三大存儲布局重讀 - 憂慮大陸DRAM崛起，三星海力士美光全力圍堵　

　　三大存儲布局重讀

　　據(jù)***媒體報道，近期大陸三股勢力正如火如荼點(diǎn)燃DRAM主導(dǎo)權(quán)大戰(zhàn)，長江存儲傳已評估到南京設(shè)立12吋廠，聯(lián)電大陸DRAM廠福建晉華計劃2018年量產(chǎn)，并在南科廠同步研發(fā)25、30納米制程，至于合肥市與北京兆易創(chuàng)新（GigaDevice）合作的合肥長鑫，由前中芯國際執(zhí)行長王寧國操刀，大陸這三股DRAM勢力將決戰(zhàn)2018年，搶當(dāng)大陸DRAM產(chǎn)業(yè)龍頭。

　　盡管大陸布局自制3D NANDFlash雛形漸現(xiàn)，長江存儲將與已購并飛索（Spansion）的賽普拉斯（Cypress）合作，切入32層和64層3DNAND技術(shù)，由于門檻較高，長江存儲仍有機(jī)會急起直追國際存儲器大廠，然值得注意的是，全球存儲器產(chǎn)業(yè)將率先上演大陸力爭DRAM主導(dǎo)權(quán)戲碼。

　　目前大陸DRAM勢力處于戰(zhàn)國時代，至少有三股DRAM勢力全面競逐版圖，除了長江存儲之外，還有聯(lián)電旗下福建晉華，其主要操盤手為前瑞晶總經(jīng)理、現(xiàn)任聯(lián)電資深副總陳正坤，第三股DRAM勢力則是合肥市政府結(jié)合GigaDevice及王寧國人馬成立的合肥長芯。

　　長江存儲與旗下武漢新芯原本是扮演大陸存儲器中心角色，將統(tǒng)籌3DNAND和DRAM兩大存儲器技術(shù)發(fā)展，然***傳出針對長江存儲DRAM布局進(jìn)行規(guī)范，若是自行研發(fā)DRAM技術(shù)必須先量產(chǎn)3DNAND，但若對外購買技術(shù)則無此限制，使得長江存儲積極與國際大廠合作，以加速DRAM量產(chǎn)，并獲得專利保護(hù)傘。

　　長江存儲除了積極與美光洽談DRAM技術(shù)專利授權(quán)，業(yè)界亦傳出正著手評估自建或購并現(xiàn)有晶圓廠的可能性，甚至有意跟隨臺積電腳步評估在南京設(shè)立12吋晶圓廠，長江存儲執(zhí)行長楊士寧則表示，將以購并現(xiàn)有晶圓廠為第一考量。

　　近期武漢新芯12吋新廠已經(jīng)動起來，單月產(chǎn)能規(guī)劃30萬片，涵蓋NANDFlash和DRAM芯片，然業(yè)界預(yù)期長江存儲兩大產(chǎn)品線的生產(chǎn)基地，最終仍會分開進(jìn)行。至于大陸另外兩個DRAM陣營亦加快腳步展開研發(fā)自制，希望搶在長江存儲之前先量產(chǎn)DRAM技術(shù)，以爭取大陸DRAM產(chǎn)業(yè)寶座。

　　聯(lián)電與福建晉江地方政府合作成立的福建晉華新廠已經(jīng)動工，預(yù)計2018年進(jìn)入量產(chǎn)，業(yè)界傳出大陸注資近新臺幣100億元，讓聯(lián)電在南科廠同時進(jìn)行25、30納米技術(shù)研發(fā)，預(yù)計2017年底完成技術(shù)開發(fā)，福建晉華則配合在2018年下半裝機(jī)，屆時聯(lián)電南科廠DRAM技術(shù)將快速轉(zhuǎn)到福建晉華量產(chǎn)。

　　盡管福建晉華至少要投入25納米以下制程技術(shù)，才有機(jī)會獲得大陸官方青睞，但聯(lián)電采取較謹(jǐn)慎作法，避免一下子投入25納米技術(shù)開發(fā)面臨失敗風(fēng)險，遂同時研發(fā)30納米作為備案。

　　大陸第三股DRAM勢力系由王寧國操刀的合肥長鑫，原本合肥市政府和GigaDevice投資的廠房，傳出主要投入DRAM相關(guān)存儲器IC設(shè)計，然近期業(yè)界傳出該陣營將豪擲逾新臺幣1，000億元，同時進(jìn)行DRAM研發(fā)和制造。

　　目前大陸這三股DRAM勢力持續(xù)進(jìn)行招兵買馬，并雙頭并進(jìn)朝向技術(shù)專利授權(quán)及自主技術(shù)研發(fā)模式發(fā)展，希望趁著大陸DRAM主導(dǎo)權(quán)還未底定之前先卡好位，預(yù)期2018年這三大DRAM陣營將力拚量產(chǎn)并陷入激戰(zhàn)。

　　齊齊挖角華亞科

　　中國大陸兩大體系紫光和合肥長鑫同步鎖定挖角華亞科制程相關(guān)人才，其中由合肥市政府主導(dǎo)的存儲研發(fā)團(tuán)隊(duì)合肥長鑫，開出三倍高薪和紫光集團(tuán)的雙倍薪較勁，在存儲界丟出一顆震撼彈，凸顯中國大陸建立存儲自主技術(shù)的決心。

　　大陸高薪挖角的行動，也將讓本月才正式并入美光的華亞科，甚至臺塑集團(tuán)旗下的南亞科，明年將有大批人才跳槽，如何挽留這些人才，將成為首要課題。

　　中國大陸已將存儲列為國家發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)重項(xiàng)扶植項(xiàng)目，除了明定紫光集團(tuán)為指標(biāo)廠外，各地方政府也積極整合，希望列入國家級補(bǔ)助計劃之列。

　　不過在爭取和國外技術(shù)授權(quán)后，以武岳鋒為首的大陸基金，和國家大基金都各自積極整合尋求突圍，其中以合肥與中國大陸NANDFlash設(shè)計公司兆易創(chuàng)新（Gigadevice）合作的合肥長鑫和清華紫光集團(tuán)最為積極。

　　消息人士透露，合肥長鑫除了計劃和武岳鋒基金并入的美商矽成（ISSI）合并，也挖角華亞科前資深副總劉大維，展開大批挖角華亞科人才行動。據(jù)了解，合肥長鑫開出現(xiàn)有華亞科三倍的高薪進(jìn)行挖角，且鎖定人數(shù)高達(dá)兩百人，遠(yuǎn)高于紫光集團(tuán)出的雙倍薪，已有不少人決定投效。

　　另外，華亞科前董事長高啟全跳槽紫光集團(tuán)擔(dān)任資深副總裁，紫光納入武漢新芯整合成立長江存儲公司后，也挖角前華亞科主管廠務(wù)的子弟兵施能煌擔(dān)任紫光集團(tuán)高級副總裁，并相繼帶走近十位子弟兵，投入在武漢興建3DNANDFlash的建廠及后續(xù)自主研發(fā)DRAM技術(shù)作業(yè)。臺系存儲人才面臨空前的挖角行動。

　　而連同瑞晶前總經(jīng)理陳正坤帶領(lǐng)的臺系團(tuán)隊(duì)，投入為福建晉華興建利基型DRAM代工廠，明年可謂臺系DRAM人才大舉向大陸靠攏的一年。