面凹凸不平,粗糙。3)聽音辨質(zhì)由于磁使用磁粉末調(diào)配比例澆鑄后,最后一道工藝和陶瓷制造是一樣的,就是窯爐燒制,在這個(gè)過程也是一個(gè)考驗(yàn)工廠技術(shù)的工序,火候
2012-12-06 09:29:11

英特爾將在2014年推出14納米處理器芯片

Bridge的處理器。這種處理器使用3D(三閘)晶體管?! at Bliemer還證實(shí)稱,英特爾的Tick-Tock(工藝年-構(gòu)架年)戰(zhàn)略正在按計(jì)劃進(jìn)行。這意味著第一款采用14納米技術(shù)的處理器將在
2011-12-05 10:49:55

解決耦合電感的磁損耗問題

電感器的磁損耗會(huì)對(duì)系統(tǒng)性能產(chǎn)生不利影響。然而,預(yù)測鐵心損耗是一項(xiàng)復(fù)雜的工作,尤其是在耦合電感等復(fù)雜結(jié)構(gòu)。本文探討了核心損失以及應(yīng)該考慮的結(jié)果。本文還討論了如何解決耦合電感設(shè)計(jì)的磁損耗
2019-07-30 15:24:17

請(qǐng)教腐蝕工藝的相關(guān)工藝流程及技術(shù)員的職責(zé)

請(qǐng)?jiān)敿?xì)敘述腐蝕工藝工段的工藝流程以及整個(gè)前道的工藝技術(shù)
2011-04-13 18:34:13

銳成推出基于BCD工藝的三層光罩eFlash IP

已被知名汽車芯片廠商采用。銳成微的嵌入式存儲(chǔ)IP,經(jīng)過十多年的技術(shù)積累和迭代,已發(fā)展了包括MTP,OTP,eFlash等眾多產(chǎn)品線,不僅在BCD工藝平臺(tái),也適用于更多邏輯工藝平臺(tái)。銳成微持續(xù)通過
2023-03-03 16:42:42

銳成微宣布在22nm工藝推出雙模藍(lán)牙射頻IP

成為雙模藍(lán)牙芯片的重要工藝節(jié)點(diǎn)。銳成微基于多年的射頻技術(shù)積累,在22nm工藝成功開發(fā)出雙模藍(lán)牙射頻IP,適用于藍(lán)牙耳機(jī)、藍(lán)牙音箱、智能手表、智能家電、無線通訊、工業(yè)控制等多種物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用場景。此次銳成
2023-02-15 17:09:56

高頻變壓器磁形狀對(duì)變壓器的工作有何影響?

高頻變壓器是變換交流電壓、電流和阻抗的器件,當(dāng)初級(jí)線圈通有交流電流時(shí),鐵芯(或磁便產(chǎn)生交流磁通,使次級(jí)線圈感應(yīng)出電壓(或電流)。變壓器由鐵芯(或磁)和線圈組成,線圈有兩個(gè)或兩個(gè)以上的繞組
2021-03-11 06:17:20

魂遷光刻,夢繞芯片,國際終獲ASML大型光刻機(jī) 精選資料分享

EUV主要用于7nm及以下制程的芯片制造,光刻機(jī)作為集成電路制造中最關(guān)鍵的設(shè)備,對(duì)芯片制作工藝有著決定性的影響,被譽(yù)為“超精密制造技術(shù)皇冠上的明珠”,根據(jù)之前國際的公報(bào),目...
2021-07-29 09:36:46

國產(chǎn)半導(dǎo)體黑馬誕生,地位僅次于國際,一年?duì)I收超60億

國際行業(yè)芯片驗(yàn)證板
芯前沿發(fā)布于 2021-07-16 18:01:23

國際:能否成為“臺(tái)積電”?

國際臺(tái)積電
芯前沿發(fā)布于 2021-07-16 18:28:10

國際發(fā)布Q2財(cái)報(bào) 喜報(bào)驚現(xiàn)預(yù)警信息

國際行業(yè)時(shí)事熱點(diǎn)行業(yè)資訊
電子發(fā)燒友網(wǎng)官方發(fā)布于 2022-08-12 18:27:30

中芯國際90納米低功耗集成電路生產(chǎn)工藝技術(shù)

立足自主研發(fā)和技術(shù)創(chuàng)新,企業(yè)才有生命力。2005 年,中芯國際在成功開發(fā)0.25 微米、0.18 微米、0.13微米集成電路生產(chǎn)工藝的基礎(chǔ)上,向90 納米國際主流技術(shù)發(fā)起挑戰(zhàn)。2006 年中芯國
2009-12-14 11:39:0034

荷蘭光刻機(jī)抵達(dá)國際生產(chǎn)車間#華為可以緩口氣了

國際光刻晶圓制造
小凡發(fā)布于 2022-09-25 10:24:41

重大利好!國際訂購12億美元光刻機(jī)!

國際光刻晶圓制造
小凡發(fā)布于 2022-09-25 19:58:14

中芯國際將45納米工藝技術(shù)延伸至40納米以及55納米

中芯國際將45納米工藝技術(shù)延伸至40納米以及55納米 上海2009年10月14日電  -- 中芯國際集成電路制造有限公司(“中芯國際”,紐約
2009-10-15 08:22:44793

中芯國際采用Cadence DFM解決方案用于65和45納米

中芯國際采用Cadence DFM解決方案用于65和45納米 IP/庫開發(fā)和全芯片生產(chǎn) Cadence 模型化的 Litho Physical 和 Litho Electrical
2009-10-19 17:48:11461

中芯國際(SMIC)和Cadence 共同推出用于65納米

中芯國際(SMIC)和Cadence 共同推出用于65納米的低功耗解決方案Reference Flow 4.0 完全集成的能效型流程令快速、輕松地設(shè)計(jì)低功耗尖端器件成為可能
2009-10-31 07:48:011228

中芯國際(SMIC)和Cadence共同推出用于65納米的低

中芯國際(SMIC)和Cadence共同推出用于65納米的低功耗解決方案Reference Flow 4.0 全球電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新領(lǐng)先企業(yè)Cadence設(shè)計(jì)系統(tǒng)公司今天宣布推出一款全面的低功耗設(shè)計(jì)流程,面向
2009-11-04 17:05:17589

張忠謀:暫無與中芯國際合作打算

張忠謀:暫無與中芯國際合作打算 據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道,臺(tái)積電可望取得中芯國際一成股權(quán),臺(tái)積電董事長張忠謀昨(12)日表示,取得中芯不是10%的股份,是8%,臺(tái)積電完全
2009-11-13 09:31:22406

高通攜手TSMC,繼續(xù)28納米工藝合作

高通攜手TSMC,繼續(xù)28納米工藝合作 高通公司(Qualcomm Incorporated)與其專業(yè)集成電路制造服務(wù)伙伴-TSMC前不久日共同宣布,雙方正在28納米工藝技術(shù)進(jìn)行密切合作。此
2010-01-13 08:59:23910

中芯國際力爭在2010年實(shí)現(xiàn)45納米小批量試產(chǎn)

中芯國際力爭在2010年實(shí)現(xiàn)45納米小批量試產(chǎn) 2010年,中芯國際將加強(qiáng)65納米的嵌入式工藝平臺(tái)和32納米關(guān)鍵模塊的研發(fā);同時(shí)力爭實(shí)現(xiàn)45納米和40納米技術(shù)的小批量試產(chǎn)
2010-03-08 09:33:16471

中芯國際65納米技術(shù)國際領(lǐng)先

中芯國際65納米技術(shù)國際領(lǐng)先   虎年春節(jié),寧先捷終于和家人一起過了年。身為中芯國際集成電路制造(北京)有限公司技術(shù)開發(fā)中心負(fù)責(zé)人,他此
2010-03-23 11:10:16919

思科技與中芯國際合作推出 DesignWareUSB 2.

思科技與中芯國際合作推出 DesignWareUSB 2.0 nanoPHY-- 用于中芯65納米 LL 工藝技術(shù),獲得 USB 標(biāo)志認(rèn)證-- 通過芯片驗(yàn)證的 DesignWare PHY IP 降低了風(fēng)險(xiǎn),易于集成到系
2010-05-13 21:37:27359

中芯國際和Virage Logic拓展伙伴關(guān)系至65納米低漏

中芯國際和Virage Logic拓展伙伴關(guān)系至65納米漏電工藝 SiWare(TM) Memory, SiWare(TM) Logic, SiPro(TM) MIPI and Intelli(TM) DDR 伙伴關(guān)系將中芯65納米漏電工藝至臻
2010-05-24 17:01:26660

ARM與中芯國際宣布將拓展合作關(guān)系

ARM與中芯國際宣布將拓展合作關(guān)系 - ARM 與中芯國際合作關(guān)系拓展到65以及40納米工藝之免費(fèi)物理 IP 庫全面產(chǎn)品組合 -
2010-10-12 20:00:44492

Synopsys和中芯國際合作推出65-nm到40-nm的S

Synopsys和中芯國際合作推出65-nm到40-nm的SoC設(shè)計(jì)解決方案經(jīng)過驗(yàn)證的聯(lián)合解決方案確保晶晨半導(dǎo)體達(dá)到以高性能產(chǎn)品搶占市場的目標(biāo)
2010-11-16 10:36:12830

新思攜手中芯國際65/40nm工藝的SoC設(shè)計(jì)解決方案

  半導(dǎo)體設(shè)計(jì)、驗(yàn)證、和制造軟件及知識(shí)產(chǎn)權(quán)(IP)的供應(yīng)商新思科技有限公司和中芯國際集成電路制造有限公司(中芯國際)日前宣布已正式提供用于中芯國際先進(jìn)65-nm工藝的系統(tǒng)級(jí)
2010-11-17 09:12:541026

瑞芯微電子與中芯國際合作推動(dòng)65納米工藝多媒體高端芯片進(jìn)入量

瑞芯微電子與中芯國際合作推動(dòng)65納米工藝多媒體高端芯片進(jìn)入量產(chǎn)  2010-11-29 16:30 上海2010年11月29日電 /美通社亞洲/ -- 作為國內(nèi)領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司
2010-11-30 10:29:071044

Synopsys宣布提供經(jīng)中芯國際65nm低漏電工藝芯片驗(yàn)證的DesignWare數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器IP

思科技有限公司日前宣布:該公司所提供經(jīng)芯片生產(chǎn)驗(yàn)證的DesignWareTM數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器IP,已被應(yīng)用于中芯國際廣受歡迎的65納米漏電(Low Leakage)工藝技術(shù)
2011-04-21 09:57:061043

Synopsys推出用于TSMC 28納米工藝的DesignWare嵌入式存儲(chǔ)器和邏輯庫

思科技有限公司(Synopsys, Inc., 納斯達(dá)克股票市場代碼:SNPS)日前宣布:即日起推出用于臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司(TSMC)28納米高性能(HP)和移動(dòng)高性能(HPM)工藝技術(shù)
2012-02-22 14:04:27754

科銳公司推出兩項(xiàng)新型GaN工藝技術(shù)

科銳公司(CREE)宣布推出兩項(xiàng)新型GaN工藝:0.25微米、漏極電壓最高為40V的G40V4和0.4微米、漏極電壓最高為50VG50V3。新的工藝技術(shù)增加了工作電壓和無線射頻功率密度,與傳統(tǒng)的技術(shù)相比
2012-07-18 14:30:561306

聯(lián)華電子與SuVolta宣布聯(lián)合開發(fā)28納米低功耗工藝技術(shù)

日前,聯(lián)華電子與SuVolta公司宣布聯(lián)合開發(fā)28納米工藝技術(shù),該工藝將SuVolta的SuVolta的Deeply Depleted Channel晶體管技術(shù)集成到聯(lián)華電子的28納米High-K/Metal Gate高效能移動(dòng)工藝。
2013-07-25 10:10:521049

三星10nm工藝技術(shù)已經(jīng)在Galaxy S8上提供支持

三星10納米工藝技術(shù)公告:全球領(lǐng)先的三星電子先進(jìn)的半導(dǎo)體元器件技術(shù)正式宣布,其第二代10納米(nm)FinFET工藝技術(shù),10LPP(Low Power Plus)已經(jīng)合格并準(zhǔn)備就緒用于批量生產(chǎn)。
2017-05-03 01:00:11580

我國智能工廠產(chǎn)業(yè)鏈國際合作聯(lián)盟正式成立

由和利時(shí)、華為、川儀股份、新松機(jī)器人等一批擁有智能工廠技術(shù)方案的優(yōu)秀企業(yè)倡議組建的智能工廠產(chǎn)業(yè)鏈國際合作聯(lián)盟正式成立。
2018-07-12 16:27:003650

Synopsys推出用于180nm CMOS工藝技術(shù)的可重編程非易失性存儲(chǔ)器IP

, Inc., 納斯達(dá)克股票市場代碼:SNPS)日前宣布:即日起推出面向多種180納米工藝技術(shù)的DesignWarereg; AEONreg;非易失性存儲(chǔ)器(NVM)知識(shí)產(chǎn)權(quán)(IP)。這些產(chǎn)品包括數(shù)次
2018-10-14 17:36:01374

Synopsys推出支持TSMC 7nm工藝技術(shù)

思科技(Synopsys)推出支持TSMC 7nm FinFET工藝技術(shù)的汽車級(jí)DesignWare Controller和PHY IP。DesignWare LPDDR4x、MIPI CSI-2
2018-11-13 16:20:231517

三星宣布已完成5納米FinFET工藝技術(shù)開發(fā)

4月16日,三星官網(wǎng)發(fā)布新聞稿,宣布已經(jīng)完成5納米FinFET工藝技術(shù)開發(fā),現(xiàn)已準(zhǔn)備好向客戶提供樣品。
2019-04-16 17:27:233008

東芝推出第二代工藝技術(shù) 采用新型嵌入式NAND閃存模塊

東京日前宣布推出新型嵌入式NAND閃存模塊(e·MMC),該模塊整合了采用19納米第二代工藝技術(shù)制造的NAND芯片。
2019-06-12 17:13:58660

IBM推出一項(xiàng)微芯片工藝技術(shù)中的新改進(jìn)

IBM日前推出一項(xiàng)微芯片工藝技術(shù)中的新改進(jìn)。該公司表示,這項(xiàng)改進(jìn)將讓為手機(jī)和其它通信設(shè)備制造更高速的硅設(shè)備
2021-03-26 11:08:541281

思科技與芯耀輝就IP業(yè)務(wù)建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系 一流科技OF智能云首發(fā)亮相

思科技(Synopsys)與芯耀輝(Akrostar)雙方已達(dá)成數(shù)年期戰(zhàn)略合作,新思科技授權(quán)芯耀輝運(yùn)用新思科技12-28納米工藝技術(shù)、適配國內(nèi)芯片制造工藝的DesignWare? USB、DDR、MIPI、HDMI和PCI Express的系列IP核。
2022-03-16 15:31:171586

思科技、臺(tái)積公司和Ansys強(qiáng)化生態(tài)系統(tǒng)合作,共促多裸晶芯片系統(tǒng)發(fā)展

在3DFabric?技術(shù)和3Dblox?標(biāo)準(zhǔn)中的合作,新思科技能夠?yàn)榕_(tái)積公司先進(jìn)的7納米、5納米和3納米工藝技術(shù)上的多裸晶芯片系統(tǒng)設(shè)計(jì),提供業(yè)界領(lǐng)先的全方位EDA和IP解決方案。臺(tái)積公司先進(jìn)工藝技術(shù)集成
2023-05-18 16:04:08790

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