0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

MEMS與傳統(tǒng)CMOS刻蝕與沉積工藝的關(guān)系

MEMS ? 來(lái)源:《電子產(chǎn)品世界》 ? 2020-09-01 11:21 ? 次閱讀

不久前,MEMS蝕刻和表面涂層方面的領(lǐng)先企業(yè)memsstar向《電子產(chǎn)品世界》介紹了MEMS與傳統(tǒng)CMOS刻蝕與沉積工藝的關(guān)系,對(duì)中國(guó)本土MEMS制造工廠和實(shí)驗(yàn)室的建議等。

1 MEMS比CMOS的復(fù)雜之處

MEMS與CMOS的根本區(qū)別在于:MEMS是帶活動(dòng)部件的三維器件,CMOS是二維器件。因此,雖然許多刻蝕和沉積工藝相似,但某些工藝是MEMS獨(dú)有的,例如失效機(jī)理。舉個(gè)例子,由于CMOS器件沒(méi)有活動(dòng)部件,因此不需要釋放工藝。正因?yàn)槿绱?,?dāng)活動(dòng)部件“粘”在表面上,導(dǎo)致設(shè)備故障時(shí),就會(huì)產(chǎn)生靜摩擦,CMOS沒(méi)有這種問(wèn)題。

CMOS器件是在硅材料上逐層制作而成的。雖然蝕刻和沉積是標(biāo)準(zhǔn)工藝,但它們主要使用光刻和等離子蝕刻在裸片上創(chuàng)建圖案。另一方面,MEMS是采用體硅加工工藝嵌入到硅中,或通過(guò)表面微加工技術(shù)在硅的頂部形成。

體硅MEMS的深反應(yīng)離子刻蝕(DRIE)也稱為Bosch工藝(因?yàn)樵摴に囋?0世紀(jì)90年代由Bosch開(kāi)發(fā)),是專(zhuān)為MEMS設(shè)計(jì)的一種最老的工藝解決方案。雖然它不是標(biāo)準(zhǔn)的半導(dǎo)體工藝,但現(xiàn)在已應(yīng)用于三維裸片堆疊中,通過(guò)硅通孔(TSV)技術(shù)進(jìn)行蝕刻。此外,表面微加工蝕刻的釋放蝕刻是另外一種需要釋放材料的受控化學(xué)蝕刻的特定MEMS工藝。

2將舊CMOS轉(zhuǎn)換為MEMS生產(chǎn)線

盡管歐美國(guó)家多年來(lái)一直在推動(dòng)MEMS創(chuàng)新,但直到現(xiàn)在,還沒(méi)有一家建立MEMS專(zhuān)用工廠。雖然有些公司有MEMS工藝生產(chǎn)線,但它們并不一定是最先進(jìn)的。相反,是二次利用舊半導(dǎo)體工廠的方式,為它們注入新的活力。將舊CMOS半導(dǎo)體制造設(shè)備的富余生產(chǎn)能力轉(zhuǎn)換為MEMS生產(chǎn)線可能是中國(guó)可以考慮的一種方法。

MEMS器件不太可能達(dá)到CMOS器件的產(chǎn)量,理解這一點(diǎn)非常重要。一種器件沒(méi)法讓MEMS生產(chǎn)線盈利,因?yàn)槿藗儾恍枰?萬(wàn)個(gè)初制晶圓。即使是MEMS麥克風(fēng)這種相當(dāng)高產(chǎn)量的應(yīng)用,但生產(chǎn)卻分布在多個(gè)廠家。

3中國(guó)MEMS制造廠和實(shí)驗(yàn)設(shè)備的挑戰(zhàn)

總體來(lái)看,中國(guó)在MEMS應(yīng)用的內(nèi)部開(kāi)發(fā)方面落后于世界其他先進(jìn)國(guó)家。目前,中國(guó)面臨著與歐美國(guó)家多年前一樣的制造和設(shè)備挑戰(zhàn),而且隨著歐美國(guó)家不斷推進(jìn)發(fā)展,中國(guó)較難迎頭趕上。鑒于中國(guó)當(dāng)前與其他國(guó)家之間的關(guān)系,中國(guó)正在加緊發(fā)展國(guó)內(nèi)能力,以期獲得獨(dú)立供應(yīng)鏈。

MEMS產(chǎn)業(yè)發(fā)展速度快,創(chuàng)新力強(qiáng)。此外,大多數(shù)MEMS器件都是專(zhuān)用的,沒(méi)有像CMOS器件那樣大的體量。因此,正確合理的解決方案必須以技術(shù)為基礎(chǔ)。

尖端科技是需要成本的。為一家工廠配備已使用了20年工藝的傳統(tǒng)MEMS設(shè)備并非成功之道。重要的是,設(shè)備不僅要滿足今天的需要,還要滿足未來(lái)5 ~ 10年的需要。因此,為應(yīng)對(duì)未來(lái)發(fā)展的需要,應(yīng)盡可能選擇最高生產(chǎn)能力的設(shè)備是很重要的,以備援未來(lái)。

4 MEMS制造需要外包嗎

要想成為一家成功的中國(guó)MEMS制造公司,是選擇外包還是建廠?這取決于您的商業(yè)模式。MEMS集成器件制造商(IDM)并不是孤立存在的。成功的MEMS制造公司擁有多種MEMS產(chǎn)品,能夠處理不同尺寸的晶圓,以及各種材料和工藝。目前,對(duì)于中國(guó)企業(yè)來(lái)說(shuō),這種能力都在海外——在歐洲或美國(guó)。

MEMS代工廠之所以存在并取得成功,是因?yàn)樗鼈優(yōu)樵S多不同的公司生產(chǎn)許多不同的MEMS產(chǎn)品。例如,ST Microelectronics成功地使用了代工廠(foundry)模式。

總之,除非你是一個(gè)為多家MEMS服務(wù)的代工廠,否則建立自己的代工廠是沒(méi)有意義的。對(duì)于中國(guó)內(nèi)部的MEMS市場(chǎng)來(lái)說(shuō),可以采取合作的方式來(lái)替代外包,即幾家MEMS公司共用一家工廠。歸根結(jié)底,選擇最終要帶來(lái)最佳的投資回報(bào)。

5良率指標(biāo)更為關(guān)鍵

memsstar一直專(zhuān)注于技術(shù)、工藝和良率。memsstar通過(guò)實(shí)現(xiàn)這些目標(biāo),來(lái)確??蛻粼诋?dāng)前和未來(lái)都能以最低的成本制造最先進(jìn)的MEMS器件。許多公司把“產(chǎn)量”作為控制成本的一種方法。而memsstar深信“良率”這一指標(biāo)更為關(guān)鍵。因?yàn)闊o(wú)論你能生產(chǎn)多少器件,如果你的良率只有50%,那么成本就是2倍。

memsstar的第二個(gè)獨(dú)特之處在于,所提供的工藝流程貫穿在MEMS器件發(fā)展演變過(guò)程中,始終有效。從研發(fā)到大規(guī)模生產(chǎn)制造,MEMS器件經(jīng)歷了概念驗(yàn)證、原型制作、試產(chǎn)和生產(chǎn)制造等多個(gè)階段。如果在概念設(shè)計(jì)和可行性階段使用不同的工藝工具,它們可能不會(huì)過(guò)渡到主流制造設(shè)備。memsstar作為MEMS蝕刻和表面涂層方面的專(zhuān)家,提供了專(zhuān)業(yè)知識(shí)、經(jīng)驗(yàn)和專(zhuān)有技術(shù),并且提供從研發(fā)到生產(chǎn)的全套設(shè)備。memsstar的MEMS產(chǎn)品融合了下一代專(zhuān)有的釋放蝕刻和涂層技術(shù),以及專(zhuān)有和再使用半導(dǎo)體設(shè)備。這一系列產(chǎn)品確保memsstar能夠提供全套蝕刻和沉積解決方案,以支持MEMS開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)準(zhǔn)備制造。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • CMOS
    +關(guān)注

    關(guān)注

    58

    文章

    5652

    瀏覽量

    235004
  • mems
    +關(guān)注

    關(guān)注

    129

    文章

    3885

    瀏覽量

    190223
  • 蝕刻
    +關(guān)注

    關(guān)注

    9

    文章

    413

    瀏覽量

    15328

原文標(biāo)題:memsstar談MEMS刻蝕與沉積工藝的挑戰(zhàn)

文章出處:【微信號(hào):MEMSensor,微信公眾號(hào):MEMS】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦

    Bosch刻蝕工藝的制造過(guò)程

    Bosch刻蝕工藝作為微納加工領(lǐng)域的關(guān)鍵技術(shù),對(duì)于HBM和TSV的制造起到了至關(guān)重要的作用。
    的頭像 發(fā)表于 10-31 09:43 ?193次閱讀
    Bosch<b class='flag-5'>刻蝕</b><b class='flag-5'>工藝</b>的制造過(guò)程

    PDMS濕法刻蝕與軟刻蝕的區(qū)別

    PDMS(聚二甲基硅氧烷)是一種常見(jiàn)的彈性體材料,廣泛應(yīng)用于微流控芯片、生物傳感器和柔性電子等領(lǐng)域。在這些應(yīng)用中,刻蝕工藝是實(shí)現(xiàn)微結(jié)構(gòu)加工的關(guān)鍵步驟。濕法刻蝕和軟刻蝕是兩種常用的
    的頭像 發(fā)表于 09-27 14:46 ?157次閱讀

    離子束刻蝕機(jī)物理量傳感器 MEMS 刻蝕應(yīng)用

    口離子束刻蝕機(jī) IBE 可以很好的解決傳感器 MEMS刻蝕難題, 射頻角度可以任意調(diào)整, 蝕刻可以根據(jù)需要做垂直, 斜面等等加工形狀, 刻蝕那些很難
    的頭像 發(fā)表于 09-12 13:31 ?305次閱讀
    離子束<b class='flag-5'>刻蝕</b>機(jī)物理量傳感器 <b class='flag-5'>MEMS</b> <b class='flag-5'>刻蝕</b>應(yīng)用

    降低半導(dǎo)體金屬線電阻的沉積刻蝕技術(shù)

    著提升。通常,銅線的制作流程是用溝槽刻蝕工藝在低介電二氧化硅里刻蝕溝槽圖形,然后通過(guò)大馬士革流程用銅填充溝槽。 但這種方法會(huì)生出帶有明顯晶界和空隙的多晶結(jié)構(gòu),從而增加銅線電阻。 為防止大馬士革退火
    的頭像 發(fā)表于 08-19 11:49 ?331次閱讀
    降低半導(dǎo)體金屬線電阻的<b class='flag-5'>沉積</b>和<b class='flag-5'>刻蝕</b>技術(shù)

    降低半導(dǎo)體金屬線電阻的沉積刻蝕技術(shù)

    摘要 :使用SEMulator3D?可視性沉積刻蝕功能研究金屬線制造工藝,實(shí)現(xiàn)電阻的大幅降低 作者:泛林集團(tuán) Semiverse Solutions 部門(mén)軟件應(yīng)用工程師 Timothy Yang
    發(fā)表于 08-15 16:01 ?765次閱讀
     降低半導(dǎo)體金屬線電阻的<b class='flag-5'>沉積</b>和<b class='flag-5'>刻蝕</b>技術(shù)

    HV-CMOS工藝制程技術(shù)簡(jiǎn)介

    的成本相對(duì)傳統(tǒng)CMOS 要高很多。對(duì)于一些用途單一的LCD 和LED高壓驅(qū)動(dòng)芯片,它們的要求是驅(qū)動(dòng)商壓信號(hào),并沒(méi)有大功率的要求,所以一種基于傳統(tǒng) CMOS
    的頭像 發(fā)表于 07-22 09:40 ?2053次閱讀
    HV-<b class='flag-5'>CMOS</b><b class='flag-5'>工藝</b>制程技術(shù)簡(jiǎn)介

    等離子刻蝕ICP和CCP優(yōu)勢(shì)介紹

    刻蝕可以分為濕法刻蝕和干法刻蝕。濕法刻蝕各向異性較差,側(cè)壁容易產(chǎn)生橫向刻蝕造成刻蝕偏差,通常用于
    的頭像 發(fā)表于 04-12 11:41 ?4271次閱讀
    等離子<b class='flag-5'>刻蝕</b>ICP和CCP優(yōu)勢(shì)介紹

    什么是刻蝕呢?干法刻蝕與濕法刻蝕又有何區(qū)別和聯(lián)系呢?

    在半導(dǎo)體加工工藝中,常聽(tīng)到的兩個(gè)詞就是光刻(Lithography)和刻蝕(Etching),它們像倆兄弟一樣,一前一后的出現(xiàn),有著千絲萬(wàn)縷的聯(lián)系,這一節(jié)介紹半導(dǎo)體刻蝕工藝
    的頭像 發(fā)表于 01-26 10:01 ?2723次閱讀
    什么是<b class='flag-5'>刻蝕</b>呢?干法<b class='flag-5'>刻蝕</b>與濕法<b class='flag-5'>刻蝕</b>又有何區(qū)別和聯(lián)系呢?

    硅的形態(tài)與沉積方式

    優(yōu)化硅的形態(tài)與沉積方式是半導(dǎo)體和MEMS工藝的關(guān)鍵,LPCVD和APCVD為常見(jiàn)的硅沉積技術(shù)。
    的頭像 發(fā)表于 01-22 09:32 ?2459次閱讀
    硅的形態(tài)與<b class='flag-5'>沉積</b>方式

    刻蝕終點(diǎn)探測(cè)進(jìn)行原位測(cè)量

    使用SEMulator3D?工藝步驟進(jìn)行刻蝕終點(diǎn)探測(cè) 作者:泛林集團(tuán) Semiverse Solutions 部門(mén)軟件應(yīng)用工程師 Pradeep Nanja 介紹 半導(dǎo)體行業(yè)一直專(zhuān)注于使用先進(jìn)的刻蝕
    的頭像 發(fā)表于 01-19 16:02 ?529次閱讀
    為<b class='flag-5'>刻蝕</b>終點(diǎn)探測(cè)進(jìn)行原位測(cè)量

    CMOS工藝

    CMOS是一個(gè)簡(jiǎn)單的前道工藝,大家能說(shuō)說(shuō)具體process嗎
    發(fā)表于 01-12 14:55

    化學(xué)氣相沉積與物理氣相沉積的差異

    在太陽(yáng)能電池的薄膜沉積工藝中,具有化學(xué)氣相沉積(CVD)與物理氣相沉積(PVD)兩種薄膜沉積方法,電池廠商在
    的頭像 發(fā)表于 12-26 08:33 ?1154次閱讀
    化學(xué)氣相<b class='flag-5'>沉積</b>與物理氣相<b class='flag-5'>沉積</b>的差異

    北方華創(chuàng)公開(kāi)“刻蝕方法和半導(dǎo)體工藝設(shè)備”相關(guān)專(zhuān)利

    該專(zhuān)利詳細(xì)闡述了一種針對(duì)含硅有機(jī)介電層的高效刻蝕方法及相應(yīng)的半導(dǎo)體工藝設(shè)備。它主要涉及到通過(guò)交替運(yùn)用至少兩個(gè)刻蝕步驟來(lái)刻蝕含硅有機(jī)介電層。這兩個(gè)步驟分別為第一
    的頭像 發(fā)表于 12-06 11:58 ?952次閱讀
    北方華創(chuàng)公開(kāi)“<b class='flag-5'>刻蝕</b>方法和半導(dǎo)體<b class='flag-5'>工藝</b>設(shè)備”相關(guān)專(zhuān)利

    半導(dǎo)體制造技術(shù)之刻蝕工藝

    W刻蝕工藝中使用SF6作為主刻步氣體,并通過(guò)加入N2以增加對(duì)光刻膠的選擇比,加入O2減少碳沉積。在W回刻工藝中分為兩步,第一步是快速均勻地刻掉大部分W,第二步則降低
    的頭像 發(fā)表于 12-06 09:38 ?6338次閱讀

    半導(dǎo)體前端工藝(第四篇):刻蝕——有選擇性地刻蝕材料,以創(chuàng)建所需圖形

    半導(dǎo)體前端工藝(第四篇):刻蝕——有選擇性地刻蝕材料,以創(chuàng)建所需圖形
    的頭像 發(fā)表于 11-27 16:54 ?718次閱讀
    半導(dǎo)體前端<b class='flag-5'>工藝</b>(第四篇):<b class='flag-5'>刻蝕</b>——有選擇性地<b class='flag-5'>刻蝕</b>材料,以創(chuàng)建所需圖形