相對(duì)于DDR3, DDR4首先在外表上就有一些變化，比如DDR4將內(nèi)存下部設(shè)計(jì)為中間稍微突出，邊緣變矮的形狀，在中央的高點(diǎn)和兩端的低點(diǎn)以平滑曲線過(guò)渡，這樣的設(shè)計(jì)可以保證金手指和內(nèi)存插槽有足夠的接觸面
2023-09-19 14:49:44
1485 
據(jù)報(bào)道，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)官方網(wǎng)站已經(jīng)公開(kāi)列出了自家的DDR4內(nèi)存芯片、DDR4內(nèi)存條、LPDDR4X內(nèi)存芯片，都符合國(guó)際通行標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范，目前已經(jīng)處于售前咨詢階段（Contact Sales）。 長(zhǎng)鑫特別強(qiáng)調(diào)
2020-02-27 09:01:118110 描述此參考設(shè)計(jì)展示了適用于 DDR3 和 DDR4 存儲(chǔ)器的通用電源解決方案。同步降壓轉(zhuǎn)換器為 DDR3L 配置中的 9A 負(fù)載提供 1.35V 輸出電壓。線性穩(wěn)壓器提供為 2A 負(fù)載提供
2018-12-24 15:08:56
求大神賜個(gè)全面的3D PCB封裝庫(kù)（PCB封裝附帶3D模型）！??！~
2015-08-06 19:08:43
一些3D模型，蠻有用的，對(duì)PCB 3D模型有興趣的捧友來(lái)看看
2013-06-22 10:50:58
，它對(duì)于計(jì)算的要求通常比較嚴(yán)格，并且對(duì)于環(huán)境光照條件很敏感。另外一個(gè)方法采用結(jié)構(gòu)照明圖形，它只需一個(gè)投影儀（用于生成光圖形）以及一個(gè)單攝像頭和計(jì)算能力中等的算法。 結(jié)構(gòu)光結(jié)構(gòu)光是3D掃描的一個(gè)光學(xué)方法
2018-08-30 14:51:20
good，
3d封裝，感謝樓主無(wú)償奉獻(xiàn)?。?/div>
2015-06-22 10:35:56
最近在學(xué)3d模型，遇到些問(wèn)題，請(qǐng)教大家。1.3D模型的格式。模型是用3dmax做的，為3ds格式。我將它轉(zhuǎn)成wrl格式時(shí)，因?yàn)橛匈N圖，轉(zhuǎn)換之后有貼圖的部分就是黑的，而且用LabVIEW讀wrl時(shí)有
2015-11-12 17:14:29
還未接觸過(guò)DDR4，在LAYOUT顆粒設(shè)計(jì)中，布局布線上DDR3與DDR4有沒(méi)有區(qū)別？有哪些區(qū)別？
2019-03-07 10:11:39
DDR4 DESIGNDDR4 DESIGNDDR4 DESIGN拿走拿走！
2015-04-24 18:06:37
DDR4,DDR3,DDR2,DDR1及SDRAM有什么不同之處?
2021-03-12 06:22:08
DDR4 SDRAM結(jié)構(gòu)和尋址DDR4 SDRAM的封裝和尋址新的改變功能快捷鍵合理的創(chuàng)建標(biāo)題，有助于目錄的生成如何改變文本的樣式插入鏈接與圖片如何插入一段漂亮的代碼片生成一個(gè)適合你的列表創(chuàng)建一個(gè)
2021-07-29 06:58:22
DDR4就一定比DDR3好嗎？
2021-06-18 06:22:29
；?增加ACT_n控制指令為增強(qiáng)數(shù)據(jù)讀寫(xiě)可靠性增加的變更點(diǎn)主要有：?DBI；?Error Detection；1 電源變化DDR3與DDR4的96 Ball封裝pin定義...
2021-11-12 08:07:07
Detection；1 電源變化DDR3與DDR4的96 Ball封裝pin定義對(duì)比如圖1所示，DDR3中存在VDD、VDDQ、VREFDQ、VREFCA四種電源，其中VDD=VDDQ=1.5V
2019-11-12 12:40:17
DDR4內(nèi)存峰會(huì)，而這也標(biāo)志著DDR4標(biāo)準(zhǔn)制定工作的展開(kāi)。一般認(rèn)為這樣的會(huì)議召開(kāi)之后新產(chǎn)品將會(huì)在3年左右的時(shí)間內(nèi)上市，而這也意味著我們將可能在2011年的時(shí)候使用上DDR4內(nèi)存，最快也有可能會(huì)提前到2010
2011-02-27 16:47:17
`新用AD軟件，需要用到一個(gè)散熱器的3D封裝，聽(tīng)別人提起過(guò)AD14版本的可以制作簡(jiǎn)單的.step文件，試了一下在PCB文件中放置3D原件對(duì)話框是可以生成3D模型的，但問(wèn)題是這個(gè)模型我文件另存為后再導(dǎo)入到封裝庫(kù)中沒(méi)法使用?。ㄗ鴺?biāo)無(wú)法調(diào)整），各位大神有沒(méi)有好的辦法麻煩指點(diǎn)一下。`
2017-12-10 00:10:33
`AD16的3D封裝庫(kù)問(wèn)題以前采用封裝庫(kù)向?qū)傻?b class="flag-6" style="color: red">3D元件庫(kù)，都有芯片管腳的，如下圖：可是現(xiàn)在什么設(shè)置都沒(méi)有改變，怎么生成的3D庫(kù)就沒(méi)有管腳了呢？請(qǐng)問(wèn)是什么原因？需要怎么處理，才能和原來(lái)一樣？謝謝！沒(méi)管腳的就是下面的樣子：`
2019-09-26 21:28:33
`3DAD93D庫(kù)最全最好的3D封裝酷`
2016-04-28 11:40:22
一共提供了4種類型，類型1常規(guī)型，類型2時(shí)圓柱體模型，類型3是外部模型，類型4是球體模型。我們根據(jù)器件實(shí)際形狀來(lái)選擇類型?！ D（2）3D模型類型選擇 比如我們要畫(huà)0805電阻的封裝，我們可以進(jìn)行
2021-01-14 16:48:53
給PCB添加了3D模型之后，讓封裝旋轉(zhuǎn)45度，自己填加的3D模型旋轉(zhuǎn)45度后，代表3D模型的機(jī)械層不會(huì)和PCB重合；而用封裝向?qū)М?huà)的模型會(huì)和PCB重合。請(qǐng)問(wèn)這個(gè)改怎么解決？雖然旋轉(zhuǎn)45度之后，在3D 模式下，3D圖也是旋轉(zhuǎn)了45度，但是在2D模式下的機(jī)械層看著很不舒服。
2017-07-20 22:46:11
各位親，我在Altium Designer中遇到下面的問(wèn)題！希望得到幫助！下載了STEP格式的3D封裝，建好3D庫(kù)看封裝是可以顯示出來(lái)的如下圖：然后在PCB庫(kù)里放置3D body后，2D視圖下有顯示紅色框，如下圖：但是切換為3D視圖下卻并沒(méi)有3D封裝出現(xiàn)！請(qǐng)問(wèn)解決辦法！！非常感謝！
2016-11-20 20:35:21
產(chǎn)品成敗的基本因素。3D應(yīng)用于 PCB設(shè)計(jì)早在十幾年前的protel99時(shí)代就已經(jīng)被提出，但是當(dāng)時(shí)礙于設(shè)計(jì)平臺(tái)處理能力及標(biāo)準(zhǔn)模型不健全等因素的限制，在當(dāng)時(shí)應(yīng)用被定位成一個(gè)群眾演 員，幾乎一直到DXP
2016-08-18 15:50:06
筆記本內(nèi)存怎么選？LPDDR3一定不如DDR4嗎？真的是這樣嗎？這兩者有對(duì)比性嗎？
2021-06-18 06:37:32
嗨，我正在嘗試在Kintex UltraScale（KCU105）中實(shí)現(xiàn)DDR4內(nèi)存，但是（DDR4 SDRAM（MIG））中的特定部分不可用。部分是：MT401G16HBA-083E：我應(yīng)該為實(shí)現(xiàn)這個(gè)內(nèi)存做什么。？注意：我正在使用VIVADO 2016.1謝謝Luis。
2020-04-26 13:58:08
靜態(tài)渲染，動(dòng)態(tài)漫游，產(chǎn)品仿真及實(shí)現(xiàn)虛擬現(xiàn)實(shí)的過(guò)程中起著越來(lái)越大的作用，3DS MAX作為大家熟悉的3D Studio升級(jí)版本，它的運(yùn)行平臺(tái)已從DOS升級(jí)為WINDOWS NT或Windows 95
2009-05-10 10:44:54
想請(qǐng)教一下大神們，allegro如何制作3D封裝庫(kù)的
2018-05-09 08:33:17
封裝封裝封裝封裝封裝封裝封裝封裝多數(shù)是3D的
2015-11-07 19:45:25
本帖最后由 first-tech 于 2013-4-3 23:28 編輯
Altium designer 3D設(shè)計(jì)應(yīng)用越來(lái)越廣，應(yīng)網(wǎng)友要求，在此發(fā)布常用的3D設(shè)計(jì)封裝庫(kù)，歡迎大家下載。附件我會(huì)
2013-04-03 15:28:18
`CFMS2018近日成功舉辦，來(lái)自三星、西部數(shù)據(jù)、英特爾、美光、長(zhǎng)江存儲(chǔ)等全球存儲(chǔ)業(yè)大咖，與行業(yè)人士共同探討3D NAND技術(shù)的發(fā)展未來(lái)。我們來(lái)看看他們都說(shuō)了什么。三星：看好在UFS市場(chǎng)的絕對(duì)優(yōu)勢(shì)
2018-09-20 17:57:05
：dealic@163.com回收三星DDR，回收海力士DDR，回收南亞DDR，回收爾必達(dá)DDR，回收美光DDR，回收DDR2，回收DDR3（新舊/拆機(jī)/帶板均可）帝歐還回收帶板DDR，收購(gòu)帶板DDR，回收拆機(jī)DDR
2021-05-08 17:42:19
進(jìn)一步提升內(nèi)存的能效表現(xiàn)。在內(nèi)存密度方面，DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)將允許單個(gè)內(nèi)存芯片的密度達(dá)到64Gbit，這比DDR4內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的16Gbit密度高出4倍。如此高的內(nèi)存密度，再結(jié)合多芯片封裝技術(shù)，可以實(shí)現(xiàn)最高40
2022-10-26 16:37:40
可以達(dá)到128GB，媲美SSD了。功耗更低功耗方面，DDR3內(nèi)存采用1.5V標(biāo)準(zhǔn)電壓，DDR4功耗明顯降低，電壓降到1.2V甚至更低，功耗下降了，更省電，并且可以減少內(nèi)存的發(fā)熱。DDR4和DDR3內(nèi)存可以
2019-07-25 14:08:13
增強(qiáng)信號(hào)的完整性、改善資料傳輸及儲(chǔ)存的可靠性。根據(jù)宏旺半導(dǎo)體對(duì)存儲(chǔ)市場(chǎng)的觀察，DDR一代與DDR2在市面上已將很少見(jiàn)了，臺(tái)式機(jī)的內(nèi)存條普遍已經(jīng)使用DDR4了，DDR3在機(jī)頂盒、光貓、智能電視等領(lǐng)域依舊
2019-08-01 10:17:46
：dealic@163.com回收三星DDR，回收海力士DDR，回收南亞DDR，回收爾必達(dá)DDR，回收美光DDR，回收DDR2，回收DDR3（新舊/拆機(jī)/帶板均可）帝歐還回收帶板DDR，收購(gòu)帶板DDR，回收拆機(jī)DDR，收購(gòu)
2021-07-15 19:36:21
：dealic@163.com回收三星DDR，回收海力士DDR，回收南亞DDR，回收爾必達(dá)DDR，回收美光DDR，回收DDR2，回收DDR3（新舊/拆機(jī)/帶板均可）帝歐還回收帶板DDR，收購(gòu)帶板DDR，回收拆機(jī)DDR，收購(gòu)
2021-12-27 19:25:08
隨著很多全新技術(shù)的涌現(xiàn)，人們?cè)絹?lái)越需要用3D方法來(lái)表示現(xiàn)實(shí)世界中的物體。特別是機(jī)器視覺(jué)和機(jī)器人技術(shù)，它們都得益于精確和自適應(yīng)的3D捕捉功能。其它針對(duì)3D掃描的應(yīng)用包括生物識(shí)別、安防、工業(yè)檢查、質(zhì)量
2022-11-16 07:48:07
親， 我第1次用ALLEGRO是版本是14.2，隨著軟件的升級(jí)，他也有3D的封裝庫(kù)。誰(shuí)有，可以提供嗎？
2015-09-10 10:38:26
`求解如圖，我在AD16導(dǎo)入step文件后，在封裝庫(kù)能看到3D元件，但是更新到PCB后卻看不到3D模型`
2019-05-10 15:42:46
哪位大神有ad的3d封裝庫(kù)??？求發(fā)：164409980@qq.com
2014-12-29 17:20:25
有什么好的網(wǎng)站可以下載3D封裝？
2019-09-18 00:18:00
模式比較靈活,對(duì)簡(jiǎn)單、規(guī)則形體尚可適用,但對(duì)復(fù)雜、不規(guī)則形體工作量極大且復(fù)雜,還容易出錯(cuò)。除此之外,還有另一種造型方式,那就是利用3D Studio MAX軟件,首先在3D Studio MAX中造型
2011-03-07 11:53:42
大家好，有誰(shuí)知道如何從.mem文件初始化加密的ddr4內(nèi)存模型？在參考fromxapp1180項(xiàng)目時(shí)，發(fā)現(xiàn)使用以下命令初始化ddr3內(nèi)存： $ readmemh（ “ddr3
2020-05-11 09:17:30
如何在封裝庫(kù)中去創(chuàng)建3D器件模型？有哪些常見(jiàn)的元器件？
2021-07-22 09:28:58
將 DDR4 內(nèi)存添加到 imx8mp
2023-04-20 10:59:17
AD 在3D顯示下，怎么去除3D封裝的顯示，我只看焊盤(pán)，有時(shí)候封裝會(huì)遮掩底部的焊盤(pán)
2019-09-23 00:42:42
大家好，我做FPGA開(kāi)發(fā)，需要用到大的內(nèi)存，ise12只有美光和現(xiàn)代的庫(kù)，我對(duì)美光內(nèi)存使用有如下疑惑：美光2G內(nèi)存位寬16位，速率可達(dá)200M，4G內(nèi)存怎么才8位，速率還慢，才125M~150MHz.這樣的話，用更多的內(nèi)存反而降低性能？
2013-06-22 21:46:08
帶3D封裝的PCB庫(kù)
2015-03-07 08:53:34
帶有3D的封裝
2015-11-27 10:44:56
PHONEJACK電源切換的3D封裝
2019-07-23 05:35:38
DDR,DDR2,DDR3,DDR4,LPDDR區(qū)別文所有權(quán)歸作者Aircity所有1什么是DDRDDR是Double Data Rate的縮寫(xiě)，即“雙比特翻轉(zhuǎn)”。DDR是一種技術(shù)，中國(guó)大陸工程師
2021-09-14 09:04:30
：dealic@163.com回收三星DDR，回收海力士DDR，回收南亞DDR，回收爾必達(dá)DDR，回收美光DDR，回收DDR2，回收DDR3（新舊/拆機(jī)/帶板均可）帝歐還回收帶板DDR，收購(gòu)帶板DDR，回收拆機(jī)DDR
2021-01-30 17:36:35
回收DDR4，收購(gòu)DDR4,24h開(kāi)心財(cái)富熱線：趙生--135-3012-2202QQ-8798-21252 帝歐電子長(zhǎng)期專業(yè)高價(jià)回收f(shuō)lash， 回收DDR，回收手機(jī)字庫(kù)?；厥杖耭lash，回收
2021-09-08 14:59:58
我的電腦在安裝Ad之后無(wú)法觀看3D封裝。我已經(jīng)弄了3天了。求大神指教。
2017-10-31 21:32:54
我用ALTIUM10 畫(huà)PCB封裝 從網(wǎng)上下載的3D模型怎么導(dǎo)入的時(shí)候顯示不了，前幾天還可以顯示 現(xiàn)在一個(gè)都顯示不了， 是不是弄錯(cuò)了， 手動(dòng)畫(huà)3D 又能顯示方塊模型 導(dǎo)入的時(shí)候就一點(diǎn)效果都沒(méi)有像沒(méi)有導(dǎo)入3D模型一樣， 求大師指點(diǎn)。
2016-07-12 22:48:20
的QuantX。而根據(jù)最新的一些消息來(lái)看，英特爾下一代采用3D XPoint的產(chǎn)品或許將要延后發(fā)布。根據(jù)DOIT的報(bào)道顯示，在英特爾最新的年度報(bào)告中顯示，英特爾或將從美光購(gòu)買(mǎi)3D Xpoint芯片。此外，長(zhǎng)江
2020-03-19 14:04:57
DDR4。帝歐趙生***QQ1816233102/764029970郵箱dealic@163.com?；厥杖?b class="flag-6" style="color: red">DDR，回收海力士DDR，回收南亞DDR，回收爾必達(dá)DDR，回收美光DDR，回收DDR
2021-03-17 17:59:10
DDR4和DDR3的區(qū)別在哪里？DDR4內(nèi)存與DDR3內(nèi)存相比，有哪些優(yōu)勢(shì)呢？
2021-06-18 08:58:23
AD做3D封裝的時(shí)候遇見(jiàn)這種情況怎么解決，2D平面封裝無(wú)法和3D封裝契合??！
2019-09-24 04:37:20
PH1A100是否支持DDR3,DDR4
2023-08-11 06:47:32
請(qǐng)問(wèn)怎么將AD中的3D封裝庫(kù)轉(zhuǎn)換為2D的封裝庫(kù)
2019-06-05 00:35:07
誰(shuí)有VR4封裝的滑動(dòng)變阻器的3D模型？請(qǐng)幫我一把，急需?。?！謝謝了?。?！
2014-05-27 22:19:45
DDR，回收三星DDR，回收海力士DDR，回收南亞DDR，回收爾必達(dá)DDR，回收美光DDR，回收DDR2，回收DDR3（新舊/拆機(jī)/帶板均可）帝歐還回收帶板DDR，收購(gòu)帶板DDR，回收拆機(jī)DDR，收購(gòu)
2021-01-23 17:17:35
DDR，回收三星DDR，回收海力士DDR，回收南亞DDR，回收爾必達(dá)DDR，回收美光DDR，回收DDR2，回收DDR3（新舊/拆機(jī)/帶板均可）帝歐還回收帶板DDR，收購(gòu)帶板DDR，回收拆機(jī)DDR，收購(gòu)
2021-10-15 19:16:24
DDR4,什么是DDR4
DDR 又稱雙倍速率SDRAM Dual Date Rate SDRSM DDR SDRAM 是一種高速CMOS動(dòng)態(tài)隨即訪問(wèn)的內(nèi)存美國(guó)JEDEC 的固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)于2000 年6 月公
2010-03-24 16:08:393146 JEDEC 固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)，全球微電子產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)領(lǐng)導(dǎo)制定機(jī)構(gòu)日前公布了廣為業(yè)界期待的DDR4(雙倍數(shù)據(jù)速率4)內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的關(guān)鍵屬性。 預(yù)計(jì)將于2012年中期發(fā)布的JEDEC DDR4內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)與之前幾代的技術(shù)
2011-08-24 08:57:461708 美光科技今天表示，正在與標(biāo)準(zhǔn)化組織JEDEC合作，爭(zhēng)取制定3D內(nèi)存堆疊封裝技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)化，并且有可能成為下一代DDR4內(nèi)存的基本制造技術(shù)。
2011-12-17 21:28:56757 雖然新一代電腦/智能手機(jī)用上了DDR4內(nèi)存，但以往的產(chǎn)品大多還是用的DDR3內(nèi)存，因此DDR3依舊是主流，DDR4今后將逐漸取代DDR3，成為新的主流，下面我們?cè)賮?lái)看看DDR4和DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別。相比上一代DDR3，新一代DDR4內(nèi)存主要有以下幾項(xiàng)核心改變：
2017-11-08 15:42:2330895 本文主要介紹了DDR4封裝規(guī)格.
2018-06-26 08:00:00
56 關(guān)鍵詞：JEDEC , DDR4 , 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn) 微電子產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)終于發(fā)布了下一代同步DDR內(nèi)存的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)：DDR4，它的數(shù)據(jù)傳輸速度將比DDR3快一倍，且功耗更低
2018-09-30 00:15:012117 本文介紹了DDR4技術(shù)的特點(diǎn)，并簡(jiǎn)單介紹了ANSYS工具用來(lái)仿真DDR4的過(guò)程。文章中主要介紹的對(duì)象為DDR4 3200MHz內(nèi)存，因?yàn)橛布O客對(duì)DDR4性能的不斷深挖，目前已經(jīng)有接近5000MHz的量產(chǎn)內(nèi)存。
2018-10-14 10:37:2823341 近日，據(jù)嘉合勁威官網(wǎng)消息，國(guó)內(nèi)首款中國(guó)芯的DDR4內(nèi)存條——光威弈PRO DDR4內(nèi)存條已在深圳坪山大規(guī)模量產(chǎn)。
2020-07-22 14:14:471683 第十一代酷睿桌面版不斷泄露消息，所以正式產(chǎn)品還沒(méi)上市就讓人沒(méi)了新鮮感，也許正是這個(gè)原因，很多小伙伴的好奇的目光開(kāi)始轉(zhuǎn)向了更下一代平臺(tái)，特別是DDR5內(nèi)存。它到底和DDR4有啥不同，我們要不要
2021-02-27 12:13:5418074 
嘉合勁威（阿斯加特/光威品牌母公司）今天宣布，旗下的“神可”（Sinker）系列DDR4內(nèi)存產(chǎn)品已經(jīng)通過(guò)統(tǒng)信軟件的認(rèn)證。
2021-01-28 11:02:101663 ，和普通用戶無(wú)關(guān)。 現(xiàn)在，JEDEC固態(tài)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)協(xié)會(huì)發(fā)布了DDR4 NVDIMM-P非易失內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范，序列編號(hào)JESD304-4.01，也可以在斷電后不丟失數(shù)據(jù)，而且完全兼容DDR4內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)。 根據(jù)規(guī)范，這種新內(nèi)存兼容普通的DIMM內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)、固件，可以最大程度減少對(duì)于現(xiàn)有設(shè)備、平臺(tái)的更改，同
2021-02-19 10:04:021546 迪賽康DDR4/DDR5 Interposr測(cè)試板專門(mén)為內(nèi)存顆粒測(cè)試設(shè)計(jì)，阻抗一致性優(yōu)異，極低延遲，最高速率支持6.4Gbps，可以用于78pin和96pin/102pin封裝的DDR4和DDR5顆粒測(cè)試。
2022-10-10 09:33:483592 DDR5的主板不支持使用DDR4內(nèi)存。DDR5（第五代雙倍數(shù)據(jù)率）和DDR4（第四代雙倍數(shù)據(jù)率）是兩種不同規(guī)格的內(nèi)存技術(shù)，它們?cè)陔姎馓匦院鸵_布局上存在明顯差異。因此，DDR5內(nèi)存模塊無(wú)法插入DDR4主板插槽中，也不兼容DDR4內(nèi)存控制器。
2023-08-09 15:36:2512821 DDR4 3200和3600是內(nèi)存模塊的頻率標(biāo)準(zhǔn)，表示其頻率值，具有以下差異
2023-09-26 15:24:189009 DDR4和DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別？ 隨著計(jì)算機(jī)的日益發(fā)展，內(nèi)存也越來(lái)越重要。DDR3和DDR4是兩種用于計(jì)算機(jī)內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)。隨著DDR4內(nèi)存的逐漸普及，更多的人開(kāi)始對(duì)兩者有了更多的關(guān)注。 DDR
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