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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲(chǔ)技術(shù)>緩沖/存儲(chǔ)技術(shù)>SRAM的結(jié)構(gòu)框圖

SRAM的結(jié)構(gòu)框圖

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超級(jí)大電容模式結(jié)構(gòu)框圖

超級(jí)大電容模式結(jié)構(gòu)框圖 超級(jí)電容模式是針對(duì)以上兩種結(jié)構(gòu)的局限而產(chǎn)生的,因?yàn)榍皟煞N結(jié)構(gòu)的最大輸出電流受到電池使用規(guī)格的限制。如果假定
2010-01-04 18:28:021235

變速雙饋風(fēng)力發(fā)電系統(tǒng)結(jié)構(gòu)框圖

變速雙饋風(fēng)力發(fā)電系統(tǒng)結(jié)構(gòu)框圖
2010-02-22 09:53:065082

燃料電池發(fā)電系統(tǒng)結(jié)構(gòu)框圖

燃料電池發(fā)電系統(tǒng)結(jié)構(gòu)框圖 系統(tǒng)中能量流圖如圖10 所示,在燃料電池的輸
2010-02-22 10:08:243975

SRAM,SRAM原理是什么?

SRAM,SRAM原理是什么? 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器SRAM。 SRAM主要用于二級(jí)高速緩存(Level2 C ache)。它利用晶體管來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。與DRAM相比,SRAM的速度快
2010-03-24 16:11:328479

SRAM模塊,SRAM模塊結(jié)構(gòu)原理是什么?

SRAM模塊,SRAM模塊結(jié)構(gòu)原理是什么? RAM 結(jié)構(gòu)框圖如圖1 所示。它主要由存儲(chǔ)矩陣(又稱存儲(chǔ)體)、地址譯碼器和讀/寫電路 3 部分組成。存儲(chǔ)矩陣是存儲(chǔ)
2010-03-24 16:28:393895

CX20106 內(nèi)部結(jié)構(gòu)框圖

CX20106 內(nèi)部結(jié)構(gòu)框圖 考慮到調(diào)制解調(diào)時(shí)可靠性,利用紅外線專用接收集成芯片CX20106 進(jìn)行調(diào)制解調(diào),其內(nèi)部結(jié)構(gòu)框圖如下圖 所示。
2010-01-08 11:13:313314

LTC3219結(jié)構(gòu)功能框圖

 圖所示是LTC3219的結(jié)構(gòu)功能框圖。   
2010-08-23 11:20:40908

同步突發(fā)式SRAM

同步突發(fā)式SRAM的內(nèi)部框圖如圖所示,它與同步管道突發(fā)式SRAM基本相同,不同之處只是在輸出緩沖器中沒有配置鎖存器。
2011-05-30 11:01:391457

SG3525引腳功能和結(jié)構(gòu)框圖

電子發(fā)燒友為大家提供了SG3525引腳功能和結(jié)構(gòu)框圖,還有采用SG3525來實(shí)現(xiàn)SPWM控制信號(hào)的輸出的工作原理。
2011-08-05 11:21:5725808

Maxim公司血糖儀內(nèi)部結(jié)構(gòu)功能框圖

本電路圖是Maxim公司的醫(yī)療產(chǎn)品血糖儀內(nèi)部結(jié)構(gòu)功能框圖。具體如下圖所示: 圖 Maxim公司的醫(yī)療產(chǎn)品血糖儀內(nèi)部結(jié)構(gòu)功能框圖
2012-09-26 14:36:239161

Labview之程序框圖禁用結(jié)構(gòu)

Labview之程序框圖禁用結(jié)構(gòu),很好的Labview資料,快來下載學(xué)習(xí)吧。
2016-04-19 10:56:220

順序結(jié)構(gòu)與選擇結(jié)構(gòu)_算法框圖的基本結(jié)構(gòu)及設(shè)計(jì)

電子專業(yè)單片機(jī)相關(guān)知識(shí)學(xué)習(xí)教材資料—順序結(jié)構(gòu)與選擇結(jié)構(gòu)_算法框圖的基本結(jié)構(gòu)及設(shè)計(jì)
2016-08-08 17:19:150

程序框圖邏輯結(jié)構(gòu)

《程序框圖邏輯結(jié)構(gòu)》--程序框圖與算法的基本邏輯結(jié)構(gòu),感興趣的可以看看。
2016-09-01 15:27:270

SRAM 72-Mbit QDR? II SRAM 2 字突發(fā)結(jié)構(gòu)

SRAM 72-Mbit QDR? II SRAM 2 字突發(fā)結(jié)構(gòu)
2017-10-10 08:58:4211

采用5管單元的SRAM結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)CPLD可編程電路的設(shè)計(jì)

顯然,設(shè)計(jì)基于SRAM編程技術(shù)的CPLD可以很好解決上述應(yīng)用問題。CPLD的設(shè)計(jì)和實(shí)現(xiàn)的關(guān)鍵問題是核心可編程電路結(jié)構(gòu)的實(shí)現(xiàn)。因此,本文主要探討針對(duì)CPLD的核心可編程結(jié)構(gòu),如何設(shè)計(jì)具有相似功能且基于SRAM編程技術(shù)的電路結(jié)構(gòu),從而更好滿足動(dòng)態(tài)重構(gòu)系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)復(fù)雜狀態(tài)機(jī)和譯碼電路的應(yīng)用。
2020-04-25 10:21:001687

SRAM隨機(jī)存儲(chǔ)器的特點(diǎn)及結(jié)構(gòu)

關(guān)于SRAM隨機(jī)存儲(chǔ)器的特點(diǎn)及結(jié)構(gòu)SRAM隨機(jī)存儲(chǔ)器的特點(diǎn) 隨機(jī)存儲(chǔ)器最大的特點(diǎn)就是可以隨時(shí)對(duì)它進(jìn)行讀寫操作,但當(dāng)電源斷開時(shí),存儲(chǔ)信息便會(huì)消失。隨機(jī)存儲(chǔ)器依照數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方式的不同,主要可以分為動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)與靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器
2020-04-30 15:48:132878

SRAM的性能介紹以及它的結(jié)構(gòu)解析

SRAM它也由晶體管組成。接通代表1,斷開表示0,并且狀態(tài)會(huì)保持到接收了一個(gè)改變信號(hào)為止。這些晶體管不需要刷新,但停機(jī)或斷電時(shí),它們同DRAM一樣,會(huì)丟掉信息。SRAM的速度非???,通常能以20ns
2020-06-29 15:40:1212300

SRAM的工作原理圖解

SRAM六管結(jié)構(gòu)的工作原理
2020-07-15 17:00:1444914

SRAM和DRAM的區(qū)別

SRAM的S是Static的縮寫,全稱是靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。而DRAM的D是Dynamic的縮寫,全稱是動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。這兩者有什么區(qū)別呢?首先我們看看SRAM結(jié)構(gòu),你可以網(wǎng)上搜索一下有很多資料介紹SRAM的,比較出名的是6場(chǎng)效應(yīng)管組成一個(gè)存儲(chǔ)bit單元的結(jié)構(gòu)
2020-08-22 09:21:0018044

兩種SRAM的電路結(jié)構(gòu)?

SRAM是隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的一種。所謂的靜態(tài)是指這種存儲(chǔ)器只要保持通電,里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。SRAM不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù),因此SRAM具有較高的性能。 SRAM的速度快
2020-09-19 11:42:256552

讀取優(yōu)先和SRAM-MRAM混合結(jié)構(gòu),幾個(gè)混合結(jié)構(gòu)的管理策略

的寫緩存器和SRAM-MRAM混合結(jié)構(gòu)這兩種策略可以提高M(jìn)RAM的性能及降低其功耗。 讀取優(yōu)先和SRAM-MRAM混合結(jié)構(gòu) 直接用MRAM代替SRAM可能導(dǎo)致性能下降。因此提出了用兩種策略來緩解這個(gè)矛盾:一是引入讀取優(yōu)先的寫入緩沖器;二是引入SRAM-MRAM混合結(jié)構(gòu)。二者可以結(jié)合起來以改善
2020-11-17 16:31:48419

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