憂慮大陸DRAM崛起，三星海力士美光全力圍堵　

　　全球三大DRAM廠三星、SK海力士（SK Hynix）及美光，近期不約不同相繼寄出存證信函給跳槽到大陸合肥長鑫、及為福建晉華負(fù)責(zé)研發(fā)的聯(lián)電核心成員，全力防堵DRAM技術(shù)流入中國大陸，讓全力發(fā)展自主DRAM研發(fā)的中國大陸踢到鐵板，也讓近期有意跳槽到大陸的華亞科核心技術(shù)人員，遭到空前恫嚇。

　　半導(dǎo)體人士透露，三大DRAM廠強(qiáng)力防止中國大陸借挖角剽竊技術(shù)，顯示不樂見DRAM產(chǎn)業(yè)寡占局面被中國大陸打破；三大廠采取法律制約員工跳槽的行動，如果能奏效，將使DRAM供給缺口問題再擴(kuò)大，明年再現(xiàn)飆漲。

　　中國大陸全力發(fā)展記憶體已列為政策目標(biāo)，目前包括紫光集團(tuán)、合肥長鍵及福建晉華都相繼提出宏大發(fā)展計畫，并且對外挖角行動再擴(kuò)大。

　　不過，力晶集團(tuán)執(zhí)行長黃崇仁透露，包括三星和SK海力士已寄出存證信函給，對合肥長鑫挖角的原三星和SK海力士員工措詞強(qiáng)硬，不惜傾所有資源提告。

　　無獨有偶，美光也發(fā)出存證信函給原擔(dān)任美光***區(qū)總經(jīng)理，后來跳槽到聯(lián)電擔(dān)任副總經(jīng)理的陳正坤，陳正坤正是聯(lián)電和福建晉華合作切入生產(chǎn)DRAM的主要負(fù)責(zé)人，全力防止美光的技術(shù)流入中國大陸，在業(yè)界引起極大震撼。

　　消息人士透露，三大DRAM廠寄出存證信函的舉動，也代表掌握一定的資料和證據(jù)，發(fā)現(xiàn)這些將三大廠的技術(shù)轉(zhuǎn)移到大陸，損及利益，預(yù)料后續(xù)也會跟著采取法律行動，引起市場密切注意。

　　據(jù)了解，由于合肥長鑫鎖定挖角剛并入美光的華亞科高達(dá)二百位員工，且多以曾參與美光先進(jìn)制程的技術(shù)人員，美光內(nèi)部也調(diào)派更多的法務(wù)人員來臺，進(jìn)行相關(guān)搜證和技術(shù)保全工作，防范技術(shù)遭到剽竊。

　　***南亞科也有部分人員已跳槽到合肥長鑫，但目前多以廠務(wù)為主，還未有制程技術(shù)人員加入對岸發(fā)展記憶體的集團(tuán)，但南亞科也展開智慧財產(chǎn)財權(quán)的保護(hù)和宣導(dǎo)工作。南亞科總經(jīng)理李培瑛強(qiáng)調(diào)，DRAM幾乎是各種科技產(chǎn)品的必備電子元件，中國大陸長期發(fā)展一定是以國際化為目標(biāo)。

　　華亞科被高薪挖角 大陸存儲點燃DRAM主導(dǎo)權(quán)大戰(zhàn)

　　中國大陸紫光集團(tuán)長江存儲、合肥長鑫及福建晉華都積極爭取大陸存儲主導(dǎo)權(quán)，隨著三大體建廠計劃預(yù)定2018年量產(chǎn)，三大體系將正面對決。

　　長鑫目前已網(wǎng)羅SK海力士、華亞科及臺廠DRAM設(shè)計公司相關(guān)人員，構(gòu)成中日臺的存儲研發(fā)團(tuán)隊。長鑫日前正式曝光相關(guān)投資計劃，預(yù)定第一期在合肥空港經(jīng)濟(jì)示范區(qū)興建第一座12吋晶圓廠，明年7月動工，目前團(tuán)隊已逾50位員工，預(yù)定明年要達(dá)千人規(guī)模、2018年上看2，000人，這也是為何急于對臺挖角的關(guān)鍵。

　　大陸發(fā)展自主存儲已列入大陸國家發(fā)展目標(biāo)，多方勢力積極主導(dǎo)地位，其中，紫光列名國家級發(fā)展存儲廠商外，也獲大基金支持，今年8月整并武漢新芯成立長江存取公司，由紫光集團(tuán)董事長趙偉國出任長江存儲公司董事長，國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金總經(jīng)理丁文武出任副董事長，武漢新芯執(zhí)行長楊士寧擔(dān)任執(zhí)行長。