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電子發(fā)燒友網>存儲技術>如何在基于NAND閃存系統(tǒng)中實現(xiàn)最低的故障率

如何在基于NAND閃存系統(tǒng)中實現(xiàn)最低的故障率

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關于不同NAND閃存的種類對比淺析

由于閃存的成本取決于其裸片面積,如果可以在同樣的面積上存儲更多數(shù)據,閃存將更具成本效益。NAND閃存有三種主要類型:單層單元(SLC)、多層單元(MLC)和三層單元(TLC)。顧名思義,在相同
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由于閃存的成本取決于其裸片面積,如果可以在同樣的面積上存儲更多數(shù)據,閃存將更具成本效益。NAND閃存有三種主要類型:單層單元(SLC)、多層單元(MLC)和三層單元(TLC)。顧名思義,在相同
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IDC對NAND閃存價格的最新預測

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一文解析NAND閃存存儲系統(tǒng)實現(xiàn)故障率不僅需要強大的ECC代碼

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2019-06-07 07:18:003508

何在基于NAND閃存系統(tǒng)實現(xiàn)最低故障率?

該行業(yè)非常重視單個ECC代碼的強度:但經常被忽視的是錯誤預防的強度,這在糾正甚至發(fā)揮作用之前是重要的
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Backblaze發(fā)布2019年度硬盤故障率報告 這款硬盤年化故障率為零

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NAND閃存類型機選擇技巧

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2022-06-14 15:21:152100

開放式NAND閃存接口規(guī)范

本規(guī)范定義了標準化的NAND閃存設備接口,該接口提供了以下方法:用于設計支持一系列NAND閃存設備而無需直接設計的系統(tǒng)關聯(lián)前。該解決方案還提供了系統(tǒng)無縫利用的方法在設計系統(tǒng)時可能不存在的新NAND設備。
2022-09-09 16:10:2415

NAND閃存的應用中的磨損均衡

NAND閃存的應用中,程序/擦除周期存在一個限制,稱為“P/E周期”。在NAND閃存中,當每個塊的P/E周期達到最大值時,這些塊將變得不可工作,需要一個備用塊來替換它。當這些備用塊用完時,此NAND閃存將無法再使用。
2022-10-24 14:30:111230

NAND閃存控制器有什么優(yōu)勢

圍繞基于NAND閃存的存儲系統(tǒng)的對話已經變得混亂。通常,當人們討論存儲時,他們只談論NAND閃存,而忽略了單獨的,但同樣重要的組件,即控制器。但是為什么需要控制器呢?簡單地說,沒有它,一切都不起作用。
2022-10-25 09:29:32863

NAND閃存應用中的磨損均衡介紹

NAND閃存的應用中,編程/擦除周期存在限制,稱為“P/E周期”。在NAND閃存中,當每個塊的P/E周期達到最大值時,這些塊變得不可工作,需要一個備用塊來替換它。當這些備用塊用完時,此NAND閃存將無法再使用。
2022-11-30 15:00:431519

開放式NAND閃存接口規(guī)范說明書

本規(guī)范定義了標準化NAND閃存設備接口,該接口提供了設計的系統(tǒng)支持一系列NAND閃存設備,無需直接設計預關聯(lián)。該解決方案還為系統(tǒng)提供了無縫利用在系統(tǒng)設計時可能不存在的新NAND器件。
2022-12-13 16:50:450

什么是3D NAND閃存

我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存,也叫有2D NAND或者直接不提2D的,而3D 閃存,顧名思義,就是它是立體堆疊的,Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND,普通NAND是平房,那么3D NAND就是高樓大廈,建筑面積一下子就多起來了,理論上可以無線堆疊。
2023-03-30 14:02:392147

NAND閃存 – 多芯片系統(tǒng)驗證的關鍵元件

NAND閃存上的位密度隨著時間的推移而變化。早期的NAND設備是單層單元(SLC)閃存。這表明每個閃存單元存儲一個位。使用多層單元(MLC),閃存可以為每個單元存儲兩個或更多位,因此位密度會增加
2023-05-25 15:36:031197

NAND閃存特點及決定因素

內存和NOR型閃存的基本存儲單元是bit,用戶可以隨機訪問任何一個bit的信息。而NAND閃存的基本存儲單元是頁(Page)(可以看到,NAND閃存的頁就類似硬盤的扇區(qū),硬盤的一個扇區(qū)也為512
2023-06-10 17:21:001983

三星24年生產第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產三層堆棧架構321層NAND閃存

三星24年生產第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產三層堆棧架構321層NAND閃存 存儲領域的競爭愈加激烈,三星電子計劃在2023年正式生產第9代V-NAND閃存,三星第9代V-NAND閃存
2023-08-21 18:30:53282

三星計劃NAND閃存芯片每個季度漲價20%

三星采取此舉的目的很明確,希望通過此舉逆轉整個閃存市場,穩(wěn)定NAND閃存價格,并實現(xiàn)明年上半年逆轉市場等目標。
2023-11-03 17:21:111214

何在有限空間里實現(xiàn)高性能?結合最低特定RDS(On)與表面貼裝技術是個好方法!

何在有限空間里實現(xiàn)高性能?結合最低特定RDS(On)與表面貼裝技術是個好方法!
2023-11-23 17:43:55274

磁環(huán)共模電感器應用中故障率高的原因

電子發(fā)燒友網站提供《磁環(huán)共模電感器應用中故障率高的原因.docx》資料免費下載
2024-01-22 09:30:210

三星計劃NAND閃存價格談判 欲漲價15%—20%

三星計劃NAND閃存價格談判 欲漲價15%—20% 三星認為NAND Flash價格過低;在減產和獲利優(yōu)先政策的促使下三星計劃與客戶就NAND閃存價格重新談判,目標價位是漲價15%—20%。
2024-03-14 15:35:22222

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