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MEMS工藝與COMS工藝融合分析

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2021-08-27 14:55:4417759

MEMS芯片制造工藝流程

贊助商廣告展示 原文標題:MEMS芯片制造工藝流程詳解 文章出處:【微信公眾號:今日半導體】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。 ? ? ? 審核編輯:彭靜
2022-07-11 16:20:185860

MEMS工藝中的鍵合技術

鍵合技術是 MEMS 工藝中常用的技術之一,是指將硅片與硅片、硅片與玻璃或硅片與金屬等材料通過物理或化學反應機制緊密結合在一起的一種工藝技術。
2022-10-11 09:59:573731

MEMS 與CMOS 集成工藝技術的區(qū)別

Pre-CMOS/MEMS 是指部分或全部的 MEMS 結構在制作 CMOS 之前完成,帶有MEMS 微結構部分的硅片可以作為 CMOS 工藝的初始材料。
2022-10-13 14:52:435875

MEMS電鍍金屬掩模工藝優(yōu)化及構建仿真模型

在微機電系統(tǒng)(MEMS工藝中,沉積金屬作為掩模是目前較為常用的方法。金屬掩模的制備一般采用濺射與電鍍結合的方式,在襯底上先濺射用于電鍍工藝所沉積金屬的種子層,然后采用電鍍的方式生長金屬掩模。
2022-11-25 10:13:031204

Omnitron驗證創(chuàng)新的MEMS掃描鏡工藝

據(jù)市場調研機構預測,到2026年,激光雷達光學子系統(tǒng)市場規(guī)模將持續(xù)增長到23億美元。為了把握未來商機,Omnitron近日宣布已完成對創(chuàng)新的MEMS掃描鏡的工藝驗證。
2022-12-07 11:44:21766

賽微電子:深耕MEMS工藝帶來技術優(yōu)勢,MEMS晶圓價格持續(xù)上漲

公司的角色是MEMS純代工廠商,為下游各領域客戶提供優(yōu)質的工藝開發(fā)及晶圓制造服務,公司并不會去主動規(guī)劃收入結構,但會根據(jù)相關應用領域當前及未來的需求展望在產(chǎn)能、工藝、團隊等方面做一些傾向性準備。MEMS是萬物互聯(lián)、人工智能時代的基礎器件,公司長期看好各領域的未來需求。
2022-12-16 14:54:02720

什么是工藝審查?板級電路裝焊的工藝性審查

工藝審查是電氣互聯(lián)工藝設計的關鍵部分,工藝審查就是對電路設計、結構設計的工藝性、規(guī)范性、繼承性、合理性和生產(chǎn)可行性等相關工藝問題進行分析與評價,并提出意見或建議,最后進行修改與簽字。同時可根據(jù)在制品的工藝執(zhí)行具體情況對生產(chǎn)工藝的正確性、合理性和可靠性進行審查。
2023-09-01 12:45:34524

制造MEMS芯片需要什么工藝?對傳感器有什么影響?這次終于講明白了?。ㄍ扑])

本文整理自公眾號芯生活SEMI Businessweek中關于MEMS制造工藝的多篇系列內(nèi)容,全面、專業(yè)地介紹了MEMS芯片制造中的常用工藝情況,推薦! ? 作為現(xiàn)代傳感器重要的制造技術,MEMS
2023-10-20 16:10:351409

MEMS制造工藝過程中膜厚測試詳解

膜厚測試在MEMS制造工藝中至關重要,它不僅關乎工藝質量,更直接影響著最終成品的性能。為了確保每一片MEMS器件的卓越品質,精確測量薄膜厚度是不可或缺的一環(huán)。
2024-01-08 09:40:54262

懸空打線工藝MEMS 芯片固定中的應用分析

芯片進行固定封裝,并運用有限元仿真分析軟件,以加速度傳感器的動力輸出參數(shù)為量化指標,對比分析傳統(tǒng)黏合劑粘貼封裝和懸空打線封裝的實施效果。研究結果表明,懸空打線工藝可避免外部應力變化對 MEMS 芯片內(nèi)部結構產(chǎn)生的消極影響,確保
2024-02-25 17:11:34140

MEMS和硅光集成工藝成果入選《2023年上??萍歼M步報告》

近日,上海發(fā)布了《2023年上??萍歼M步報告》,來自上海工研院的MEMS標準工藝模塊及90納米硅光集成工藝2項國際先進水平技術成果入選。
2024-02-22 09:42:31282

MEMS封裝中的封帽工藝技術

密性等。本文介紹了五種用于MEMS封裝的封帽工藝技術,即平行縫焊、釬焊、激光焊接、超聲焊接和膠粘封帽??偨Y了不同封帽工藝的特點以及不同MEMS器件對封帽工藝的選擇。本文還介紹了幾種常用的吸附劑類型,針對吸附劑易于飽和問題,給出了封帽工藝解決方案,探
2024-02-25 08:39:28171

MEMS工藝中快速退火的應用范圍和優(yōu)勢介紹

MEMS工藝中,常用的退火方法,如高溫爐管退火和快速熱退火(RTP)。RTP (Rapid Thermal Processing)是一種在很短的時間內(nèi)將整個硅片加熱到400~1300°C范圍的方法。
2024-03-19 15:21:05122

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