MAX5078A/MAX5078B高速MOSFET驅(qū)動(dòng)器可供出或吸收4A的峰值電流。這些器件在驅(qū)動(dòng)5000pF容性負(fù)載時(shí)具有20ns的快速傳輸特性和20ns的上升、下降時(shí)間
2012-10-08 10:22:57
1012 在電源系統(tǒng)中，MOSFET驅(qū)動(dòng)器一般僅用于將PWM控制IC的輸出信號(hào)轉(zhuǎn)換為高速的大電流信號(hào)，以便以最快的速度打開和關(guān)閉MOSFET。由于驅(qū)動(dòng)器IC與MOSFET的位置相鄰，所以就需要增加智能保護(hù)功能以增強(qiáng)電源的可靠性。
2021-03-07 10:56:002462 
220v交流電經(jīng)過變壓器后為18v，經(jīng)過整流后波形不對(duì)，求教
2018-04-19 17:42:00
，可產(chǎn)生精確的邊沿和快速上升和下降時(shí)間。 MIC4414采用4.5V至18V電源供電，可吸收和提供高達(dá)1.5A的峰值電流，在12ns內(nèi)切換1000pF電容。通態(tài)柵極驅(qū)動(dòng)輸出電壓約等于電源電壓（無內(nèi)部穩(wěn)壓器或鉗位）
2020-04-16 10:14:10
`15V轉(zhuǎn)12V和18V轉(zhuǎn)12V的電源芯片，適合1-5A大電流應(yīng)用等，根據(jù)不同的輸入電壓來選擇，15V和18V轉(zhuǎn)12V解決方案比較推薦：DC-DC降壓電路了。DC-DC降壓電路：如圖，根據(jù)表格，可以
2020-12-08 09:35:46
18V轉(zhuǎn)3.3V電源芯片，18V轉(zhuǎn)3.3V降壓芯片，18V轉(zhuǎn)3.3V穩(wěn)壓芯片。15V和18V供電電壓輸入，降壓轉(zhuǎn)3.3V的電源電路和芯片選擇。首先需要由于15V和18V電壓在開關(guān)動(dòng)作時(shí)，或者拔插動(dòng)作
2020-12-03 09:30:21
`18V 轉(zhuǎn) 5V， 15V 轉(zhuǎn) 5V 的 LDO:芯片的選擇，特別是輸入電壓，在低電平 5V 以下的，基本上都是接近也可以。但是 5V 以上，如現(xiàn)在的 18V 和 15 的話，就不一樣了。我們需要
2021-04-14 10:10:06
先生 ：*** QQ 2867714804 18V 轉(zhuǎn) 5V， 15V 轉(zhuǎn) 5V 的電源芯片 PW2330 開發(fā)了一種高效率的同步降壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換器 3A 輸出電流。PW2330 在 4.5V
2021-04-20 15:28:25
18V轉(zhuǎn)5V，18V轉(zhuǎn)3.3V，18V轉(zhuǎn)3V，18V轉(zhuǎn)5V穩(wěn)壓芯片，18V轉(zhuǎn)3.3V穩(wěn)壓芯片，18V轉(zhuǎn)3V穩(wěn)壓芯片， 18V常降壓轉(zhuǎn)成5V電壓，3.3V電壓和3V電壓給其他芯片或設(shè)備供電，適用于這個(gè)
2020-10-15 17:06:36
系統(tǒng)均采用了ADI數(shù)字隔離器，用于為各個(gè)串行端口和USB端口實(shí)現(xiàn)電氣隔離。借助這些隔離器，Lantronix的設(shè)計(jì)師們得以增加隔離通道的總數(shù)，最終使數(shù)據(jù)速率和時(shí)序規(guī)格比基于光耦合器的設(shè)計(jì)提高了4倍。通過
2018-10-11 11:17:23
簡介目前 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器的主要用途之一是進(jìn)行不同類型電機(jī)的驅(qū)動(dòng)控制。此應(yīng)用筆記對(duì)一些基本概念進(jìn)行討論以幫助用戶選擇適合應(yīng)用的 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器。電機(jī)和 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器之間的電橋通常由
2021-09-17 07:19:25
。 3． 降低dv/dt,di/dt造成的震蕩門極震蕩是MOSFET高速驅(qū)動(dòng)一個(gè)常見問題，驅(qū)動(dòng)的震蕩直接影響到電源系統(tǒng)的損耗以及可靠性，通常MOSFET門極震蕩包含兩個(gè)回路如圖4圖4中紅色曲線是震蕩回路1
2018-12-10 10:04:29
MOSFET驅(qū)動(dòng)器的主要用途有哪些？MOSFET或IGBT哪一種驅(qū)動(dòng)器最適合您的應(yīng)用呢？
2021-11-08 06:11:40
你好，我正在尋找這兩個(gè)MOSFET的驅(qū)動(dòng)器IC，F(xiàn)DD7N20TMCT-ND和FQD7P20TMCT-ND。我的邏輯由CPLD產(chǎn)生，為3.3V。我在想使用MD1822K6-GCT-ND。這些
2018-10-25 14:27:53
實(shí)現(xiàn)了內(nèi)部二極管的反向恢復(fù)時(shí)間trr高速化的ROHM SJ-MOSFET。?內(nèi)部二極管的trr高速化有助于實(shí)現(xiàn)逆變器和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器電路的高效化與小型化。＜ 相關(guān)產(chǎn)品信息 ＞SJ-MOSFETIGBTFRD
2018-11-28 14:27:08
新型LCD驅(qū)動(dòng)器是如何推動(dòng)移動(dòng)電視發(fā)展的？
2021-06-08 06:31:55
將減小元件尺寸，從而減小成本、系統(tǒng)尺寸和重量；這些是汽車和能源等市場中的主要優(yōu)勢(shì)。新型功率開關(guān)還將促使其控制元件發(fā)生變化，其中包括柵極驅(qū)動(dòng)器。本文將探討GaN和SiC開關(guān)與IGBT/MOSFET的一些
2018-10-16 06:20:46
頻率將減小元件尺寸，從而減小成本、系統(tǒng)尺寸和重量；這些是汽車和能源等市場中的主要優(yōu)勢(shì)。新型功率開關(guān)還將促使其控制元件發(fā)生變化，其中包括柵極驅(qū)動(dòng)器。本文將探討GaN和SiC開關(guān)與IGBT/MOSFET
2018-10-16 21:19:44
減小元件尺寸，從而減小成本、系統(tǒng)尺寸和重量；這些是汽車和能源等市場中的主要優(yōu)勢(shì)。新型功率開關(guān)還將促使其控制元件發(fā)生變化，其中包括柵極驅(qū)動(dòng)器。本文將探討GaN和SiC開關(guān)與IGBT/MOSFET的一些
2018-10-24 09:47:32
36 V的寬輸入工作電壓范圍，代表了為高速柵極驅(qū)動(dòng)器提供穩(wěn)定受控諧波和隔離電源的最高技術(shù)水準(zhǔn)。它采用裸露焊盤的10引腳MSOP和3 mm × 3 mm DFN封裝。圖6. LT3999評(píng)估板系統(tǒng)
2018-10-22 17:01:41
概述：MCP1406系列器件是單路緩沖器/MOSFET驅(qū)動(dòng)器， 具有6A的峰值輸出電流驅(qū)動(dòng)能力、更低的導(dǎo)通電流、匹配的上升/下降時(shí)間和傳輸時(shí)延。這些器件是早先TC4420/TC4429 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器的改進(jìn)型版...
2021-04-20 07:00:53
概述：MCP1407系列器件是單路緩沖器/MOSFET驅(qū)動(dòng)器， 具有6A的峰值輸出電流驅(qū)動(dòng)能力、更低的導(dǎo)通電流、匹配的上升/下降時(shí)間和傳輸時(shí)延。這些器件是早先TC4420/TC4429 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器的改進(jìn)型版...
2021-04-20 06:55:43
高速同步MOSFET驅(qū)動(dòng)器LTC4447資料下載內(nèi)容包括：LTC4447引腳功能LTC4447內(nèi)部方框圖LTC4447典型應(yīng)用電路LTC4447極限參數(shù)
2021-03-26 07:14:06
高速低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器14nsUCC27201A3A，120V高側(cè)和低側(cè)驅(qū)動(dòng)器20ns表1：高速驅(qū)動(dòng)器 系統(tǒng)效率是一個(gè)團(tuán)隊(duì)努力的結(jié)果。本博客系列介紹了高速和高電流柵極驅(qū)動(dòng)器是關(guān)鍵件。立即訪問
2019-03-08 06:45:10
高速柵極驅(qū)動(dòng)器可以實(shí)現(xiàn)相同的效果。高速柵極驅(qū)動(dòng)器可以通過降低FET的體二極管的功耗來提高效率。體二極管是寄生二極管，對(duì)于大多數(shù)類型的FET是固有的。它由p-n結(jié)點(diǎn)形成并且位于漏極和源極之間。圖1所示
2022-11-14 07:53:24
` 本帖最后由 OneyacSimon 于 2019-2-18 21:36 編輯
Diodes Incorporated AL1697 18V 離線式可調(diào)光 LED 驅(qū)動(dòng)器是一款高性能、高
2019-02-16 10:26:04
概述：IRS26302DJBPF美國國家半導(dǎo)體公司生產(chǎn)的一款高速功率MOSFET和IGBT驅(qū)動(dòng)器，它把功率MOSFET/IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器與三個(gè)高側(cè)及三個(gè)低側(cè)參考輸出通道集成在一起，在最高20V
2021-05-18 07:25:34
重復(fù)環(huán)境試驗(yàn)3V、6V、9V和12V的數(shù)據(jù)點(diǎn)。詳細(xì)描述ISL55110和ISL55111是雙高速MOSFET用于要求精確脈沖的驅(qū)動(dòng)器生成和緩沖。目標(biāo)應(yīng)用包括超聲波，CCD成像、汽車壓電距離傳感和時(shí)鐘
2020-10-09 16:22:19
控制系統(tǒng)給出一個(gè)PWM的信號(hào)，PWM通過一個(gè)電路，轉(zhuǎn)變成6V或者18V的電壓輸出，該電路輸出的中位電壓是12V。默認(rèn)時(shí)是在中位的，當(dāng)在中位時(shí)，控制的設(shè)備是不動(dòng)作的，當(dāng)設(shè)備信號(hào)端檢測(cè)到6V（18V
2017-06-21 11:23:39
`SM7055-18非隔離BUCK(7V/0.1A;18V/0.30A)方案簡介系統(tǒng)規(guī)格輸入電壓：85Vac-264Vac輸出規(guī)格：(7V/0.1A;18V/0.30A)恒壓精度：7V:±4.3
2016-03-30 15:08:08
等LED照明驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域。 適用于100mA,300mA等多種規(guī)格。SM7525隔離PSR 18V/290mA方案典型系統(tǒng)規(guī)格18V/290mA輸入電壓90Vac~264Vac輸出電壓8V-18V輸出電流
2016-01-07 13:55:46
柵極電壓，在20V柵極電壓下從幾乎300A降低到12V柵極電壓時(shí)的130A左右。即使碳化硅MOSFET的短路耐受時(shí)間短于IGTB的短路耐受時(shí)間，也可以通過集成在柵極驅(qū)動(dòng)器IC中的去飽和功能來保護(hù)SiC
2019-07-30 15:15:17
最小值。一般的IGBT和Si-MOSFET的驅(qū)動(dòng)電壓為Vgs=10～15V，而SiC-MOSFET建議在Vgs=18V前后驅(qū)動(dòng)，以充分獲得低導(dǎo)通電阻。也就是說，兩者的區(qū)別之一是驅(qū)動(dòng)電壓要比
2018-11-30 11:34:24
概述：TC427是TELCOM半導(dǎo)體公司生產(chǎn)的一款1.5A雙高速功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器。雙列直插DIP或貼片SOIC 8腳封裝。輸出峰值電流1.5A，最大輸入電壓18V。
2021-05-18 07:50:05
溫度為-40°C至105°C應(yīng)用開關(guān)電源DC/DC轉(zhuǎn)換器電機(jī)控制器線路驅(qū)動(dòng)器D類開關(guān)放大器說明UCC27423/4/5系列高速雙MOSFET驅(qū)動(dòng)器可以將大峰值電流傳輸?shù)诫娙葚?fù)載。提供三種標(biāo)準(zhǔn)邏輯選項(xiàng)-雙
2020-10-14 16:57:53
電機(jī)驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)中MOSFET驅(qū)動(dòng)器與MOSFET的匹配設(shè)計(jì)相關(guān)文章資料，大家可以看看，對(duì)大家很有幫助！
2021-03-29 16:18:09
Si-MOSFET/IGBT不斷改進(jìn)，以及對(duì)GaN和SiC工藝技術(shù)的引進(jìn)，現(xiàn)代功率轉(zhuǎn)換器/逆變器的功率密度不斷提高。因此，需要高度集成、耐用的新型隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器。這些驅(qū)動(dòng)器的電隔離裝置體積小巧，可集成到驅(qū)動(dòng)器芯片
2021-01-22 06:45:02
LTC1163的典型應(yīng)用 - 三路1.8V至6V高側(cè)MOSFET驅(qū)動(dòng)器。 LTC1163 / LTC1165三路低壓MOSFET驅(qū)動(dòng)器可通過低至1.8V電源的廉價(jià)低RDS（ON）N通道開關(guān)切換電源或接地參考負(fù)載
2020-04-17 10:09:17
什么是MOSFET驅(qū)動(dòng)器？MOSFET驅(qū)動(dòng)器功耗包括哪些部分？如何計(jì)算MOSFET的功耗？
2021-04-12 06:53:00
我需要從英飛凌推出MOSFET IPW90R120C3這里的MOSFET規(guī)格VDS @ TJ=25°C 900 VRdson @ TJ=25°C: 0.12ohmQg = 270nC驅(qū)動(dòng)器
2018-09-01 09:53:17
描述及特性tiny 7W boost converter w/ TPS61087, 18V out of 5V
2015-04-24 15:37:34
`最近我在做D類放大。要放大1Mhz正弦波信號(hào)，比較用的三角波為10Mhz。需要開關(guān)頻率能大于20Mhz的mosfet驅(qū)動(dòng)器。請(qǐng)問mosfet驅(qū)動(dòng)器的最高工作頻率是由什么參數(shù)決定的？有能達(dá)到20Mhz以上的mosfet驅(qū)動(dòng)器嗎？`
2018-04-11 23:31:46
，能夠在 MOSFET 關(guān)斷狀態(tài)下為柵極提供負(fù)電壓、高充電/放電脈沖電流，并且足夠快以在納秒范圍內(nèi)操作柵極。IC IX6611是一款智能高速柵極驅(qū)動(dòng)器，可輕松用于驅(qū)動(dòng)碳化硅（SiC）MOSFET以及標(biāo)準(zhǔn)
2023-02-27 09:52:17
均采用 TO-247-4L 封裝，其中包括一個(gè)驅(qū)動(dòng)器發(fā)射極/源極引腳。兩種情況均僅使用單極柵極驅(qū)動(dòng)：IGBT為15V/0V，SiCMOSFET為18V/0V。表 1 顯示了使用相應(yīng)條件執(zhí)行的測(cè)試列表
2023-02-21 16:36:47
使用新型薄氧化層漏極延伸MOS器件，該驅(qū)動(dòng)器可實(shí)現(xiàn)可靠的高壓操作，而這一新型器件通過CMOS技術(shù)實(shí)現(xiàn)時(shí)無需額外的費(fèi)用。那么，我們?cè)撊绾卫蒙漕l功率放大器驅(qū)動(dòng)器實(shí)現(xiàn)無線系統(tǒng)呢？
2019-07-31 06:07:48
最大限度提高Σ-Δ ADC驅(qū)動(dòng)器的性能
2021-01-06 07:05:10
工作電壓范圍為 4.4V 至 18V 的系統(tǒng)提供三相無刷直流 (BLDC) 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器解決方案。該設(shè)計(jì)采用 DRV10974 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器，從而能夠添加用于實(shí)現(xiàn)閉環(huán)速度控制的 MCU。DRV10974
2018-07-03 09:40:10
請(qǐng)問TI有沒有芯片可以支持以下電路設(shè)計(jì)的：輸入為+4~+6V；輸出為+16~+18V（0.2mA）和-16~-18V（0.1mA）。或者只輸出-16~-18V（0.1mA）。求解答~~ 謝謝！！
2016-01-25 15:59:28
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對(duì)于IGBT，它們被稱為集電極
2021-01-27 07:59:24
在高度可靠、高性能的應(yīng)用中，如電動(dòng)/混合動(dòng)力汽車，隔離柵級(jí)驅(qū)動(dòng)器需要確保隔離柵在所有情況下完好無損。隨著Si-MOSFET/IGBT不斷改進(jìn)，以及對(duì)GaN和SiC工藝技術(shù)的引進(jìn)，現(xiàn)代功率轉(zhuǎn)換器/逆變器的功率密度不斷提高。
2019-08-09 07:03:09
最近在逛PIC官網(wǎng)的時(shí)候，查找相關(guān)應(yīng)用手冊(cè)的時(shí)候挖到的一篇文章。根據(jù)電機(jī)控制應(yīng)用需求選擇合適的MOSFET 驅(qū)動(dòng)器.pdf (589.89 KB )
2019-05-30 22:17:43
ADI最新推出兩款模擬輸出驅(qū)動(dòng)器AD5750和AD5751，能顯著提高過程控制應(yīng)用的效率和可靠性，包括那些在高恒流電壓和高溫條件下工作的過程控制應(yīng)用。這兩款器件基于ADI公司的iCMOS工藝技術(shù)
2019-07-01 07:08:17
求一個(gè)18V的電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊或者設(shè)計(jì)思路！
2018-04-14 15:38:02
Portfolio系統(tǒng)，跨越12v 到80v 的范圍往往需要一個(gè)司機(jī)與較高的供應(yīng)額定值，支持高功率18v 鉆頭和80v 割草機(jī)。雖然選擇合適的集成三相無刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器是有限的，一套有能力的100伏半橋可以
2022-04-14 14:43:07
輸出都很低。 該設(shè)備接受VDD供電電壓高達(dá)25伏。 一個(gè)寬的輸入VCCI范圍從3v到18v 驅(qū)動(dòng)程序適合與模擬和 數(shù)字控制器。所有的電源電壓引腳都有 在電壓鎖定(UVLO)保護(hù)下。 有了這些先進(jìn)的功能
2018-08-01 09:29:40
Instruments18+9800 門驅(qū)動(dòng)器 Dual 2A Comp MOSFETIX2127NTRIXYS Integrated Circuits18+9800 門驅(qū)動(dòng)器 High-Voltage MOSFET 600V
2018-08-02 09:39:35
濾波得到約300V高壓直流電壓，然后通過PN8126電源驅(qū)動(dòng)芯片進(jìn)行調(diào)制，經(jīng)過高頻變壓器轉(zhuǎn)換為交流信號(hào)輸出低壓交流，然后再整流、濾波、穩(wěn)壓得到18V電源?！
2021-01-15 15:35:48
`請(qǐng)問電磁爐的igbt驅(qū)動(dòng)電壓能大于18V嗎？`
2019-08-22 15:50:47
與TC4427類似的驅(qū)動(dòng)器有哪些，哪些比18v大
2019-01-08 10:36:55
氧化層漏極延伸MOS器件，該驅(qū)動(dòng)器可實(shí)現(xiàn)可靠的高壓操作，而這一新型器件通過CMOS技術(shù)實(shí)現(xiàn)時(shí)無需額外的費(fèi)用。
2019-07-12 07:43:04
本文介紹了在步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中利用IR2110S完成mosfet驅(qū)動(dòng)的設(shè)計(jì)，并給出試驗(yàn)結(jié)果。關(guān)鍵詞 步進(jìn)電機(jī)；mosfet 驅(qū)動(dòng)器
2009-03-31 23:29:46
55 MOSFET驅(qū)動(dòng)器與MOSFET的匹配設(shè)計(jì)本應(yīng)用筆記將詳細(xì)討論與MOSFET 柵極電荷和工作頻率相關(guān)的MOSFET 驅(qū)動(dòng)器功耗。還將討論如何根據(jù)MOSFET 所需的導(dǎo)通和截止時(shí)間將MOSFET 驅(qū)動(dòng)器的
2010-06-11 15:23:20212 基于CMOS的隔離柵極驅(qū)動(dòng)器以提高電源供電系統(tǒng)設(shè)計(jì)
與傳統(tǒng)的解決方案相比,完全集成的隔離柵極驅(qū)動(dòng)器械可以顯著地提高開關(guān)電源的效率,性能和可靠性.
2010-06-19 09:29:3144 凌力爾特公司Linear推出高速同步MOSFET驅(qū)動(dòng)器LTC4447
加利福尼亞州米爾皮塔斯 (MILPITAS, CA) – 2008 年 6 月 30 日 – 凌力爾特公司(Linear Techno
2008-08-04 17:40:14475 ADI發(fā)表全新的高速MOSFET驅(qū)動(dòng)器系列
美商亞德諾公司(Analog Devices；ADI)發(fā)表全新的高速18伏特MOSFET(金屬氧化半導(dǎo)體場效晶體管)驅(qū)動(dòng)器家族，能提供2A與4A的峰值電流，同時(shí)
2009-11-23 08:41:40805 具有高開關(guān)速度和過溫保護(hù)功能的MOSFET驅(qū)動(dòng)器
日前，Analog Devices, Inc.最新推出新型高速 18V MOSFET 驅(qū)動(dòng)器系列，該系列產(chǎn)品可提供2A 和4A 的峰值電流。該系列產(chǎn)品具有14
2009-12-03 10:03:511027 Linear推出高速同步MOSFET驅(qū)動(dòng)器
凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速同步 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 LTC4449，該器件為在同步整流轉(zhuǎn)換器拓?fù)渲?b class="flag-6" style="color: red">驅(qū)動(dòng)高端和低端 N
2010-02-01 10:22:16865 
凌力爾特推出高速同步MOSFET驅(qū)動(dòng)器LTC4449
凌力爾特(Linear)推出高速同步 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 LTC4449，該器件為在同步整流轉(zhuǎn)換器拓?fù)渲?b class="flag-6" style="color: red">驅(qū)動(dòng)高端和低端 N 溝道功率 MOSFET 而設(shè)計(jì)。
2010-02-04 08:40:551261 
ADI公司推出高速、四通道MOSFET驅(qū)動(dòng)器-ADP3654
2010-09-20 09:24:361962 
概述
MAX5054-MAX5057雙、高速MOSFET驅(qū)動(dòng)器可供出和吸收高達(dá)4A的峰值電流。這些器件具有20ns的快速傳輸延遲以及驅(qū)動(dòng)5000pF容性負(fù)載時(shí)20ns的上升和下降時(shí)間。傳輸延
2010-09-23 09:16:541310 
使用功率MOSFET的汽車應(yīng)用要求柵極驅(qū)動(dòng)器具備高峰值驅(qū)動(dòng)電流和低輸出阻抗。來自飛兆半導(dǎo)體的 FAN31xx_F085 和FAN32xx_F085* 系列高速、低端汽車合格柵極驅(qū)動(dòng)器為電源和其他高效MOSFET開關(guān)應(yīng)用帶來了靈活性，可提供大量功能和性能組合選擇以創(chuàng)建緊湊、高效和可靠的設(shè)計(jì)。
2013-08-20 11:20:151294 
高壓MOSFET驅(qū)動(dòng)器電路的LTC1154被用作電荷泵，從而來驅(qū)動(dòng)一個(gè)高壓側(cè)功率MOSFET的柵極。高壓MOSFET驅(qū)動(dòng)器電路：
2017-10-19 16:02:3723 MCP14E6/7/8 器件是高速 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器，能夠提供
2.0A 的峰值電流。通過 TTL 或 CMOS（3V 至 18V）直
接控制雙反相、雙同相和互補(bǔ)輸出。這些器件還具有較
低的直通電流、快速的上升 / 下降時(shí)間和傳播延時(shí)，這
使其成為高開關(guān)頻率應(yīng)用的理想之選。
2018-06-28 10:23:0012 MCP14E9/10/11 器件是高速 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器，能夠提
供 3.0A 的峰值電流。通過 TTL 或 CMOS（3V 至 18V）
直接控制雙反相、雙同相和互補(bǔ)輸出。這些器件還具有較
低的直通電流、近似匹配的上升/ 下降時(shí)間和傳播延時(shí)，
這使其成為高開關(guān)頻率應(yīng)用的理想之選。
2018-06-28 09:23:005 MCP14A0051/2 器件是高速 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器，在使
用單個(gè) 4.5V 至 18V 電源工作時(shí)，最高能夠提供 0.5A
的峰值電流。反相 （MCP14A0051）或同相
2018-07-03 08:24:001 MCP14A0151/2 器件是高速 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器，在使用單
個(gè) 4.5V 至 18V 電源工作時(shí)，最高能夠提供 1.5A 的峰值電
流。反相 （MCP14A0151）或同相
2018-07-03 08:24:0010 UCC37323/4/5系列的高速雙MOSFET驅(qū)動(dòng)器可以向電容性負(fù)載提供較大的峰值電流。提供了三種標(biāo)準(zhǔn)邏輯選項(xiàng)-雙反相、雙反相和一反相以及一個(gè)非反相驅(qū)動(dòng)器。熱增強(qiáng)的8針PowerPadTM
2019-09-02 08:00:005 18V 轉(zhuǎn) 12V，18V 轉(zhuǎn) 9V，18V 轉(zhuǎn) 5V，18V 轉(zhuǎn) 3.3V，18V 轉(zhuǎn) 3V， 18V 常降壓轉(zhuǎn)成 5V 電壓，3.3V 電壓和 3V 電壓給其他芯片或設(shè)備供電，適用于這個(gè)電壓
2020-10-12 08:00:0020 100V 高速同步 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器在 -40°C 至 150°C 的溫度范圍內(nèi)工作
2021-03-19 06:51:081 ADP3629_3630_3631：高速雙通道2 A MOSFET驅(qū)動(dòng)器
2021-04-17 15:29:101 ADP3654：高速雙4 A MOSFET驅(qū)動(dòng)器
2021-04-25 20:44:092 LTC4449：高速同步N溝道MOSFET驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)表
2021-04-27 19:51:574 LTC1693：高速單/雙N溝道MOSFET驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)表
2021-05-19 16:35:075 ADI隔離柵極驅(qū)動(dòng)器和WOLFSPEED SiC MOSFET
2021-05-27 13:55:0830 (A89506) 選項(xiàng)，可將關(guān)鍵功能向上集成(up-integrate)以簡化系統(tǒng)設(shè)計(jì)，用固態(tài)驅(qū)動(dòng)器代替機(jī)械繼電器以提高性能和可靠性。
2022-05-21 11:49:041528 在電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中，柵極驅(qū)動(dòng)器或“預(yù)驅(qū)動(dòng)器” IC常與N溝道功率MOSFET一起使用，以提供驅(qū)動(dòng)電機(jī)所需的大電流。在選擇驅(qū)動(dòng)器IC、MOSFET以及某些情況下用到的相關(guān)無源元件時(shí)，有很多需要考量的設(shè)計(jì)因素。如果對(duì)這個(gè)過程了解不透徹，將導(dǎo)致實(shí)現(xiàn)方式的差強(qiáng)人意。
2023-08-02 18:18:34808 
作為應(yīng)用工程師，我們經(jīng)常遇到各種有關(guān)差分輸入型高速模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)的驅(qū)動(dòng)問題。事實(shí)上，選擇正確的ADC驅(qū)動(dòng)器和配置極具挑戰(zhàn)性。為了使魯棒性ADC電路設(shè)計(jì)多少容易些，我們匯編了一套通用“路障”及解決方案。本文假設(shè)實(shí)際驅(qū)動(dòng)ADC的電路—也被稱為ADC驅(qū)動(dòng)器或差分放大器—能夠處理高速信號(hào)。
2023-11-27 08:31:362 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《雙高速MOSFET驅(qū)動(dòng)器TPS2811-Q1數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-14 09:40:470 電橋電路柵驅(qū)動(dòng)器和MOSFET柵驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品介紹
2024-03-19 09:43:3650 
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